JP2009038396A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009038396A JP2009038396A JP2008268565A JP2008268565A JP2009038396A JP 2009038396 A JP2009038396 A JP 2009038396A JP 2008268565 A JP2008268565 A JP 2008268565A JP 2008268565 A JP2008268565 A JP 2008268565A JP 2009038396 A JP2009038396 A JP 2009038396A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- misfets
- misfet
- insulating film
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
- H10B10/12—Static random access memory [SRAM] devices comprising a MOSFET load element
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】それぞれのゲート電極とドレインとが交差接続された一対のnチャネル型MISFETを有するSRAMメモリセルの、交差接続部の配線MD2の表面を酸化シリコン膜21の表面より突出した形状とし、この配線MD2上に、容量絶縁膜となる窒化シリコン膜23と、上部電極24を形成する。この配線MD2、窒化シリコン膜23および上部電極24とで容量Cを形成することができ、α線によるソフトエラーを低減することができる。また、配線MD2側壁にも容量を形成することができるため、容量の増加を図ることができる。
【選択図】図11
Description
図1は、実施の形態1であるSRAMのメモリセルを示す等価回路図である。図示のように、このメモリセルMCは、一対の相補性データ線(データ線DL、データ線/(バー)DL)とワード線WLとの交差部に配置され、一対の駆動用MISFETQd1,Qd2 、一対の負荷用MISFETQp1,Qp2 および一対の転送用MISFETQt1,Qt2 により構成されている。駆動用MISFETQd1,Qd2 および転送用MISFETQt1,Qt2 はnチャネル型MISFETで構成され、負荷用MISFETQp1,Qp2 はpチャネル型MISFETで構成されている。
本実施の形態のSRAMの製造方法を図19〜図22を用いて説明する。なお、図2〜図9を用いて説明したプラグP1および配線MD1、MD2形成工程までは、実施の形態1の場合と同様であるためその説明を省略する。
本実施の形態のSRAMの製造方法を図23および図24を用いて説明する。なお、図2〜図10を用いて説明した酸化シリコン膜21の表面のエッチング工程までは、実施の形態1の場合と同様であるためその説明を省略する。
本実施の形態のSRAMの製造方法を図25および図26を用いて説明する。なお、図2〜図7を用いて説明した酸化シリコン膜21形成工程までは、実施の形態1の場合と同様であるためその説明を省略する。
本実施の形態5(実施の形態2〜4についても同様)においては、上部電極24に、プラグP2(負荷用MISFETQp1およびQp2のソースと接続されている)の側壁を介して、電源電位(Vcc)を供給したが、このプラグP2の底面を介して、電源電位(Vcc)を供給することもできる。
本実施の形態6(実施の形態2〜4についても同様)においては、メモリセル約1個分の領域について説明したが、本発明を、メモリセルアレイに適用する場合について説明する。
本実施の形態7(実施の形態2〜4についても同様)においては、上部電極24に、電源電位(Vcc)を供給し、図1中の蓄積ノードAもしくはBと電源電位(Vcc)との間に容量Cを形成したが、図1中の蓄積ノードAB間に容量を形成することもできる。
2 素子分離
3 p型ウエル
4 n型ウエル
5 酸化シリコン膜
8 ゲート酸化膜
9 多結晶シリコン膜
14 p−型半導体領域
16 サイドウォールスペーサ
17 窒化シリコン膜
18 p+型半導体領域
19 CoSi2層
20 PSG膜
21 酸化シリコン膜
22 下部電極
22a 下部電極
22b 下部電極
23 窒化シリコン膜
24 上部電極
25 酸化シリコン膜
27 酸化シリコン膜
A 蓄積ノード
B 蓄積ノード
An1 活性領域
An2 活性領域
Ap1 活性領域
Ap2 活性領域
C 容量
C1 コンタクトホール
C2 コンタクトホール
C3 コンタクトホール
DL、/DL データ線
G ゲート電極
HM 配線溝
INV1 CMOSインバータ
INV2 CMOSインバータ
M1 第1層配線
M2 第2層配線
MC メモリセル
MC11、MC12 メモリセル
MC21、MC22 メモリセル
MD1 配線
MD2 配線
OP1 開口部
OP2 開口部
P1 プラグ
P2 プラグ
P3 プラグ
Qd1 駆動用MISFET
Qd2 駆動用MISFET
Qp1 負荷用MISFET
Qp2 負荷用MISFET
Qt1 転送用MISFET
Qt2 転送用MISFET
WL ワード線
a 凹部
Vcc 電源電圧
Vss 基準電圧
Claims (2)
- 一対の相補性データ線とワード線との交差部に配置された第1および第2の転送用MISFETと、第1および第2の駆動用MISFETと、第1および第2の負荷用MISFETとを有し、前記第1の駆動用MISFETおよび前記第1の負荷用MISFETと、前記第2の駆動用MISFETおよび前記第2の負荷用MISFETとが交差結合したメモリセルを有する半導体集積回路装置であって、
前記第1および第2の転送用MISFETと、前記第1および第2の駆動用MISFETと、前記第1および第2の負荷用MISFETとは、半導体基板の主面に形成され、
前記第1および第2の転送用MISFETのソースおよびドレイン領域と、前記第1および第2の駆動用MISFETのソースおよびドレイン領域と、前記第1および第2の負荷用MISFETのソースおよびドレイン領域とは、前記半導体基板内に形成され、
前記半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜に形成された第1開口部とを有し、
前記第1開口部の側壁および底部には、前記第1開口部の側壁および底部に沿って形成された第1導電性膜を下部電極とし、前記第1導電性膜の上部に形成された第2絶縁膜を容量絶縁膜とし、前記第2絶縁膜の上部に形成された第2導電性膜を上部電極とする第1容量素子が形成され、
前記下部電極は、前記第1の駆動用MISFETのドレイン、前記第1の負荷用MISFETのドレイン、前記第2の駆動用MISFETのゲート電極および前記第2の負荷用MISFETのゲート電極を電気的に接続して前記メモリセルの第1の蓄積ノードを形成し、前記第2の駆動用MISFETのドレイン、前記第2の負荷用MISFETのドレイン、前記第1の駆動用MISFETのゲート電極および前記第1の負荷用MISFETのゲート電極を電気的に接続して前記メモリセルの第2の蓄積ノードを形成し、
前記第1容量素子は、前記第1の蓄積ノードおよび前記第2の蓄積ノードと電源電圧線との間、前記第1の蓄積ノードおよび前記第2の蓄積ノードと基準電圧線との間、もしくは前記第1の蓄積ノードと前記第2の蓄積ノードとの間に電気的に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記第1開口部は、前記第1および第2の駆動用MISFETのゲート電極と、前記第1および第2の負荷用MISFETのドレインとに達していることを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008268565A JP2009038396A (ja) | 2001-01-30 | 2008-10-17 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001022132 | 2001-01-30 | ||
JP2008268565A JP2009038396A (ja) | 2001-01-30 | 2008-10-17 | 半導体集積回路装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006035994A Division JP4535506B2 (ja) | 2001-01-30 | 2006-02-14 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009038396A true JP2009038396A (ja) | 2009-02-19 |
Family
ID=18887584
