KR100350333B1 - 액티브매트릭스기판및컬러액정표시장치 - Google Patents
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Abstract
적색, 녹색, 청색에 대응하는 화소 전극(12)을 구비하는 화소 영역(P11, P12, P13)은 이들 3 색을 1 단위로 하여 X 방향으로 주기적으로 배열하는 동시에 Y 방향에 있어서의 홀수단과 짝수단에서 1/2 주기만큼 떨어져서 배치하므로서 델타 배열을 구성한다. 동일한 소스선(S2)에 대해서 같은 색에 대응하는 화소 영역(P12, P22, P32)의 화소 전극(12)만을 접속하면 화소 영역(P12, P22, P32)은 화소 전극(12) 소스선 (S2)에 대해서 좌우교대로 배치된 상태로 된다. X 방향으로 각 화소 영역(P11, P12, P13, ...)의 사이에서 TFT (11), 화소 전극(12), 축적 용량(CS)의 제 1 전극부 (C1)와 제 2 전극부(C2)의 상대적 형성 위치는 동일하다. 소스선(S1, S2, S3, ...)을 따라서 Y 방향으로 병렬하는 각 화소 영역(P12, P22, P32, ...)의 사이에서는 TFT(11)와 화소 전극 (12)의 상대적인 형성 위치가 1 단마다 좌우반전하고 있는데 축적 용량(CS)의 제 1 전극부(C1)와 제 2 전극부 (C2)와의 상대적인 위치 관계는 동일하다.
Description
상기 액티브 매트릭스 기판을 사용한 컬러 액정 표시 장치의 기본적인 구조를 제 1 도에 도시한다. 제 1 도에 있어서, 기판 (10)의 표면에는, X 방향으로 연장하는 게이트선(G0, G1, G2, ...)과, Y 방향으로 연장한 소스선(S0, S1, S2, ...)과, 이들 소스선(S1, S2, S3, ...)과 게이트선(G1, G2, G3, ...)과의 교점에 대응하는 위치에 배치된 복수의 화소 전극(12)과, 각 화소 전극에 접속된 박막 트랜지스터(이하, TFT 라 한다)(11)가 형성되어 있다.
선택기간 즉, 게이트선(G1, G2, G3, ...)으로부터의 신호들에 의해서 TFT(11)가 온(ON) 상태인 기간에는, 소스선 (S1, S2, S3, ...)으로 부터 공급되는 화상 신호가, 선택기간에서 대향 기판 (20)에 형성된 공통 전극(26), 화소 전극(12) 및 그들 간극에 봉입되어 있는 액정(30)으로 구성된 액정 용량부(CLC)에 기록된다. 한편, 비선택 기간 즉, TFT(11)가 오프(OFF) 상태인 기간에는, 선택기간에 액정 용량부 CLC 에 기록된 화상 신호들이 유지된다.
여기에서, 고품질의 표시를 행하기 위해서 비선택 기간에 있어서의 축적 특성이 양호한 것이 요구된다. 그러려면, 액정 용량부 CLC 에 대해서 전기적으로 병렬로 축적 용량 CS를 두는 것이 유효하다. 축적 용량 CS 에 대해서는, 앞단의 게이트선과 화소 전극(12)과의 사이에 축적 용량 CS 를 두는 구성, 또는 별도로 형성한 축적 용량선(제 1 도에는 도시 생략)과 화소 전극(12)과의 사이에 축적 용량 CS 를 두는 구성 등이 제안되고 있다.
이와 같이해서 구성된 축적 용량 CS, 화소 전극 (12), TFT(11), 기타의 부수적인 배선 등으로 화소 영역(P11, P12, P13, ...)이 구성된다. 또한, 여기에서, 화소 영역 (P11)과 화소 영역(P31)과의 사이에는 화소 영역이 형성되어 있지 않으나 그 영역에 청색용의 화소 영역이 형성되어 있는 것이나 더미(dummy)의 화소 영역이 형성되어 있는 것도 있다.
