KR100682872B1 - 고효율 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 표면에 형성된 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 반도체 발광 소자를 제조하는 방법에 있어서, 기판 상에 금속층을 형성시키고, 상기 금속층을 양극 산화하여 홀이 형성된 금속 산화층으로 형성시키고 그 자체로 요철 구조 패턴으로 사용하거나, 상기 금속 산화층의 홀에 대응되도록 상기 금속 산화층 하부의 기판 또는 물질층 내에 홀을 형성시켜 요철 구조 패턴으로 사용하여 그 상부에 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층을 순차적을 형성시킴으로써 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자를 제공한다.
Description
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 의한 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자들을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 의한 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 도면이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제 1실시예에 의한 반도체 발광 소자의 요철 구조의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제 2실시예에 의한 반도체 발광 소자의 요철 구조의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제 3실시예에 의한 반도체 발광 소자의 요철 구조의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 실시예에 의한 요철 구조의 제조 공정 중의 이미지를 나타낸 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
101... p-전극 102... p-GaN
103... 활성층 104... n-GaN
105... n-전극 106... 요철 계면
111... 사파이어 기판 112... n-GaN
113... n-AlGaN 114... 활성층
115... p=AlGaN 116... p-GaN
117... p-전극 118... n-전극
21, 31 , 41, 51... 기판 22... 요철 구조층
23, 34, 44, 54... 제 1반도체층 24... 제 1전극
25... 활성층 26.. 제 2반도체층
27... 제 2전극 32... 물질층
33... 금속층 33a, 42, 52... 금속 산화층
32b, 33b, 43, 53... 홀
본 발명은 반도체 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 발광 소자에 요철 구조를 채용하는 경우, 광 추출 효율을 향상시키며, 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 발광 소자(light emitting diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여, 전기 에너지를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시킨 신호를 발신하는데 사용되는 소자이다. 발광 다이오드는 EL의 일종이며, 현재 Ⅲ-Ⅴ족 화합 물 반도체를 이용한 발광 다이오드가 실용화 되고 있다.
Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체는 통상 사파이어(sapphire : Al2O3)를 기판으로 이용하여 그 위에 형성되는 것이 일반적이며, 발광 효율, 즉 광의 추출 효율의 향상시키기 위하여 다양한 구조의 발광 다이오드에 관한 연구가 진행되고 있다. 현재 발광 소자의 광 추출 영역에 요철 구조를 형성시켜 광 추출 효율을 향상시키고자 하는 연구가 진행되고 있다.
서로 다른 굴절율을 지닌 물질층들의 계면에서는 각 물질층의 굴절율에 따른 광의 진행이 제한을 받는다. 평탄한 계면의 경우, 굴절률이 큰 반도체층으로부터 굴절률이 작은 공기층(n=1)으로 광이 진행되는 경우 계면의 법선 방향에 대해 소정 각도 이하로 평탄한 계면에 입사해야 한다. 소정 각도 이상으로 입사하는 경우 평탄한 계면에서 전반사가 되어 광 추출 효율이 크게 감소하게 된다. 따라서, 이를 방지하기 위하여 계면에 요철 구조를 도입하는 방법이 시도되었다.
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 의한 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자를 나타낸 도면이다. 도 1a를 참조하면, p-전극(101) 상에 p-GaN층(102), 활성층(103) n-GaN층(104)이 순차적으로 형성되어 있으며, n-GaN층(104) 상에 n-전극(105)이 형성되어 있다. 활성층(103)에서 발생한 광이 n-GaN층(104)을 통하여 상부로 추출되는 경우 그 입사 각도를 변화시키기 위해 n-GaN층(104)과 공기층 사이의 계면에 요철 구조(106)를 도입하였다.
도 1b를 참조하면, 사파이어 기판(111) 상에 n-GaN층(112)이 형성되어 있으 며, n-GaN층(112)의 일부 영역 상에 n-AlGaN층(113), 활성층(114), p-AlGaN층(115), p-GaN(116) 및 p전극(117)이 순차적으로 형성되어 있다. 그리고, n-GaN층(112)의 n-AlGaN층(113)이 형성되지 않은 영역 상에 n-전극(118)이 형성되어 있는 것을 알 수 있다. 이러한 구조는 플립 칩(flip-chip) 형태로서 활성층(114)에서 방생한 광을 주로 투광성인 사파이어 기판(111) 방향으로 추출시켜 이용하게 된다. 여기서는 사파이어 기판(111) 표면에 요철 구조(120)를 형성시킴으로써 광추출 효율을 향상시키는 것이다.
