KR100386712B1 - 웨이퍼 표면으로 불순물의 부착을 방지하는 노광된포토레지스트 현상 처리 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

포토레지스트가 도포된 표면이 위를 향하여 수평이 되도록 실리콘 웨이퍼를 지지한 후, 현상액이 공급되기 전에, 실리콘 웨이퍼의 표면에 세정액을 공급하여 그 퍼들을 형성한다. 그리고, 세정액의 퍼들이 형성된 후, 실리콘 웨이퍼의 회전과 현상액의 공급을 시작한다. 따라서, 현상액은 세정액의 퍼들이 형성되고 있는 실리콘 웨이퍼의 표면에 공급된다. 다르게는, 실리콘 웨이퍼가 회전되고 있는 상태에서 세정액이 공급되어 있는 실리콘 웨이퍼의 표면에 현상액이 공급된다.

Description

웨이퍼 표면으로 불순물의 부착을 방지하는 노광된 포토레지스트 현상 처리 방법 및 장치{METHOD OF AND APPARATUS FOR DEVELOPING EXPOSED PHOTORESIST TO PREVENT IMPURITY FROM BEING ATTACHED TO WAFER SURFACE}
발명의 배경
발명의 분야
본 발명은 실리콘 웨이퍼의 표면에 도포되어 노광된 포토레지스트를 현상액으로 현상 처리하는 현상 처리 방법 및 장치, 현상 처리 장치의 각 부를 통합 제어하는 현상 제어 장치, 및 컴퓨터에 각종 처리 동작을 실행시키기 위한 프로그램이 소프트웨어로서 격납되어 있는 정보 기억 매체에 관한 것이다.
관련 기술의 설명
현재, 반도체 회로 장치에는 미세한 배선 패턴 등이 포토리소그래피 기술에 의해 형성되고 있다. 이 포토리소그래피 기술에서는, 실리콘 웨이퍼의 표면에 도포되어 노광된 포토레지스트를 현상액으로 현상 처리하여야 한다. 이 현상 처리는 현상 처리 장치에 의해 행하여지고 있다.
이러한 현상 처리 장치의 종래예를 도 1 내지 도 5를 참조하여 이하에 설명한다. 제 1의 종래예로서 예시하는 현상 처리 장치(100)는 표면에 포토레지스트가 도포된 실리콘 웨이퍼(101)를 처리한다. 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 지지 수단으로서 웨이퍼 척 기구(102)를 구비하고 있다. 이 웨이퍼 척 기구(102)는 수직으로 연장하는 회전축(103)의 상단에 설치되어 있다. 실리콘 웨이퍼(101)는 포토레지스트가 도포된 표면이 위를 향하여 수평이 되도록 착탈이 자유롭게 지지된다.
이 웨이퍼 척 기구(102)가 상단에 마련된 회전축(103)은 구동 모터 등을 포함하는 웨이퍼 회전 수단인 웨이퍼 회전 기구(104)(도 3 참조)에 의해 회전 가능하게 지지되어 있다. 이 웨이퍼 회전 기구(104)는 웨이퍼 척 기구(102)에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼(101)를 수평면 내에서 회전시킨다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 현상 처리 장치(100)는 각각이 탱크나 펌프를 포함하는 현상액 공급 수단인 현상액 공급 기구(105)와, 세정액 공급 수단인 세정액 공급 기구(106)를 구비하고 있다. 현상액 공급 기구(105)는 웨이퍼 척 기구(102)에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 알칼리수용액을 포함하는 현상액(107)을 공급한다. 세정액 공급 기구(106)는 세정액으로서 순수(pure water; 108)를 공급한다.
현상액 공급 기구(105)는 현상 노즐(109)을 구비하고, 세정액 공급 기구(106)는 세정 노즐(110)을 구비한다. 현상 노즐(109)과 세정 노즐(110)은 노즐 이동 기구(111)에 의해 이동이 자유롭게 지지되어 있다. 도 1 내지 도 2에 도시한 바와 같이, 노즐 이동 기구(111)는 웨이퍼 척 기구(102)에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 대향하는 위치와 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에서 퇴피한(retracted) 위치 사이에서 현상 노즐(109)과 세정 노즐(110)을 이동시킨다.
또한, 현상 노즐(109)은 원반 형상의 실리콘 웨이퍼(101)의 중앙 위치에서 실리콘 웨이퍼(101)의 직경의 폭에 걸쳐 현상액(107)을 스크린 형상으로 공급할 수있는 슬릿 구조를 가지고 있다. 또한, 세정 노즐(110)은 실리콘 웨이퍼(101)의 중심점의 위치에 순수(108)를 공급할 수 있는 가는 관(細管)을 포함한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 회전 기구(104), 현상액 공급 기구(105), 세정액 공급 기구(106), 및 노즐 이동 기구(111)는 현상 제어 장치로서 컴퓨터를 포함하는 동작 제어 회로(112)에 접속되어 있다. 이 동작 제어 회로(112)에는 현상 처리의 제어프로그램이 설치되어 있다. 이 동작 제어 회로(112)는 설치되어 있는 제어프로그램에 대응하여 각종 기구(104 내지 106, 111)의 동작을 제어한다.
상술한 바와 같은 구조의 현상 처리 장치(100)는 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 도포되어 노광된 포토레지스트를 공급되는 현상액(107)으로 현상할 수 있다. 공급된 현상액(107)은 순수(108)에 의해 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에서 세정될 수 있다.
보다 상세하게는, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 최초에, 포토레지스트가 표면에 도포된 실리콘 웨이퍼(101)가 웨이퍼 척 기구(102)에 의해 수평으로 지지된다. 그 다음, 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 척 기구(102)에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼(101)가 웨이퍼 회전 기구(104)에 의해 고속회전된다.
