JP4970783B2 - 高効率半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
高効率半導体発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4970783B2 JP4970783B2 JP2005355420A JP2005355420A JP4970783B2 JP 4970783 B2 JP4970783 B2 JP 4970783B2 JP 2005355420 A JP2005355420 A JP 2005355420A JP 2005355420 A JP2005355420 A JP 2005355420A JP 4970783 B2 JP4970783 B2 JP 4970783B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- emitting device
- light emitting
- semiconductor light
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 121
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
本発明は、半導体発光素子に係り、より詳細には、半導体発光素子に凹凸構造を採用する場合に光抽出効率を向上させる半導体発光素子及びその製造方法に関する。
半導体発光素子（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）は、化合物半導体の特性を利用して、電気エネルギーを赤外線、可視光線または光の形態に変換させた信号を発信するのに使われる素子である。発光ダイオードは、ＥＬの一種であり、現在III−Ｖ族化合物半導体を利用した発光ダイオードが実用化されつつある。
III族窒化物系化合物半導体は、通常サファイア（Ａｌ２Ｏ３）を基板として利用して、その上に形成されることが一般的であり、発光効率、すなわち、光の抽出効率を向上させるために多様な構造の発光ダイオードに関する研究が進みつつある。現在発光素子の光抽出領域に凹凸構造を形成させて光抽出効率を向上させようとする研究が進みつつある。
相異なる屈折率を持つ物質層の界面では、各物質層の屈折率による光の進行が制限される。平坦な界面の場合、屈折率の大きい半導体層から屈折率の小さな空気層（ｎ＝１）に光が進む場合、界面の法線方向に対して所定角度以下に平坦な界面に入射せねばならない。所定角度以上に入射する場合、平坦な界面で全反射されて光抽出効率が大きく減少する。したがって、これを防止するために界面に凹凸構造を導入する方法が試みられた。
図１Ａ及び図１Ｂは、従来技術による凹凸構造を備える半導体発光素子を示す図面である。図１Ａを参照すれば、ｐ−電極１０１上にｐ−ＧａＮ層１０２、活性層１０３、ｎ−ＧａＮ層１０４が順次に形成されており、ｎ−ＧａＮ層１０４上にｎ−電極１０５が形成されている。活性層１０３で発生した光がｎ−ＧａＮ層１０４を通じて上部に抽出される場合、その入射角度を変化させるためにｎ−ＧａＮ層１０４と空気層との界面に凹凸構造１０６を導入した。
図１Ｂを参照すれば、サファイア基板１１１上にｎ−ＧａＮ層１１２が形成されており、ｎ−ＧａＮ層１１２の一部領域上にｎ−ＡｌＧａＮ層１１３、活性層１１４、ｐ−ＡｌＧａＮ層１１５、ｐ−ＧａＮ１１６及びｐ電極１１７が順次に形成されている。そして、ｎ−ＧａＮ層１１２のｎ−ＡｌＧａＮ層１１３が形成されていない領域上にｎ−電極１１８が形成されていることが分かる。このような構造は、フリップチップ形態で活性層１１４から発生した光を主に透光性のサファイア基板１１１の方向に抽出させて利用する。ここでは、サファイア基板１１１の表面に凹凸構造１２０を形成させることによって光抽出効率を向上させるのである。
このような従来技術による凹凸構造を備える半導体発光素子の場合、主に光抽出効率を向上させるために凹凸構造を導入したのである。しかし、特に図１Ｂに示すように、サファイア基板１１１上にＧａＮ系化合物半導体層を形成させる場合、格子不整合による欠陥が発生して活性層内部まで転移される場合がある。このような半導体素子の内部的な結晶欠陥により光抽出効率が落ちてしまうという問題点がある。したがって、結晶欠陥を減少させることができ、光抽出効率を向上させることができる新たな形態の半導体発光素子が要求される。
本発明では、前記従来技術の問題点を解決するために、半導体素子内部の構造的な欠陥の形成を防止することができ、光抽出効率を向上させることができる新たな構造の半導体発光素子を提供することを目的とする。
本発明では、前記目的を達成するために、半導体発光素子において、基板と、前記基板上に陽極酸化された金属酸化物をマスクとして用いて形成された凹凸構造層と、前記凹凸構造層を覆って凹凸構造が形成された第１半導体層と、前記第１半導体層上に順次に形成された活性層及び第２半導体層と、を備えることを特徴とする凹凸構造を備える半導体発光素子を提供する。
本発明において、前記基板は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、ＮｄＧａＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯを含む無機物結晶質、リン化ガリウム（ＧａＰ）と砒化ガリウム（ＧａＡｓ）を含むIII−Ｖ族化合物半導体または窒化ガリウム（ＧａＮ）のうちから選択されることを特徴とする。
本発明において、前記第１半導体層、前記活性層及び前記第２半導体層は、窒化物半導体を含むことを特徴とする。
また、本発明では、半導体発光素子の製造方法において、（ａ）基板上に物質層及び金属層を順次に形成させる工程と、（ｂ）前記金属層を陽極酸化してホールが形成された金属酸化層に形成させる工程と、（ｃ）前記金属酸化層のホールに対応するように前記物質層内に前記基板に至るホールを形成させる工程と、（ｄ）前記金属酸化層を除去し、その上部に第１半導体層、活性層及び第２半導体層を順次に形成させる工程と、を含むことを特徴とする凹凸構造を備える半導体発光素子の製造方法を提供する。