이와 같은 종래 기술에 의한 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자의 경우, 주로 광 추출 효율을 향상시키기 위해 요철 구조를 도입한 것이다. 그러나, 특히 도 1b에 나타낸 바와 같이 사파이어 기판(111) 상에 GaN계 화합물 반도체층을 형성시키는 경우 격자 부정합에 의한 결함이 발생하여 활성층 내부까지 전이되는 경우가 있다. 이와 같은 반도체 소자의 내부적인 결정 결함에 의해 광추출 효율이 떨어지게되는 문제점이 있다. 따라서, 결정 결함이 감소되며, 광추출 효율이 향상된 새로운 형태의 반도체 발광 소자가 요구된다.
본 발명에서는 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 반도체 소자 내부의 구조적인 결함의 형성을 방지할 수 있으며, 광 추출 효율이 향상된 새로운 구조의 반도체 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는 상기 목적을 달성하기 위하여,
반도체 발광소자에 있어서,
기판;
상기 기판 상에 상기 기판의 일부 영역을 노출하는 홀을 포함하며, 양극 산화된 금속 산화물로 형성된 요철 구조층;
상기 기판 및 상기 요철 구조층 상에 형성된 제 1반도체층; 및
반도체 발광소자에 있어서,
기판;
상기 기판 상에 상기 기판의 일부 영역을 노출하는 홀을 포함하며, 양극 산화된 금속 산화물로 형성된 요철 구조층;
상기 기판 및 상기 요철 구조층 상에 형성된 제 1반도체층; 및
상기 제 1반도체층 상에 순차적으로 형성된 활성층 및 제 2반도체층;을 포함하는 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자를 제공한다.
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본 발명항에 있어서, 상기 기판은 사파이어(Al2O3), 실리콘(Si), 탄화규소(SiC), 스피넬(MgAl2O4), NdGaO3, LiGaO2, ZnO, MgO를 포함하는 무기물 결정질, 인화갈륨(GaP)과 비화갈륨(GaAs)을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 또는 질화갈륨(GaN) 중에선 선택되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제 1반도체층, 상기 활성층 및 상기 제 2반도체층은 질화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서는 반도체 발광 소자의 제조 방법에 있어서,
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(가) 기판 상에 금속층을 형성시키는 단계;
(나) 상기 금속층을 양극 산화하여 홀이 형성된 금속 산화층으로 형성시키는 단계;
(다) 상기 금속 산화층 상에 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층을 순차적을 형성시키는 단계;를 포함하는 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 물질층은 굴절율이 2.5보다 낮은 투명 절연체 또는 투명 전도체를 포함하여 형성시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 투명 절연체는 SiO2, SiNx, Al2O3, HfO, TiO2 또는 ZrO 중 적어도 어느 한 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 투명 전도체는 ZnO나 첨가물(Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr)이 함유된 In Oxide 중 적어도 어느 한 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 금속층은 Al로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 물질층은 굴절율이 2.5보다 낮은 투명 절연체 또는 투명 전도체를 포함하여 형성시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 투명 절연체는 SiO2, SiNx, Al2O3, HfO, TiO2 또는 ZrO 중 적어도 어느 한 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 투명 전도체는 ZnO나 첨가물(Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr)이 함유된 In Oxide 중 적어도 어느 한 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 금속층은 Al로 형성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 의한 고효율 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 대해 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명에 의한 고효율 반도체 발광 소자를 나타낸 단면도이다. 도면을 참조하면, 기판(21) 상에 요철 구조층(22), 제 1반도체층(23)이 형성되어 있다. 제 1반도체층(23) 상에는 활성층(25), 제 2반도체층(26)이 형성되어 있으며, 활성층(25)이 형성되지 아니한 영역 상에는 제 1전극(24)이 형성되어 있다. 그리고, 제 2반도체층(26) 상에는 제 2전극(27)이 형성되어 있다.