이러한 상태로, 도 5의 ①로 도시하는 기간에, 현상액 공급 기구(105)의 현상 노즐(109)은 실리콘 웨이퍼(101)의 표면과 대향하는 위치로 노즐 이동기구(111)에 의해 이동된다. 그 후, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 도 5의 ②로 도시하는 기간에, 고속회전되는 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 현상액 공급 기구(105)에 의해 현상액(107)이 공급된다.
이와 같이 현상액(107)이 공급되고 있는 상태에서 실리콘 웨이퍼(101)의 회전 속도가 순차 감속되어, 소정 속도까지 감속된 후, 현상액(107)의 공급이 정지된다. 이것에 의해, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 현상액(107)의 퍼들(puddle)이 형성된다. 그리고, 도 5의 ③으로 도시하는 기간에, 노광된 포토레지스트를 현상하기 위해 현상액(107)의 퍼들이 실리콘 웨이퍼(101)의 표면 상에서 유지된다.
이 때, 현상액 공급 기구(105)의 현상 노즐(109)은 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에서 떨어진 위치로 노즐 이동기구(111)에 의해 이동되고, 동시에, 세정액 공급 기구(106)의 세정 노즐(110)는 실리콘 웨이퍼(101)의 표면과 대향하는 위치로 노즐 이동기구(111)에 의해 이동된다.
그리고, 소정의 현상시간이 경과한 후, 실리콘 웨이퍼(101)가 고속회전된다. 도 4의 (d)에 도시한 바와 같이, 도 5의 ④로 도시하는 기간에, 고속회전되는 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 순수(108)가 공급된다. 그리고, 공급된 순수(108)에 의해 실리콘 웨이퍼(101)의 표면이 세정되어 현상액(107)이 제거된다.
이 순수(108)의 공급도 소정 시간이 경과한 후 정지된다. 이 때에, 도 4의 (e)에 도시한 바와 같이, 도 5의 ⑤로 도시하는 기간에 있어서, 실리콘 웨이퍼(101)는 순수(108)의 공급이 정지된 후에도 계속 고속으로 회전되어, 실리콘 웨이퍼(101)의 표면을 공기로 건조시키게 된다.
또한, 상기의 종래예에 있어서는, 현상 노즐(109)과 세정 노즐(110)은 실리콘 웨이퍼(101)에 대향한 위치와 실리콘 웨이퍼(101)로부터 퇴피한 위치 사이의 이동을 위한 노즐 이동기구(111)에 의해 지지된다. 그러나, 도 6의 (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이, 다른 현상 처리 장치(200)는 실리콘 웨이퍼(101)의 중심을 향하도록 배치되어 있는 현상 노즐(109)과 세정 노즐(110)을 구비한다.
이러한 구조의 현상 처리 장치(200)에서는, 세정 노즐(110)로부터 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 순수(108)를 수직하게 방출할 수 없다. 그러나, 현상 노즐(109)과 세정 노즐(110)을 중첩 위치로 이동시킬 필요가 없기 때문에, 현상 노즐(109)과 세정 노즐(110)의 위치를 교체할 필요가 없다.
따라서, 현상 노즐(109)과 세정 노즐(110)을 이동시킬 필요가 없기 때문에, 현상 처리를 신속히 완료할 수 있다. 그러나, 이러한 경우에 있어서도, 실리콘 웨이퍼(101)의 교환시에는 현상 노즐(109)과 세정 노즐(110)이 이동된다.
상술한 바와 같은 현상 처리 장치(100, 200)를 통해, 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 도포되어 노광된 포토레지스트를 현상액(107)에 의해 현상할 수 있고, 이 현상액(107)을 순수(108)에 의해 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에서 세정할 수 있다.
그러나, 실제로 상술한 바와 같은 현상 처리 장치(100, 200)에 의해 실리콘 웨이퍼(101)를 현상 처리하면 많은 현상 결함이 발생한다. 그래서, 그 원인을 구명한 바, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 고속회전되고 있는 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 현상액(107)을 공급할 때에 미스트(mist; 120)가 발생하고, 이 미스트(120)에 의해 현상 노즐(109)이 오염되는 것이 밝혀졌다.
이러한 미스트(120)는 포토레지스트의 입자를 포함하는 현상액으로 이루어진다. 이 때문에, 이 미스트(120)가 현상 노즐(109)에 부착되어, 다음 실리콘웨이퍼(101) 상의 노광된 포토레지스트의 현상때에 현상액(107)과 함께 공급되면, 실리콘 웨이퍼(101)의 레지스트 패턴에 현상 불량이 발생하게 된다.
최근, 실리콘 웨이퍼(101)의 대직경화와 레지스트 패턴의 미세화가 진행되고 있기 때문에, 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 현상액(107)을 고속이면서 균일하게 도포할 수 있도록 현상 노즐(109)이 길어지는 경향에 있다. 따라서, 필연적으로 미스트에 의해 현상 노즐(109)이 오염되는 면적도 증대하며, 이 때문에 레지스트 패턴의 현상 불량이 현저하게 된다.
본 발명은 상술한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 현상 결함이 발생하지 않는 현상 처리 방법 및 장치, 현상 결함이 발생하지 않도록 현상 처리 장치의 각 부분을 통합 제어하는 현상 제어 장치, 현상 결함을 발생시키지 않기 위한 프로그램이 소프트웨어로서 격납되어 있는 정보 기억 매체의 적어도 하나를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 한 양상에 따르면, 실리콘 웨이퍼의 표면 상에 도포되어 노광된 포토레지스트를 현상액으로 현상 처리하는 방법이 제공된다. 이 방법에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 표면에 현상액이 제공되기 이전에 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼의 표면에 세정액이 제공되어 세정액의 퍼들을 형성한다. 그 후, 상부에 세정액의 퍼들이 형성된 실리콘 웨이퍼는 수평면 내에서 회전되고, 현상액이 실리콘 웨이퍼의 표면에 제공된다.
