KR0185516B1 - 표면파 공진자 - Google Patents

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KR0185516B1
KR0185516B1 KR1019960037730A KR19960037730A KR0185516B1 KR 0185516 B1 KR0185516 B1 KR 0185516B1 KR 1019960037730 A KR1019960037730 A KR 1019960037730A KR 19960037730 A KR19960037730 A KR 19960037730A KR 0185516 B1 KR0185516 B1 KR 0185516B1
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미치오 가도타
쥰야 아고
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가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼
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Abstract

본 발명은 단일 소자만을 사용하여 2가지 타입의 공진 특성을 실현할 수 있는 SH타입의 표면파를 이용한 단면 반사형 표면파 공진자를 제공한다. 2개의 대향하는 단면을 갖는 압전 기판(12)상에 빗형상 전극(13, 14)으로 이루어지는 인터디지탈 트랜스듀서를 형성한다. 상기 인터디지탈 트랜스듀서는, 2개의 메인 로브를 가지며, 2개의 메인 로브의 피크가, 웨이팅된 인터디지탈 트랜스듀서와 동일한 전극 핑거 쌍수를 갖는 가상의 정규형 인터디지탈 트랜스듀서의 메인 로브의 양측에 배치된 감쇠극의 주파수 위치와 거의 일치하도록 웨이팅이 실시된다. 이렇게 하여 2가지 타입의 공진 특성이 얻어질 수 있다.

Description

표면파 공진자
본 발명은 일반적으로 BGS파나 러브파 등과 같은 SH타입의 표면파를 이용한 단면 반사형 표면파 공진자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 복수개의 공진 유니트가 1개의 소자에 구성된 단면 반사형 표면파 공진자에 관한 것이다.
텔레비젼 수상기나 비디오 카세트 레코더의 영상 중간 주파단에서는, 인접하는 채널과의 장해를 방지하기 위하여, 인접채널 영상 신호 주파수 fap(유럽의 PAL방식에서는 31.9MHz) 및 인접채널 음성 신호 주파수 fas(유럽의 PAL방식에서는 40.4MHz)에 있어서 신호를 충분히 감쇠시키는 것이 필요하다. 제1도는 상기 영상 중간 주파단에 있어서의 감쇠량 대 주파수를 나타낸 전형적인 필터의 특성도이다. 제1도에서는, 상기 인접채널 영상 신호주파수 fap 및 인접채널 음성 신호 주파수 fas에 있어서 도시한 바와 같이 큰 감쇠량을 확보하고 있다는 것을 알 수 있다.
인접채널 영상 신호 주파수 fap 및 인접채널 음성 신호 주파수 fas 양자에 있어서 큰 감쇠량을 확보하기 위하여, 종래에는 주파수 fap에 있어서 큰 감쇠량을 갖는 하나의 트랩 소자와, 주파수 fas에 있어서 큰 감쇠량을 갖는 또 하나의 트랩 소자와 같은 2개의 트랩 소자가 이용되고 있다. 각각의 트랩 소자는 LC공진회로나 압전공진자 등에 의하여 구성되어 있다.
또, 상기한 용도로 사용되는 압전 공진자로서, BGS파와 같은 SH타입의 표면파를 이용한 압전 공진자가 주목받고 있다. 제2도는 BGS파를 이용한 단면반사형 표면파 공진자의 일례를 나타낸다.
단면 반사형 표면파 공진자(1)는, 평면형상이 사각형인 압전 기판(2)을 갖는다. 압전 기판(2)은, 예를 들면 티탄산지르콘산납계의 압전세라믹이나 LiNbO3압전 단결정, LiTaO3압전 단결정 등과 같은 압전 재료에 의하여 구성되어 있으며, 압전 세라믹으로 구성된 기판(2)인 경우에는 제2도에 나타낸 화살표 P방향으로 분극처리되어 있다. 기판(2)의 상면(2a)에는 한 쌍의 빗형상 전극(3, 4)이 형성되어 있다. 이에 따라, 인터디지탈 트랜스듀서(interdigital transducer)(이하, IDT라 약칭함)가 구성되어 있으며, 빗형상 전극(3, 4)은 각각 복수개의 전극 핑거(3a∼3c) 및 (4a∼4c)를 갖는다.