본 발명의 특징부인 요철 구조층(22)은 기판(21)과 제 1반도체층(23) 사이에 형성된 것으로, 그 자체로 비평탄 구조를 지니며, 활성층(25)에서 발생된 광이 요철 구조층(22)을 통과하는 경우, 그 입사광의 경로를 변화시켜 외부로의 광 추출 효과를 증대시키기 위하여 도입된 것이다. 그리고, 요철 구조층(22)과 같은 나노 패턴 상에서 제 1반도체층(23)이 형성됨으로써 기판(21)과 제 1반도체층(22) 사이 계면에서의 결정 구조 차이에 의한 스트레스 이상 분포를 감소시켜 균일한 결함 분 포를 지닐 수 있게 된다. 요철 구조층(22)은 AAO(Anodic Aluminum Oxide), SiO2, SiNx 또는 ITO 등으로 형성될 수 있다.
상기 요철 구조층(22)을 제외한 구조는 종래 반도체 발광 소자에서 사용되는 재료로 형성시킬 수 있다. 기판(21)으로는 사파이어(Al2O3), 실리콘(Si), 탄화규소(SiC), 스피넬(MgAl2O4), NdGaO3, LiGaO2, ZnO, MgO를 포함하는 무기물 결정질, 인화갈륨(GaP) 또는 비화갈륨(GaAs)을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, 질화갈륨(GaN)을 포함하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 등을 사용할 수 있다. 제 1반도체층(23) 및 제 2반도체층(26)은 GaN, AlGaN, AlInGaN 또는 InaGaNAs로 형성될 수 있다. 그리고, 활성층(25)은 InGaN/GaN의 다중 양자 장벽 구조로 형성될 수 있다.
이하, 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 본 발명의 제 1실시예에 의한 고효율 반도체 발광 소자의 요철 구조의 제조 방법을 설명하고자 한다. 제 1실시예에서는 요철 구조층을 굴절률이 2.5보다 낮은 투명 절연체나 투명 전도체를 사용한다. 여기서 투명 절연체로는 SiO2, SiNx, Al2O3, HfO, TiO2
또는 ZrO와 같은 물질을 사용할 수 있다. 그리고, 투명 전도체는 ZnO나 첨가물(Mg, Ag, Zn, Sc, Hf, Zr, Te, Se, Ta, W, Nb, Cu, Si, Ni, Co, Mo, Cr)이 함유된 In Oxide 등과 같은 투명 전도성 산화물(TCOs)을 사용한다.
도 3a를 참조하면, 먼저 기판(31) 상에 물질층(32)을 형성시킨다. 물질층(32)은 도 2의 요철 구조층(22)을 형성시키기 위해 증착한 것으로, 예를 들어, 광 투과성이 높은 SiO2, SiNx 또는 ITO를 사용하여 형성시키는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 3b에 나타낸 바와 같이 물질층(32) 상에 금속층(33)을 형성시킨다. 그리고, 금속층(33)을 양극 산화시켜 나노 크기의 홀(33b)이 다수 형성된 금속 산화층(33a)을 형성시킨다. 여기서, 금속층(33)은 주로 알루미늄을 이용하며, 알루미늄에 대해 양극 산화 공정을 실시하면, 그 표면으로부터 내부까지 나노미터 크기의 홀(33b)이 형성된다. 홀(33b)은 약 100nm 이하의 직경을 지니는 크기로 형성시키는 것이 바람직하다. 그리고, 다수의 홀(32b)이 형성된 금속 산화층(33a)을 일종의 마스크로 하여 그 하부의 물질층(33)에 대해 건식 식각으로 나노 패터닝 공정을 실시한다.
다음으로, 도 3c를 참조하면, 물질층(32)에 대해 건식 식각 공정으로 나노 패터닝을 실시하면 금속 산화층(33a)의 홀(33b)에 대응되는 물질층(32)에도 홀(32a)이 형성된다. 그리고, 금속 산화층(33a)을 제거하면, 물질층(32)은 요철 구조로 패터닝된 형태로 잔류한다.
다음으로, 도 3d를 참조하면, 물질층(32) 상에 GaN과 같은 반도체 물질을 도포하여 제 1반도체층(34)을 형성시킨다. 따라서, 도 2의 요철 구조층(22)을 제조할 수 있다. 제 1반도체층(34) 상에는 활성층, 제 2반도체층, 제 1 및 제 2전극을 형성키는 공정은 종래 기술을 그대로 이용할 수 있다. 예를 들어, 제 1반도체층의 일부 영역에 활성층, 제 2반도체층 및 제 2전극을 순차적으로 형성시키고, 활성층이 형성되지 아니한, 제 1반도체층의 타 영역에 제 1전극을 형성시켜 도 2에 나타낸 바와 같은 구조의 반도체 발광 소자를 완성시킬 수 있다. 또한, 요철 구조 형성 후, 기판(31)을 제거하고 제 1전극을 형성시키고, 제 1반도체층(34) 상에 활성층, 제 2반도체층 및 제 2전극을 형성시켜 버티컬 형태의 반도체 발광 소자를 형성시킬 수 있다.