그 다음, 상부에 세정액의 퍼들이 형성된 실리콘 웨이퍼의 표면에 현상액이제공된다. 현상 노즐 상에 부착된 미스트에 의해 생성되며 현상액과 함께 제공되는 불순물이 세정액의 퍼들 내에서 부유하게 되고, 실리콘 웨이퍼의 표면에 부착되지 않는다. 따라서, 실리콘 웨이퍼의 표면 상의 포토레지스트의 레지스트 패턴에 현상 불량이 발생하지 않으며, 포토레지스트가 잘 현상되어 제조되는 반도체 집적 회로의 수율을 높일 수 있다.
본 발명의 다른 양상에 따르면, 실리콘 웨이퍼의 표면 상에 도포되어 노광된 포토레짓트를 현상액으로 현상하는 방법이 또한 제공된다. 이 방법에 있어서, 형상액이 현상액 공급 수단으로부터 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼의 표면에 제공되기 이전에, 실리콘 웨이퍼는 웨이퍼 회전 수단에 의해 회전되고, 세정액이 세정액 공급 수단으로부터 실리콘 웨이퍼의 표면으로 공급된다. 그 다음, 실리콘 웨이퍼가 회전하고 있는 동안 현상액 공급 수단으로부터 세정액이 공급된 실리콘 웨이퍼의 표면에 현상액이 공급된다.
상기의 방법에 있어서, 현상액은 세정액이 공급된 실리콘 웨이퍼의 표면에 공급된다. 현상액에 포함된 불순물은 제공된 세정액 속에 부유하게 되고, 실리콘 웨이퍼의 표면에 부착되는 것이 방지된다.
본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 실리콘 웨이퍼의 표면에 도포되어 노광된 포토레지스트를 현상액으로 현상하기 위한 장치가 제공되는데, 웨이퍼 지지 수단, 웨이퍼 회전 수단, 현상액 공급 수단, 세정액 공급 수단, 세정 제어 수단, 및 현상 제어 수단을 포함한다. 웨이퍼 지지 수단은 포토레지스트가 도포된 면이 위쪽을 향하도록 실리콘 웨이퍼를 수평으로 지지한다. 웨이퍼 회전 수단은 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼를 수평면 내에서 회전시킨다. 현상액 공급 수단은 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼의 표면에 현상액을 공급한다. 세정액 공급 수단은 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼의 표면에 세정액을 공급한다. 세정 제어 수단과 현상 제어 수단은 현상액 공급 수단과, 세정액 공급 수단, 및 웨이퍼 회전 수단을 제어한다.
특히, 세정 제어 수단은 현상액 공급 수단으로부터 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼의 표면에 현상액이 공급되기 이전에 세정액 공급 수단이 세정액을 공급하여 실리콘 웨이퍼의 표면 상에 세정액의 퍼들을 형성하도록 제어한다. 현상 제어 수단은 세정 제어 수단에 의해 실리콘 웨이퍼의 표면 상에 세정액의 퍼들이 형성된 후 웨이퍼 회전 수단이 실리콘 웨이퍼를 회전시키도록 제어하고 현상액 공급 수단이 현상액을 공급하도록 제어한다. 따라서, 상부에 세정액의 퍼들이 형성된 실리콘 웨이퍼의 표면에 현상액이 공급된다.
본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 실리콘 웨이퍼의 표면에 도포되어 노광된 포토레지스트를 현상액으로 현상하기 위한 장치가 또한 제공된다. 이 장치에 있어서, 세정 제어 수단과 현상 제어 수단은 현상액 공급 수단과, 세정액 공급 수단, 및 웨이퍼 회전 수단을 상기 상술된 패턴과는 상이한 방식으로 제어한다. 특히, 세정 제어 수단은 현상액 공급 수단으로부터 실리콘 웨이퍼의 표면으로 현상액이 공급되기 이전에 웨이퍼 회전 수단이 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼를 회전시키도록 제어하고 세정액 공급 수단이 실리콘 웨이퍼의 표면에 세정액을 공급하도록 제어한다. 현상 제어 수단은 실리콘 웨이퍼가 세정 제어 수단에 의해회전되고 있는 동안 세정액이 공급되고 있는 실리콘 웨이퍼의 표면에 현상액 공급 수단이 현상액을 공급하도록 제어한다. 따라서, 현상액은 세정액이 공급되고 있는 실리콘 웨이퍼의 표면에 제공된다.
상기 장치에 있어서, 세정 제어 수단은 현상액이 제공되기 시작한 후 세정액 공급을 중단하고, 현상 제어 수단은 세정액 공급을 중단한 후 현상액 공급을 중단한다. 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼의 표면은 세정액과 현상액 둘 다를 공급받는다. 그 다음, 세정액의 공급이 중지된다. 그 후, 현상액의 공급이 중단된다. 계속해서, 실리콘 웨이퍼 표면 상의 포토레지스트는 최종적으로는 단독으로 공급되는 현상액에 의해 양호하게 현상된다.
또한, 상기 장치는 포토레지스트가 현상된 후 실리콘 웨이퍼의 표면에 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단을 제어하기 위한 웨이퍼 세정 수단을 구비한다. 포토레지스트가 현상된 후 실리콘 웨이퍼의 표면 상의 현상액은 세정액 공급 수단으로부터의 세정액에 의해 제거된다. 따라서, 현상액이 공급되기 이전에 실리콘 웨이퍼에 세정액을 공급하는 수단은 현상액을 제거하는 세정액 공급 수단으로서도 또한 사용된다. 그러므로, 구조가 간단하고 노광 결함을 방지할 수 있으며, 전용 하드웨어를 필요로 하지 않는 현상 장치를 제공하는 것이 가능하다.