대향 기판(20)에는 컬러 필터(21)가 형성되어 있다. 컬러 필터(21)는 일반적으로 적색 필터 R, 녹색 필터 C 및 청색 필터 B 로 이루어진다. 이들 적색 필터 R, 녹색 필터 G 및 청색 필터 B 는 그것들을 1 단위로 하여 표시 화면 내에 반복해서 배치되어 있다. 컬러 필터(21)의 배열에는 스트라이프 배열, 모자이크 배열, 또는 델타 배열이 있다. 여기에서, 제 12 도에 델타 배열의 색배열 패턴을, 제 13 도에는 모자이크 배열의 색배열 패턴의 일례를 도시한다. 이와 같은 델타 배열이나 모자이크 배열에는 각 색 요소가 표시 화면 내에 균일하게 분산하기 때문에 스트라이프 배열에 비해서 매끄러운 화상을 표시할 수 있다는 이점이 있다.
델타 배열이 사용된 액정 표시 장치로서 특공평 3-64046호 공보 제 3(A)도에 개시된 것 등이 있으며 모자이크 배열이 사용된 액정 표시 장치로서 상기 공보 제 8C - 8F 도에 개시된 것 등이 있다.
이 공보에 기재된 액정 표시 장치 중 델타 배열이 사용된 것은 제 14 도에 도시하듯이, 적색 필터 R, 녹색 필터 G, 청색 필터 B 에 대응하는 3 개의 화소 영역(P21, P22, P23)이 그것들을 1 단위로 하여 X 방향으로 주기적으로 배치되어 있다. 다만, 짝수 단의 화소열에 있어서의 화소 영역(P21, P22, P23)은 홀수단의 화소열에 있어서의 화소 영역(P11, P12, P13), 또는 화소 영역(P31, P32, P33)에 대해서 상기 1 단위의 1/2 주기에 상당하는 거리만큼 비켜서 배치되어 있다. 따라서, 홀수 단의 화소열과 짝수 단의 화소열과의 사이에는 화소 영역 (P11, P12, P13, ...)의 중심 위치가 1.5 화소 피치에 상당하는 거리만큼 좌우로 이동된 상태에 있다.
그 어느 화소 영역도 기본 구성이 같으므로, 화소 영역 (P21)을 예로 설명한다. 화소 영역(P21)에 있어서 TFT(11)의 소스 영역(111)은 소스선(S1)에 접속되며 게이트 전극(113)은 게이트선(G2)에 접속되고 드레인 영역(112)은 화소 전극(12)에 접속되어 있다.
또한, 화소 영역(P21)에는 TFT(11)의 드레인 영역(112) 및 화소 전극(12)에 전기적으로 접속된 제 1 전극부(C1)와, 앞단의 게이트선(G1)에서 Y 방향으로 이어지는 구조를 갖는 제 2 전극부(C2)가 형성되어 있다. 제 1 전극부(C1)의 재료는 통상, 도프된 실리콘막이 사용되고 있다. 제 1 전극부(C1)와 제 2 전극부(C2)는 후술하는 바와 같이, 유전체막을 사이에 두고 마주보고 배치되어 있다. 이와 같이 해서, 화소 전극(12)과 앞단의 게이트선(G1)과의 사이에 축적 용량 CS 가 형성되어 있다.
또한, 각 소스선(S1, S2, S3, ...)은 Y 방향으로 크랭크 형상으로 굴곡형성됨과 동시에, 복수의 색신호를 동일한 소스선에 적절한 타이밍으로 공급하기 위한 복잡한 색 전환회로가 필요하지 않기 때문에, 동일한 색에 대응하는 화소 영역의 화소 전극(12)만이 TFT(11)를 거쳐서 동일한 소스선에 접속되어 있다. 따라서, 동일 소스선에는 1 단마다 동일한 색에 대응하는 화소 영역이 소스선의 양측에 교대로 배치된다. 예컨대, 소스선(S2)의 경우에는, 녹색에 대응한 화소 영역(P12, P22, P32, ...)이 소스선(S2)의 양측에 교대로 배치되어 있다. 또한, 필연적으로 TFT(11)와 소스선의 위치관계도 1 단마다 반대가 된다.