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002561287A Expired - Lifetime JP4056392B2 (ja) | 2001-01-30 | 2001-12-26 | 半導体集積回路装置 |
JP2008268565A Pending JP2009038396A (ja) | 2001-01-30 | 2008-10-17 | 半導体集積回路装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002561287A Expired - Lifetime JP4056392B2 (ja) | 2001-01-30 | 2001-12-26 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7067864B2 (ja) |
JP (2) | JP4056392B2 (ja) |
KR (3) | KR100574715B1 (ja) |
CN (2) | CN100394605C (ja) |
TW (1) | TW550791B (ja) |
WO (1) | WO2002061840A1 (ja) |
Families Citing this family (105)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3535615B2 (ja) | 1995-07-18 | 2004-06-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
WO2002061840A1 (fr) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de circuit integre semi-conducteur et procede de production de ce dernier |
JP4083397B2 (ja) | 2001-06-18 | 2008-04-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
US6864503B2 (en) * | 2002-08-09 | 2005-03-08 | Macronix International Co., Ltd. | Spacer chalcogenide memory method and device |
US6867131B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method of increasing sram cell capacitance with metal fill |
JP2004253730A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
CN1326246C (zh) * | 2003-11-19 | 2007-07-11 | 联华电子股份有限公司 | 静态随机存取存储单元结构及其制造方法 |
JP4753534B2 (ja) | 2003-12-26 | 2011-08-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
US7365432B2 (en) * | 2004-08-23 | 2008-04-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory cell structure |
US7608503B2 (en) * | 2004-11-22 | 2009-10-27 | Macronix International Co., Ltd. | Side wall active pin memory and manufacturing method |
KR100702012B1 (ko) * | 2005-03-22 | 2007-03-30 | 삼성전자주식회사 | 매립막 패턴들을 갖는 에스. 램들 및 그 형성방법들 |
JP2007103862A (ja) | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7450411B2 (en) * | 2005-11-15 | 2008-11-11 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory device and manufacturing method |
US7635855B2 (en) | 2005-11-15 | 2009-12-22 | Macronix International Co., Ltd. | I-shaped phase change memory cell |
US7786460B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-08-31 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory device and manufacturing method |
US7414258B2 (en) | 2005-11-16 | 2008-08-19 | Macronix International Co., Ltd. | Spacer electrode small pin phase change memory RAM and manufacturing method |
US7449710B2 (en) | 2005-11-21 | 2008-11-11 | Macronix International Co., Ltd. | Vacuum jacket for phase change memory element |
US7688619B2 (en) | 2005-11-28 | 2010-03-30 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell and manufacturing method |
US7459717B2 (en) | 2005-11-28 | 2008-12-02 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell and manufacturing method |
US7531825B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-05-12 | Macronix International Co., Ltd. | Method for forming self-aligned thermal isolation cell for a variable resistance memory array |
US8062833B2 (en) | 2005-12-30 | 2011-11-22 | Macronix International Co., Ltd. | Chalcogenide layer etching method |
US7560337B2 (en) | 2006-01-09 | 2009-07-14 | Macronix International Co., Ltd. | Programmable resistive RAM and manufacturing method |
US7741636B2 (en) | 2006-01-09 | 2010-06-22 | Macronix International Co., Ltd. | Programmable resistive RAM and manufacturing method |
US7554144B2 (en) | 2006-04-17 | 2009-06-30 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device and manufacturing method |
US7928421B2 (en) * | 2006-04-21 | 2011-04-19 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell with vacuum spacer |
US7423300B2 (en) * | 2006-05-24 | 2008-09-09 | Macronix International Co., Ltd. | Single-mask phase change memory element |
US7696506B2 (en) * | 2006-06-27 | 2010-04-13 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell with memory material insulation and manufacturing method |
