KR100451615B1 - 폴리싱장치 - Google Patents

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슈운이찌로오 고지마
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가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼와 같은 작업물을 평면경 상태로 폴리싱하는데 사용되는 폴리싱 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 폴리싱 장치는, 폴리싱 표면을 가진 턴테이블과, 폴리싱 처리될 작업물을 지지하여 상기 턴테이블상의 폴리싱 표면에 작업물을 압압하기 위한 상부링을 포함하여 구성된다. 또한, 푸셔수단이 작업물을 상기 상부링으로 전달하거나 또는 상기 상부링으로부터 전달받기 위한 위치에 배치되며, 이는 상기 작업물을 상기 상부링으로 전달하거나 또는 상기 상부링으로부터 전달받기 위하여, 상기 상부링에 근접한 위치로 수직방향으로 이동가능한 작업물 지지체를 가진다. 폴리싱된 작업물을 접수한 작업물 지지체가 하강하면, 작업물의 상,하부 표면 및 상기 상부링의 하부 표면을 세정하기 위하여 세 곳에 각기 위치한 세 개의 세정 노즐 유닛으로부터 거의 동시에 세정액이 분사된다.

Description

폴리싱 장치
본 발명은 반도체 웨이퍼와 같은 작업물(workpiece)을 평면경 상태로 폴리싱(polishing) 처리하는 폴리싱 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 작업물 및/또는 폴리싱 처리된 작업물을 지지하기 위한 상부링을 세정하는 세정장치를 가지고 있는 폴리싱 장치에 관한 것이다.
반도체 집적회로 장치에 관한 기술이 급격히 발전함에 따라, 더 작은 배선 패턴이나 상호 접속구조가 요구되며, 활성 영역을 연결하는 상호 접속구조 사이의 공간도 더 좁아질 것을 요구하고 있다. 그러한 상호 접속구조를 형성시키는 방법으로는 사진 평판술(photolithography)이 있다. 사진평판술을 이용할 경우 나비 0.5 ㎛ 이하의 상호 접속구조를 형성시킬 수 있지만, 광학시스템의 촛점거리(깊이)가 상대적으로 작기 때문에, 스테퍼(stepper)에 의해 패턴 이미지가 조사될 표면은 가능한 한 편평하여야 한다.
따라서, 사진평판술을 이용하기 위해서는 반도체 웨이퍼의 표면을 편평하게만들 필요가 있다. 반도체 웨이퍼의 표면을 편평하게 만드는 통상적인 방법으로는 폴리싱 장치를 이용하여 폴리싱처리 하는 방법이 있으며, 이 방법은 화학 기계적 폴리싱법으로 지칭된다.
폴리싱 장치는 통상 각각의 개별적인 속도로 회전하는 턴테이블과 상부링을 하나씩 가진다. 턴테이블의 상부표면에는 연마포가 부착되어 있다. 폴리싱 처리할 반도체 웨이퍼 등의 작업물을 그러한 연마포 위에 놓고, 상부링과 턴테이블 사이를 클램프 시킨다. 연마 그레인을 함유한 연마액이 연마포 상에 공급되어 보유된다. 폴리싱 동작동안 상부링이 일정한 압력을 턴테이블에 가하기 때문에, 연마포에 대향하여 지지되고 있는 반도체 웨이퍼의 표면은, 상부링과 턴테이블이 회전하는 동안 화학적 폴리싱과 물리적 폴리싱의 조합에 의하여 폴리싱 처리되어 평면경 상태로 마무리된다.
예를 들어, 하나 이상의 반도체 웨이퍼가 폴리싱된 후에 연마포의 본래의 폴리싱 능력을 재생시키기 위하여 연마포를 가공한다. 연마포를 재생하기 위한 다양한 방법들이 개발되어 왔고 현재도 개발되고 있으며, 이러한 방법은 총괄적으로 "드레싱"이라 지칭된다. 폴리싱 장치가, 폴리싱 기능의 저하없이 항상 우수한 성능을 유지하기 위해서는, 연마포를 드레싱 도구로 드레싱하여야 한다.
폴리싱된 반도체 웨이퍼에는 연마액과 부서진 입자들이 부착되어 있다. 반도체 웨이퍼가 상부링에 의하여 지지되기 때문에, 반도체 웨이퍼를 폴리싱 처리한 후에는 상부링에도 연마액과 부서진 입자들이 부착되어 있다. 따라서, 폴리싱된 반도체 웨이퍼와 상부링은 연마액과 부서진 입자 등의 이물질을 제거하기 위하여세정하는 과정이 필요하다.
로봇을 설치하여, 폴리싱 처리전에 상부링으로 반도체 웨이퍼를 전달하거나, 폴리싱 처리후에 상부링으로부터 반도체 웨이퍼를 전달받도록 하는 것이 일반적이다. 즉, 반도체 웨이퍼는 상부링과 폴리싱 장치와 연합되어 있는 로봇의 핸드 부재 사이에서 직접 이송된다.
결과적으로, 반도체 웨이퍼의 폴리싱 처리에 사용된 상부링과 폴리싱된 반도체 웨이퍼는 다음과 같은 방법으로 세정된다:
(1) 먼저, 상부링에 의하여 지지되는 반도체 웨이퍼의 폴리싱된 표면이, 세정 노즐로부터 분사되는 세정액에 의하여 세정된다.
(2) 이어, 반도체 웨이퍼가 상부링으로부터 로봇의 핸드 부재로 이송된다.
(3) 반도체 웨이퍼를 부착하고 있던 상부링의 하부 표면(지지면)이, 세정 노즐로부터 분사되는 세정액에 의하여 세정된다.
(4) 마지막으로, 폴리싱 처리될 다음번 반도체 웨이퍼가 로봇의 핸드 부재로부터 상부링으로 이송된다.
그러나, 상기와 같은 종래 기술에 의할 경우 세정 단계 (1) 및 (3)의 2단계에 의하여 세정하여야 하므로, 반도체 웨이퍼와 상부링을 세정하는데 상대적으로 긴 시간이 소요된다. 그 결과, 종래의 폴리싱 장치로는 반도체 웨이퍼를 효율적으로 폴리싱 처리할 수 없었다.
또한, 상기 (3)단계에서, 상부링의 하부가, 반도체 웨이퍼의 폴리싱 후 즉시 세정되지 않기 때문에, 상부링의 하부 표면에 적용된 연마액이 고체화되는 경향이있다. 또한 세정액 및 부서진 입자들이 연마포 위로 흩어져, 작업물을 폴리싱하기 위한 연마액의 조성이 바뀌는 경향이 있으므로, 폴리싱 장치의 성능이 일정하게 유지되지 않는다. 솔의 부서진 물질들도 연마포상에 떨어져, 연마포에 의하여 폴리싱될 반도체 웨이퍼에 손상을 줄 가능성도 있다.