그 결과, 게이트선(G1, G2, G3, ...)을 따라서 X 방향의 각 화소 영역(P11, P12, P13, ...)에 대해 TFT(11), 화소 전극(12) 및 축적 용량(CS)(제 1 전극부(C1) 및 제 2 전극부(C2))의 상대적인 위치는 동일한 한편, 소스선(C2)을 따라서 Y방향의 화소 영역(P12, P22, P32, ...)에 대해 TFT(11), 화소 전극(12)의 상대적인 형성 위치는 1 단마다 좌우 대칭의 관계로 되어 있다. 예컨대, 게이트선(G1)에 접속하는 화소 영역 (P11, P12, P13, ...)과 게이트선(G2)에 접속하는 화소 영역(P21, P22, P23, ...)를 비교하면 TFT(111), 화소 전극(12) 및 축적 용량 CS 의 상대적인 위치관계는 수평적으로 좌우대칭으로 되어 있다.
이와 같은 구성의 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법을 제 15 도를 참조해서간단하게 설명한다. 제 15A 내지 15C 도는 각각 제 14 도의 I-I' 단면도 II-II' 단면도, III-III' 단면도이다.
제 15A 도에 있어서, 우선 기판(10)의 위에 다결정 실리콘 박막을 형성한 후, 포토리소그래피 기술에 따라 패턴함으로써, TFT(11)의 능동 영역과 축적 용량 CS 의 제 1 전극부(C1)를 구성하는 다결정 실리콘 박막(110)이 형성된다.
다음으로, 다결정 실리콘막(110)의 열산화에 의해서 게이트 산화막(114)과 축적 용량 CS 의 유전체막(C3)이 형성된다. 다음으로, 축적 용량 CS 를 구성하기 위하여 다결정 실리콘막(110)에 대해서만 불순물을 선택적으로 도프하고 축적 용량 CS 의 제 1 전극부(C1)를 형성한다.
계속해서, 축적 용량 CS의 게이트 전극(113)과 제 2 전극 C2는 포토리소그래피 기술에 의하여 도프된 다결정 실리콘 박막으로 형성된다. 이 단계에서 화소영역(P21) 에서 게이트 전극(113)과 게이트선(G2)이 전기적으로 접속되며 제 2 전극부(C2)와 전단의 게이트선(G1)이 전기적으로 접속된 상태로 된다.
다음으로, 게이트 전극(113)을 마스크로서 이온을 주입함으로서, 소스 영역(111) 및 드레인 영역(112)이 형성된다. 다음으로, 층간 절연막(115)이 형성된 후, 그 안에 스루홀(through-hole)이 형성된다.
그런 후에, 소스 단자(118) 및 드레인 단자(119)는 소스 영역(111) 및 드레인 영역(112)과 각각 전기적으로 접속한다. 여기에서, 소스 단자(118)는 소스선(S1)에 전기적으로 접속되고 드레인 단자(119)는 화소 전극(12)에 전기적으로 접속된다.
이와 같이 해서, 화소 영역(P21)에 TFT(11)와 축적 용량 CS 를 형성되는 동시에, 제 15B, 15C도에 도시하듯이 화소 영역(P11, P12, P22)에도 축적 용량 CS 가 형성된다.
그러나, 제 14 도에 도시하는 패턴을 사용한 경우에는, 포토리소그래피 기술에 의해서 기판(10)의 위에 각 구성 부분을 형성할 때에 수평 방향을 따라(X 방향)정렬되지 않으면, 예컨대, 소스선(S2)을 따라서 Y 방향으로 각 화소 영역 (P12, P22, P32, ...)에서 구조 파라미터가 일단마다 변한다.