US7785920B2 (en) | 2006-07-12 | 2010-08-31 | Macronix International Co., Ltd. | Method for making a pillar-type phase change memory element |
US7772581B2 (en) * | 2006-09-11 | 2010-08-10 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device having wide area phase change element and small electrode contact area |
US7504653B2 (en) | 2006-10-04 | 2009-03-17 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell device with circumferentially-extending memory element |
US20080087929A1 (en) * | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Infineon Technologies Ag | Static random access memory with thin oxide capacitor |
US7863655B2 (en) | 2006-10-24 | 2011-01-04 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cells with dual access devices |
US7476587B2 (en) | 2006-12-06 | 2009-01-13 | Macronix International Co., Ltd. | Method for making a self-converged memory material element for memory cell |
JP2008147340A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Nec Electronics Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及びsramセル |
US7903447B2 (en) | 2006-12-13 | 2011-03-08 | Macronix International Co., Ltd. | Method, apparatus and computer program product for read before programming process on programmable resistive memory cell |
US7718989B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-05-18 | Macronix International Co., Ltd. | Resistor random access memory cell device |
US7619311B2 (en) | 2007-02-02 | 2009-11-17 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell device with coplanar electrode surface and method |
US7884343B2 (en) * | 2007-02-14 | 2011-02-08 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell with filled sidewall memory element and method for fabricating the same |
US7956344B2 (en) | 2007-02-27 | 2011-06-07 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell with memory element contacting ring-shaped upper end of bottom electrode |
JP2008227344A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US7786461B2 (en) * | 2007-04-03 | 2010-08-31 | Macronix International Co., Ltd. | Memory structure with reduced-size memory element between memory material portions |
US8610098B2 (en) | 2007-04-06 | 2013-12-17 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory bridge cell with diode isolation device |
US7777215B2 (en) | 2007-07-20 | 2010-08-17 | Macronix International Co., Ltd. | Resistive memory structure with buffer layer |
US7884342B2 (en) * | 2007-07-31 | 2011-02-08 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory bridge cell |
US7729161B2 (en) * | 2007-08-02 | 2010-06-01 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory with dual word lines and source lines and method of operating same |
US8178386B2 (en) | 2007-09-14 | 2012-05-15 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell array with self-converged bottom electrode and method for manufacturing |
US7642125B2 (en) * | 2007-09-14 | 2010-01-05 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell in via array with self-aligned, self-converged bottom electrode and method for manufacturing |
US7919766B2 (en) | 2007-10-22 | 2011-04-05 | Macronix International Co., Ltd. | Method for making self aligning pillar memory cell device |
US7646631B2 (en) | 2007-12-07 | 2010-01-12 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell having interface structures with essentially equal thermal impedances and manufacturing methods |
US7879643B2 (en) | 2008-01-18 | 2011-02-01 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell with memory element contacting an inverted T-shaped bottom electrode |
US7879645B2 (en) | 2008-01-28 | 2011-02-01 | Macronix International Co., Ltd. | Fill-in etching free pore device |
US8158965B2 (en) | 2008-02-05 | 2012-04-17 | Macronix International Co., Ltd. | Heating center PCRAM structure and methods for making |