도 4a 내지 도 4c를 참조하여 본 발명의 제 2실시예에 의한 고효율 반도체 발광 소자의 요철 구조의 제조 방법을 설명한다. 여기서는 도 2의 요철 구조층(22)에 해당하는 나노 패턴을 기판을 이용하여 형성시키는 공정을 나타낸 것이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 먼저 기판(41) 상에 금속 산화층(42)을 형성시킨다. 이는 상술한 도 3b에서 설명한 바와 같이 먼저 금속을 증착시키고 양극 산화시켜 나노 크기의 홀을 다수 형성시킨 것이다. 금속층은 주로 알루미늄을 이용하며, 알루미늄에 대해 양극 산화 공정을 실시하면, 그 표면으로부터 내부까지 나노미터 크기의 홀이 형성된다. 홀은 약 100nm 이하의 직경을 지니는 크기로 형성시키는 것이 바람직하다.
그리고, 다수의 홀이 형성된 금속 산화층(42)을 일종의 마스크로 하여 그 하부의 기판(41)에 대해 건식 식각으로 나노 패터닝 공정을 실시한다. 기판(41)에 대해 건식 식각 공정으로 나노 패터닝을 실시하면 금속 산화층(42)의 홀에 대응되는 기판(41) 영역에도 다수의 홀(43)이 형성된다. 그리고, 금속 산화층(42)을 제거하면, 기판(41)의 표면에는 요철 구조로 패터닝된 형태가 된다.
다음으로, 도 4c를 참조하면, 기판(41) 상에 GaN과 같은 반도체 물질을 도포하여 제 1반도체층(44)을 형성시킨다. 제 1반도체층(44) 상에는 활성층, 제 2반도 체층, 제 1 및 제 2전극을 형성키는 공정은 종래 기술을 그대로 이용할 수 있다. 제 1반도체층(44)의 일부 영역에 활성층, 제 2반도체층 및 제 2전극을 순차적으로 형성시키고, 활성층이 형성되지 아니한, 제 1반도체층의 타 영역에 제 1전극을 형성시켜 도 2에 나타낸 바와 같은 구조의 반도체 발광 소자를 완성시킬 수 있다. 그리고, 요철 구조 형성 후, 기판(41)을 제거하고 제 1전극을 형성시키고, 제 1반도체층(44) 상에 활성층, 제 2반도체층 및 제 2전극을 형성시켜 버티컬 형태의 반도체 발광 소자를 형성시킬 수 있다. 결과적으로 상기 도 2의 요철 구조층(22)을 포함하는 반도체 발광 소자를 제조할 수 있다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하여 본 발명의 제 3실시예에 의한 고효율 반도체 발광 소자의 요철 구조의 제조 방법을 설명한다. 상기 도 2의 요철 구조층(22)에 해당하는 나노 패턴을 금속 산화물 자체로 형성시키는 공정을 나타낸 것이다.
도 5a를 참조하면, 기판(51) 상에 금속 산화층(52)을 형성시킨다. 상술한 도 3b에서 설명한 바와 같이 먼저 금속을 증착시키고 양극 산화시켜 나노 크기의 홀을 다수 형성시킨 것이다. 금속층은 주로 알루미늄을 이용하며, 알루미늄에 대해 양극 산화 공정을 실시하면, 그 표면으로부터 내부까지 나노미터 크기를 지닌 다수의 홀이 형성된다.
그리고, 도 5b를 참조하면 다수의 홀이 형성된 금속 산화층(52) 상부를 레벨링 공정에 의해 원하는 길이를 지니도록 제거한다. 미리 금속층을 원하는 두께로 증착하고 양극 산화를 통하여 요구되는 두께를 지닌 금속 산화층(52)을 형성시킬 수 있다. 그리하여, 금속 산화층(52)은 다수의 홀(53)을 지닌 구조가 된다. 구조적 으로 보면, 기판(51) 상에 요철 구조가 형성된 것이다.