本発明において、前記物質層は、屈折率が２．５より低い透明絶縁体または透明伝導体を含んで形成させることを特徴とする。
本発明において、前記透明絶縁体は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ、ＴｉＯ２またはＺｒＯのうち少なくともいずれか一つの物質を含むことを特徴とする。
本発明において、前記透明伝導体は、ＺｎＯや添加物（Ｍｇ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｃｒ）が含まれたＩｎ酸化物のうち少なくともいずれか一つの物質を含むことを特徴とする。
本発明において、前記金属層は、Ａｌで形成されることを特徴とする。
そして、本発明では、半導体発光素子の製造方法において、（ａ）基板上に金属層を形成させる工程と、（ｂ）前記金属層を陽極酸化してホールが形成された金属酸化層に形成させる工程と、（ｃ）前記金属酸化層を覆う第１半導体層、活性層及び第２半導体層を順次に形成させる工程と、を含むことを特徴とする凹凸構造を備える半導体発光素子の製造方法を提供する。
本発明によれば、簡単な工程で半導体発光素子の半導体層に凹凸構造のパターンを形成することによって、活性層で発生した光の凹凸構造での光抽出効率を高めつつ、半導体素子内部の欠陥を均一に分布するように誘導し、半導体発光素子の安定した動作を誘導してその寿命を延長できる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態による高効率半導体発光素子及びその製造方法についてさらに詳細に説明する。
図２は、本発明による高効率半導体発光素子を示す断面図である。図面を参照すれば、基板２１上に凹凸構造層２２、第１半導体層２３が形成されている。第１半導体層２３上には活性層２５、第２半導体層２６が形成されており、活性層２５が形成されていない領域上には第１電極２４が形成されている。そして、第２半導体層２６上には第２電極２７が形成されている。
本発明の特徴部である凹凸構造層２２は、基板２１と第１半導体層２３との間に形成されたものであり、それ自体で非平坦構造を持ち、活性層２５で発生した光が凹凸構造層２２を通過する場合、その入射光の経路を変化させて外部への光抽出効果を高めるために導入されたものである。そして、凹凸構造層２２のようなナノパターン上で第１半導体層２３が形成されることによって、基板２１と第１半導体層２３との界面での結晶構造差によるストレス異常分布を減少させて、均一な欠陥分布を持つようになる。凹凸構造層２２は、ＡＡＯ（Ａｎｏｄｉｃ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘまたはＩＴＯ等で形成できる。
前記凹凸構造層２２を除外した構造は、従来の半導体発光素子で使われる材料で形成させることができる。基板２１としては、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、ＮｄＧａＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯを含む無機物結晶質、リン化ガリウム（ＧａＰ）または砒化ガリウム（ＧａＡｓ）を含むIII−Ｖ族化合物半導体、窒化ガリウム（ＧａＮ）を含むIII族窒化物系化合物半導体などを使用できる。第１半導体層２３及び第２半導体層２６は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮまたはＩｎａＧａＮＡｓで形成できる。そして、活性層２５は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮの多重量子障壁構造で形成できる。
以下、図３Ａないし図３Ｄを参照して、本発明の第１実施形態による高効率半導体発光素子の凹凸構造の製造方法を説明する。第１実施形態では、凹凸構造層を屈折率が２．５より低い透明絶縁体や透明伝導体を使用する。ここで、透明絶縁体としては、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ、ＴｉＯ２またはＺｒＯのような物質を使用できる。そして、透明伝導体は、ＺｎＯや添加物（Ｍｇ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｃｒ）が含まれたＩｎ酸化物のような透明伝導性酸化物（ＴＣＯｓ）を使用する。
図３Ａを参照すれば、まず基板３１上に物質層３２を形成させる。物質層３２は、図２の凹凸構造層２２を形成させるために蒸着したものであり、例えば、光透過性の高いＳｉＯ２、ＳｉＮｘまたはＩＴＯを使用して形成させることが望ましい。
次いで、図３Ｂに示すように、物質層３２上に金属層３３を形成させる。そして、金属層３３を陽極酸化させてナノサイズのホール３３ｂが複数形成された金属酸化層３３ａを形成させる。ここで、金属層３３は、主にアルミニウムを利用し、アルミニウムに対して陽極酸化工程を実施すれば、その表面から内部までｎｍサイズのホール３３ｂが形成される。ホール３３ｂは、約１００ｎｍ以下の直径を持つ大きさで形成させることが望ましい。そして、複数のホール３２ｂが形成された金属酸化層３３ａを一種のマスクとして、その下部の物質層３３に対してドライエッチングでナノパターニング工程を実施する。
次いで、図３Ｃを参照すれば、物質層３２に対してドライエッチング工程でナノパターニングを実施すれば、金属酸化層３３ａのホール３３ｂに対応する物質層３２にもホール３２ｂが形成される。そして、金属酸化層３３ａを除去すれば、物質層３２は、凹凸構造にパターニングされた形態で残留する。