나아가, 드레싱 도구에 있어서도, 연마포를 드레싱한 후에 즉시 세정되지 않기 때문에 상기와 같은 문제가 나타날 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상부링과 폴리싱된 반도체 웨이퍼와 같은 작업물을 효율적으로 세정함으로써 생산성이 높은 폴리싱 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 연마포상의 연마액의 조성을 변화시키지 않음은 물론 다량의 세정액을 주위에 분산시키지 않으면서, 상부링 및/또는 드레싱 도구의 하부 표면을 효율적으로 세정할 수 있는, 상대적으로 단순한 세정장치를 가지고 있는 폴리싱 장치를 제공하는 것이다.
나아가 본 발명의 목적은, 세정될 작업물을 상부링으로 전달하거나 상기 상부링으로부터 전달받을 수 있는 로봇의 핸드 부재와 작업물을 함께 세정할 수 있는 세정장치를 가진 폴리싱 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 수송 및 세정장치를 가진 폴리싱 장치의 평면도이고;
도 2는 도 1에 도시한 폴리싱 유닛과 드레싱 유닛을 나타내는 폴리싱 장치의 수직 단면도이고;
도 3은 본 발명의 제 1실시형태에 따른 세정장치와 결합된 푸셔수단과 상부링의 수직 단면도이고;
도 4는 도 3에 도시한 푸셔수단의 작업물 지지체의 평면도이고;
도 5는 도 4의 V-V 단면도이고;
도 6은 도 3에 도시된 세정장치의 세정 노즐 유닛의 사시도이고;
도 7a 및 7b는 폴리싱된 반도체 웨이퍼가 상부링으로부터 푸셔수단으로 이송되는 방식을 보여주는 수직 단면도이고;
도 8은 본 발명의 제 2실시형태에 따른 폴리싱 장치의 부분 정면도이고;
도 9는 도 8에 도시된 폴리싱 장치의 평면도이고;
도 10은 본 발명의 제 3실시형태에 따른 폴리싱 장치의 부분 정면도이고;
도 11은 도 10에 도시된 폴리싱 장치의 턴테이블 커버의 사시도이고;
도 12는 도 10에 도시된 폴리싱 장치의 상부링 세정장치의 노즐, 노즐 조인트 및 파이프 시스템의 사시도이고;
도 13은 핸드 부재가 상부링 세정장치에 의하여 세정되는 방식을 예시한, 도 12에 도시된 시스템의 사시도이고;
도 14는 상부링의 하부 표면이 상부링 세정장치에 의하여 세정되는 방식을 예시한, 도 12에 도시된 시스템의 사시도이다.
본 발명의 한가지 실시형태에 의하면, 폴리싱 표면을 가진 턴테이블과; 폴리싱될 작업물을 지지하고 상기 턴테이블상의 폴리싱 표면에 압압하기 위한 상부링과; 상기 상부링과의 사이에서 작업물을 이송하기 위한 푸셔수단으로서, 상기 작업물을 이송하기 위하여 상기 상부링에 근접한 위치로 수직방향으로 이동가능한 작업물 지지체를 가지는 푸셔수단과; 폴리싱처리된 작업물이 상기 상부링으로부터 상기 작업물 지지체로 이송된 후에, 작업물의 상,하부 표면 및 상기 상부링의 하부 표면에 세정액을 분사하여 이들 표면을 세정하기 위한 세정장치를 포함하여 구성되는, 작업물의 표면 폴리싱 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 실시형태에 의하면, 폴리싱 표면을 가진 턴테이블과; 폴리싱될 작업물을 지지하고 상기 턴테이블상의 폴리싱 표면에 압압하기 위한 상부링과; 상기 상부링을 상기 턴테이블로부터 소정 거리 상승시키고, 각을 이루며 소정 위치로 이동시키기 위한 상부링 이동기구와; 상기 상부링이 상기 소정 위치로 이동하면, 세정액을 상기 상부링의 하부 표면에 분사하여 상부링의 하부 표면을 세정하기 위하여, 상기 상부링의 하부로 이동가능한 세정액 노즐을 가지는 상부링 세정장치를 포함하여 구성되는, 작업물의 표면 폴리싱 장치가 제공된다.
상기와 같은 본 발명의 목적, 특징 및 이점은, 본 발명의 바람직한 실시형태를 예들 들어 도시한 도면과 하기의 설명을 통하여 더욱 분명히 이해할 수 있다.
본 발명의 제 1실시형태에 따른 폴리싱 장치를 도 1 내지 7a 및 7b를 참조하여 설명한다.
도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 폴리싱 장치(70)는 턴테이블(73), 턴테이블(73)의 일측에 위치하며 상부링(75)을 가지고 있는 폴리싱 유닛(77), 그리고 턴테이블(73)의 다른 일측에 위치하며 드레싱 도구(79)를 가지고 있는 드레싱 유닛(81)을 포함하여 구성된다. 상기 폴리싱 장치(70)는, 폴리싱 유닛(77)과 턴테이블(73)에 근접한 위치에 세정장치를 구비한 푸셔수단(10)을 가진다.
상기 폴리싱 장치(70)는 폴리싱처리 유닛(77)과 푸셔수단(10) 옆에 배치되는 수송 및 세정 유닛(90)을 더욱 포함하여 구성된다. 상기 수송 및 세정 유닛(90)은 화살표 F 방향으로 이동가능한 중앙의 두 개의 작업물 수송 로봇(91, 93), 일차 및 이차 세정장치(95, 97), 그리고 상기 작업물 수송 로봇(91, 93)의 일측에 배치되는 스핀 건조기(spinning drier;99)를 포함하여 구성된다. 상기 수송 및 세정 유닛(90)은 작업물 수송 로봇(91, 93)의 다른 일측에 위치한 두 개의 작업물 반전 유닛(101, 103)을 더욱 포함하여 구성된다.
도 2는 상부링(75)을 가진 폴리싱처리 유닛(77)과 드레싱 도구(79)를 가진 드레싱 유닛(81)을 나타낸 것이다. 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 상부링(75)은 턴테이블(73)을 기준으로 중심에서 벗어난 곳에 위치한다. 턴테이블(73)은, 샤프트(73a)를 통하여 턴테이블(73)에 연결된 모터(표시 않됨)에 의하여 화살표 A로 표시된 방향을 따라 자신의 축을 중심으로 회전가능하다. 연마포(74)는 턴테이블(73)의 상부 표면에 부착되어 있다.
상부링(75)은 모터(표시 않됨) 및 상승/하강 실린더(표시않됨)에 연결되어 있다. 상기 모터 및 상승/하강 실린더에 의하여, 상부링(75)은 화살표 B, C 방향을 따라, 수직방향으로 이동하고 자신의 축을 중심으로 회전할 수 있다. 따라서, 상부링(75)은 반도체 웨이퍼(100)에 일정한 압력을 가하여 연마포(74)를 향하여 압압시킬 수 있다. 반도체 웨이퍼(100)는 진공 등의 조건하에서 상부링(75)의 하부 표면에 부착된다. 가이드 링(76)이 상부링(75) 하측 표면의 외주면상에 탑재되어있어, 반도체 웨이퍼(100)가 상부링(75)으로부터 이탈되는 것을 방지한다.