상기 장치는 실리콘 웨이퍼의 표면에 제공된 현상액을 탈기(deaerating)하기 위한 현상액 탈기 수단을 더 구비한다. 이 경우, 실리콘 웨이퍼의 표면에 공급되는 현상액이 현상액 탈기 수단에 의해 탈기되기 때문에, 공기 거품을 포함하는 현상액은 포토레지스트의 표면에 공급되지 않는다.
본 발명에 따른 현상 제어 장치가 상기 현상 처리 장치에 제공되는데, 웨이퍼 지지 수단과, 웨이퍼 회전 수단과, 세정액 공급 수단, 및 현상액 공급 수단을 제어한다.
본 발명의 한 양상에 따르면, 현상 제어 장치는 세정 제어 수단과 현상 제어 수단을 구비한다. 세정 제어 수단은 현상액 공급 수단으로부터 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼의 표면에 현상액이 공급되기 이전에 세정액 공급 수단이 세정액을 공급하도록 제어하여 실리콘 웨이퍼의 표면 상에 세정액의 퍼들을 형성한다. 현상 제어 수단은 세정 제어 수단에 의해 세정액의 퍼들이 실리콘 웨이퍼의 표면 상에 현성된 후 웨이퍼 회전 수단이 실리콘 웨이퍼를 회전시키고 현상액 공급 수단이 현상액의 공급을 시작하도록 제어한다.
본 발명의 다른 양상에 따르면, 현상 제어 장치는 현상액 공급 수단과, 세정액 공급 수단, 및 웨이퍼 회전 수단을 상기 패턴과 상이한 방식으로 제어한다. 구체적으로는, 세정 제어 수단은 현상액 공급 수단으로부터 실리콘 웨이퍼의 표면으로 현상액이 공급되기 이전에 웨이퍼 회전 수단이 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼를 회전시키고 세정액 공급 수단이 실리콘 웨이퍼의 표면에 세정애글 공급하도록 제어한다. 현상 제어 수단은 실리콘 웨이퍼가 세정 제어 수단에 의해 회전되고 있는 동안 세정액이 공급되고 있는 실리콘 웨이퍼의 표면에 현상액 공급 수단이 현상액을 공급하도록 제어한다.
본 발명에서 언급된 여러 수단은 그들 기능에 따라 동작하도록 정렬된다. 이들 수단은 소정의 기능에 따라 동작하는 전용 하드웨어, 프로그램에 따른 기능에따라 동작하는 컴퓨터, 컴퓨터에 소정의 기능에 따른 동작을 시키는 프로그램이나, 이들의 조합으로 구현될 수 있다.
본 발명에 따른 정보 기억 매체는 상기 현상 처리 장치의 웨이퍼 지지 수단, 웨이퍼 회전 수단, 세정액 공급 수단, 및 현상액 공급 수단을 제어하기 위한 프로그램을 저장한다.
본 발명의 일 양상에 따르면, 정보 기억 매체는 현상액 공급 수단으로부터 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼의 표면에 현상액이 공급되기 이전에 세정액 공급 수단이 세정액을 공급하도록 제어하여 실리콘 웨이퍼의 표면 상에 세정액의 퍼들을 형성하는 단계, 및 세정 제어 수단에 의해 실리콘 웨이퍼의 표면 상에 세정액의 퍼들이 형성된 후 웨이퍼 회전 수단이 실리콘 웨이퍼를 회전시키고 현상액 공급 수단이 현상액을 공급하도록 제어하는 단계를 포함하는 프로세스를 컴퓨터가 수행하도록 하는 프로그램을 저장한다.
본 발명의 다른 양상에 따르면, 정보 기억 매체는 현상액 공급 수단으로부터 실리콘 웨이퍼의 표면으로 현상액이 공급되기 이전에 웨이퍼 회전 수단이 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼를 회전시키도록 제어하고 세정액 공급 수단이 실리콘 웨이퍼의 표면에 세정액을 공급하도록 제어하는 단계, 및 세정 제어 수단에 의해 실리콘 웨이퍼가 회전하고 있는 동안 세정액이 공급되고 있는 실리콘 웨이퍼의 표면에 현상액 공급 수단이 현상액을 공급하도록 제어하는 단계를 포함하는 프로세스를 컴퓨터가 수행하도록 하는 프로그램을 저장한다.
본 발명의 상기 및 다른 목적, 특징, 및 이점은 본 발명의 실시예를 도시하는 첨부된 도면과 연계한 하기의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1의 (a) 및 (b)는 제 1의 종래예의 현상 처리 장치의 주요부의 구조를 도시하는 사시도.
도 2의 (a) 및 (b)는 도 1의 (a) 및 (b)에 도시된 제 1의 종래예의 현상 처리 장치의 중심 구조의 평면도.
도 3은 도 1의 (a) 및 (b)에 도시된 제 1의 종래예의 현상 처리 장치의 블록도.
도 4의 (a) 내지 (e)는 도 1의 (a) 및 (b)에 도시된 제 1의 종래예의 현상 처리 장치에 의해 수행되는 현상 처리 방법을 도시하는 공정도.
도 5는 도 1의 (a) 및 (b)에 도시된 제 1의 종래예의 현상 처리 장치에 의해 수행되는 현상 처리 방법을 도시하는 시퀀스 차트.
도 6의 (a) 및 (b)는 제 2의 종래예의 현상 처리 장치의 주요부의 구조를 도시하는 사시도 및 평면도.
도 7의 (a) 내지 (g)은 본 발명에 따른 현상 처리 장치에 의해 수행되는 현상 처리 방법을 도시하는 공정도.
도 8의 (a) 및 (b)는 도 7의 (a)에 도시된 현상 처리 장치의 주요부의 구조를 도시하는 사시도.
도 9는 도 7의 (a)의 현상 처리 장치의 블록도.