次いで、図３Ｄを参照すれば、物質層３２上にＧａＮのような半導体物質を塗布して第１半導体層３４を形成させる。したがって、図２の凹凸構造層２２が製造できる。第１半導体層３４上には活性層、第２半導体層、第１及び第２電極を形成させる工程は、従来技術をそのまま利用できる。例えば、第１半導体層の一部領域に活性層、第２半導体層及び第２電極を順次に形成させ、活性層が形成されていない、第１半導体層の他の領域に第１電極を形成させて図２に示すような構造の半導体発光素子を完成させることができる。また、凹凸構造の形成後、基板３１を除去して第１電極を形成させ、第１半導体層３４上に活性層、第２半導体層及び第２電極を形成させてバーチカル形態の半導体発光素子を形成させることができる。
図４Ａないし図４Ｃを参照して、本発明の第２実施形態による高効率半導体発光素子の凹凸構造の製造方法を説明する。ここでは、図２の凹凸構造層２２に該当するナノパターンを、基板を利用して形成させる工程を示すものである。
図４Ａ及び図４Ｂを参照すれば、まず基板４１上に金属酸化層４２を形成させる。これは、前述した図３Ｂで説明したように、まず金属を蒸着させ、かつ陽極酸化させてナノサイズのホールを複数形成させたものである。金属層は主にアルミニウムを利用し、アルミニウムに対して陽極酸化工程を実施すれば、その表面から内部までｎｍサイズのホールが形成される。ホールは、約１００ｎｍ以下の直径を持つ大きさで形成させることが望ましい。
そして、複数のホールが形成された金属酸化層４２を一種のマスクとして、その下部の基板４１に対してドライエッチングでナノパターニング工程を実施する。基板４１に対してドライエッチング工程でナノパターニングを実施すれば、金属酸化層４２のホールに対応する基板４１領域にも複数のホール４３が形成される。そして、金属酸化層４２を除去すれば、基板４１の表面には凹凸構造にパターニングされた形態となる。
次いで、図４Ｃを参照すれば、基板４１上にＧａＮのような半導体物質を塗布して第１半導体層４４を形成させる。第１半導体層４４上に活性層、第２半導体層、第１及び第２電極を形成させる工程は従来技術をそのまま利用できる。第１半導体層４４の一部領域に活性層、第２半導体層及び第２電極を順次に形成させ、活性層が形成されていない、第１半導体層の他の領域に第１電極を形成させて、図２に示すような構造の半導体発光素子を完成させることができる。そして、凹凸構造の形成後、基板４１を除去して第１電極を形成させ、第１半導体層４４上に活性層、第２半導体層及び第２電極を形成させてバーチカル形態の半導体発光素子を形成させることができる。結果的に、前記図２の凹凸構造層２２を備える半導体発光素子を製造できる。
図５Ａないし図５Ｃを参照して、本発明の第３実施形態による高効率半導体発光素子の凹凸構造の製造方法を説明する。前記図２の凹凸構造層２２に該当するナノパターンを金属酸化物自体で形成させる工程を示したものである。
図５Ａを参照すれば、基板５１上に金属酸化層５２を形成させる。前述した図３Ｂで説明したように、まず金属を蒸着させ、かつ陽極酸化させてナノサイズのホールを複数形成させたものである。金属層は、主にアルミニウムを利用し、アルミニウムに対して陽極酸化工程を実施すれば、その表面から内部までｎｍサイズの複数のホールが形成される。
そして、図５Ｂを参照すれば、複数のホールが形成された金属酸化層５２の上部を、レベリング工程により所望の長さを持つように除去する。あらかじめ金属層を所望の厚さに蒸着し、かつ陽極酸化を通じて要求される厚さの金属酸化層５２を形成させることができる。それにより、金属酸化層５２は、複数のホール５３を持つ構造になる。構造的に見れば、基板５１上に凹凸構造が形成されたものである。
そして、図５Ｃを参照すれば、基板５１上にＧａＮのような半導体物質を塗布して第１半導体層５４を形成する。その後、第１半導体層５４上には活性層、第２半導体層、第１及び第２電極を形成させる工程は、従来技術をそのまま利用できるということは前述した通りである。また、前述のように凹凸構造の形成後、基板５１を除去して第１電極を形成させ、第１半導体層５４上に活性層、第２半導体層及び第２電極を形成させてバーチカル形態の半導体発光素子を形成させることができる。結果的に、前記図２の凹凸構造層２２を備える半導体発光素子を製造できる。
図６Ａは、基板上に金属酸化層が形成された形態を上から撮ったイメージを示したものである。ここでは、アルミニウムを金属層として使用し、陽極酸化工程を実施してその表面にホールを形成させたものであり、アルミニウムの純度が高いほどさらに正確なホールサイズを持つナノパターンの形成が可能である。
図６Ｂは、本発明の第１実施形態による高効率半導体発光素子の凹凸構造の製造工程中の写真を示す図面である。基板としてはサファイアを使用し、物質層としてはＳｉＯ２を形成させた。アルミニウムの陽極酸化によりホールが形成された金属酸化層をマスクとしてドライエッチング工程を実施した結果、ＳｉＯ２物質層の表面にホールが形成され始めたことが分かる。
図６Ｃは、サファイア基板上に金属酸化層を形成させ、基板表面に複数のホールを備える金属酸化層を形成させたものである。図６Ｃを参照すれば、金属酸化層を形成させた後にドライエッチング工程を実施すれば、基板表面にホールが形成され始めるということが分かる。
前記した説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは発明の範囲を限定するものというより、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。したがって、本発明の範囲は、説明された実施形態によって定められるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により定められねばならない。
本発明は、半導体発光素子の関連技術分野に好適に用いられる。
２１、３１、４１、５１ 基板
２２ 凹凸構造層
２３、３４、４４、５４ 第１半導体層
２４ 第１電極
２５ 活性層
２６ 第２半導体層
２７ 第２電極
３２ 物質層
３３ 金属層
３３ａ、４２、５２ 金属酸化層
３２ｂ、３３ｂ、４３、５３ ホール
１０１、１１７ ｐ−電極
１０２、１１６ ｐ−ＧａＮ層
１０３、１１４ 活性層
１０４、１１２ ｎ−ＧａＮ層
１０５、１１８ ｎ−電極
１０６、１２０ 凹凸構造
１１１ サファイア基板
１１３ ｎ−ＡｌＧａＮ
１１５ ｐ−ＡｌＧａＮ
２２ 凹凸構造層