상술한 바와 같이 구성된 표면파 공진자(1)에서는, 빗형상 전극(3, 4)으로부터 공진자(1)에 교류전압을 인가함으로써 BGS파가 여기되며, 이 BGS파는 도시한 화살표 X방향으로 전파되며 또한 단면(2b, 2c)사이에서 반사된다.
이 공진자(1)에서는, IDT에 의해 결정되는 주파수와 단면간의 거리에 의해 결정되는 주파수를 일치시킴으로써 유효한 공진 특성을 얻는다.
그러나, 상기 단면 반사형 표면파 공진자(1) 또한 종래의 LC공진회로나 다른 형식의 압전 공진자와 마찬가지로 단일의 공진 특성만을 갖는다. 따라서, 인접채널 영상 신호 주파수 fap 및 인접채널 음성 신호 주파수 fas 양자에 있어서 트랩 특성을 실현하기 위해서는, 2개의 표면파 공진자를 준비하여 서로 접속하여야 한다.
다른 한편, 2가지 타입의 공진 특성을 나타내는 레일리파(Rayleigh wave)를 이용한 단일의 탄성 표면파 공진자가 개시되어 있다(예를 들면 고쿠사이 덴끼 가부시끼가이샤 기술공보 No.16, 제1페이지∼제7페이지, 1992). 더욱 상세하게는, 레일리파를 이용한 표면파 공진자 필터에 있어서, 0차 종모드(기본 모드)와 2차 종모드를 이용한 2중 모드 공진자가 알려져 있으며, 여기에서는 2가지 타입의 공진 특성을 나타내고 있다.
그러나, 이러한 공진자에서는, 2가지 타입의 공진 특성을 얻기 위하여, 2개이상의 IDT와 반사기가 필요하다. 또 상기 2중 모드 공진자의 공진 특성은 반사기의 반사계수 대 주파수 특성에 의해 결정되지만, 이 공진자에서는 반사계수가 큰 주파수 영역이 좁기 때문에, 양호한 공진 특성이 얻어지는 범위에서는 2개의 공진점의 차가 약 1MHz로 매우 작다. 2개의 트랩 공진자는 제1도에 나타낸 바와 같은 감쇠 특성이 매우 다른 주파수에 나타나 있으므로, 상기 2중 모드 공진자를 사용하는 것만으로는 2개의 필요한 트랩 공진자를 구성하기가 어렵다.
상기한 결점을 극복하여 2가지 타입의 공진 특성을 얻기 위하여 고려되는 한 방편으로서, 상술한 단면반사형 표면파 공진자에 있어서, 압전 기판상에 2개의 IDT를 형성하여 2개의 공진 유니트를 구성할 수가 있다. 그러나, BGS파와 같은 SH타입의 표면파를 이용한 상기한 타입의 공진자에서는, IDT의 파장 λ와, 표면파가 반사되는 압전 기판의 대향하는 2단면간의 거리 L과의 관계는, 제3도에 도식적으로 나타낸 바와 같이, L = (λ/2)×n(단, n은 정수)로 표시될 수 있다. 인접채널 영상 신호 주파수 fap와 인접채널 음성 신호 주파수 fas의 차가 크기 때문에, 각각의 파장 λ가 크게 상이하다. 예를 들면 PZT기판의 음속을 2400m/s이라 하였을 때, PAL방식의 경우, 인접채널 영상 신호 주파수 fap용의 파장 λap은 75.2μm이고, 인접채널 음성 신호 주파수 fas용의 파장 λas은 59.4μm이다. 따라서, 인접채널 영상 신호 주파수 fap에 공진점을 갖는 하나의 공진 유니트와, 인접채널 음성 신호 주파수 fas에 공진점을 갖는 다른 공진 유니트에서는, 상기 대향하는 단면간의 거리 L의 값이 상이하게 된다. 그러므로, SH타입의 표면파를 이용한 단면 반사형 표면파 공진자에서는, 동일 기판상에 공진 주파수가 상이한 2개의 공진 유니트를 형성하는 것이 매우 어렵다.