즉, 제 16 도에 있어서, TFT(11) 및 축적 용량 CS의 제 1 전극부(C1)를 형성하기 위한 하층 측의 다결정 실리콘막의 형성 패턴(A1)과 게이트선(G1, G2, G3, ...), 게이트 전극(113) 및 축적 용량의 CS의 제 2 전극부 C2를 형성하기 위한 상층 측의 다결정 실리콘막의 형성 패턴(A2)의 중첩된 부분을 축적 용량 CS 의 대향 부분(C0)로써 사선으로 패턴될 때, 하층 측의 다결정 실리콘막의 형성 패턴 (A1)과 상층 측의 다결정 실리콘막의 형성 패턴(A2)과의 사이에서 정렬되지 않으면, 게이트선(G1, G3, ...)에 의해 선택되는 홀수 단의 화소 영역(P11, P12, ..., P31, P32, ...)의 축적 용량 CS(홀수)(이들의 축적 용량은 게이트선(G0, G2, ...)에 접속되어 있다)와 게이트선(G2, G4, ...)에 의해 선택되는 화소 영역(P21, P22, ...)의 축적 용량 CS(짝수)(이들의 유지 용량의 콘덴서는 게이트선(G1, G3, ...)에 접속되고 있다)와의 사이에 사선으로 패턴된 대향 부분 C0 의 면적이 변동한다.
제 16 도에는, 좌우 방향으로 정렬되어 있는 이상적인 경우가 도시되어 있기 때문에, 축적 용량 CS(ODD;홀수)의 용량값과 축적 용량 CS(EVEN;짝수)의 용량값은동일하다.
그러나, 좌우방향으로 정렬되지 않는 경우에, 축적 용량 CS(홀수)의 용량값과 축적 용량 CS(짝수)의 용량값은 다른 값을 갖는다. 예컨대, 하층 측의 다결정 실리콘 박막의 형성 패턴(A1)이 상층 측의 다결정 실리콘 박막의 형성 패턴(A2)으로부터 화살표 R 의 방향으로 옮겨지면 축적 용량 CS(홀수)의 용량값은 증가하는 반면, 축적 용량 CS(짝수)의 값은 감소한다.
그 결과, N 형의 TFT 를 사용한 경우에는, 홀수 단의 게이트선(G1, G3, ...)의 최적 LC 공통 전압은 짝수 단의 게이트선(G2, ...)의 최적 LC 공통 전압보다 높아지며, 최적 LC 공통 전압에 차가 발생하고 각각의 게이트선에서 플리커가 발생한다는 문제가 생긴다.
이와 같은 문제점을 해소하기 위해서, 본 발명의 목적은 축적 용량을 구성하는 각 전극부의 형성 패턴을 개량함으로서, 각 화소 영역의 화소 전극이 1 단마다 좌우 반대측에서 동일 소스선과 교대로 접속하는 경우에도 플리커가 없는 액티브 매트릭스 기판을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 이와 같이 구성된 액티브 매트릭스 기판을 사용한 고품질 컬러 액정 표시 장치를 제공하는데 있다.
<발명의 개시>
이와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제 1 측면에 따라,
제 1 방향으로 연장하는 복수의 게이트선들과,
제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장하는 복수의 소스선들과,
상기 소스선들 중 하나와 전기적으로 접속되는 소스 영역을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터들과,
상기 박막 트랜지스터들 중의 하나의 드레인 영역과 전기적으로 각각 접속되는 복수의 화소 전극들과,
상기 화소 전극들의 하나와 전기적으로 접속된 제 1 전극과 상기 게이트선들 중 하나에 인접한 상기 게이트선들의 다른 하나와 전기적으로 접속된 제 2 전극을 포함하는, 제 2 방향을 따라 배치된 복수의 축적 용량들을 포함하고,
제 2 방향으로 서로 인접한 상기 축적 용량들은 상기 화소 전극들의 동일한 측면을 따라 위치하고, 상기 축적 용량들은 소스선과 겹치도록 배치되어 있는, 액티브 매트릭스 기판이 제공된다.