２３、３４、４４、５４ 第１半導体層
２４ 第１電極
２５ 活性層
２６ 第２半導体層
２７ 第２電極
３２ 物質層
３３ 金属層
３３ａ、４２、５２ 金属酸化層
３２ｂ、３３ｂ、４３、５３ ホール
１０１、１１７ ｐ−電極
１０２、１１６ ｐ−ＧａＮ層
１０３、１１４ 活性層
１０４、１１２ ｎ−ＧａＮ層
１０５、１１８ ｎ−電極
１０６、１２０ 凹凸構造
１１１ サファイア基板
１１３ ｎ−ＡｌＧａＮ
１１５ ｐ−ＡｌＧａＮ
Claims (10)
- 半導体発光素子を製造する方法において、
（ａ）基板上に物質層及び金属層を順次に形成させる工程と、
（ｂ）前記金属層を陽極酸化してホールが形成された金属酸化層に形成させる工程と、
（ｃ）前記金属酸化層のホールに対応するように前記物質層内に前記基板に至るホールを形成させる工程と、
（ｄ）前記金属酸化層を除去し、その上部に第１半導体層、活性層及び第２半導体層を順次に形成させる工程と、を含むことを特徴とする凹凸構造を備える半導体発光素子の製造方法。 - 前記基板は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、ＮｄＧａＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯを含む無機物結晶質、リン化ガリウム（ＧａＰ）と砒化ガリウム（ＧａＡｓ）を含むIII−Ｖ族化合物半導体または窒化ガリウム（ＧａＮ）のうちから選択されることを特徴とする請求項１に記載の凹凸構造を備える半導体発光素子の製造方法。
- 前記物質層は、屈折率が２．５より低い透明絶縁体または透明伝導体を含んで形成させることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記透明絶縁体は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ、ＴｉＯ２またはＺｒＯのうち少なくともいずれか一つの物質を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記透明伝導体は、ＺｎＯや添加物（Ｍｇ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｃｒ）が含まれたＩｎ酸化物のうち少なくともいずれか一つの物質を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記金属層は、Ａｌで形成されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の凹凸構造を備える半導体発光素子の製造方法。
- 半導体発光素子の製造方法において、
（ａ）基板上に金属層を形成させる工程と、
（ｂ）前記金属層を陽極酸化してホールが形成された金属酸化層に形成させる工程と、
（ｃ）前記金属酸化層を覆う第１半導体層、活性層及び第２半導体層を順次に形成させる工程と、を含むことを特徴とする凹凸構造を備える半導体発光素子の製造方法。 - 前記基板は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、ＮｄＧａＯ３、ＬｉＧａＯ２、ＺｎＯ、ＭｇＯを含む無機物結晶質、リン化ガリウム（ＧａＰ）と砒化ガリウム（ＧａＡｓ）を含むIII−Ｖ族化合物半導体または窒化ガリウム（ＧａＮ）のうちから選択されることを特徴とする請求項７に記載の凹凸構造を備える半導体発光素子の製造方法。
- 前記（ｃ）工程は、前記金属酸化層の上部を、均一な表面を持つようにレベリングする工程をさらに含むことを特徴とする請求項７または８に記載の凹凸構造を備える半導体発光素子の製造方法。
- 前記金属層は、Ａｌを含むように形成させることを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の凹凸構造を備える半導体発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2004-0103113 | 2004-12-08 | ||
| KR1020040103113A KR100682872B1 (ko) | 2004-12-08 | 2004-12-08 | 고효율 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012017020A Division JP2012089891A (ja) | 2004-12-08 | 2012-01-30 | 高効率半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006165583A JP2006165583A (ja) | 2006-06-22 |
| JP4970783B2 true JP4970783B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=36573185
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005355420A Active JP4970783B2 (ja) | 2004-12-08 | 2005-12-08 | 高効率半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2012017020A Pending JP2012089891A (ja) | 2004-12-08 | 2012-01-30 | 高効率半導体発光素子 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012017020A Pending JP2012089891A (ja) | 2004-12-08 | 2012-01-30 | 高効率半導体発光素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7642561B2 (ja) |
| JP (2) | JP4970783B2 (ja) |