따라서, 본 발명의 목적은 공진 주파수가 상이한 2개의 공진 유니트가 단일 소자로서 구성되어 있는, SH타입의 표면파를 이용한 단면 반사형 표면파 공진자를 제공하는 것에 있다.
제1도는 종래의 텔레비젼 수상기의 영상 중간 주파단의 감쇠량 대 주파수 특성을나타낸 특성도이다.
제2도는 종래의 BGS파를 이용한 단면 반사형 표면파 공진자를 나타낸 사시도이다.
제3도는 종래의 단면 반사형 표면파 공진자의 단면도이다.
제4도는 정규형 IDT의 주파수 스펙트럼을 나타낸 도이다.
제5도는 웨이팅이 실시된 IDT 및 정규형 IDT의 주파수 스펙트럼을 나타낸 도이다.
제6도는 본 발명의 한 구체예에 의한 단면 반사형 표면파 공진자의 평면 구조도이다.
제7도는 제6도에 나타낸 공진자의 임피던스 대 주파수 특성을 나타낸 특성도이다.
제8도는 제6도에 나타낸 공진자를 이용하여 구성되는 트랩 필터의 감쇠량 대 주파수 특성을 나타낸 특성도이다.
제9도는 제8도에 나타낸 트랩 필터의 감쇠 특성을 측정하기 위한 측정 회로의 회로도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 단면반사형 표면파 공진자 12 : 압전 기판
13, 14 : IDT를 구성하는 빗형상 전극
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 SH타입의 표면파를 반사시키기 위한 2개의 대향하는 단면을 갖는 압전 기판과, 상기 압전기판상에 배치되어 있으며, 교차폭 웨이팅법 혹은 전극 핑거 위드드로얼법(withdrawal method)에 의해 웨이팅이 실시된 IDT를 포함하는 단면 반사형 표면파 공진자를 제공한다. 웨이팅이 실시된 상기 IDT의 주파수 특성은 2개의 메인 로브(main lobe)를 가지며, 웨이팅이 실시된 IDT와 동일한 전극 핑거 쌍수 혹은 웨이팅이 실시된 IDT와 동일한 2개의 대향 단면간의 거리에 의하여 결정되는 전극 핑거 쌍수를 갖는 가상의 정규형 IDT의 주파수 특성의 메인 로브의 양측에 배치된 감쇠극의 주파수 위치에, 상기 2개의 메인 로브의 피크가 각각 거의 일치하도록 상기 IDT에 상기 웨이팅이 실시되어 있다. 상기 웨이팅에 의하여 가상의 정규형 IDT의 감쇠극의 위치에 있어서 제 1, 제 2 타입의 공진 특성이 얻어진다.
더욱 상세하게는, 본 발명의 표면파 공진자에서는, IDT에 웨이팅을 실시함으로써, 종래의 정규형 IDT의 메인 로브의 양측에 배치된 2개의 억압된 감쇠극을 이용하여, 단일 소자이지만 2가지 타입의 공진 특성이 실현되어 있다. 또한, 본 명세서에 있어서는, 표면파 공진자의 여진 강도의 최대점을 기준으로 하며, 이 기준점에 대한 여진 강도의 감쇠량이 10dB이하인 주파수 영역을 메인 로브라 칭하고, 여진 강도의 감쇠량이 10dB보다 큰 주파수 영역을 서브 로브(sub-lobe)라 칭하는 것으로 한다.
상기 SH타입의 표면파는 넓게는 BGS파 뿐만 아니라 러브파와 같이 변위가 표면파의 전파방향과 수직인 표면파를 포함한다.
여기에 설명한 상기 표면파 공진자는, 바람직하게는 텔레비젼 수상기나 비디오 카세트 레코더의 영상 중간 주파단의 트랩 회로를 구성하기 위하여 사용될 수 있다. 더욱 상세하게는, 2개의 공진 특성 중 제 1 타입이 인접채널 영상 신호 주파수(fap)에 대응하고, 제 2 타입의 공진 특성이 제 1 타입의 공진 특성의 주파수보다 높은 주파수를 가지며 인접채널 음성 신호 주파수(fas)와 대응하도록 상기 각 감쇠극의 위치를 설정함으로써, 단일 소자만을 사용하여 인접채널 영상 신호 주파수 및 인접채널 음성 신호 주파수 양자에 트랩 회로를 구성할 수가 있다.