본 발명의 제 2 측면에 따라서,
제 1 방향으로 연장하는 복수의 게이트선들과,
제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장하는 복수의 소스선들과,
상기 소스선들 중 하나와 전기적으로 접속되는 소스 영역을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터들과,
상기 박막 트랜지스터들중 하나의 드레인과 전기적으로 각각 접속되는 복수의 화소 전극들과,
상기 화소 전극들 중 하나와 전기적으로 접속된 제 1 전극과 상기 게이트선들 중 하나에 인접한 상기 게이트선들의 다른 하나와 전기적으로 접속된 제 2 전극을 포함하고, 제 2 방향을 따라 배치되거나 또는 상기 소스선들을 따라 배치된 복수의 축적 용량들과,
제 1 방향으로 주기적으로 배열된 단위 주기를 갖는 상기 3색의 컬러 필터들의 한 단위 세트를 포함하고, 제 2 방향으로 상기 제 1 컬러 필터열에 인접한 제 2 컬러 필터열과, 제 1 방향으로 주기적으로 배열되며, 상기 화소 전극들 중 대응전극과 결합되고 3색 중 하나이고, 단위 주기를 결정하는 컬러 필터열의 한 단위 주기 세트를 포함하는 제 1 컬러 필터열을 포함하고,
제 2 방향으로 서로 인접한 축적 용량들은 상기 화소 전극들의 동일한 측면을 따라 위치하고, 상기 축적 용량들은 소스선과 겹치도록 배치되며,
상기 제 1 컬러 필터열과 상기 제 2 필터열은 1/2 단위 주기에 상당하는 거리만큼 제 1 방향으로 서로 떨어져 있고,
상기 각 소스선들은 상기 3색들 중 선택된 한 색을 갖는 컬러 필터에 대응하는 화소 전극들만을 갖는 상기 박막 트랜지스터들 중의 하나와 접속되는 컬러 액정 표시 장치가 제공된다.
그리고, 박막 트랜지스터를 거쳐서 동일 소스선과 전기적으로 접속된 복수의 화소 전극중, Y 방향으로 서로 인접하는 화소 전극들은 상기 동일 소스선을 끼고 반대측에 위치하게 배치하는 한편, 인접하는 축적 용량선에 전기적으로 접속된 축적 용량은 상기 제 2 전극부에 대한 상기 제 1 전극부의 동일한 상대적인 형성 위치를 갖는다.
이와 같이 구성한 액티브 매트릭스 기판에서, Y 방향으로 서로 인접하는 축적 용량들 사이에서, 상기 제 2 전극부에 대한 상기 제 1 전극부의 상대적인 형성위치가 동일하기 때문에, 각 구성 부분을 포토리소그래피 기술을 써서 형성할때 정렬이 되지 않더라도 축적 용량들의 제 1 전극부와 제 2 전극부와의 대향 면적에 차가 발생하지 않고, 그것들의 축적 용량의 용량값을 균일하게 할 수 있다.
따라서, 액정 표시 장치에 위와 같이 구성된 액티브 매트릭스 기판을 사용함으로서, 인접하는 축적 용량사이에서 축적 용량값이 차이로 인해 야기되는 게이트선들 각각에서 플리커의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명에 따라, 상기의 액티브 매트릭스 기판을 사용하여 델타 배열의 컬러 액정 표시 장치를 구성하기 위하여, 화소 전극에 대응하여 형성된 적색, 녹색, 청색의 3 색의 컬러 필터가 상기의 3 색을 1 단위로 해서 X 방향으로 주기적으로 배열된 제 1 컬러 필터열과, 이 제 1 컬러 필터열이 Y 방향으로 인접하고 상기의 3색을 1 단위로 하여 X 방향으로 주기적으로 배열된 제 2 컬러 필터열을 둔다. 그리고, 제 1 컬러 필터열과 제 2 컬러 필터열을 상기의 1 단위 주기의 1/2 주기에 상당하는 거리만큼 X 방향으로 서로 떨어져 배치되는 동일한 컬러에 대응하는 화소전극들만이 동일한 소스선에 접속된다.
본 발명에 따라, 상기의 액티브 매트릭스 기판을 사용하는 모자이크 배열에 따라 컬러 액정 표시 장치를 구성하기 위하여 델타 배열의 경우와는 다른 제 1 컬러 필터열과 제 2 컬러 필터열이 상기의 1 단위 주기의 1/3 주기에 상당하는 거리만큼 X 방향으로 서로 떨어져 배치되고, 동시에 동일 색상의 컬러 필터에 대응하는 화소 전극들만이 동일한 소스선과 접속된다.