도 10은 도 9의 동작 제어 회로를 구성하는 컴퓨터의 모식도.
도 11은 도 7의 (a)에 도시된 현상 처리 장치에 의해 수행되는 현상 처리 방법을 도시하는 시퀀스 차트.
도 12는 도 7의 (a)에 도시된 현상 처리 장치에 의해 수행되는 현상 처리 방법을 도시하는 순서도.
도 13의 (a) 및 (b)는 본 발명에 따른 수정된 현상 처리 장치의 주요부의 구조를 도시하는 사시도 및 평면도.
도 14는 도 13의 (a) 및 (b)에 도시된 현상 처리 장치에 의해 수행되는 현상 처리 방법을 도시하는 시퀀스 차트.
도 15는 도 13의 (a) 및 (b)에 도시된 현상 처리 장치에 의해 수행되는 현상 처리 방법을 도시하는 순서도.
♠도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명♠
101, 301 : 실리콘 웨이퍼 102, 302 : 웨이퍼 척 기구
103 : 회전축 104, 304 : 웨이퍼 회전 기구
105, 305 : 현상액 공급 기구 106, 306 : 세정액 공급 기구
108, 308 : 순수 109, 309 : 현상 노즐
110, 310 : 세정 노즐 111, 311 : 노즐 이동 기구
112, 312 : 동작 제어 회로
도 7 내지 10에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 현상 처리 장치(300)는 전술한 종래예의 현상 처리 장치(100)와 유사한 하드웨어 구성을 갖는다. 구체적으로는, 현상 처리 장치(300)는 웨이퍼 지지 수단인 웨이퍼 척 기구(302), 웨이퍼 회전 수단인 웨이퍼 회전 기구(3O4), 현상액 공급 수단인 현상액 공급 기구(305), 세정액 공급 수단인 세정액 공급 기구(3O6), 노즐 이동 기구(311), 및 현상 제어 장치인 동작 제어 회로(312)를 포함한다. 동작 제어 회로(312)는 도 10에 도시된 컴퓨터(315), 및 컴퓨터(315)가 그 동작을 하도록 하는 제어 프로그램을 포함한다. 이 프로그램은 컴퓨터(315)의 정보 기억 매체인 메모리(316)에 저장된다.
동작 제어 회로(312)에 설치되어 있는 제어 프로그램은 종래의 현상 처리 장치(100)에 설치된 제어 프로그램과 상이하다. 따라서, 상기 기구(304 내지 306)에 의해 수행되는 현상 처리 동작의 내용은 종래예의 현상 처리 장치(100)에 의해 수행되는 현상 처리 동작의 내용과 상이하다.
즉, 동작 제어 회로(312)는 설치된 제어 프로그램에 따라 동작하여 세정 제어 수단, 현상 제어 수단, 및 웨이퍼 세정 수단으로서 동작한다. 웨이퍼 척 기구(302)에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 현상액 공급 기구(305)에 의해 현상액(307)이 공급되기 이전에, 동작 제어 회로(312)는 세정액 공급 기구(306)가 순수(308)를 공급하도록 제어하여 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 퍼들을 형성한다. 이러한 동작을 수행하기 위한 프로그램과, 프로그램에 따라 동작을수행하는 명령 신호를 출력하는 컴퓨터(315)가 세정 제어 수단인 세정 제어 회로(313)로 조합된다.
세정액(308)의 퍼들이 형성된 후, 동작 제어 회로(312)는 웨이퍼 회전 기구(304)가 실리콘 웨이퍼(301)를 회전시키고 현상액 공급 기구(305)가 현상액(307)을 공급을 개시하도록 제어한다. 그리고, 이 현상액(307)에 의한 포토레지스트의 현상이 완료된 후, 동작 제어 회로(312)는 세정액 공급 기구(306)가 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 순수(308)를 공급하도록 제어하여 현상액(307)을 제거한다. 이러한 동작을 수행하기 위한 프로그램, 및 이 프로그램에 따른 동작을 수행하는 명령 신호를 출력하는 컴퓨터(315)가 조합되어 현상 제어 수단인 현상 제어 회로(314)가 구성된다.
현상 처리 장치(300)에 있어서, 현상액 공급 기구(305)에 진공 펌프 등을 포함하는 현상액 탈기 수단이 접속되어 있다. 그리고, 현상액 탈기 수단은 현상액 공급 기구(305)로부터 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 공급되는 현상액(307)을 탈기한다.
본 발명에 따른 현상 처리 장치(300)로 노광된 포토레지스트를 현상하기 위한 방법이 하기에 설명될 것이다. 우선, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 포토레지스트가 표면에 도포된 실리콘 웨이퍼(301)가 웨이퍼 척 기구(302)에 의해서 수평으로 지지된다. 그 다음, 도 11에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 척 기구(302)에 의해 지지된 실리콘 웨이퍼(301)가 웨이퍼 회전 기구(304)에 의해서 고속 회전된다.
이러한 상태에서, 도 11의 ①로 도시되는 기간에, 세정액 공급 기구(306)의세정 노즐(310)이 노즐 이동 기구(311)에 의해 실리콘 웨이퍼(301)의 표면과 대향하는 위치로 이동된다. 다음에, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 도 11의 ②에서 도시되는 기간에, 고속 회전되는 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 순수(308)가 공급된다.
이와 같이 순수(308)가 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 공급되고 있는 상태에서, 실리콘 웨이퍼(301)의 회전 속도가 소정의 속도로 순차 감속된 후, 순수(308)의 공급이 정지된다. 이렇게 하여, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 순수(308)의 퍼들이 형성된다.