드레싱 유닛(81)은 드레싱 도구(79)를 포함하여 구성되며, 이는 턴테이블(73) 상에서 상부링(75)의 정반대편에 위치한다. 드레싱 도구(79)는 모터(표시 않됨) 및 상승/하강 실린더(표시않됨)에 연결되어 있다. 상기 모터 및 상승/하강 실린더에 의하여, 드레싱 도구(79)는 화살표 D, E 방향을 따라, 수직방향으로 이동하고 자신의 축을 중심으로 회전할 수 있다. 드레싱 도구(79)의 표면에는 예를 들어, 다이아몬드 그레인을 포함하는 다이아몬드 그레인 층으로 구성되는 드레싱 층(79a)이 형성되어 있다.
폴리싱 처리될 반도체 웨이퍼(100)를 복수개 소장하고 있는 웨이퍼 카세트(105)가 도 1에 나타낸 바와 같은 위치에 있으면, 상기 작업물 수송 로봇(93)이 카세트(105)로부터 반도체 웨이퍼를 꺼내 작업물 반전 유닛(103)으로 이송한다. 작업물 반전 유닛(103)에 의하여 반전된, 즉 위아래가 바뀐, 반도체 웨이퍼는, 작업물 수송 로봇(91, 93)에 전달되어 푸셔수단 상에 놓이게 된다.
이어서, 폴리싱처리 유닛(77)의 상부링(75)이, 점선에 표시된 대로 소정 각도로 이동하여 푸셔수단(10) 바로 위에 위치하게 된다. 푸셔수단(10)상의 반도체 웨이퍼가 상부링(75)의 하부 표면 인접 위치까지 상승하여, 진공 펌프 등(표시 않됨)에 의하여 형성된 진공하에서, 상부링(75)에 부착된다.
그 다음, 상부링(75)이 턴테이블(73) 위로 이동하여 턴테이블(73)상의 연마포(74)상에 반도체 웨이퍼를 압압시킨다. 턴테이블(73)과 상부링(75)이 상호 독립적으로 회전하는 동안, 반도체 웨이퍼의 하부 표면이 폴리싱되어 평면경 상태로 마무리된다. 반도체 웨이퍼의 폴리싱 처리가 끝나면, 상부링(75)은 푸셔수단(10)의 상부로 이동하여, 폴리싱된 반도체 웨이퍼를 푸셔수단(10)에 전달한다. 이때, 반도체 웨이퍼의 상, 하부 표면과 상부링(75)의 하부 표면이 본 발명에 의한 세정장치에 의하여 세정된다.
푸셔수단(10)상에 놓여진 반도체 웨이퍼는 작업물 수송 로봇(91)이 받아서 작업물 반전 유닛(101)으로 이송한다. 작업물 반전 유닛(101)은 반도체 웨이퍼를 반전시킨다. 반전된 반도체 웨이퍼는 연속적으로 일차 및 이차 세정장치(95, 97) 및 스핀 건조기(99)로 이송되어, 세정 및 건조된다. 상기 스핀 건조기(99)는 세정 및 건조의 기능을 가질 수 있다. 세정 및 건조된 반도체 웨이퍼는 최종적으로 작업물 수송 로봇(93)에 의해 카세트(105)로 보내진다.
도 3은 본 발명에 의한 세정장치와 결합된 푸셔수단(10) 및 상부링(75)의 수직단면도이다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 푸셔수단(10)은 반도체 웨이퍼(100)를 그 위에 놓을 수 있도록 되어 있는 작업물 지지체(11)와 이 작업물 지지체(11)를 수직 방향으로 이동시키는 작동 유닛(actuator unit;13)을 포함하여 구성된다. 작업물 지지체(11)는 상기 작동 유닛(13)으로부터 수직방향으로 이동가능하게 돌출된 수직봉(15)의 상측 단부에 의하여 지지된다. 도 3에서, 반도체 웨이퍼(100)는 작업물 지지체(11)상에 놓여 있고, 작업물 지지체(11)는 하강된 상태로 도시되어 있다.
도 3 내지 도 5에 나타낸 바와 같이, 작업물 지지체(11)는 원형의 기저부(21)와 이 원형의 기저부(21)의 외주변상에 탑재되어 있고, 그 사이에 형성되는 한 쌍의 함입부(recess;23)에 의하여 상호 분리된 한쌍의 아치형 웨이퍼 홀더(25)를 가지고 있다. 상기 함입부(23)는 작업물 수송 로봇(91)의 핸드 부재를 접수하여, 그로부터 반도체 웨이퍼(100)를 아치형 벽(25)으로 전달하거나, 아치형 벽(25)으로부터 그쪽으로 전달할 수 있도록 한다.
작업물 지지체(11)는 웨이퍼 홀더(25)에 결합된 가이드 기구(표시 않됨)를 가져, 반도체 웨이퍼(100)가 웨이퍼 홀더(25)에 놓일 때 정해진 위치에 놓이도록 가이드한다.
도 3의 폴리싱 장치는, 푸셔수단(10) 주변에 제공되며 세 개의 세정 노즐 유닛(31, 33, 35)을 지지하는 폴리싱 팬(30)과, 폴리싱 팬(30)상에 탑재되어 있으며, 작업물 지지체(11) 및 상부링(75)을 커버하는 커버(28)와, 폴리싱 팬(30) 밑에 배치되어 작업물 지지체(11)의 아래에 놓이는 푸셔 팬(29)을 가진다. 상기 커버(28)는 세정 노즐 유닛(31, 33, 35)으로부터 분사된 세정액이 주변으로 흩어지는 것을 방지하며, 푸셔 팬(29)은 상부링(75) 및 작업물 지지체(11)로부터 흘러내리는 세정액을 수집하는 역할을 한다.
세정 노즐 유닛(31)은 작업물 지지체가 하강된 상태의 위치를 기준으로 그 측면에 위치한다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 세정 노즐 유닛(31)은 함입부(23)중 하나를 향하여 위로 비스듬하게 세정액을 분사할 수 있도록 배향된 다섯 개의 노즐(31a)의 수평정렬을 가진다.
세정 노즐 유닛(33)은, 하강된 작업물 지지체(11) 및 상부링(75) 사이의 수직 중간위치의 측면에 위치한다. 특히, 이 세정 노즐 유닛(33)은 실질적으로, 작업물 지지체(11)를 가로질러 세정 노즐 유닛(31)의 정반대편에 배치된다. 세정 노즐 유닛(33)은 작업물 지지체(11)상으로 아래로 비스듬하게 세정액을 분사할 수 있도록 배향된 네 개의 노즐(33a)의 수평정렬을 가진다.
세정 노즐 유닛(35)은 상기 세정 노즐 유닛(33)의 바로 위에 위치한다. 세정 노즐 유닛(35)은 상부링(75)의 하부 표면(즉 지지표면;76)상으로 위로 비스듬하게 세정액을 분사할 수 있도록 배향된 두 개의 노즐(35a)의 수평정렬을 가진다.