| KR (1) | KR100682872B1 (ja) |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8053789B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-11-08 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device and fabrication method thereof |
| KR101316120B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2013-10-11 | 서울바이오시스 주식회사 | 양극 알루미늄산화를 이용한 산란 중심을 구비하는 발광 소자 제조방법 및 그 발광 소자 |
| JP5097460B2 (ja) * | 2007-06-26 | 2012-12-12 | パナソニック株式会社 | 化合物半導体素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 |
| JP2009054882A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Univ Of Tokushima | 発光装置の製造方法 |
| KR101449000B1 (ko) * | 2007-09-06 | 2014-10-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101405790B1 (ko) * | 2007-09-21 | 2014-06-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| DE102008021403A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung |
| WO2009128646A2 (en) | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Lumigntech Co., Ltd. | Semiconductor substrate and method for manufacturing the same |
| KR101018760B1 (ko) * | 2008-10-24 | 2011-03-04 | 주식회사루미지엔테크 | 반도체 기판과 이의 제조 방법 |
| KR101020961B1 (ko) * | 2008-05-02 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100971688B1 (ko) * | 2008-05-08 | 2010-07-22 | 충남대학교산학협력단 | 자가형성된 ＺｎＯ 양자점이 구비된 발광다이오드 |
| JP5167974B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2013-03-21 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| US8633501B2 (en) | 2008-08-12 | 2014-01-21 | Epistar Corporation | Light-emitting device having a patterned surface |
| CN101771110B (zh) * | 2008-12-29 | 2013-05-01 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种发光二极管及其制造方法 |
| KR101029299B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2011-04-18 | 서울대학교산학협력단 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| TWI470823B (zh) * | 2009-02-11 | 2015-01-21 | Epistar Corp | 發光元件及其製造方法 |
| KR101154596B1 (ko) * | 2009-05-21 | 2012-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| TWM386591U (en) * | 2009-07-30 | 2010-08-11 | Sino American Silicon Prod Inc | Nano patterned substrate and epitaxial structure |
| US8476660B2 (en) * | 2009-08-20 | 2013-07-02 | Integrated Photovoltaics, Inc. | Photovoltaic cell on substrate |
| KR101296684B1 (ko) | 2009-11-18 | 2013-08-19 | 한국전자통신연구원 | 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| CN101826583A (zh) * | 2010-04-16 | 2010-09-08 | 武汉希瑞技术有限公司 | 一种氮化镓基led外延用蓝宝石图形化衬底制备方法 |
| US8614452B2 (en) * | 2010-04-26 | 2013-12-24 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Light-emitting diode having zinc oxide nanorods and method of fabricating the same |
| CN101859856B (zh) * | 2010-06-04 | 2016-06-15 | 清华大学 | 发光二极管 |