US8084842B2 (en) | 2008-03-25 | 2011-12-27 | Macronix International Co., Ltd. | Thermally stabilized electrode structure |
US8030634B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-10-04 | Macronix International Co., Ltd. | Memory array with diode driver and method for fabricating the same |
US7825398B2 (en) | 2008-04-07 | 2010-11-02 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell having improved mechanical stability |
US7791057B2 (en) | 2008-04-22 | 2010-09-07 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell having a buried phase change region and method for fabricating the same |
US8077505B2 (en) | 2008-05-07 | 2011-12-13 | Macronix International Co., Ltd. | Bipolar switching of phase change device |
US7701750B2 (en) | 2008-05-08 | 2010-04-20 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change device having two or more substantial amorphous regions in high resistance state |
US8415651B2 (en) | 2008-06-12 | 2013-04-09 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell having top and bottom sidewall contacts |
US8134857B2 (en) | 2008-06-27 | 2012-03-13 | Macronix International Co., Ltd. | Methods for high speed reading operation of phase change memory and device employing same |
US7932506B2 (en) | 2008-07-22 | 2011-04-26 | Macronix International Co., Ltd. | Fully self-aligned pore-type memory cell having diode access device |
US7903457B2 (en) | 2008-08-19 | 2011-03-08 | Macronix International Co., Ltd. | Multiple phase change materials in an integrated circuit for system on a chip application |
US7719913B2 (en) | 2008-09-12 | 2010-05-18 | Macronix International Co., Ltd. | Sensing circuit for PCRAM applications |
US8324605B2 (en) | 2008-10-02 | 2012-12-04 | Macronix International Co., Ltd. | Dielectric mesh isolated phase change structure for phase change memory |
US7897954B2 (en) * | 2008-10-10 | 2011-03-01 | Macronix International Co., Ltd. | Dielectric-sandwiched pillar memory device |
US8036014B2 (en) | 2008-11-06 | 2011-10-11 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory program method without over-reset |
US8664689B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-03-04 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell access device having a pn-junction with polycrystalline plug and single-crystal semiconductor regions |
US8907316B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-12-09 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell access device having a pn-junction with polycrystalline and single crystal semiconductor regions |
US7869270B2 (en) | 2008-12-29 | 2011-01-11 | Macronix International Co., Ltd. | Set algorithm for phase change memory cell |
KR101087830B1 (ko) * | 2009-01-05 | 2011-11-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 레이아웃 |
US8089137B2 (en) | 2009-01-07 | 2012-01-03 | Macronix International Co., Ltd. | Integrated circuit memory with single crystal silicon on silicide driver and manufacturing method |
US8107283B2 (en) | 2009-01-12 | 2012-01-31 | Macronix International Co., Ltd. | Method for setting PCRAM devices |
US8030635B2 (en) | 2009-01-13 | 2011-10-04 | Macronix International Co., Ltd. | Polysilicon plug bipolar transistor for phase change memory |
US8064247B2 (en) | 2009-01-14 | 2011-11-22 | Macronix International Co., Ltd. | Rewritable memory device based on segregation/re-absorption |
US8933536B2 (en) | 2009-01-22 | 2015-01-13 | Macronix International Co., Ltd. | Polysilicon pillar bipolar transistor with self-aligned memory element |
US8084760B2 (en) | 2009-04-20 | 2011-12-27 | Macronix International Co., Ltd. | Ring-shaped electrode and manufacturing method for same |
US8173987B2 (en) | 2009-04-27 | 2012-05-08 | Macronix International Co., Ltd. | Integrated circuit 3D phase change memory array and manufacturing method |
US8097871B2 (en) | 2009-04-30 | 2012-01-17 | Macronix International Co., Ltd. | Low operational current phase change memory structures |