그리고, 도 5c를 참조하면, 기판(51) 상에 GaN과 같은 반도체 물질을 도포하여 제 1반도체층(54)을 형성한다. 그 뒤, 제 1반도체층(54) 상에는 활성층, 제 2반도체층, 제 1 및 제 2전극을 형성키는 공정은 종래 기술을 그대로 이용할 수 있음은 전술한 바와 같다. 또한, 상술한 바와 같이 요철 구조 형성 후, 기판(51)을 제거하고 제 1전극을 형성시키고, 제 1반도체층(54) 상에 활성층, 제 2반도체층 및 제 2전극을 형성시켜 버티컬 형태의 반도체 발광 소자를 형성시킬 수 있다. 결과적으로 상기 도 2의 요철 구조층(22)을 포함하는 반도체 발광 소자를 제조할 수 있다.
도 6a는 기판 상에 금속 산화층이 형성된 형태를 상부에서 찍은 이미자룰 나타낸 것이다. 여기서는 알루미늄을 금속층으로 사용하고, 양극 산화 공정을 실시하여 그 표면에 홀을 형성시킨 것이며, 알루미늄의 순도가 높을 수록 보다 정확한 홀 크기를 지닌 나노 패턴의 형성이 가능하다.
도 6b는 본 발명의 제 1실시예에 의한 고효율 반도체 발광 소자의 요철 구조의 제조 공정 중의 사진을 나타낸 도면이다. 기판으로는 사파이어를 사용하였고, 물질층으로는 SiO2를 형성시켰다. 알루미늄의 양극 속화에 의해 홀이 형성된 금속 산화층을 마스크로 하여 건식 식각 공정을 실시한 결과 SiO2 물질층 표면에 홀이 형성되기 시작한 것을 알 수 있다.
도 6c는 사파이어 기판 상에 금속 산화층을 형성시키고, 가판 표면에 다수의 홀을 포함하는 금속 산화층을 형성시킨 것이다. 도 6c를 참조하면, 금속 산화층을 형성시킨 후 건식 식각 공정을 실시하면, 기판 표면에 홀이 형성되기 시작하는 것을 알 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
본 발명에 의하면, 간단한 공정으로 반도체 발광 소자의 반도체층에 요철 구조의 패턴을 형성함으로써, 활성층에서 발생한 광의 요철 구조에서의 광 추출 효율을 증가시키면서, 반도체 소자 내부의 결함을 균일하게 분포하도록 유도하여 반도체 발광 소자의 안정된 동작을 유도하여 그 수명을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
Claims (16)
- 반도체 발광소자에 있어서,기판;상기 기판 상에 상기 기판의 일부 영역을 노출하는 홀을 포함하며, 양극 산화된 금속 산화물로 형성된 요철 구조층;상기 기판 및 상기 요철 구조층 상에 형성된 제 1반도체층; 및상기 제 1반도체층 상에 순차적으로 형성된 활성층 및 제 2반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 기판은 사파이어(Al2O3), 실리콘(Si), 탄화규소(SiC), 스피넬(MgAl2 O4), NdGaO3, LiGaO2, ZnO, MgO를 포함하는 무기물 결정질, 인화갈륨(GaP)과 비화갈륨(GaAs)을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 또는 질화갈륨(GaN) 중에선 선택되는 것을 특징으로 하는 요철 구조를 포함하는 반도체 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1반도체층, 상기 활성층 및 상기 제 2반도체층은 질화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자
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- 반도체 발광 소자의 제조 방법에 있어서,(가) 기판 상에 금속층을 형성시키는 단계;(나) 상기 금속층을 양극 산화하여 상기 기판을 노출시키는 홀이 형성된 금속 산화층으로 형성시키는 단계;(다) 상기 금속 산화층 상에 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층을 순차적을 형성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 13항에 있어서,상기 기판은 사파이어(Al2O3), 실리콘(Si), 탄화규소(SiC), 스피넬(MgAl2 O4), NdGaO3, LiGaO2, ZnO, MgO를 포함하는 무기물 결정질, 인화갈륨(GaP)과 비화갈륨 (GaAs)을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 또는 질화갈륨(GaN) 중에선 선택되는 것을 특징으로 하는 요철 구조를 포함하는 반도체 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 13항에 있어서,상기 (다) 단계는, 상기 금속 산화층의 상부를 균일한 표면을 지니도록 레벨링 하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 13항에 있어서,상기 금속층은 Al을 포함하도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101018760B1 (ko) * | 2008-10-24 | 2011-03-04 | 주식회사루미지엔테크 | 반도체 기판과 이의 제조 방법 |
| WO2013095037A1 (ko) * | 2011-12-23 | 2013-06-27 | 서울옵토디바이스(주) | 발광다이오드 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008082097A1 (en) | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device and fabrication method thereof |
| KR101316120B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2013-10-11 | 서울바이오시스 주식회사 | 양극 알루미늄산화를 이용한 산란 중심을 구비하는 발광 소자 제조방법 및 그 발광 소자 |
| JP5097460B2 (ja) * | 2007-06-26 | 2012-12-12 | パナソニック株式会社 | 化合物半導体素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 |
| JP2009054882A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Univ Of Tokushima | 発光装置の製造方法 |
| KR101449000B1 (ko) * | 2007-09-06 | 2014-10-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101405790B1 (ko) * | 2007-09-21 | 2014-06-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| DE102008021403A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung |
| WO2009128646A2 (en) | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Lumigntech Co., Ltd. | Semiconductor substrate and method for manufacturing the same |
| KR101020961B1 (ko) * | 2008-05-02 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100971688B1 (ko) * | 2008-05-08 | 2010-07-22 | 충남대학교산학협력단 | 자가형성된 ＺｎＯ 양자점이 구비된 발광다이오드 |