| CN102157636B (zh) * | 2011-01-27 | 2012-07-25 | 浙江大学 | 一种增强硅基薄膜电致发光的方法 |
| KR20120116231A (ko) * | 2011-04-12 | 2012-10-22 | (주)버티클 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| TWI459592B (zh) * | 2011-04-26 | 2014-11-01 | Univ Nat Chiao Tung | 奈米級側向成長磊晶之薄膜發光二極體及其製作方法 |
| TW201248915A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-01 | Aceplux Optotech Inc | Light-emitting diode of high light-extraction efficiency and its preparation method |
| TW201248725A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-01 | Aceplux Optotech Inc | Epitaxial substrate with transparent cone, LED, and manufacturing method thereof. |
| JP5200194B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2013-05-15 | パナソニック株式会社 | 窒化ガリウム系半導体発光素子、光源および凹凸構造形成方法 |
| TWI474507B (zh) * | 2011-10-18 | 2015-02-21 | Lextar Electronics Corp | 固態發光元件之製作方法 |
| JP5988568B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2016-09-07 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| CN104011886B (zh) * | 2011-12-23 | 2017-03-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| KR20130078280A (ko) * | 2011-12-30 | 2013-07-10 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| KR101309258B1 (ko) * | 2012-04-05 | 2013-09-17 | 영남대학교 산학협력단 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| CN103390707A (zh) * | 2012-05-08 | 2013-11-13 | 华夏光股份有限公司 | 半导体发光装置及其制造方法 |
| US9000414B2 (en) * | 2012-11-16 | 2015-04-07 | Korea Photonics Technology Institute | Light emitting diode having heterogeneous protrusion structures |
| KR20140100115A (ko) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| JP2014165337A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Rohm Co Ltd | 発光素子、発光素子パッケージおよび発光素子の製造方法 |
| TWI543395B (zh) * | 2013-04-01 | 2016-07-21 | 中國砂輪企業股份有限公司 | 圖案化光電基板及其製作方法 |
| JP6200585B2 (ja) | 2013-10-02 | 2017-09-20 | センサー エレクトロニック テクノロジー インコーポレイテッド | 陽極酸化アルミニウム層を含むヘテロ構造 |
| US10454006B2 (en) | 2013-10-02 | 2019-10-22 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Heterostructure including anodic aluminum oxide layer |
| WO2015159843A1 (ja) * | 2014-04-14 | 2015-10-22 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | エピタキシャル成長用基板の製造方法、それより得られるエピタキシャル成長用基板及びその基板を用いた発光素子 |
| KR20160024170A (ko) | 2014-08-25 | 2016-03-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| US10069037B2 (en) * | 2015-04-20 | 2018-09-04 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US10236413B2 (en) * | 2015-04-20 | 2019-03-19 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| CN106960897A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-07-18 | 仇凯弘 | 一种复合图形化衬底的制备方法 |
| JP2018046301A (ja) * | 2017-12-14 | 2018-03-22 | ローム株式会社 | 発光素子および発光素子パッケージ |