본 발명은 액정 표시 장치에 사용되는 액티브 매트릭스 기판의 소자 구조, 특히 축적 용량(a storage capacitor)의 구조에 관한 것이다.
또한, 상기 액티브 매트릭스 기판을 사용한 컬러 액정 표시 장치의 구조에 관한 것이다.
제 1 도는 액티브 매트릭스 기판을 사용하는 컬러 액정 표시 장치의 기본 구조를 도시하는 도면.
제 2 도는 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 사용된 액티브 매트릭스 기판의 각 구성 부분의 형성 패턴을 도시하는 평면도.
제 3 도는 제 2 도에 도시된 형성 패턴의 개략도.
제 4A 도는 IV-IV' 선을 따라 취한 제 2 도의 단면도이고, 제 4B 도는 V-V' 선을 따라 자른 제 2 도의 단면도이고, 제 4C 도는 VI-VI' 선을 따라 취한 제 2 도의 단면도.
제 5 도는 제 2 도에 도시된 액티브 매트릭스 기판에 있어서 기판 표면에 축적 용량의 2 개의 전극부를 형성하는 각 실리콘막의 형성 패턴을 개략적으로 도시하는 평면도.
제 6 도는 제 2 실시예에서 따른 액정 표시 장치에 사용된 액티브 매트릭스 기판의 각 구성 부분의 형성 패턴을 도시하는 평면도.
제 7 도는 제 6 도에 도시된 액티브 매트릭스 기판에 있어서 기판 표면에 축적 용량의 2 개의 전극부를 구성하는 각 실리콘막의 형성 패턴을 개략적으로 도시하는 평면도.
제 8 도는 제 3 실시예에 따른 액정 표시 장치에 사용된 액티브 매트릭스 기판의 TFT 로서 사용된 역-스태거형(reverse-stagger-type)의 TFT 의 단면도.
제 9 도는 제 3 실시예에 따른 액정 표시 장치에 사용된 액티브 매트릭스 기판의 각 구성 부분의 형성 패턴을 도시하는 평면도.
제 10 도는 제 9 도에 도시된 액티브 매트릭스 기판에서 기판 표면에 축적 용량의 2 개의 전극부를 형성하는 탄탈륨막 및 ITO 막의 형성 패턴을 개략적으로 도시하는 평면도.
제 11 도는 제 4 실시예에서 따른 액정 표시 장치에 있어서 사용된 액티브 매트릭스 기판의 각 구성 부분의 형성 패턴을 도시하는 평면도.
제 12 도는 델타 배열에 따른 색 배열 패턴을 도시하는 도면.
제 13 도는 모자이크 배열에 따른 색 배열 패턴의 일례를 도시하는 도면.
제 14 도는 종래의 액정 표시 장치에서 사용된 액티브 매트릭스 기판의 각 구성 부분의 형성 패턴을 도시하는 평면도.
제 15 A 도는 I-I' 선을 따라 취한 제 14 도의 단면도, 제 15B 도는 II-II' 선을 따라 취한 제 14 도의 단면도, 제 15C 도는 III-III' 선을 따라 취한 제 14 도의 단면도.
제 16 도는 제 14 도에 도시된 액티브 매트릭스 기판에서 기판 표면에 축적 용량의 2 개의 전극부를 형성하는 각 실리콘막의 형성 패턴을 개략적으로 도시하는 평면도.
[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]
제 1 실시예
제 1 도는 액티브 매트릭스 기판을 사용한 컬러 액정 표시 장치의 기본 구조를 도시한다. 제 2 도는 본 실시예의 액정 표시 장치에 사용된 액티브 매트릭스 기판의 각 구성 부분의 형성 패턴을 도시하는 평면도이다. 본 실시예의 액티브 매트릭스 기판은 종래의 액티브 매트릭스 기판과 화소 영역 내에 있어서의 각 구성 부분의 형성 패턴을 제외하고 기타의 부분은 유사하므로, 공통 기능을 갖는 구성 부분들의 상세한 설명은 구성 요소들 각각에 동일한 부호를 부가함으로써 생략한다.