이러한 상태에서, 도 11의 ③으로 도시되는 기간에, 현상액 공급 기구(305)의 현상 노즐(309)이 실리콘 웨이퍼(301)의 표면과 대향하는 위치에 노즐 이동 기구(311)에 의해서 이동된다. 그리고, 도 7의 (d)에 도시한 바와 같이, 도 11의 ④로 도시되는 기간에, 웨이퍼 회전 기구(304)는 실리콘 웨이퍼(301)를 회전시키고 현상액 공급 기구(305)는 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 현상액(307)을 공급한다. 그 다음, 순수(308)의 퍼들이 형성된 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 현상액(307)이 공급된다.
이와 같이 현상액(307)이 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 공급되고 있는 상태에서, 실리콘 웨이퍼(301)의 회전 속도가 순차 가속되고, 그 후 소정의 속도로 순차 감속되며, 그 후 현상액(307)의 공급이 정지된다. 이 과정에서 실리콘 웨이퍼(301)의 표면으로부터 순수(308)는 점차 제거되어, 현상액(307)의 퍼들이 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 형성된다. 따라서, 도 7의 (e)에 도시한 바와 같이, 도11의 ⑤로 도시되는 기간에 있어서, 이 현상액(307)의 퍼들이 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에서 소정 시간 유지되어 노광된 포토레지스트를 현상한다.
이 후, 실리콘 웨이퍼(301)는 종래의 현상 처리 장치(100)에 의해 수행되는 현상 처리 방법과 동일한 방식으로 처리된다. 소정 시간 경과 후, 실리콘 웨이퍼(301)는 고속 회전되고, 현상액(307)은 순수(308)에 의해서 제거되고, 그 후, 순수(308)의 공급이 정지되며, 실리콘 웨이퍼(301)의 표면은 공기에 의해 건조된다.
본 실시예에 따른 현상 처리 장치(300)에서는, 상술한 바와 같이, 현상액 공급 기구(305)로부터 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 현상액(307)이 공급되기 전에, 세정액 공급 기구(306)로부터 순수(308)가 공급되어 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 순수(308)의 퍼들을 형성한다. 순수(308)의 퍼들이 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 형성된 후, 실리콘 웨이퍼(301)는 웨이퍼 회전 기구(304)에 의해 회전되고 실리콘 웨이퍼(304)의 표면에는 현상액 공급 기구(305)로부터 형상액이 공급된다.
이 때문에, 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 공급되는 현상액(307)으로부터 미스트가 발생하고, 현상 노즐(309)에 부착되어, 미스트에 포함된 불순물이 현상액(307)과 함께 실리콘 웨이퍼(301)에 공급되더라도, 공급되는 현상액(307)에 포함된 불순물은 순수(308)의 퍼들에 부유하게 되어 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에는 부착되지 않는다.
이 때문에, 본 실시예의 현상 처리 장치(300)에 의한 현상 처리 방법에 따르면, 실리콘 웨이퍼(301) 표면의 포토레지스트의 레지스트 패턴에 현상 불량이 발생하지 않고, 포토레지스트를 양호하게 현상 처리하며, 제조하는 반도체 집적 회로의 수율을 향상시킬 수 있다.
게다가, 포토레지스트의 현상 처리가 완료된 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에서 현상액(307)을 제거하기 위해서 순수(308)를 공급하는 세정액 공급 기구(306)는 레지스트 패턴에서 발생하는 현상 불량을 방지하기 위하여 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 순수(308)를 공급하는데도 사용할 수 있다. 따라서, 전용의 하드웨어를 증설하지 않고, 간소한 현상 처리 장치(300)를 구성할 수 있다.
또한, 본 실시예의 현상 처리 장치(300)에서는, 현상액 공급 기구(305)로부터 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 공급되는 현상액(307)이 현상액 탈기 수단에 의해 탈기되기 때문에, 공기 거품이 존재하는 현상액(307)이 포토레지스트의 표면에 공급되지 않는다.
이 때문에, 현상액(307)의 거품에 의해 실리콘 웨이퍼(301) 표면의 포토레지스트의 레지스트 패턴에 현상 불량이 발생하지 않으며, 이 현상액(307)의 거품에 의한 레지스트 패턴의 현상 불량을 방지하기 위해서 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 순수(308)의 퍼들을 형성할 필요는 없다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 각종 변형을 허용한다. 예를 들면, 상기한 실시예에서는 현상 노즐(309)과 세정 노즐(310)이 실리콘 웨이퍼(301)에 대향한 위치와 그로부터 퇴피한 위치 사이에서 노즐 이동 기구(311)에 의해 이동이 자유롭게 지지되어 있는 현상 처리 장치(300)를 예시하였지만, 본 발명은, 도 13의 (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이, 현상 노즐(309)과 세정 노즐(310)이 함께 실리콘 웨이퍼(301)의 중심을 향하도록 배치되어 있는 현상 처리 장치(400)에도 적용 가능하다.
이 경우, 순수(308)의 퍼들을 형성한 후, 현상액(307)의 공급과 실리콘 웨이퍼(301)의 회전을 개시하는 것도 가능하지만, 이하와 같은 처리 동작도 가능하다. 즉, 도 15에 도시한 바와 같이, 도 14의 ①로 도시한 기간에, 최초로 웨이퍼 회전 기구(304)에 의해 실리콘 웨이퍼(301)를 회전시키고, 실리콘 웨이퍼(301)의 표면과 대향하는 위치에 현상 노즐(309)과 세정 노즐(310)을 세트한다.
다음에, 도 14의 ②로 도시한 기간에, 현상액 공급 기구(305)에 의해서 현상액(307)이 공급되기 전에, 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 세정액 공급 기구(306)에 의해서 순수(308)를 공급하고, 그 후, 도 14의 ③으로 도시한 기간에, 회전되면서 순수(308)가 공급되고 있는 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 현상액 공급 기구(305)에 의해 현상액(307)을 공급한다. 다음에, 이와 같이 현상액(307)의 공급이 시작된 후, 순수(308)의 공급을 정지하고, 순수(308)의 공급이 정지된 후, 현상액(307)의 공급을 정지한다. 이하, 실리콘 웨이퍼(301)는 종래예의 현상 처리 장치(100)에 의해 수행된 현상 처리 방법과 동일한 방식으로 처리된다.