도 6에 나타난 바와 같이, 세정 노즐 유닛(31)은 노즐 헤더(31b)를 가지며, 이 위에 노즐(31a)이 탑재되어 있다. 상기 노즐 헤더(31b)의 단부들은 각각 두 개의 바(31c)에 의하여 고정되며, 이 바(31c)는 볼트(31d)에 의하여 고정된다. 상기 볼트(31d)가 느슨하게 되면, 노즐 헤더(31b)가 축을 중심으로 소정 각도 이동하여 노즐(31a)의 각도를 조절한다. 노즐(31a)의 각도가 조절되면, 볼트(31d)를 조여 노즐 헤더(31b)가 더 이상 각운동을 하지 않도록 고정시킨다. 다른 세정 노즐 유닛들(33, 35)도 세정 노즐 유닛(31)과 유사한 구조를 가진다.
이하, 세정장치와 푸셔수단(10)의 작동에 관하여 설명한다.
도 7a 및 7b는 폴리싱된 반도체 웨이퍼(100)가 상부링(75)으로부터 푸셔수단(10)으로 이송되는 방식을 보여 준다. 특히, 진공상태에서 폴리싱된 반도체 웨이퍼(100)를 부착하고 있는 상부링(75)이, 도7a에 도시된 바와 같이 푸셔수단(10) 바로 위의 위치로 이동한다. 이어 푸셔수단(10)의 작동 유닛(13)이 작동하여, 도 7b에 도시한 바와 같이 상부링(75)을 향하여 작업물 지지체(11)를 상승시킨다. 이어 작업물 지지체(11)로의 진공 상태가 해제되면서 반도체 웨이퍼(100)가상부링(75)으로부터 이탈된다.
작동 유닛(13)이 다시 작동하여 도 3에 도시된 바와 같이 작업물 지지체(11)를 상부링(75)으로부터 멀리 하강시킨다. 이어 세 개의 세정 노즐 유닛(31, 33, 35)이 동시에 작동하여, 순수한 물 등의 세정액을 노즐(31a, 33a, 35a)로부터 분사하여, 반도체 웨이퍼(100)의 상, 하부 표면과 상부링(75)의 하부 표면(76)을 세정한다.
특히, 세정 노즐 유닛(31)으로부터 분사되는 세정액은 작업물 지지체(11)의 함입부(23)중 하나로 들어가, 폴리싱된 반도체 웨이퍼(100)의 하부 표면을 세정한다. 세정 노즐 유닛(33)으로부터 분사되는 세정액은 반도체 웨이퍼(100)의 상부 표면에 직접 적용되어 그 부위를 세정한다. 세정 노즐 유닛(35)으로부터 분사되는 세정액은 반도체 웨이퍼(100)를 부착하고 있던 상부링(75)의 하부 표면에 직접 적용되어 그 부위를 세정한다. 따라서, 반도체 웨이퍼(100)의 상, 하부 표면과 상부링(75)의 하부 표면(76)에 남아있는 연마액 및 분쇄된 입자들이 완전하게 제거된다. 이때, 작업물 지지체도 세정액에 의하여 세정된다.
세정액은 세정 노즐 유닛들(31, 33, 35)로부터 동시에 분사되기 시작한다. 세정 노즐 유닛(31, 33)은 13초간 연속적으로 세정액을 분사하고, 세정 노즐 유닛(35)은 10초간 세정액을 분사한다. 상부링(75)이 세정된 후 얼마간 반도체 웨이퍼(100)의 세정작업이 지속되므로, 상부링(75)으로부터 반도체 웨이퍼(100)로 떨어지는 물질들도 거의 모두 제거할 수 있다.
그러나, 세정액이 시간차를 두고 세정 노즐 유닛들(31, 33, 35)로부터 분사되기 시작하여, 전술한 것과는 다른 시간 동안 계속적으로 분사될 수도 있다.
세정된 반도체 웨이퍼(100)는 작업물 지지체(11)로부터 작업물 수송 로봇(91; 도 1 참조)의 핸드 부재로 이송된다. 이어서 폴리싱 처리될 새로운 반도체 웨이퍼(100)가 작업물 수송 로봇(91)에 의하여 작업물 지지체(11)상에 놓이게 된다.
도 1 내지 도 7a 및 7b를 통하여 설명한 바와 같이, 본 발명의 제 1실시형태에서는, 반도체 웨이퍼(100)의 상, 하부 표면과 상부링(75)의 하부 표면(76)이 거의 동시에, 1회의 세정과정으로 단시간 내에 세정된다. 따라서, 상기 폴리싱 장치는 높은 생산성을 가지고 효율적으로 반도체 웨이퍼를 폴리싱 처리할 수 있다.
다음으로, 도 8 및 도 9를 참조하여, 본 발명의 제 2실시형태에 의한 폴리싱 처리장치를 설명한다. 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 폴리싱 장치가, 화살표 A 및 C로 표시된 동일 방향으로 상호 독립적으로 회전할 수 있는 턴테이블(73)과 상부링(75)을 가진다. 연마포(74)는 턴테이블(73) 위에 부착되어 있다.
반도체 웨이퍼가 폴리싱된 후에, 상승/하강 기구(표시 않됨)에 의하여 상부링(75)이 상승하고, 스윙 기구에 의하여 각운동하여 화살표 G로 표시된 방향(도 9)으로 턴테이블(73) 외측의 작업물 이송 위치(H)로 이동한다. 작업물 이송 위치(H)에서, 폴리싱된 반도체 웨이퍼가 상부링(75)으로부터 상부링(75)의 하부로 연장되어 있는 로봇의 핸드 부재(170) 또는 이와 유사한 것으로 이송된다. 상부링(75)은 잠시 대기한 후 폴리싱 처리될 다른 반도체 웨이퍼를 핸드 부재(170)으로부터 전달받는다. 전달된 반도체 웨이퍼는 진공하에서 상부링(75)의 하부 표면에 부착된다.상부링(75)은 각운동하여 턴테이블(73) 상부의 위치로 되돌아오고, 턴테이블(73)쪽으로 하강하여 반도체 웨이퍼를 폴리싱 처리한다. 유지보수작업을 위해서는, 상부링(75) 후진 위치(I)로 각운동하여 이동한다.
드레싱 도구(79)가 작동하지 않을 때, 드레싱 도구(79)는 화살표 J로 표시된 방향을 따라 턴테이블(73) 외측의 후진 위치(K)로 소정각 이동하여 존재한다.
본 폴리싱 장치도 상부링(75)의 하부 표면을 세정하기 위한 상부링 세정장치(130)를 가진다. 상기 상부링 세정장치(130)는 순수한 물을 주성분으로 하는 세정액(W)을 분사하기 위한 세정액 노즐(131)과, 하측 단부에서 상기 세정액 노즐(131)을 지지하는 수직 샤프트(132)와, 상기 샤프트(132)를 수직 방향으로 이동시키고 또한 회전시켜 각운동시키기 위한 이동기구(133)를 가진다. 샤프트(132)의 내부에는 유체 통로가 있어, 이를 통하여 세정액(W)을 흐르게 할 수 있다. 샤프트(132)의 통로를 통과한 세정액(W)은 세정액 노즐(131)로부터 위쪽으로 분사된다.