BGS파를 이용한 단면 반사형의 표면파 공진자의 구체예에 대하여 설명하겠다. 상술한 바와 같이, 본 발명의 표면파 공진자는, 2개의 메인 로브의 피크가 정규형 IDT의 감쇠극에 대응하는 주파수에 위치하는 주파수 특성이 얻어지도록 구성되어 있다. 본 발명을 실시하는데 가장 바람직한 형태로서, 텔레비젼 수상기 등의 영상 중간 주파단의 트랩 회로를 구성하는 소자로서 이용되는 표면파 공진자를 예로 들어 설명하겠다. 표면파 공진자가 갖는 2가지 타입의 공진 특성은 각각 인접채널 영상 신호 주파수 fap와 인접채널 음성 신호 주파수 fas에 대응하도록 설정된다.
이와 같은 표면파 공진자는, 하기 순서에 의해 얻어질 수 있다. IDT의 전극 핑거 쌍수 N을 결정한 후, 주파수 fap, fas에 상당하는 주파수에 있어서 메인 로브의 피크가 위치하도록 N쌍의 전극 핑거를 갖는 IDT에 대하여 웨이팅을 실시한다. 이하, 이 순서를 상세히 설명하겠다.
(1) IDT의 전극 핑거의 쌍수 N의 결정
먼저, BGS파를 이용한 단면 반사형 표면파 공진자에 사용되는 정규형 IDT의 공진 주파수 특성에 대하여 설명하겠다. 제4도는 정규형 IDT의 공진 주파수 스펙트럼을 나타낸다. 이와 같은 스펙트럼은 공지되어 있으며, 예를 들면 1976년 5월에 발행된 일본음향학회 강연 논문집 제351페이지∼제352페이지에 기재되어 있다. 제4도에 있어서, 횡축은 주파수를 나타내며, 2N, 2N-1 등은 각각 2N차 모드, 2N-1차 모드에 있어서의 공진점의 위치를 나타낸다. 한편, 종축은 메인 로브의 피크를 0dB로 한 때의 상대적인 감쇠량을 나타낸다.
제4도로부터 확실한 바와 같이, 정규형의 IDT를 이용한 경우, 2N차(N은 정수)의 공진 모드는, N쌍의 전극 핑거 쌍수를 갖는 IDT를 압전 기판의 표면에 형성함으로써 여진될 수가 있다. 또, 다른 고차 모드 중에서, 홀수 모드, 즉 2N-1차, 2N-3차, 2N+1차 및 2N+3차 모드는 전극의 대칭성 때문에 여진될 수가 없다. 한편, 짝수 모드, 2N-2차, 2N-4차, 2N+2차 및 2N+4차 모드는, 제4도에 나타낸 바와 같이, 그 짝수 모드의 공진 주파수가 각각 N쌍의 전극 핑거를 갖는 IDT의 주파수 특성의 감쇠극과 일치하기 때문에, 여진되지 않는다. 따라서, 제2도에 나타낸 바와 같은 정규형의 IDT를 형성하여 이루어지는 상기한 단면 반사형 표면파 공진자에서는, 2N차 모드만이 여진되며, 이렇게 하여 스퓨리어스 감도(spurious response)가 적은 공진자를 실현할 수가 있다. 그러나, 제2도에 나타낸 표면파 공진자를 사용해서는 단일 공진 특성만을 얻을 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.