상기 상술한 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 처음에는 순수(308)만이 공급되며, 도중에 순수(308)와 현상액(307)이 공급되고, 최후에는 현상액(307)만이 공급된다. 따라서, 현상 노즐(309)의 오염물이 실리콘 웨이퍼(301)의 표면에 부착되는 것을 역시 방지할 수 있으며, 레지스트 패턴의 현상 불량을 방지할 수 있고, 포토레지스트를 양호하게 현상 처리할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 현상 노즐(309)과 세정 노즐(310)이 함께 실리콘 웨이퍼(301)의 중심을 향하도록 배치되어 있는 현상 처리 장치(400)에 의한 현상 처리 방법에서는, 현상 처리의 작업중에 현상 노즐(109)과 세정 노즐(110)을 이동시킬 필요가 역시 없기 때문에, 전술한 현상 처리 장치(300)에 의한 현상 처리 방법 보다도 작업을 신속히 완료할 수 있다.
또한, 상기한 실시예에서는, 세정액으로서 순수(308)를 사용하는 것을 예시하였지만, 이러한 세정액으로서는 바람으로 건조되어도 잔류물이 발생하지 않고, 포토레지스트에 영향을 주지 않으면서 현상액(307)을 세정할 수 있는 액체이면 좋으며, 예를 들면, 알코올 또는 순수로 계면활성제를 혼입시킨 용액 등도 사용 가능하다.
또한, 상기한 실시예에서는 컴퓨터로 이루어지는 동작 제어 회로(312)에 사전에 적정한 소프트웨어를 설치해 둠으로써 세정 제어 수단이나 현상 제어 수단 등의 각종 수단이 구성되어 있는 예를 나타냈지만, 이러한 각종 수단을 각각 전용의 하드웨어로 구성하는 것도 가능하다. 또한, 일부를 소프트웨어로 구성하고, 일부를 하드웨어로 구성하는 것도 가능하다.
본 발명의 양호한 실시에가 특정 항목을 사용하여 설명되었지만, 이러한 설명은 예증적인 것이며, 하기의 특허청구범위의 취지와 범위를 벗어나지 않는 수정예와 변형예가 수행될 수 있음은 명확하다.

Claims (15)

  1. 실리콘 웨이퍼의 표면상에 도포되어 노광된 포토레지스트를 현상액에 의해 현상 처리하는 현상 처리 방법으로서,
    상기 실리콘 웨이퍼를 상기 포토레지스트가 도포된 표면이 위로 향하게 하여 수평이 되도록 지지하는 단계와,
    상기와 같이 지지된 상기 실리콘 웨이퍼를 상기 현상액이 공급되기 이전에 수평면 내에서 회전시키는 단계와,
    상기 회전되는 실리콘 웨이퍼의 표면에 세정액 공급 수단으로부터 세정액을 공급하는 단계와,
    상기 세정액이 공급되고 있는 상기 실리콘 웨이퍼의 회전 속도를 정지 상태까지 순차로 저하시키는 단계와,
    상기 회전 속도가 소정의 속도까지 저하된 때에 상기 세정액의 공급을 종료시켜서 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 퍼들을 형성하는 단계와,
    상기 세정액의 상기 퍼들이 형성된 상기 실리콘 웨이퍼를 수평면 내에서 회전시킴과 함께, 그 표면에 현상액 공급 수단으로부터 상기 현상액을 공급하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 현상 처리 방법.
  2. 실리콘 웨이퍼의 표면상에 도포되어 노광된 포토레지스트를 현상액에 의해 현상 처리하는 현상 처리 방법으로서,
    상기 실리콘 웨이퍼를 상기 포토레지스트가 도포된 표면이 위로 향하게 하여 수평이 되도록 지지하는 단계와,
    상기와 같이 지지된 상기 실리콘 웨이퍼를 상기 현상액이 공급되기 이전에 수평면 내에서 회전시키는 단계와,
    상기 회전되는 실리콘 웨이퍼의 표면에 세정액 공급수단으로부터 세정액을 공급하는 단계와,
    상기 실리콘 웨이퍼가 회전되고 있는 상태에서 상기 세정액이 공급되고 있는 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 현상액 공급 수단으로부터 상기 현상액을 공급하는 단계와,
    상기 현상액의 공급이 시작되고 나서 상기 세정액의 공급을 종료시키는 단계와,
    상기 세정액의 공급이 종료되고 나서 상기 현상액의 공급을 종료시키는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 현상 처리 방법.