제 1 도에 있어서 본 실시예의 컬러 액정 표시 장치는 액티브 매트릭스 기판을 구성하는 투명한 기판(10)의 표면에 X 방향으로 연장하는 게이트선(G0, G1, G2, ...)과 Y 방향으로 연장하는 소스선(S1, S2, S3, ...)과의 교점에 대응해서 화소 영역(P11, P12, P13, ...)을 갖는다. 각 화소 영역(P11, P12, P13, ...)에서, 투명한 화소 전극(12)은 TFT(11)를 거쳐서 소스선(S1, S2, S3, ...)과 접속된다. 그리고, 게이트선(G1, G2, G3, ...)에서의 신호에 의해서 TFT(11)가 온 상태인 기간(선택기간)에는 소스선들(S1, S2, S3, ...)에 의해 제공되는 화상 신호들은 액정 용량부 CLC에 기록된다. 한편, TFT(11)가 오프 상태인 기간(비선택기간)에는 선택기간에 액정 용량부 CLC 에 기록된 화상 신호들이 유지된다.
여기에서, 고품질의 표시를 행하기 위해서, 비선택 기간에 있어서의 축적 특성이 양호한 것이 요구된다. 그래서, 게이트선 (G0, G1, G2, ...)중, 앞단의 게이트선과 화소 전극(12)과의 사이에는 축적 용량 CS 가 제공되어 있다. 게이트선(G0, G1, G2, ...)중, 게이트선(G0)은 실질적으로는 전용의 용량선이다. 왜냐하면, TFT(11)의 게이트 전극은 게이트선(G0)과 접속되지 않기 때문이다.
또한, 기판(10) 및 대향 기판(20)의 외측에는 편광판(41, 42)이 배치되어 있다.
대향 기판(20)에는 컬러 필터(21)가 형성되어 있다. 상기 컬러 필터(21)는일반적으로, 적색 필터 R, 녹색 필터 G, 청색 필터 B 로 이루어진다. 각 화소 영역(P11, P12, P13, ...)의 화소 전극(12)은 각각 이들 3 색을 구성하는 컬러 필터(21)에 대응해서 배치되어 있다. 본 실시예의 컬러 필터(21)의 배열은 델타 배열(제 12 도)이다. 즉, 대향 기판(20)에서 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 3 색의 컬러 필터가 이들 3 색을 1 단위로 하여 X 방향으로 주기적으로 배열된 제 1 컬러 필터열 F1(홀수단의 컬러 필터열)과 이 컬러 필터열에 Y 방향으로 인접하고 상기의 3색을 1 단위로 하여 X 방향으로 주기적으로 배열된 제 2 컬러 필터열(F2)(짝수단의 컬러 필터열)을 갖고, 제 1 컬러 필터열(F1)과 제 2 컬러 필터열(F2)은 X 방향으로 상기의 1 단위 주기의 1/2 주기에 상당하는 거리만큼 떨어져 있다. 이와 같이 구성된 델타 배열에서, 각 색 요소가 화면 내에서 균일하게 분산되어 있으므로 섬세한 화상 품질이 요구되는 영상 표시용으로 특히 적합하다.
이렇게 구성된 컬러 필터의 배열에 대응해서, 액티브 매트릭스 기판 상에서, 제 2 도 및 제 3 도에 도시된 것처럼, 적색 필터 R, 녹색 필터 G, 청색 필터 B 에 대응하는 3 개의 화소 영역 (P11, P12, P13)을 그것을 1 단위로 하여 X 방향에 주기적으로 배치되고, 이에 제 1 화소열(홀수단의 화소열)이 형성된다.