상부링(75)에 의하여 지지되는 반도체 웨이퍼 등의 작업물은 도 2에서와 같은 방식으로 폴리싱 처리된다. 반도체 웨이퍼의 폴리싱이 끝나면, 상승/하강 기구에 의하여 상부링(75)이 일정 높이 상승하고, 방사상 외측으로 턴테이블(73) 외측의 작업물 이송 위치(H)로 소정각 이동하여, 폴리싱된 반도체 웨이퍼를 핸드 부재(170)에 전달한다. 이때 상부링(75)의 위치는 도 8에 도시되어 있다.
그러면, 상부링 세정장치(130)의 이동기구가 작동하여 상부링(75)과 턴테이블(73) 사이에서 수직위치로 세정액 노즐(131)의 고도를 낮추고, 샤프트(132)를 중심으로 회전시켜 세정액 노즐(131)이 상부링(75)의 하부 표면과 면하도록 한다. 이어서, 세정액 노즐(131)이 상부링(75)의 하부 표면으로 세정액(W)을 분사하여, 상부링(75)의 하부 표면을 세정한다.
세정액 노즐(131)은 상부링(75)의 하부에 위치하여 분사된 세정액(W)이 턴테이블(73) 위가 아닌 턴테이블(73) 바깥쪽으로 떨어지게 된다. 연마액 노즐(112)로부터 공급되는 슬러리와 같은 연마액(Q)의 농도가 이미 조절되 있기 때문에, 분사된 세정액(W)이 턴테이블(73) 위로 떨어지면, 연마액(Q)의 농도가 변하거나 연마액(Q)이 바람직하지 못하게 희석될 것이다.
도 10은 본 발명의 제 3실시형태에 따른 폴리싱 장치를 나타낸 것이다. 도 10에 도시된 폴리싱 장치의 턴테이블(73)과 상부링(75)은 도 8에 도시된 것과 동일하다. 도 10의 폴리싱 장치도 역시 세정액(W)을 분사하기 위한 세정액 노즐(141, 142)을 가진 상부링 세정장치(140)를 구비하고 있다. 상부링 세정장치(140)는 테이블 커버(113)상에 탑재되어 있으며, 상기 커버는 턴테이블(73) 상부에 배치되어 턴테이블(73)의 일정 범위를 덮는다. 상부링 세정장치(140)는, 상부링(75)이 폴리싱된 반도체 웨이퍼를 핸드 부재(170)에 전달하고, 또한 폴리싱될 반도체 웨이퍼를 핸드 부재로부터 전달받는 위치 근처에 위치한다.
도 11에는 테이블 커버(113)가 상세히 도시되어 있다. 도 9 및 11에 도시되어 있는 바와 같이, 테이블 커버(113)는 연마액이 주변으로 흩어지는 것을 방지하기 위하여 턴테이블 위쪽에 배치되는 돔(dome) 형태의 구조물이다. 테이블 커버(113)는, 작업물 웨이퍼 이송 위치(H)와 후진 위치(I) 사이를 상부링(75)이 화살표 G로 표시한 방향을 따라 이동할 수 있도록 상부 표면 내에 형성되는 아치형 함입부를 가지며, 상기 함입부 내에 형성되고, 상부링(75)이 턴테이블(73)의 상부 표면을 향하여 아래로 또는 동 표면으로부터 위로 이동할 수 있도록 하는 상부링 삽입 홀(113-1)을 가진다. 또한, 테이블 커버(113)는, 화살표 J로 표시한 방향을 따라 드레싱 도구(도2의 드레싱 도구 79 에 대응)가 이동할 수 있도록 상부 표면 내에 형성되는 함입부와, 상기 함입부 내에 형성되고, 드레싱 도구가 턴테이블(73)의 상부 표면을 향하여 아래로 또는 동 표면으로부터 위로 이동할 수 있도록 하는 드레싱 도구 삽입 홀(113-2)을 가진다.
상부링 세정장치(140)는 테이블 커버(113) 위에, 작업물 이송 위치(H)에 위치한다. 폴리싱된 반도체 웨이퍼(100)가 작업물 이송 위치(H)에서 상부링(75)으로부터 핸드 부재(170)으로 전달된 후, 상부링 세정장치(140)가 상부링(75)의 하부 표면을 향하여 세정액을 분사하여 이 부위를 세정한다.
도 10 및 11에 도시한 바와 같이, 테이블 커버(113)는 연마액을 공급하기 위한 연마액 노즐(112)과 린스액을 공급하기 위한 린스액 노즐을 포함하여 구성되는 노즐 유닛(113-3)을 지지하고 있다. 상기 테이블 커버(113) 내부의 가스를 방출하기 위한 배기 홀(113-4, 113-5)과, 턴테이블(73)에 대하여 상대적으로 테이블 커버(113)를 이동시킬 때 작동자가 손으로 잡을 수 있도록 설계된 핸들(113-6, 113-7)도 가진다.
도 12는 도 10에 도시된 폴리싱 장치의 상부링 세정장치(140)의 노즐과, 노즐 조인트 및 파이프 시스템을 도시한 것이다.
도 12에 나타낸 바와 같이, 상부링 세정장치(140)는 상부링(75)의 하부 표면으로 세정액(W)을 분사하기 위한 세정액 노즐(141)과, 상기 세정액 노즐(141)의 양측에 배치되어 마주보면서 세정액(W) 스프레이를 분사하기 위한 한 쌍의 세정액 노즐(142), 상기 세정액 노즐(141)의 각 측면에 배치되어 세정액(W) 스프레이로 아래쪽으로 분사하기 위한 한쌍의 세정액 노즐(143)을 포함하여 구성된다. 상기 세정액 노즐(141)은 노즐 조인트(151, 152)를 통하여 파이프에 연결되며, 이 파이프는 세정액 저장소에 연결되어 있다. 상기 세정액 노즐(142, 143)은 노즐 조인트(144 내지 150)를 통하여 파이프에 연결되며, 이 파이프는 세정액 저장소에 연결되어 있다.
도 13은 도 12에 보인 시스템을 나타낸 것으로, 상부링 세정장치(140)에 의하여 핸드 부재(170)가 세정되는 방식을 도시한다.
도 13에 도시되어 있는 바와 같이, 세정액 노즐(142, 143)은 핸드 부재(170)의 상, 하부 표면을 향하여 세정액(W) 스프레이를 분사하여 그 부분을 세정한다. 이어서, 도 9에 나타낸 바와 같이, 하부 표면에 폴리싱된 반도체 웨이퍼를 부착하고 있는 상부링(75)이 각운동하여 작업물 이송 위치(H)로 이동하고, 이 위치에서 핸드 부재(170)에 폴리싱된 반도체 웨이퍼를 전달한다. 이때, 세정액 노즐(142, 143)이 계속적으로 세정액(W)의 스프레이를 분사하여 반도체 웨이퍼(100)의 양면, 즉 상부 표면과 폴리싱된 하부 표면을 세정한다.