| JP5167974B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2013-03-21 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| US8633501B2 (en) * | 2008-08-12 | 2014-01-21 | Epistar Corporation | Light-emitting device having a patterned surface |
| CN101771110B (zh) * | 2008-12-29 | 2013-05-01 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种发光二极管及其制造方法 |
| KR101029299B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2011-04-18 | 서울대학교산학협력단 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| TWI470823B (zh) | 2009-02-11 | 2015-01-21 | Epistar Corp | 發光元件及其製造方法 |
| KR101154596B1 (ko) * | 2009-05-21 | 2012-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| TWM386591U (en) * | 2009-07-30 | 2010-08-11 | Sino American Silicon Prod Inc | Nano patterned substrate and epitaxial structure |
| US8476660B2 (en) * | 2009-08-20 | 2013-07-02 | Integrated Photovoltaics, Inc. | Photovoltaic cell on substrate |
| KR101296684B1 (ko) | 2009-11-18 | 2013-08-19 | 한국전자통신연구원 | 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| CN101826583A (zh) * | 2010-04-16 | 2010-09-08 | 武汉希瑞技术有限公司 | 一种氮化镓基led外延用蓝宝石图形化衬底制备方法 |
| US8614452B2 (en) * | 2010-04-26 | 2013-12-24 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Light-emitting diode having zinc oxide nanorods and method of fabricating the same |
| CN101859856B (zh) * | 2010-06-04 | 2016-06-15 | 清华大学 | 发光二极管 |
| CN102157636B (zh) * | 2011-01-27 | 2012-07-25 | 浙江大学 | 一种增强硅基薄膜电致发光的方法 |
| KR20120116231A (ko) * | 2011-04-12 | 2012-10-22 | (주)버티클 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| TWI459592B (zh) * | 2011-04-26 | 2014-11-01 | Univ Nat Chiao Tung | 奈米級側向成長磊晶之薄膜發光二極體及其製作方法 |
| TW201248915A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-01 | Aceplux Optotech Inc | Light-emitting diode of high light-extraction efficiency and its preparation method |
| TW201248725A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-01 | Aceplux Optotech Inc | Epitaxial substrate with transparent cone, LED, and manufacturing method thereof. |
| WO2012176369A1 (ja) * | 2011-06-24 | 2012-12-27 | パナソニック株式会社 | 窒化ガリウム系半導体発光素子、光源および凹凸構造形成方法 |
| TWI474507B (zh) * | 2011-10-18 | 2015-02-21 | Lextar Electronics Corp | 固態發光元件之製作方法 |
| JP5988568B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2016-09-07 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR20130078280A (ko) * | 2011-12-30 | 2013-07-10 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| KR101309258B1 (ko) * | 2012-04-05 | 2013-09-17 | 영남대학교 산학협력단 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| CN103390707A (zh) * | 2012-05-08 | 2013-11-13 | 华夏光股份有限公司 | 半导体发光装置及其制造方法 |
| US9000414B2 (en) * | 2012-11-16 | 2015-04-07 | Korea Photonics Technology Institute | Light emitting diode having heterogeneous protrusion structures |
| KR20140100115A (ko) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| JP2014165337A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Rohm Co Ltd | 発光素子、発光素子パッケージおよび発光素子の製造方法 |
| TWI543395B (zh) * | 2013-04-01 | 2016-07-21 | 中國砂輪企業股份有限公司 | 圖案化光電基板及其製作方法 |
| US9425353B2 (en) | 2013-10-02 | 2016-08-23 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Heterostructure including anodic aluminum oxide layer |
| US10454006B2 (en) | 2013-10-02 | 2019-10-22 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Heterostructure including anodic aluminum oxide layer |
| WO2015159843A1 (ja) * | 2014-04-14 | 2015-10-22 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | エピタキシャル成長用基板の製造方法、それより得られるエピタキシャル成長用基板及びその基板を用いた発光素子 |