  3. 실리콘 웨이퍼의 표면상에 도포되어 노광된 포토레지스트를 현상액에 의해 현상 처리하는 현상 처리 장치로서,
    상기 실리콘 웨이퍼를 상기 포토레지스트가 도포된 표면이 위로 향하게 하여 수평이 되도록 지지하는 웨이퍼 지지 수단과,
    상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼를 수평면 내에서 회전시키는 웨이퍼 회전 수단과,
    상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 상기 현상액을 공급하는 현상액 공급 수단과,
    상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과,
    상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼를, 상기 현상액 공급 수단에 의해 현상액이 공급되기 전에 상기 웨이퍼 회전 수단에 의해 회전시키고, 상기 회전되고 있는 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 상기 세정액 공급 수단에 의해 세정액을 공급시키고, 상기 세정액이 공급되고 있는 상기 실리콘 웨이퍼의 회전 속도를 정지 상태까지 순차로 저하시키고, 상기 회전 속도가 소정의 속도까지 저하한 때에 상기 세정액의 공급을 종료시켜서 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 상기 세정액의 퍼들을 형성시키는 세정 제어 수단과,
    상기 세정 제어 수단에 의해 상기 세정액의 상기 퍼들이 형성된 후에, 상기 웨이퍼 회전 수단에 의한 회전과 상기 현상액 공급 수단에 의한 상기 현상액의 공급을 시작시키는 현상 제어 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    현상 처리가 완료된 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 상기 세정액 공급 수단에 세정액을 공급시켜서 상기 현상액을 상기 표면으로부터 제거시키는 웨이퍼 세정 수단을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 공급되는 상기 현상액을 탈기하는 현상 탈기 수단을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
  6. 실리콘 웨이퍼의 표면상에 도포되어 노광된 포토레지스트를 현상액에 의해 현상 처리하는 현상 처리 장치로서,
    상기 실리콘 웨이퍼를 상기 포토레지스트가 도포된 표면이 위로 향하게 하여 수평이 되도록 지지하는 웨이퍼 지지 수단과,
    상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼를 수평면 내에서 회전시키는 웨이퍼 회전 수단과,
    상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 상기 현상액을 공급하는 현상액 공급 수단과,
    상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단과,
    상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼를, 상기 현상액 공급 수단에 의해 현상액이 공급되기 전에 상기 웨이퍼 회전 수단에 의해 회전시킴과 함께, 그 표면에 대해 상기 세정액 공급 수단에 의해 세정액을 공급시키는 세정 제어 수단과,
    상기 세정 제어 수단에 의해 회전되고 있는 상태에서 상기 세정액이 공급되고 있는 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 상기 현상액 공급 수단에 현상액을 공급시키는 현상 제어 수단을 구비하고,
    상기 세정 제어 수단은 상기 현상액의 공급이 시작된 이후에 상기 세정액의 공급을 종료시키고,
    상기 현상 제어 수단은 상기 세정액의 공급이 종료된 이후에 상기 현상액의 공급을 종료시키는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 제 6항에 있어서,
    현상 처리가 완료된 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해 상기 세정액 공급 수단에 세정액을 공급시켜서 상기 현상액을 상기 표면으로부터 제거시키는 웨에퍼 세정 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 공급되는 상기 현상액을 탈기하는 현상 탈기 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
  10. 실리콘 웨이퍼를 포토레지스트가 도포된 표면이 위로 향하게 하여 수평이 되도록 지지하는 웨이퍼 지지 수단과, 해당 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼를 수평면 내에서 회전시키는 웨이퍼 회전 수단과, 상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 상기 현상액을 공급하는 현상액 공급 수단과, 상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단을 구비하는 현상 처리 장치에 구비되어 있고, 상기 웨이퍼 지지 수단과 상기 웨이퍼 회전수단과 상기 세정액 공급 수단과 상기 현상액 공급 수단의 동작을 통합 제어하는 현상 제어 장치로서,
    상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼를, 상기 현상액 공급 수단에 의해 현상액이 공급되기 이전에 상기 웨이퍼 회전 수단에 의해 회전시키고, 상기 회전시키고 있는 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 상기 세정액 공급 수단에 의해 세정액을 공급시키고, 상기 세정액이 공급되고 있는 상기 실리콘 웨이퍼의 회전 속도를 정지 상태까지 순차로 저하시키고, 상기 회전 속도가 소정의 속도까지 저하한 때에 상기 세정액의 공급을 종료시켜서 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 상기 세정액의 퍼들을 형성시키는 세정 제어 수단과,
    상기 세정 제어 수단에 의해 상기 세정액의 상기 퍼들이 형성된 후에, 상기 웨이퍼 회전 수단에 의한 회전과 상기 현상액 공급 수단에 의한 현상액의 공급을 시작시키는 현상 제어 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 현상 제어 장치.
  11. 실리콘 웨이퍼를 포토레지스트가 도포된 표면이 위로 향하게 하여 수평이 되도록 지지하는 웨이퍼 지지 수단과, 상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼를 수평면 내에서 회전시키는 웨이퍼 회전 수단과, 상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 상기 현상액을 공급하는 현상액 공급 수단과, 상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 세정액을 공급하는 세정액 공급 수단을 구비하는 현상 처리 장치에 구비되어 있고, 상기 웨이퍼 지지 수단과 상기 웨이퍼 회전수단과 상기 세정액 공급 수단과 상기 현상액 공급 수단의 동작을 통합 제어하는 현상 제어 장치로서,
    상기 웨이퍼 지지 수단에 의해 지지된 상기 실리콘 웨이퍼를, 상기 현상액 공급 수단에 의해 현상액이 공급되기 이전에 상기 웨이퍼 회전 수단에 의해 회전시킴과 함께, 상기 표면에 대해 상기 세정액 공급 수단에 세정액을 공급시키는 세정 제어 수단과,
    상기 세정 제어 수단에 의해 회전되고 있는 상태에서 상기 세정액이 공급되고 있는 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 대해, 상기 현상액 공급 수단에 현상액을 공급시키는 현상 제어 수단을 구비하고,
    상기 세정 제어 수단은 상기 현상액의 공급이 시작되고 나서 상기 세정액의 공급을 종료시키고,
    상기 현상 제어 수단은 상기 세정액의 공급이 종료되고 나서 상기 현상액의 공급을 종료시키는 것을 특징으로 하는 현상 제어 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    현상 처리가 완료한 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 상기 세정액 공급 수단으로부터 상기 세정액을 공급하여 상기 현상액을 배제하는 공정을 더 갖는 것을 특징으로 하는 현상 처리 방법.
  15. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    현상 처리가 완료한 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 상기 세정액 공급 수단에 의해 세정액을 공급시켜서 상기 현상액을 배제시키는 웨이퍼 세정 수단을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 현상 제어 장치.
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