US7933139B2 (en) | 2009-05-15 | 2011-04-26 | Macronix International Co., Ltd. | One-transistor, one-resistor, one-capacitor phase change memory |
US7968876B2 (en) | 2009-05-22 | 2011-06-28 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell having vertical channel access transistor |
US8350316B2 (en) | 2009-05-22 | 2013-01-08 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cells having vertical channel access transistor and memory plane |
US8809829B2 (en) | 2009-06-15 | 2014-08-19 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory having stabilized microstructure and manufacturing method |
US8406033B2 (en) | 2009-06-22 | 2013-03-26 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device and method for sensing and fixing margin cells |
US8363463B2 (en) | 2009-06-25 | 2013-01-29 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory having one or more non-constant doping profiles |
US8238149B2 (en) | 2009-06-25 | 2012-08-07 | Macronix International Co., Ltd. | Methods and apparatus for reducing defect bits in phase change memory |
US8198619B2 (en) | 2009-07-15 | 2012-06-12 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell structure |
US7894254B2 (en) | 2009-07-15 | 2011-02-22 | Macronix International Co., Ltd. | Refresh circuitry for phase change memory |
US8110822B2 (en) | 2009-07-15 | 2012-02-07 | Macronix International Co., Ltd. | Thermal protect PCRAM structure and methods for making |
US8064248B2 (en) | 2009-09-17 | 2011-11-22 | Macronix International Co., Ltd. | 2T2R-1T1R mix mode phase change memory array |
US8178387B2 (en) | 2009-10-23 | 2012-05-15 | Macronix International Co., Ltd. | Methods for reducing recrystallization time for a phase change material |
US8729521B2 (en) | 2010-05-12 | 2014-05-20 | Macronix International Co., Ltd. | Self aligned fin-type programmable memory cell |
JP2010183123A (ja) * | 2010-05-28 | 2010-08-19 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
US8310864B2 (en) | 2010-06-15 | 2012-11-13 | Macronix International Co., Ltd. | Self-aligned bit line under word line memory array |
US8395935B2 (en) | 2010-10-06 | 2013-03-12 | Macronix International Co., Ltd. | Cross-point self-aligned reduced cell size phase change memory |
US8497705B2 (en) | 2010-11-09 | 2013-07-30 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change device for interconnection of programmable logic device |
US8467238B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-06-18 | Macronix International Co., Ltd. | Dynamic pulse operation for phase change memory |
US8987700B2 (en) | 2011-12-02 | 2015-03-24 | Macronix International Co., Ltd. | Thermally confined electrode for programmable resistance memory |
US9336879B2 (en) | 2014-01-24 | 2016-05-10 | Macronix International Co., Ltd. | Multiple phase change materials in an integrated circuit for system on a chip application |
US9559113B2 (en) | 2014-05-01 | 2017-01-31 | Macronix International Co., Ltd. | SSL/GSL gate oxide in 3D vertical channel NAND |
US9672906B2 (en) | 2015-06-19 | 2017-06-06 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory with inter-granular switching |
US10199386B2 (en) * | 2015-07-23 | 2019-02-05 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device and method for manufacturing same |
KR102340973B1 (ko) | 2015-09-18 | 2021-12-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 테스트 장치 및 방법과 데이터 분석 장치 |
US11139212B2 (en) * | 2018-09-28 | 2021-10-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Semiconductor arrangement and method for making |
TWI696268B (zh) * | 2019-01-04 | 2020-06-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 靜態隨機存取記憶體及其製作方法 |