| KR20160024170A (ko) | 2014-08-25 | 2016-03-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| US10069037B2 (en) | 2015-04-20 | 2018-09-04 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US10236413B2 (en) | 2015-04-20 | 2019-03-19 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| CN106960897A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-07-18 | 仇凯弘 | 一种复合图形化衬底的制备方法 |
| JP2018046301A (ja) * | 2017-12-14 | 2018-03-22 | ローム株式会社 | 発光素子および発光素子パッケージ |
| CN108754290A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-11-06 | 梁小红 | 一种不锈钢-氧化铝基陶瓷复合材料及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004055611A (ja) | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2004059325A (ja) | 2001-07-04 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体素子用基板の製造方法および半導体素子用基板ならびに半導体素子 |
| KR20040067125A (ko) * | 2003-01-21 | 2004-07-30 | 삼성전자주식회사 | 고효율 반도체 소자 제조방법 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3746785A (en) * | 1971-11-26 | 1973-07-17 | Bendix Corp | Deflectable membrane optical modulator |
| US6291839B1 (en) * | 1998-09-11 | 2001-09-18 | Lulileds Lighting, U.S. Llc | Light emitting device having a finely-patterned reflective contact |
| JP3940546B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | パターン形成方法およびパターン形成材料 |
| AU4139101A (en) * | 1999-12-03 | 2001-06-12 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements |
| JP4396010B2 (ja) | 2000-08-03 | 2010-01-13 | 日立電線株式会社 | 半導体の結晶成長方法 |
| JP2003022973A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 |
| US6784462B2 (en) | 2001-12-13 | 2004-08-31 | Rensselaer Polytechnic Institute | Light-emitting diode with planar omni-directional reflector |
| JP2004153089A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP3720341B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2005-11-24 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2004288988A (ja) | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Nanoteco Corp | 発光素子 |
| JP2004319672A (ja) | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
| US20050082562A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-21 | Epistar Corporation | High efficiency nitride based light emitting device |
| JP4631047B2 (ja) * | 2004-01-05 | 2011-02-16 | 国立大学法人広島大学 | 陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用 |
| JP4471726B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2010-06-02 | 京セラ株式会社 | 単結晶サファイア基板の製造方法 |
| KR100624449B1 (ko) * | 2004-12-08 | 2006-09-18 | 삼성전기주식회사 | 요철 구조를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
-
2004
- 2004-12-08 KR KR1020040103113A patent/KR100682872B1/ko active IP Right Grant
-
2005
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- 2005-12-08 JP JP2005355420A patent/JP4970783B2/ja active Active
-
2009
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-
2012
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004059325A (ja) | 2001-07-04 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体素子用基板の製造方法および半導体素子用基板ならびに半導体素子 |
| JP2004055611A (ja) | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体発光素子 |
| KR20040067125A (ko) * | 2003-01-21 | 2004-07-30 | 삼성전자주식회사 | 고효율 반도체 소자 제조방법 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101018760B1 (ko) * | 2008-10-24 | 2011-03-04 | 주식회사루미지엔테크 | 반도체 기판과 이의 제조 방법 |
| WO2013095037A1 (ko) * | 2011-12-23 | 2013-06-27 | 서울옵토디바이스(주) | 발광다이오드 및 그 제조 방법 |
| US9236533B2 (en) | 2011-12-23 | 2016-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode and method for manufacturing same |
| US9508909B2 (en) | 2011-12-23 | 2016-11-29 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light-emitting diode and method for manufacturing same |
| US9991424B2 (en) | 2011-12-23 | 2018-06-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light-emitting diode and method for manufacturing same |
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