| CN108754290A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-11-06 | 梁小红 | 一种不锈钢-氧化铝基陶瓷复合材料及其制备方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3746785A (en) * | 1971-11-26 | 1973-07-17 | Bendix Corp | Deflectable membrane optical modulator |
| US6291839B1 (en) * | 1998-09-11 | 2001-09-18 | Lulileds Lighting, U.S. Llc | Light emitting device having a finely-patterned reflective contact |
| JP3940546B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | パターン形成方法およびパターン形成材料 |
| CA2393081C (en) * | 1999-12-03 | 2011-10-11 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements |
| JP4396010B2 (ja) | 2000-08-03 | 2010-01-13 | 日立電線株式会社 | 半導体の結晶成長方法 |
| JP2004059325A (ja) | 2001-07-04 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体素子用基板の製造方法および半導体素子用基板ならびに半導体素子 |
| JP2003022973A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 |
| US6784462B2 (en) * | 2001-12-13 | 2004-08-31 | Rensselaer Polytechnic Institute | Light-emitting diode with planar omni-directional reflector |
| JP2004055611A (ja) | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2004153089A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| KR100513316B1 (ko) * | 2003-01-21 | 2005-09-09 | 삼성전기주식회사 | 고효율 반도체 소자 제조방법 |
| JP3720341B2 (ja) | 2003-02-12 | 2005-11-24 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2004288988A (ja) | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Nanoteco Corp | 発光素子 |
| JP2004319672A (ja) | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
| US20050082562A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-21 | Epistar Corporation | High efficiency nitride based light emitting device |
| JP4631047B2 (ja) * | 2004-01-05 | 2011-02-16 | 国立大学法人広島大学 | 陽極酸化アルミナ膜を具備する構造体およびその製造方法並びにその利用 |
| JP4471726B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2010-06-02 | 京セラ株式会社 | 単結晶サファイア基板の製造方法 |
| KR100624449B1 (ko) * | 2004-12-08 | 2006-09-18 | 삼성전기주식회사 | 요철 구조를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
-
2004
- 2004-12-08 KR KR1020040103113A patent/KR100682872B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-12-06 US US11/294,403 patent/US7642561B2/en active Active
- 2005-12-08 JP JP2005355420A patent/JP4970783B2/ja active Active
-
2009
- 2009-11-30 US US12/627,714 patent/US8895331B2/en active Active
-
2012
- 2012-01-30 JP JP2012017020A patent/JP2012089891A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006165583A (ja) | 2006-06-22 |
| KR100682872B1 (ko) | 2007-02-15 |
| US20060118803A1 (en) | 2006-06-08 |
| US8895331B2 (en) | 2014-11-25 |
| US20100075452A1 (en) | 2010-03-25 |
| KR20060064306A (ko) | 2006-06-13 |
| US7642561B2 (en) | 2010-01-05 |