CN111863818B (zh) * | 2020-09-22 | 2021-01-29 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | Sram器件及其形成方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06216345A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JPH0817944A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JPH10163440A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JPH1117027A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JPH1126604A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH11345887A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-12-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0821682B2 (ja) * | 1987-04-24 | 1996-03-04 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0240951A (ja) | 1988-07-31 | 1990-02-09 | Nec Corp | 半導体メモリ装置 |
JP2859288B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1999-02-17 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP2512216B2 (ja) * | 1989-08-01 | 1996-07-03 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
EP0469217B1 (en) | 1990-07-31 | 1996-04-10 | International Business Machines Corporation | Method of forming stacked self-aligned polysilicon PFET devices and structures resulting therefrom |
US5514615A (en) * | 1991-03-20 | 1996-05-07 | Fujitsu Limited | Method of producing a semiconductor memory device having thin film transistor load |
JP2923699B2 (ja) | 1991-03-20 | 1999-07-26 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
US5521859A (en) * | 1991-03-20 | 1996-05-28 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device having thin film transistor and method of producing the same |
JPH0621394A (ja) | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Sony Corp | 半導体メモリ装置 |
US5404326A (en) * | 1992-06-30 | 1995-04-04 | Sony Corporation | Static random access memory cell structure having a thin film transistor load |
KR100305123B1 (ko) * | 1992-12-11 | 2001-11-22 | 비센트 비.인그라시아, 알크 엠 아헨 | 정적랜덤액세스메모리셀및이를포함하는반도체장치 |
JPH06216435A (ja) | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 固体レーザ装置 |
JP3780003B2 (ja) | 1993-06-15 | 2006-05-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
TW297158B (ja) * | 1994-05-27 | 1997-02-01 | Hitachi Ltd | |
JP2689923B2 (ja) * | 1994-11-11 | 1997-12-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH08222710A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH08250600A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH0917965A (ja) * | 1995-07-03 | 1997-01-17 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP3419597B2 (ja) * | 1995-07-11 | 2003-06-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3535615B2 (ja) * | 1995-07-18 | 2004-06-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
JPH09260510A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-10-03 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
US6424011B1 (en) * | 1997-04-14 | 2002-07-23 | International Business Machines Corporation | Mixed memory integration with NVRAM, dram and sram cell structures on same substrate |
JPH1117962A (ja) | 1997-06-26 | 1999-01-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 画像処理装置 |
JPH1140680A (ja) | 1997-07-15 | 1999-02-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置 |
JP3967440B2 (ja) * | 1997-12-09 | 2007-08-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3599548B2 (ja) * | 1997-12-18 | 2004-12-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3718058B2 (ja) * | 1998-06-17 | 2005-11-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2000012796A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置ならびにその製造方法および製造装置 |
JP3869128B2 (ja) * | 1998-09-11 | 2007-01-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3697954B2 (ja) | 1999-07-06 | 2005-09-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 静電荷量調整素子、その製造方法及び画像形成方法 |
US6900513B2 (en) * | 2001-01-22 | 2005-05-31 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
JP2002289703A (ja) | 2001-01-22 | 2002-10-04 | Nec Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
WO2002061840A1 (fr) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de circuit integre semi-conducteur et procede de production de ce dernier |
JP4083397B2 (ja) | 2001-06-18 | 2008-04-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