본 발명에 의하면, 상술한 결점을 극복하기 위하여, 제4도에 나타낸 종래의 정규형 IDT의 메인 로브의 감쇠극 2N-2, 2N+2가 각각 인접채널 영상 신호 주파수 fap 및 인접채널 음성 신호 주파수 fas와 일치하도록 전극 핑거의 쌍수 N을 결정한다. 더욱 상세하게는, 메인 로브의 피크의 2N차 모드의 주파수 위치 f0을 인접채널 영상 신호 주파수 fap와 인접채널 음성 신호 주파수 fas사이의 중간 주파수에 설정하였을 때, 전극 핑거의 쌍수 N은 2·f0/N ≒fas―fap로 표시되는 식으로부터 구할 수 있다. 예를 들면, fap = 31.9MHz, fas = 40.4MHz의 유럽용 영상 중간 주파수(VIF)회로의 경우, 정규형의 IDT의 메인 로브의 일측의 감쇠극 2N+2의 주파수 f2을 주파수 fas에 일치시키고, 또한 타측의 감쇠극 2N-2의 주파수 f1을 주파수 fap에 일치시킴으로써, 메인 로브의 피크의 중심 주파수 f0은, f0= (31.9 + 40.4)/2 = 36.15MHz가 된다. 따라서, 전극 핑거의 쌍수 N은, N = 2×36.15/(40.4-31.9)≒8.5가 된다. 전극 핑거의 쌍수 N이 결정되면, 표면파 공진자의 압전 기판의 기판 단면간의 거리가 결정된다.
(2) IDT에 웨이팅을 실시
제5도는, 상기한 방법을 사용하여 얻어진 N쌍의 전극 핑거를 갖는 정규형의 IDT의 주파수 스펙트럼 B 및 후술하는 웨이팅법에 의하여 얻어진 주파수 스펙트럼 A을 나타내는 특성도이다. 점선 B로 나타낸 바와 같이, 정규형 IDT의 메인 로브의 일측의 감쇠극에 상당하는 주파수는 주파수 fap(=31.9MHz)와 일치하고 있으며, 타측의 감쇠극은 주파수 fas(=40.4MHz)와 일치하고 있다. 그리고 정규형 IDT에서는, 주파수 fap, fas중의 어느 주파수 위치에 있어서도 여진되지 않는다.
따라서, IDT에 웨이팅을 실시함으로써, 2개의 메인 로브를 갖는 주파수 스펙트럼 A가 얻어진다. 웨이팅된 IDT의 주파수 스펙트럼 A은, 정규형 IDT의 감쇠극(2N-2차 및 2N+2차 모드의 주파수)에 있어서 메인 로브의 피크가 각각 위치하고 있으며,각각의 주파수에 있어서 여진되고 있다는 것을 후술하는 제7도로부터 알 수 있다. 또, 제7도는 2N차 모드의 공진점에 있어서 감쇠량이 커지고 있으며, 이 모드에 대응하는 주파수에 대해서는 여진되지 않는다는 것을 알 수 있다.
즉, 이와 같은 웨이팅이 실시된 IDT는, 정규형 IDT의 메인 로브의 2개의 감쇠극에 대응하는 주파수 위치(fap, fas)에 있어서 여진되는 2가지 타입의 공진 특성을 얻고 있다.
여기서, 상기 실선 A로 나타낸 소망의 주파수 스펙트럼을 나타내는 IDT의 웨이팅실시 기술의 일례를 제6도에 나타낸다. 제6도에 나타낸 단면 반사형 표면파 공진자(11)는 압전 기판(12)상에 형성된 한 쌍의 빗형상 전극(13, 14)을 가지며, 이 빗형상 전극(13, 14)에 의하여 1개의 IDT가 구성된다. 그리고, 이 전극(13, 14)은 8.5쌍의 전극 핑거를 가지며 아포다이제이션법(apodization method)에 의해 교차폭을 변경함으로써 웨이팅되어 있다. 이 웨이팅의 정도는 상술한 실선 A로 나타낸 주파수 스펙트럼을 나타낸 바와 같이 선택되어 있다.
그러나, 상기 웨이팅법은, 제6도에 나타낸 기술에 한정되지는 않는다. 예를 들면, 실선 A로 나타낸 주파수 스펙트럼은, 제6도에 나타낸 형태 이외의 형태로 빗형상 전극(13, 14)을 형성할 수 있다.
또는 상기 IDT는 전극 핑거 위드드로얼법에 의하여 웨이팅하는 것도 가능하다. 이와 같은 웨이팅법은 공지되어 있으며, 예를 들면 참고로 명시하는 시바야마 기미오가 감수한 「탄성표면파 공학」(사단법인 전자정보통신학회)66∼68페이지에 기재되어 있다.
