JP2018107475A - 現像方法、現像装置、及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
前記レジスト膜から現像液膜中に溶解した成分を含む現像液を押し流して、前記現像液膜を薄くする工程と、
前記薄くなった現像液膜に、新たな現像液を供給する工程と、を含み、
鉛直軸周りに回転する基板の表面に、当該基板の径方向へ向けて現像液の供給位置を移動させながら現像液を供給して、基板の中央部側から周縁部側へ押し流される現像液の流れを形成することにより、前記現像液膜を形成する工程と、現像液膜を薄くする工程とを並行して行い、
次いで、前記現像液の供給位置の移動方向の上流側の位置から現像液を供給することにより、前記新たな現像液を供給する工程を行うことを特徴とする。
(a)前記新たな現像液を供給する工程では、現像液の供給位置を、前記現像液膜を形成する工程における現像液の供給位置の移動方向と同じ方向に移動させ、先の現像液の供給位置の移動速度よりも、後の現像液の供給位置の移動速度を遅くすること。
図1〜図5に基づいて、本発明の第1の実施形態に係る現像装置1の構成を説明する。現像装置1には、その表面にレジスト膜が形成され、所定のパターンにより当該レジスト膜を露光した後のウエハWが搬送されて処理される。図1、図2に示すように、現像装置1は基板保持部であるスピンチャック11を備えており、スピンチャック11は、ウエハWの裏面中央部に吸着して、ウエハWを水平に保持する。またスピンチャック11は、回転軸12を介して下方に設けられた回転駆動部13に接続されている。スピンチャック11、回転軸12及び回転駆動部13は、ウエハWを鉛直軸周りに回転させるための基板回転部に相当する。
また図1に示すように洗浄液ノズル45はポンプやバルブなどを備えた洗浄液供給源46に接続されている。
例えば図4に示すように、突条部317aは、円形の現像液供給面310の中心から放射状に直線状に伸びるように形成してもよい。この場合、現像液供給孔314の形成領域は、現像液供給面310の周方向に沿って扇型に分割される。また図5に示すように、突状部317bは、現像液供給面310の中心から、螺旋状に渦を巻くようにして曲線状に伸びるように形成してもよい。この場合、現像液供給孔314の形成領域は、現像液供給面310の周方向に沿って湾曲した扇型に分割される。なお、説明の便宜上、図4、図5における突条部317a、317bの配置は、パッドノズル31を上面側から見て現像液供給面310を透視した状態を示してある。
ノズル回転機構38や回転筒383は、本例のノズル回転部に相当する。
本例の現像装置1においては、既述のノズル駆動部42、スピンチャック11などからなる基板回転部、ノズル回転機構38などからなるノズル回転部により、ウエハWとノズルヘッド部3とを相対的に移動させる移動機構が構成されている。
なお既述のように、パッドノズル31は回転しながらウエハWの中央部側から周縁部側へ向けて移動し、またウエハW自体も鉛直軸周りに回転しているので、(a)点上を液溜まり30及び薄膜部302が交互に通過していく回数は、これらパッドノズル31の移動速度やウエハWの回転速度によって変化する。
以下、図11〜図25を用いて説明する各実施形態においては、図1〜図10を用いて説明したものと共通の構成要素には、これらの図で用いたものと同じ符号を付してある。
両パッドノズル31A、31Bからの現像液の吐出を停止した後は、図8を用いて説明した例と同様に現像液の液溜まり30により、レジスト膜の反応を進行させ、所定の時間経過後に、ウエハWの回転及び洗浄液の供給を実行して、現像液をウエハWから除去する。
ここでこれら図9のケース2に示したように、パッドノズル31A、31Bの一方側、または双方において、パッドノズル31A、31Bが周縁部側に向かうほど、その回転速度が高くなるように回転速度の制御を行ってもよい。
図15〜図20を用いて説明する第2の実施形態に係わる現像装置1bは、スリット形状の現像液供給孔である複数の現像液供給スリット318a、318bを備えたノズルヘッド部であるスリットノズル部31Cがアーム41の先端部に固定して設けられている点が、回転するパッドノズル31の現像液供給面310に多数の現像液供給孔314が形成された第1の実施形態に係わる現像装置1と異なる。
なおここで、窒素ガス供給スリット316aが窒素ガスを吐出する方向は、斜め後方側に向けて吐出するように設定する場合に限られるものではなく、現像液供給スリット318a、318bと同様に、下方側へ向けて窒素ガスを吐出する構成としてもよい。
本例の現像装置1bにおいては、既述のノズル駆動部42、スピンチャック11などからなる基板回転部により、ウエハWとノズルヘッド部3とを相対的に移動させる移動機構が構成されている。
スリットノズル部31Cからの現像液の供給を停止した後は、図8を用いて説明した例と同様に現像液の液溜まり30により、レジスト膜の反応を進行させ、所定の時間経過後に、ウエハWの回転及び洗浄液の供給を実行して、現像液をウエハWから除去する。
第3の実施形態に係わる現像処理では、例えば図11に示す2つのパッドノズル31A、31Bを備えた現像装置1aを用い、これらのパッドノズル31A、31Bの相対的な移動動作を利用して、現像液の液溜まり30や薄膜部302の形成を行う。現像装置1aの構成については図11に示したものと同様なので、再度の説明を省略する。
第2のパッドノズル31Bからの現像液の供給を停止した後は、図8を用いて説明した例と同様に現像液の液溜まり30により、レジスト膜の反応を進行させ、所定の時間経過後に、ウエハWの回転及び洗浄液の供給を実行して、現像液をウエハWから除去する。
さらにここで、第1のパッドノズル31Aの移動速度は、第2のパッドノズル31Bの移動速度よりも遅くすることは必須ではなく、両バッドノズル31A、31Bの移動速度を同じにしてもよい。この場合は、第1のパッドノズル31Aが第2のパッドノズル31Bに追いつかないタイミングで第2のパッドノズル31Bに遅れて、第1のパッドノズル31Aの移動を開始するとよい。
また、第2のパッドノズル31Bの移動経路を辿って第1のパッドノズル31Aが移動しながら現像液を供給して液溜まり30bを形成することも必須ではない。例えば第2のパッドノズル31Bの移動方向の上流側の位置であるウエハWの中央部に停止して現像液を供給してもよい。
図3に示すように鉛直軸周りに回転自在な状態でノズルヘッド部3に保持され、現像液供給路311がパッドノズル31の下面に直接開口するパッドノズル31を用いて現像液の供給を行い、パッドノズル31を回転させるタイミングや回転時間と、パッドノズル31の下方側に形成されるパターンのCDとの関係を調べた。なお、パッドノズル31の現像液供給面310には、現像液供給孔314や窒素ガス供給孔316は形成されていない。
A.実験条件
(参考例1−1)直径10cmのパッドノズル31を用いて、合計60秒間現像液を供給し、後半の20秒間だけパッドノズル31を回転させた。
(参考例1−2)60秒間の現像液供給期間の内、中盤の20秒間だけパッドノズル31を回転させた。
(参考例1−3)60秒間の現像液供給期間の内、前半の20秒間だけパッドノズル31を回転させた。
(参考例1−4)60秒間の現像液供給期間の内、5秒間パッドノズル31を回転させ、その後10秒間パッドノズル31の回転を停止する動作を4回繰り返した。
(参考例1−5)50秒間の現像液を供給し、その期間中パッドノズル31の回転動作を継続した。
(参考例1−6)60秒間の現像液供給期間の内、最初の1秒間だけパッドノズル31を回転させた。
(参考例1−7)60秒間の現像液供給期間の内、最初の5秒間だけパッドノズル31を回転させた。
(比較例1−1)50秒間の現像液を供給し、その期間中パッドノズル31の回転は行わなかった。
図28に、参考例1−1〜1−5、比較例1−1に係わる実験結果を示し、図29に参考例1−1、1−3、1−6〜1−7係わる実験結果を示す。各グラフにおいて、棒グラフの高さは現像されたパターンのCD[nm]を示しており、当該CDの値が小さいほど、現像処理が進行していることを示している。
1、1a、1b
現像装置
11 スピンチャック
3、3A、3B
ノズルヘッド部
30、30b
液溜まり
302 薄膜部
31、 パッドノズル
31C、31D
スリットノズル部
310 現像液供給面
316 窒素ガス供給孔
316a 窒素ガス供給スリット
318a 第1の現像液供給スリット
318b 第2の現像液供給スリット
38 ノズル回転機構
383 回転筒
前記基板を鉛直軸周りに回転させる基板回転部と、
各々、前記基板保持部に保持された基板の半径よりも短い線状に形成され、前記基板保持部に保持された基板に現像液の供給を行う第1の現像液供給孔と、前記第1の現像液供給孔に沿った方向に形成され、前記基板に現像液の供給を行う第2の現像液供給孔と、前記第1の現像液供給孔に沿った方向に形成されると共に、当該第1の現像液供給孔と第2の現像液供給孔との間に配置され、前記基板に供給された現像液を押し流す気体の供給を行う気体供給孔とを備え、前記第1の現像液供給孔が第2の現像液供給孔に対して、前記基板の回転方向に対する相対的な移動方向の前方側に位置するように、前記基板保持部に保持された基板の表面に対向して配置されたノズルヘッド部と、
前記ノズルヘッド部を基板の中央部側から周縁部側へ移動させるノズル駆動部と、
基板を回転させた状態で、前記第1、第2の現像液供給孔からの現像液の供給と、前記気体供給孔からの気体の供給とを行いながら、前記ノズルヘッド部を基板の中央部側から周縁部側へ移動させるステップと、前記ノズルヘッド部が前記基板の周縁部に到達した後、当該ノズルヘッド部の移動、前記第1の現像液供給孔からの現像液の供給、及び前記気体供給孔からの気体の供給を停止するステップと、次いで、所定時間の経過後、前記第2の現像液供給孔からの現像液の供給、及び基板の回転を停止するステップと、を実行させるように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
(a)前記気体供給孔は、前記第2の現像液供給孔が配置されている方向へ向けて斜め下方に気体を吐出するように設けられていること。
(b)前記ノズルヘッド部を2組備え、ノズルヘッド部を基板の中央部側から周縁部側へ移動させるステップでは、これらのノズルヘッド部を互いに反対の方向へ移動させること。
Claims (3)
- 露光後のレジスト膜が形成されている円形の基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板を鉛直軸周りに回転させる基板回転部と、
各々、前記基板保持部に保持された基板の半径よりも短い線状に形成され、前記基板保持部に保持された基板に現像液の供給を行う第1の現像液供給孔と、前記第1の現像液供給孔に沿った方向に形成され、前記基板に現像液の供給を行う第2の現像液供給孔と、前記第1の現像液供給孔に沿った方向に形成されると共に、当該第1の現像液供給孔と第2の現像液供給孔との間に配置され、前記基板に供給された現像液を押し流す気体の供給を行う気体供給孔とを備え、前記第1の現像液供給孔が第2の現像液供給孔に対して、前記基板の回転方向に対する相対的な移動方向の前方側に位置するように、前記基板保持部に保持された基板の表面に対向して配置されたノズルヘッド部と、
前記ノズルヘッド部を基板の中央部側から周縁部側へ移動させるノズル駆動部と、
基板を回転させた状態で、前記第1、第2の現像液供給孔からの現像液の供給と、前記気体供給孔からの気体の供給とを行いながら、前記ノズルヘッド部を基板の中央部側から周縁部側へ移動させるステップと、前記ノズルヘッド部が前記基板の周縁部に到達した後、当該ノズルヘッド部の移動、前記第1の現像液供給孔からの現像液の供給、及び前記気体供給孔からの気体の供給を停止するステップと、次いで、所定時間の経過後、前記第2の現像液供給孔からの現像液の供給、及び基板の回転を停止するステップと、を実行させるように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする現像装置。 - 前記気体供給孔は、前記第2の現像液供給孔が配置されている方向へ向けて斜め下方に気体を吐出するように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の現像装置。
- 前記ノズルヘッド部を2組備え、ノズルヘッド部を基板の中央部側から周縁部側へ移動させるステップでは、これらのノズルヘッド部を互いに反対の方向へ移動させることを特徴とする請求項1または2に記載の現像装置。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000147787A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法及び現像装置 |
JP2003077820A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
JP2006060084A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
JP2009047740A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-05 | Sokudo:Kk | 現像装置 |
WO2011114883A1 (ja) * | 2010-03-18 | 2011-09-22 | コニカミノルタオプト株式会社 | レジストパターン形成装置およびレジストパターン形成方法ならびにウエハレンズの製造方法 |
-
2018
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000147787A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法及び現像装置 |
JP2003077820A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
JP2006060084A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
JP2009047740A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-05 | Sokudo:Kk | 現像装置 |
WO2011114883A1 (ja) * | 2010-03-18 | 2011-09-22 | コニカミノルタオプト株式会社 | レジストパターン形成装置およびレジストパターン形成方法ならびにウエハレンズの製造方法 |
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