KR100625129B1 - 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 반도체 기판 상에 형성된 한 쌍의 구동용 MlSFET과 한 쌍의 부하용 MISFET으로 이루어진 한 쌍의 인버터 및 한 쌍의 전송용 MISFET을 갖고, 상기 한 쌍의 구동용 MISFET 각각의 게이트 전극과 드레인이 교차 접속된 메모리 셀을 갖는 반도체 장치의 제조 방법으로서,(a) 상기 구동용 MISFET, 부하용 MlSFET, 전송용 MlSFET 위에 층간 절연막을 형성하는 공정과,(b) 상기 층간 절연막 내에 한 쌍의 배선홈을 형성하는 공정과,(c) 상기 배선홈 내에 한 쌍의 도전층을 형성하는 공정과,(d) 상기 한 쌍의 도전층 사이에 위치하는 상기 층간 절연막의 일부를 제거하는 공정과,(e) 상기 도전층 위에 용량 절연막을 형성하는 공정과,(f) 상기 용량 절연막의 상부 전극을 형성하는 공정을 포함하고,상기 도전층은, 상기 한 쌍의 구동용 MISFET 중 하나의 구동용 MISFET의 게이트 전극과 다른 한 쪽의 구동용 MISFET의 드레인을 전기적으로 접속하며,상기 용량 절연막은, 상기 도전층의 상면 및 측면을 따라 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 도전층은 상기 한 쌍의 구동용 MISFET 중 하나의 구동용 MISFET의 게이트 전극 바로 위에서부터 다른 한 쪽의 구동용 MISFET의 드레인 바로 위에 걸쳐서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 공정(d)에서, 상기 한 쌍의 도전층의 측면이 상기 층간 절연막으로부터 노출하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 메모리 셀은 SRAM 메모리 셀이며, 상기 도전층은 축적 노드인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 도전층, 용량 절연막, 상부 전극은 용량을 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 한 쌍의 부하용 MISFET은 게이트 전극과 드레인이 교차 접속하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 구동용 MlSFET과 부하용 MlSFET은 공통의 게이트 전극을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 도전층은 텅스텐으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 용량 절연막은 질화 실리콘막으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 상부 전극은 질화 티탄막으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 반도체 기판상에 형성되어, 각각의 게이트 전극과 드레인이 교차 접속된 한 쌍의 n 채널형 MISFET을 구성 요소로 하는 SRAM 메모리 셀을 갖는 반도체 장치의 제조 방법으로서,(a) 상기 n 채널형 MISFET 상에 층간 절연막을 형성하는 공정과,(b) 상기 층간 절연막 내에 한 쌍의 배선홈을 형성하는 공정과,(c) 상기 배선홈 내에 한 쌍의 도전층을 형성하는 공정과,(d) 상기 한 쌍의 도전층 사이에 위치하는 상기 층간 절연막의 일부를 제거하는 공정과,(e) 상기 도전층 위에 용량 절연막을 형성하는 공정과,(f) 상기 용량 절연막의 상부 전극을 형성하는 공정을 포함하고,상기 도전층은, 상기 한 쌍의 n 채널형 MISFET 중 하나의 n 채널형 MISFET의 게이트 전극과 다른 한 쪽의 n 채널형 MISFET의 드레인을 전기적으로 접속하며,상기 용량 절연막은, 상기 도전층의 상면 및 측면을 따라 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,상기 도전층은 상기 n 채널형 MISFET 중 하나의 n 채널형 MISFET의 게이트 전극 바로 위에서부터 다른 한 쪽의 n 채널형 MISFET의 드레인 바로 위에 걸쳐서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,상기 공정(d)에서, 상기 한 쌍의 도전층의 측면이 상기 층간 절연막으로부터 노출하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,상기 도전층은 축적 노드인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,상기 도전층, 용량 절연막, 상부 전극은 용량을 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,상기 도전층은 텅스텐으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,상기 용량 절연막은 질화 실리콘막으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,상기 상부 전극은 질화 티탄막으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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