또한, 제6도에 나타낸 단면 반사형 표면파 공진자(1)는, IDT가 상기와 같이 웨이팅되어 있다는 것을 제외하고는, 제2도에 나타낸 공진자(1)와 마찬가지로 구성되어 있다. 따라서 공진자(1)의 구성에 관해서는, 제2도를 참조하여 행한 설명을 채용함으로써 생략한다.
상기와 같은 순서에 의해 교차폭 웨이팅이 실시된 IDT를 이용한 상기 단면 반사형 표면파 공진자(11)의 임피던스 대 주파수 특성을 제7도에 나타낸다. 제7도로부터 확실한바와 같이, 이 공진자에서는 FR1, FR2로 나타낸 2가지 타입의 공진 특성이 얻어진다. FR1이 정규형 IDT의 2N-2차 모드에 상당하는 주파수 위치에 있어서의 교차폭 웨이팅된 IDT의 일측의 메인 로브의 피크에 대응하는 공진점을 나타내며, FR2가 정규형 IDT의 2N+2차 모드에 상당하는 주파수 위치에 있어서의 웨이팅된 IDT의 타측의 메인 로브의 피크에 대응하는 공진점을 나타낸다. 따라서, 이와 같은 2개의 공진점을 이용함으로써, 2개의 트랩 소자를 구성할 수가 있다.
제8도는 상기 공진자(11)를 트랩 회로에 적용하여 얻어진 감쇠량 대 주파수 특성을 나타낸 특성도이다. 또, 제9도는 제8도에 나타낸 특성을 측정하기 위하여 사용되는 측정회로의 회로도이다. 또한, 제9도에 있어서, 회로는 교류전원(20), 압전계(21), 측정계의 특성임피던스를 나타내는 저항(22, 25) 및 표면파 공진자(11)에 인가되는 전압 및 출원전압을 각각 조정하기 위한 저항(23, 24)을 포함한다. 또한 출력단자 및 입력단자에 인접하여 위치한 저항(28, 29)은 각각 임피던스 매칭을 위하여 사용된다.
제8도로부터, 영상 중간 주파단에 있어서의 인접채널 영상 신호 주파수에 대응하는 주파수 FR1 및 인접채널 음성 신호 주파수에 대응하는 주파수 FR2에 있어서 큰 감쇠량이 얻어지고, 이렇게 하여 트랩 소자가 형성된다는 것을 알 수 있다.
또한, 상기 구체예에 있어서는, 2개의 메인 로브의 피크를 각각 정규형 IDT의 메인 로브의 감쇠극의 2N+2차 모드 및 2N-2차 모드에 대응하는 위치에 일치시키는 것에 관하여 설명하였으나, 이 2개의 메인 로브의 피크를 정규형 IDT의 더욱 고차의 짝수 모드, 예를 들면 2N+4차 및 2N-4차 모드에 대응하도록 웨이팅을 실시하여도 된다.
상술한 설명으로부터 확실히 알 수 있듯이 본 발명은 하기의 장점을 갖는다.
IDT에 웨이팅을 실시함으로써 2개의 메인 로브의 피크를 형성하여 2가지 타입의 공진 특성을 단일 소자만에 의해 실현할 수가 있다. 따라서, 예를 들면 영상 중간 주파단에 있어서의 트랩 회로와 같이, 2개의 공진 특성이 필요한 용도에 가장 바람직한 표면파 공진자를 제공하는 것이 가능해진다. 또한, 2개의 공진 특성을 단일 소자로서 실현할 수 있기 때문에, 트랩 회로 등과 같은 회로의 구조를 단순화할 수 있으며, 번잡한 접속작업을 생략할 수 있으며, 또한 회로의 구성에 요구되는 스페이스를 효과적으로 저감할 수가 있다.
구체적인 구체예와 관련하여 본 발명을 설명하였으나, 본 기술의 숙련자라면 많은 다른 변형이나 수정이 가능하며 다른 용도로도 사용될 수 있다는 것을 명백히 알 것이다. 본 발명은 여기에 개시된 내용에 한정되는 것은 아니다.