폴리싱된 반도체 웨이퍼를 전달받은 핸드 부재(170)가 후진한 후, 도 14에 나타낸 바와 같이 세정액 노즐(141)이 반도체 웨이퍼를 부착하고 있던 상부링(75)의 하부 표면(즉 지지표면)에 세정액(W) 스프레이를, 분사하여 세정한다. 이어서, 폴리싱될 새로운 반도체 웨이퍼가 핸드 부재(170)로부터 상부링(75)에 인계되어, 진공하에서 하부표면에 부착된다. 반도체 웨이퍼가 부착된 상부링(75)은 턴테이블(73)위의 위치로 되돌아가 고도를 낮추어 턴테이블(73)상의 연마포(74)에 대하여 반도체 웨이퍼를 압압시키고 반도체 웨이퍼를 폴리싱한다.
상부링(75)이 작업물 이송 위치(H)에 있을 때, 세정액 노즐(142, 143)이 상부링(75)의 상부 및 측면의 표면에 세정액(W) 스프레이를 분사하여, 상부링(75)이 건조하는 것을 방지한다.
이러한 실시형태에서, 세정액 노즐(141)은, 상부링(75)이 폴리싱된 반도체 웨이퍼를 핸드 부재(170)에 전달한 후에, 작업물 이송 위치(H)에 있는 상부링(75)의 하부 표면에 세정액(W)을 적용한다. 그러나, 상기 세정액 노즐(141)은, 폴리싱 과정이 막 완료된 상태에서 폴리싱된 반도체 웨이퍼를 아직 가지고 있는 상부링(75)의 하부 표면에 세정액(W)을 적용하여, 반도체 웨이퍼에 부착된 입자들을 그 표면으로부터 제거할 수도 있다. 즉, 반도체 웨이퍼의 폴리싱된 표면이 폴리싱처리 후 바로 세정될 수 있으므로, 작업물 이송 위치(H)에서 반도체 웨이퍼가 상부링(75)에서 핸드 부재(170)으로 전달된 후에 세정되는 경우보다 세정 효과가 더 크게 나타난다. 그 이유는 앞의 경우보다 세정되는 시기가 빠르기 때문이다. 세정액 노즐(141)은 상부링(75)이 작업물 이송 위치(H)에 도달하기 전에 세정액(W)을 적용할 수 있는 위치에 존재할 수도 있다.
세정액 노즐(141, 142, 143), 노즐 조인트(144 내지 152) 및 파이프의 시스템을 도 12에 의하여 설명하였지만, 이 시스템은 다양하게 변형될 수 있다.
상부링(75)은 반도체 웨이퍼를 폴리싱처리할 때마다 매번 세정한다. 또한, 상부링(75)은 폴리싱 장치가 반도체 웨이퍼의 한 롯트를 기다리는 중이나 작동 정지시에도 세정되어 상부링(75)이 건조되는 것을 방지한다.
상부링 세정장치(130, 140)과 동일, 유사한 드레싱 도구 세정장치가 드레싱 도구(79)의 세정을 위하여 제공될 수 있다. 상부링 세정장치 및 드레싱도구 세정장치 중 어느 하나가 사용될 수도 있고 양자 모두가 사용될 수 있다.
도 8 내지 14에 도시된 본 발명의 제 2, 제3 실시형태에 의하면, 상부링 및/또는 드레싱 도구가 턴테이블의 외측이나 테이블 커버의 위쪽에 위치하기 때문에, 턴테이블상의 연마액의 조성을 변화시키지 않으면서 상부링 및/또는 드레싱 도구를 세정할 수 있다. 작업물 이송 위치에서 반도체 웨이퍼를 전달하는 동안 상부링을 세정하면, 별도의 세정장에서 상부링을 세정할 필요가 없다. 그러한 별도의 세정장이 존재하지 않으므로, 폴리싱 장치가 차지하는 공간이 줄어들고, 폴리싱 장치에 의하여 반도체 웨이퍼를 폴리싱하는데 소요되는 총 공정 시간이 상부링의 세정에 의하여 영향받지 않는다.
상부링이 작업물 이송 위치에 있을 때, 상부링 세정장치의 세정액 노즐이 상부링의 하부에 위치하여 세정액을 상부링의 하부 표면으로 분사함으로써, 상부링을 세정한다. 상부링 세정장치는 상부링의 하부 표면을 효과적으로 세정하기 위하여 상대적으로 간단한 구조를 가진다. 폴리싱처리 과정이 완료된 직후 상부링이 폴리싱된 반도체 웨이퍼를 아직 가지고 있는 상태에서 세정액 노즐이 세정액을 폴리싱된 반도체 웨이퍼에 분사하여 반도체 웨이퍼에 부착된 입자들을 효과적으로 제거할 수 있다.
반도체를 이송하는 핸드 부재 역시 상부링 세정장치에 의하여 분사되는 세정액에 의하여 세정된다. 따라서, 핸드 부재에 의하여 반도체 웨이퍼에 부여되는 입자가 최소화된다.
이상 본 발명을 바람직한 몇가지 실시예를 들어 상세히 설명하였으나, 본 발명의 특허청구의 범위를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형, 변화가 이루어질 수 있는 것으로 이해되어야 한다.
이러한 구성에 의해, 본 발명의 폴리싱 장치는, 상부링과 폴리싱된 반도체 웨이퍼와 같은 작업물이 효율적으로 세정됨으로써 생산성이 높은 폴리싱 장치가 제공되며, 다량의 세정액을 주위에 분산시키지 않으면서, 상부링 및/또는 드레싱 도구의 하부 표면이 효율적으로 세정될 수 있다.