-
2001
- 2001-12-26 WO PCT/JP2001/011426 patent/WO2002061840A1/ja active IP Right Grant
- 2001-12-26 KR KR1020047006975A patent/KR100574715B1/ko active IP Right Grant
- 2001-12-26 KR KR1020037002944A patent/KR100542525B1/ko active IP Right Grant
- 2001-12-26 CN CNB018149057A patent/CN100394605C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-26 US US10/363,055 patent/US7067864B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-26 JP JP2002561287A patent/JP4056392B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-26 CN CNA2007101941407A patent/CN101174633A/zh active Pending
- 2001-12-26 KR KR1020057022933A patent/KR100625129B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-01-23 TW TW091101044A patent/TW550791B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-01-31 US US11/342,695 patent/US7488639B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-10-17 JP JP2008268565A patent/JP2009038396A/ja active Pending
-
2009
- 2009-01-30 US US12/362,995 patent/US7893505B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06216345A (ja) * | 1993-01-14 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JPH0817944A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JPH10163440A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JPH1117027A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JPH1126604A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH11345887A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-12-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040009639A1 (en) | 2004-01-15 |
KR100574715B1 (ko) | 2006-04-28 |
US20090218608A1 (en) | 2009-09-03 |
JP4056392B2 (ja) | 2008-03-05 |
US7488639B2 (en) | 2009-02-10 |
KR20040060975A (ko) | 2004-07-06 |
CN1449586A (zh) | 2003-10-15 |
KR20030069986A (ko) | 2003-08-27 |
US20060128094A1 (en) | 2006-06-15 |
CN100394605C (zh) | 2008-06-11 |
US7893505B2 (en) | 2011-02-22 |
US7067864B2 (en) | 2006-06-27 |
WO2002061840A1 (fr) | 2002-08-08 |
KR100542525B1 (ko) | 2006-01-11 |
KR20060004703A (ko) | 2006-01-12 |
CN101174633A (zh) | 2008-05-07 |
KR100625129B1 (ko) | 2006-09-18 |
TW550791B (en) | 2003-09-01 |
JPWO2002061840A1 (ja) | 2004-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4056392B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP4044721B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
US6870231B2 (en) | Layouts for CMOS SRAM cells and devices | |
JP4083397B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2000058675A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JP2002329798A (ja) | 半導体装置 | |
JP5386819B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP4535506B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
US10290640B1 (en) | Static random access memory cell and static memory circuit | |
JP2005210052A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2004274077A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JP4231212B2 (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JP4083770B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2006004959A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2000036542A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JPH10284618A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2004241403A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP3839418B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2002289702A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置 | |
KR101036158B1 (ko) | Sram 및 로직 복합 소자의 제조 방법 | |
JP2004146844A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2006173199A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008085350A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置 | |
JPH1079440A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JP2009044183A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120406 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120501 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120911 |