| JP2012089891A (ja) | 2012-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4970783B2 (ja) | 高効率半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP4970782B2 (ja) | 凹凸構造を含む発光素子及びその製造方法 | |
| KR100887067B1 (ko) | 나노 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자의 제조 방법 | |
| US7935554B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
| US20140367727A1 (en) | Light-emitting device having dielectric reflector and method of manufacturing the same | |
| JP2004228582A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2006352129A (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| KR20150138977A (ko) | 발광 소자 및 그의 제조방법 | |
| US20120168797A1 (en) | Light emitting diode chip and method for manufacturing the same | |
| TW201244157A (en) | A thin-film light-emitting diode with nano-scale epitaxial lateral growth and a method for fabricating the same | |
| KR20100002485A (ko) | 나노 로드 또는 나노 홀을 포함하는 투명 전극층을구비하는 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR20100044403A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US8158998B2 (en) | High-reflectivity and low-defect density LED structure | |
| KR20100046619A (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
| KR100716648B1 (ko) | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광소자 및 그 제조방법 | |
| TWI385820B (zh) | 半導體發光元件及其製造方法 | |
| TWI455255B (zh) | 圖案化基板結構、其製作方法及其發光元件 | |
| KR20110109432A (ko) | 나노 발광다이오드 또는 마이크로 발광다이오드 구조 및 이의 제조방법 | |
| KR101283062B1 (ko) | 나노스트럭쳐가 형성된 기판과 발광소자 및 그의 제조방법 | |
| KR101054229B1 (ko) | 표면 거칠기를 갖는 ⅲ―ⅴ족 화합물 반도체 발광소자의 제조방법 | |
| KR101653530B1 (ko) | 나노구조체를 이용한 백색 발광소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노구조체를 이용한 백색 발광소자 | |
| TW202034538A (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
| JP2013168493A (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080814 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100930 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101021 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101028 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101111 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101116 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111129 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111202 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111226 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120104 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120130 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120321 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120405 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4970783 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |