JP7372384B1 - 基板処理装置および方法 - Google Patents
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Landscapes
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
120 第1ノズル構造体
121 第1ノズル
122 第2ノズル
130 第2ノズル構造体
140 第3ノズル構造体
1000 インデックスモジュール
1100 ロードポート
1200 移送フレーム
2000 工程モジュール
2100 バッファチャンバ
2200 移送チャンバ
2300 工程チャンバ
Claims (14)
- 基板を第1回転数で回転させながら、前記基板上に有機現像液を供給する第1工程と、
前記基板を前記第1回転数より低い第2回転数で回転させながら、前記基板に非極性リンス液を供給して前記有機現像液を前記非極性リンス液に置換する第2工程と、
前記基板を前記第2回転数より高い第3回転数で回転させながら、前記非極性リンス液を供給する第3工程と、
前記基板を前記第2回転数と前記第3回転数の間の第4回転数で回転させる第4工程とを含み、
前記第1工程、前記第2工程、前記第3工程、前記第4工程の順序で実施される、基板処理方法。 - 前記基板はネガティブ感光膜が塗布された後、露光処理された状態で提供され、
前記有機現像液はn-ブチルアセテート(n-butyl acetate)である、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記非極性リンス液の蒸気圧は、前記有機現像液の蒸気圧より小さい、請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記非極性リンス液の粘度は、前記有機現像液の粘度より高い、請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記非極性リンス液はノナン(nonane)、デカン(decane)、ウンデカン(undecane)およびドデカン(dodecane)のうち少なくとも一つを含む、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記基板を第2回転数で回転させながら前記基板に非極性リンス液を供給する前に、前記基板を第2回転数で回転させながら前記基板上に有機現像液を供給することをさらに含む、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記基板を第2回転数で回転させる時間は、前記基板を第3回転数で回転させる時間より長い、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記有機現像液を供給する第1ノズルと、前記非極性リンス液を供給する第2ノズルは一つのアーム(arm)に設けられる、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記基板上に前記非極性リンス液が残留した状態で、前記基板を超臨界流体で処理するための工程チャンバに移動させることをさらに含む、請求項1に記載の基板処理方法。
- 露光処理された感光膜が形成された基板を第1回転数で回転させながら、有機現像液を供給する第1段階と、
前記基板を前記第1回転数より低い第2回転数に減速させる第2段階と、
前記基板を前記第2回転数より高い第3回転数に高め、前記有機現像液との反応により生成された感光膜反応物を除去する第3段階とを含み、
前記基板はネガティブ感光膜が塗布された後、露光処理された状態で提供され、
前記有機現像液はn-ブチルアセテート(n-butyl acetate)であり、
前記第2段階で、前記基板上にリンス液を供給して前記有機現像液を前記リンス液に置換し、
前記リンス液の蒸気圧は前記有機現像液の蒸気圧より小さいか、または前記リンス液の粘度は前記有機現像液の粘度より高い、基板処理方法。 - 基板を有機現像液で処理する第1工程チャンバと、
前記基板を超臨界流体で処理する第2工程チャンバと、
前記基板を第1工程チャンバから前記第2工程チャンバに移動させる移送ロボットとを含み、
前記第1工程チャンバは、
前記基板を第1回転数で回転させながら、前記基板上に有機現像液を供給する第1工程と、
前記基板を前記第1回転数より低い第2回転数で回転させながら、前記基板にリンス液を供給して前記有機現像液を前記リンス液に置換する第2工程と、
前記基板を前記第2回転数より高い第3回転数で回転させながら、前記リンス液を供給する第3工程と
前記基板を前記第2回転数と前記第3回転数の間の第4回転数で回転させ第4工程とを含み、
前記第1工程、前記第2工程、前記第3工程、前記第4工程の順序で実施される、基板処理装置。 - 前記第1工程チャンバは、
前記基板を第2回転数で回転させながら前記基板にリンス液を供給する前に、前記基板を第2回転数で回転させながら前記基板上に有機現像液を供給する、請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記基板を第2回転数で回転させる時間は、前記基板を第3回転数で回転させる時間より長い、請求項11に記載の基板処理装置。
- 前記有機現像液を供給する第1ノズルと、前記リンス液を供給する第2ノズルは一つのアーム(arm)に設けられる、請求項11に記載の基板処理装置。
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