Claims (16)

  1. 작업물 표면을 폴리싱하는 폴리싱 장치에 있어서,
    폴리싱 표면을 가진 턴테이블과;
    폴리싱 처리될 작업물을 지지하고 상기 턴테이블상의 폴리싱 표면에 가압하기 위한 상부링과;
    상기 상부링과 푸셔수단 간에 상기 작업물을 이송하기 위한 푸셔수단으로서, 상기 작업물을 이송하기 위하여, 상기 상부링에 근접한 위치로 수직방향으로 이동가능한 작업물 지지체를 가지는 푸셔수단과;
    폴리싱 처리된 작업물이 상기 상부링으로부터 상기 작업물 지지체로 이송된 후에, 작업물의 상, 하부 표면 및 상기 상부링의 하부 표면에 세정액을 분사하여 이들 표면을 세정하는 세정장치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 세정장치가, 작업물의 상, 하부 표면 및 상기 상부링의 하부 표면에 세정액을 분사하여 이들 표면을 세정하기 위하여, 각각의 세 위치에 배치된 세 개의 세정 유닛을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 작업물 지지체가, 상기 세정 노즐 유닛중 하나로부터 분사된 세정액을 통과시켜 상기 작업물의 하부 표면을 세정하게 하는 함입부를 가지는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 세정 노즐 유닛은 노즐들의 수평 정렬체를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  5. 작업물 표면을 폴리싱하는 폴리싱 장치에 있어서,
    폴리싱 표면을 가진 턴테이블과;
    폴리싱 처리될 작업물을 지지하고 상기 턴테이블상의 폴리싱 표면에 가압하기 위한 상부링과;
    상기 상부링을 상기 턴테이블로부터 소정 거리 상승시키고, 각을 이루며 소정 위치로 이동시키기 위한 상부링 이동기구와;
    상기 상부링이 상기 소정 위치로 이동하면, 세정액을 상기 상부링의 하부 표면에 분사하여 상부링의 하부 표면을 세정하기 위하여, 상기 상부링의 하부로 이동가능한 세정액 노즐을 가지는 상부링 세정장치를 포함하여 구성되며,
    상기 소정 위치는 상기 턴테이블 외측의 작업물 이송 위치이며,
    상기 상부링은 상기 턴테이블의 외측에서 상기 상부링 세정장치에 의하여 세정되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 턴테이블 상의 폴리싱 표면을 드레싱하기 위한 드레싱 도구와;
    상기 드레싱 도구를 상기 턴테이블로부터 소정 거리 상승시키고 각을 이루며 소정 위치로 이동시키기 위한 드레싱 도구 이동기구와;
    상기 드레싱 도구가 상기 소정 위치로 이동하면, 세정액을 상기 드레싱 도구의 하부 표면에 분사하여 드레싱 도구의 하부 표면을 세정하기 위하여, 상기 드레싱 도구의 하부로 이동가능한 세정액 노즐을 가지는 드레싱 도구 세정장치를 더욱 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 드레싱 도구의 소정위치가 상기 턴테이블 외측으로 후퇴된 위치인 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 턴테이블 상부의 소정 영역에 걸쳐 배치되어, 턴테이블 상의 액체가 주변으로 흩어지는 것을 방지하기 위한 턴테이블 커버를 더욱 포함하며,
    상기 상부링 세정장치는 상기 턴테이블 커버상에 제공되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 턴테이블 상부의 소정 영역에 걸쳐 배치되어, 턴테이블 상의 액체가 주변으로 흩어지는 것을 방지하기 위한 턴테이블 커버를 더욱 포함하며,
    상기 드레싱 도구 세정장치는 상기 턴테이블 커버상에 제공되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  10. 제 5항에 있어서,
    상기 상부링 세정장치가, 상기 상부링과 로봇의 핸드 부재 간에 작업물을 이송하기 위한 로봇의 핸드 부재에 세정액을 분사하는 기능 및 상기 상부링에 의하여 지지되는 작업물에 세정액을 분사하는 기능 중 적어도 하나의 기능을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  11. 작업물 표면을 폴리싱하는 폴리싱 장치에 있어서,
    폴리싱 표면을 가진 턴테이블과;
    폴리싱 처리될 작업물을 지지하고 상기 턴테이블상의 폴리싱 표면에 가압하기 위한 상부링과;
    상기 상부링과 푸셔수단 간에 상기 작업물을 이송하기 위한 푸셔수단으로서, 상기 작업물을 이송하기 위하여, 상기 상부링에 근접한 위치로 수직방향으로 이동 가능한 작업물 지지체를 가지는 푸셔수단과;
    폴리싱 처리후 상기 상부링으로부터 이탈되어 상기 푸셔수단 위에 놓여있는작업물을 향하여 세정용액을 분사하여 상기 작업물의 양쪽 면을 모두 동시에 세정하도록 작동될 수 있는 제 1 세정장치와;
    폴리싱 처리되고 상기 제 1 세정장치에 의하여 세정된 상기 작업물을 세정하는 제 2 세정장치와;
    상기 세정된 작업물을 상기 제 2 세정장치로부터 웨이퍼 카세트로 이송하는 이송장치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제 1 세정장치는 상기 작업물과 상기 상부링을 모두 세정하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 제 2 세정장치에 의하여 상기 작업물이 세정된 후 상기 작업물을 건조시키는 건조기를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  14. 대량의 반도체 웨이퍼를 로딩할 수 있는 폴리싱 장치에 있어서,
    폴리싱 표면을 가진 턴테이블과;
    폴리싱 처리될 반도체 웨이퍼를 지지하고 상기 턴테이블상의 폴리싱 표면에 가압하기 위한 상부링과;
    폴리싱 장치가 로딩될 대량의 반도체 웨이퍼를 위하여 대기하고 있는 동안에상기 상부링을 세정 처리하는 세정장치를 포함하며,
    상기 상부링은 상기 턴테이블의 외측에서 상기 세정장치에 의하여 세정되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  15. 반도체 웨이퍼의 표면을 폴리싱하는 폴리싱 장치에 있어서,
    폴리싱 표면을 가진 턴테이블과;
    폴리싱 처리될 반도체 웨이퍼를 지지하고 상기 턴테이블상의 폴리싱 표면에 가압하기 위한 상부링과;
    폴리싱 장치가 정상적인 운전중지 작동의 과정에 있는 동안에 상기 상부링을 세정 처리하는 세정장치를 포함하며,
    상기 상부링은 상기 턴테이블의 외측에서 상기 세정장치에 의하여 세정되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  16. 작업물 표면을 폴리싱하는 폴리싱 장치에 있어서,
    폴리싱 표면을 가진 턴테이블과;
    폴리싱 처리될 작업물을 지지하고 상기 턴테이블상의 폴리싱 표면에 가압하기 위한 상부링과;
    상기 상부링과 푸셔수단 간에 상기 작업물을 이송하기 위한 푸셔수단으로서, 상기 작업물을 이송하기 위하여, 작업물의 이송을 시작하는 상기 상부링에 근접한 이송위치와 작업물 지지체에 이송된 작업물이 상기 상부링으로부터 이격되어 상기상부링과 마주하게 되는 반출위치의 사이에서 수직방향으로 이동 가능한 작업물 지지체를 가지는 푸셔수단과;
    상기 상부링이 상기 턴테이블상의 폴리싱 표면에 대하여 반도체 웨이퍼를 가입한 후 상기 푸셔수단 위에 있는 작업물을 향하여 세정용액을 분사하여 상기 작업물 및 상기 상부링의 하부면을 세정하도록 작동될 수 있고, 상기 푸셔수단의 부근에 배치되고 상기 상부링의 상기 하부면을 세정하도록 작동될 수 있는 노즐을 포함하는 제 1 세정장치와;
    상기 제 1 세정장치가 상기 작업물을 세정한 후 상기 작업물을 세정하도록 작동할 수 있는 제 2 세정장치와;
    상기 제 2 세정장치가 상기 작업물을 세정한 후 상기 작업물을 상기 제 2 세정장치로부터 웨이퍼 카세트로 이송하는 이송장치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6332835B1 (en) * 1997-11-20 2001-12-25 Canon Kabushiki Kaisha Polishing apparatus with transfer arm for moving polished object without drying it
KR100493650B1 (ko) * 1997-12-29 2005-08-29 삼성전자주식회사 세정부를갖는화학적기계적연마장치
JP4156039B2 (ja) 1998-03-09 2008-09-24 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US6193588B1 (en) * 1998-09-02 2001-02-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for planarizing and cleaning microelectronic substrates
JP3048142B2 (ja) * 1998-10-19 2000-06-05 株式会社東京精密 ウェーハ加工装置
JP3979750B2 (ja) * 1998-11-06 2007-09-19 株式会社荏原製作所 基板の研磨装置
US6276997B1 (en) * 1998-12-23 2001-08-21 Shinhwa Li Use of chemical mechanical polishing and/or poly-vinyl-acetate scrubbing to restore quality of used semiconductor wafers
US6309279B1 (en) * 1999-02-19 2001-10-30 Speedfam-Ipec Corporation Arrangements for wafer polishing
US6358128B1 (en) * 1999-03-05 2002-03-19 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6227950B1 (en) * 1999-03-08 2001-05-08 Speedfam-Ipec Corporation Dual purpose handoff station for workpiece polishing machine
KR100304706B1 (ko) * 1999-06-16 2001-11-01 윤종용 화학기계적 연마장치 및 연마 헤드 내부의 오염 물질 세척방법