Claims (4)

  1. SH타입의 표면파를 반사시키기 위한 2개의 대향하는 단면을 갖는 압전 기판과, 상기 압전기판상에 배치되어 있으며, 할당된 웨이트에 상응하는 각각의 크기를 갖는 복수개의 전극 핑거를 갖는 인터디지탈 트랜스듀서를 포함하며,
    상기 웨이팅이 실시된 인터디지탈 트랜스듀서의 주파수 특성은 2개의 메인 로브(main lobe)를 가지며,
    상기 웨이팅이 실시된 인터디지탈 트랜스듀서와 동일한 전극 핑거 쌍수 혹은 웨이팅이 실시된 인터디지탈 트랜스듀서와 동일한 2개의 대향 단면간의 거리에 의하여 결정되는 전극 핑거 쌍수를 갖는 가상의 정규형 인터디지탈 트랜스듀서의 주파수 특성의 메인 로브의 양측에 배치된 감쇠극의 주파수 위치에, 상기 2개의 메인 로브의 피크가 각각 거의 일치하도록, 상기 인터디지탈 트랜스듀서에 상기 웨이팅이 실시됨으로써 상기 가상의 정규형 인터디지탈 트랜스듀서의 감쇠극의 위치에 있어서 제 1, 제 2 타입의 공진 특성이 얻어지는 것을 특징으로 하는 단면 반사형 표면파 공진자.
  2. 제 1 항에 있어서, 텔레비젼 수상기의 영상 중간 주파단에 있어서, 상기 영상 중간 주파단은 입력 및 출력을 가지며, 상기 공진자는 상기 입력으로부터 신호를 수신하고 상기 출력으로부터 신호를 공급하기 위해 접속되어 있으며,
    제 1 타입의 공진 특성이 상기 영상 중간 주파단의 인접 채널 영상 신호 주파수에 대응하고, 상기 제 1 타입의 공진 특성보다 높은 주파수를 나타내는 제 2 타입의 공진 특성이 상기 영상 중간 주파단의 인접채널 음성 신호 주파수에 대응하는 것을 특징으로 하는 표면파 공진자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 각 웨이트가 교차폭 웨이팅법에 의하여 할당되는 것을 특징으로 하는 표면파 공진자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 각 웨이트가 전극 핑거 위드드로얼법에 의하여 할당되는 것을 특징으로 하는 표면파 공진자.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3171144B2 (ja) * 1997-07-07 2001-05-28 株式会社村田製作所 表面波装置
JP3797155B2 (ja) * 2000-09-06 2006-07-12 株式会社村田製作所 端面反射型表面波装置の周波数調整方法
DE102007037896A1 (de) * 2007-08-10 2009-02-26 Enocean Gmbh System mit Anwesenheitsmelder, Verfahren mit Anwesenheitsmelder, Anwesenheitsmelder, Funkempfänger
KR101910554B1 (ko) * 2014-10-21 2018-10-22 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 공진자 및 래더형 필터
US10261078B2 (en) 2015-08-17 2019-04-16 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Shear horizontal surface acoustic wave (SH-SAW) resonators and arrays thereof

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL294583A (ko) * 1962-06-27
US3523200A (en) * 1968-02-28 1970-08-04 Westinghouse Electric Corp Surface wave piezoelectric resonator
US4016440A (en) * 1974-05-28 1977-04-05 Texas Instruments Incorporated Particularly oriented plate-like monocrystalline piezoelectric body and acoustic surface wave filter device employing same
GB2009546A (en) * 1977-11-16 1979-06-13 Plessey Co Ltd Television receiver IF and detector arrangement
KR0126909B1 (ko) * 1991-01-11 1998-10-01 무라따 야스따가 표면파 장치
JPH05183376A (ja) * 1991-12-27 1993-07-23 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置
JPH0685597A (ja) * 1992-09-02 1994-03-25 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波装置
FR2695771B1 (fr) * 1992-09-15 1994-10-28 Thomson Csf Transducteur d'ondes unidirectionnel.
TW256966B (ko) * 1994-03-04 1995-09-11 Murata Manufacturing Co
JP3206285B2 (ja) * 1994-03-25 2001-09-10 株式会社村田製作所 端面反射型表面波共振子
US5793147A (en) * 1994-05-30 1998-08-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface wave resonator having single component including a plurality of resonant units
JPH08204498A (ja) * 1995-01-24 1996-08-09 Murata Mfg Co Ltd 端面反射型表面波装置

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