US6726777B1 (en) * 1999-06-24 2004-04-27 Sumitomo Heavy Industries Ltd. Cleaning method and apparatus using fluid spraying
EP1080840A3 (en) * 1999-08-30 2004-01-02 Mitsubishi Materials Corporation Polishing apparatus, polishing method and method of conditioning polishing pad
JP2001113455A (ja) * 1999-10-14 2001-04-24 Sony Corp 化学的機械研磨装置及び方法
JP2001138233A (ja) * 1999-11-19 2001-05-22 Sony Corp 研磨装置、研磨方法および研磨工具の洗浄方法
US6413145B1 (en) * 2000-04-05 2002-07-02 Applied Materials, Inc. System for polishing and cleaning substrates
US6488565B1 (en) * 2000-08-29 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Apparatus for chemical mechanical planarization having nested load cups
GB2384454B (en) * 2000-11-09 2004-02-04 Fujikoshi Machinery Corp Method and device for cleaning abrasive plates of abrasive machine
US6641462B2 (en) * 2001-06-27 2003-11-04 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for distributing fluid to a polishing surface during chemical mechanical polishing
US6722943B2 (en) * 2001-08-24 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for dispensing planarizing solutions in the processing of microelectronic workpieces
US6818604B2 (en) 2001-10-04 2004-11-16 Speedfam-Ipec Corporation System and method for cleaning workpieces
US20040023607A1 (en) * 2002-03-13 2004-02-05 Homayoun Talieh Method and apparatus for integrated chemical mechanical polishing of copper and barrier layers
US7101253B2 (en) * 2002-08-27 2006-09-05 Applied Materials Inc. Load cup for chemical mechanical polishing
US6767274B2 (en) * 2002-11-07 2004-07-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to reduce defect/slurry residue for copper CMP
US6884152B2 (en) * 2003-02-11 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces
US7044832B2 (en) * 2003-11-17 2006-05-16 Applied Materials Load cup for chemical mechanical polishing
JP5248127B2 (ja) * 2008-01-30 2013-07-31 株式会社荏原製作所 研磨方法及び研磨装置
US8172641B2 (en) * 2008-07-17 2012-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMP by controlling polish temperature
JP2015062956A (ja) * 2012-09-19 2015-04-09 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP6055648B2 (ja) 2012-10-26 2016-12-27 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
US20150017889A1 (en) * 2013-07-12 2015-01-15 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP6139420B2 (ja) * 2014-01-10 2017-05-31 株式会社東芝 研磨装置および研磨方法
JP6316702B2 (ja) * 2014-08-08 2018-04-25 株式会社ディスコ 加工装置及びウエーハの加工方法
CN105221260B (zh) * 2015-10-22 2017-07-28 吉林市正向机械制造有限公司 柴油发动机气门积碳清洗机
CN107088836A (zh) * 2016-09-23 2017-08-25 范全军 一种用于磨削加工的粉尘吸收装置
CN107081679A (zh) * 2016-09-23 2017-08-22 林大利 一种用于磨削加工的吸尘装置
CN107088835A (zh) * 2016-09-23 2017-08-25 范全军 一种磨削加工用的粉尘吸收装置
CN107053011A (zh) * 2016-09-23 2017-08-18 林大利 一种磨削加工用的吸尘装置
CN107052993A (zh) * 2016-09-23 2017-08-18 陈益楷 一种便捷的板材输送打磨装置
CN107053010A (zh) * 2016-09-23 2017-08-18 林大利 一种用于磨削加工的吸尘装置
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
CN108325904B (zh) * 2018-01-17 2020-12-29 安徽机电职业技术学院 一种双工位浇灌清洗机
CN112605792A (zh) * 2018-05-28 2021-04-06 王冬花 一种带有放置运输功能的机器人部件打磨装置
CN109500697A (zh) * 2018-12-12 2019-03-22 江苏顺航电子科技有限公司 电极抛光装置
CN109807104A (zh) * 2019-02-28 2019-05-28 南京信息工程大学 一种全方位工件清洗机
US11705354B2 (en) 2020-07-10 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Substrate handling systems
CN112264930B (zh) * 2020-10-22 2021-11-16 日照超捷机械制造有限公司 一种锻打扣件抛光用的自动运输上料设备
CN112496957A (zh) * 2020-11-20 2021-03-16 西安市康铖机械制造有限公司 一种航空机械零部件打磨用清洁装置
CN113953931B (zh) * 2021-09-27 2022-12-23 株洲时代新材料科技股份有限公司 连接杆件内孔自动打磨清洁平台及其打磨清洁方法
CN114425742B (zh) * 2021-12-29 2023-03-24 华海清科股份有限公司 一种分布式清洗装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07201786A (ja) * 1994-01-05 1995-08-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体基板の研磨方法と研磨装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4193226A (en) * 1977-09-21 1980-03-18 Kayex Corporation Polishing apparatus
JPS56152562A (en) * 1980-04-24 1981-11-26 Fujitsu Ltd Grinder
JPS61170569A (ja) * 1985-01-25 1986-08-01 Hitachi Ltd 試料移動方式
US4680893A (en) * 1985-09-23 1987-07-21 Motorola, Inc. Apparatus for polishing semiconductor wafers
JPH0798302B2 (ja) * 1986-03-25 1995-10-25 スピ−ドフアム株式会社 平面研磨装置
US4944119A (en) * 1988-06-20 1990-07-31 Westech Systems, Inc. Apparatus for transporting wafer to and from polishing head
JP3200869B2 (ja) * 1991-05-09 2001-08-20 住友電気工業株式会社 自動研磨機
KR100390293B1 (ko) * 1993-09-21 2003-09-02 가부시끼가이샤 도시바 폴리싱장치
JPH07211677A (ja) * 1993-11-30 1995-08-11 M Setetsuku Kk 基板のスクラビング方法とその装置
JP3550180B2 (ja) * 1994-04-28 2004-08-04 同和鉱業株式会社 ウェハの搬送方法および搬送装置
KR0132274B1 (ko) * 1994-05-16 1998-04-11 김광호 웨이퍼 연마 설비
US5655954A (en) * 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
JPH08153693A (ja) * 1994-11-29 1996-06-11 Toshiba Mach Co Ltd ローダ装置
JP3690837B2 (ja) * 1995-05-02 2005-08-31 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び方法
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
KR100456803B1 (ko) 1996-02-05 2005-05-09 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07201786A (ja) * 1994-01-05 1995-08-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体基板の研磨方法と研磨装置

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DE69712658T2 (de) 2003-01-30

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