또한, Y 방향에 있어서, 제 1 화소열과 인접하는 제 2 화소열(짝수단의 화소열)에서 동일한 1 단위에 대응하는 화소 영역(P21, P22, P23)이 X 방향에서 제 1 화소열로부터 1/2 주기에 상당하는 거리만큼 떨어져 배치된다. 또한, Y 방향에서 제 2 화소열에 인접하는 화소열(홀수단의 화소열)에서, 동일한 1 단위에 대응하는 화소 영역(P31, P32, P33)은 화소 영역(P21, P22, P23)에 대해서 반대방향으로 1/2주기에 상당하는 거리만큼 떨어져 배치되어 있다. 따라서, 화소 영역(P31, P32, P33)을 포함하는 화소열은 화소 영역(P11, P12, P13)을 포함하는 화소열을 Y 방향으로 그대로 이동시킨 상태에 있다. 결과적으로, 각 화소 영역(P11, P12, P13, ...)의 중심 위치는 Y 방향에 있어서 1.5 화소 피치만큼 1 단 마다 좌우교대로 이동되어 배치된다.
각 소스선(S1, S2, S3, ...)은 구불어져 Y 방향으로 연장되고 있다. 동일한 색상에 대응하는 픽셀만이 동일한 소스선에 접속된다. 따라서, 동일 소스선이 적색, 녹색, 청색중의 어느 한색을 표시하기 위한 신호들만을 공급하기에 충분하다. 또한, 본 실시예에서 Y방향으로 구불어지면서 연장된 소스선이 사용되었고 Y방향으로 곡선 상으로 Y 방향으로 구불어지면서 연장된 소스선을 사용해도 좋다.
그 어느 화소 영역도 기본 구조가 같으므로, 화소 영역(P21)을 예로 설명한다. 제 2 도에서 알 수 있듯이, TFT (11)의 게이트 전극(113)은 게이트선(G2)에 접속되며, 소스 영역 (111)은 소스선(S1)에 접속되고, 드레인 영역(112)은 화소 전극(12)에 접속되어 있다. 화소 영역(P21)은 드레인 영역(112)과 화소 영역(12)이 전기적으로 접속된 제 1 전극부(C1)를 갖고, 제 1 전극부(C1)는 도프된 실리콘막으로 형성되어 있다. 또한, 화소 영역(P21)은 앞단의 게이트선(G1)에서 Y 방향으로 연장된 제 2 전극부(C2)를 갖는다.
제 1 전극부(C1)와 제 2 전극부(C2)는 유전체막을 거쳐서 대향되고, 앞단의 게이트선(G2)과 화소 전극 (12)과의 사이에 축적 용량 CS 가 형성되어 있다.
이와 같이 구성된 액티브 매트릭스 기판 상에는 화소 영역(P11, P12, P13,...)중 델타 배열에 따른 각 컬러 필터(21)의 동일한 색에 대응하는 화소 영역의 화소 전극(12)만이 구불어진 소스선들(S1, S2, S3,...)과 접속되어 있다. 따라서, 녹색(G)에 대응하는 화소 영역 (P12, P22, P32, ...)의 화소 전극(12)은 동일 소스선(S2)과 Y 방향으로 좌우 교대로 접속되어 있다. 다른 소스선(S1, S3, ...)에서도 마찬가지다.
여기에서, 게이트선(G1)을 따라서 X 방향으로 각 화소 영역(P11, P12, P13, ...)의 사이에서, TFT(11), 화소 전극(12) 및 축적 용량 CS(제 1 전극부 C1 및 제 2 전극부 C2)의 상대적인 형성 위치는 동일하다. 또한, 게이트선(G2)을 따라서 X 방향으로 각 화소 영역(P21, P22, P23, ...)의 사이에서도 TFT(11), 화소 전극(12) 및 축적 용량 CS(제 1 전극부 C1 및 제 2 전극부 C2)의 상대적인 형성 위치가 동일하다.
Y 방향으로 소스선(S2)을 따라서 화소 영역(P12, P22, P32, ...)의 사이에서는 TFT(11) 및 화소 전극(12)의 상대적인 형성 위치가 1 단마다 좌우 반전하는 패턴으로 되어 있다. 즉, 게이트선(G1)에 접속하는 홀수 단의 화소 영역(P11, P12, P13, ...)과 게이트선(G2)에 접속하는 짝수 단의 화소 영역 (P21, P22, P23, ...)과의 사이에서는 TFT(11) 및 화소 전극(12)의 형성 패턴이 좌우 대칭으로 되어 있다.
그러나, 축적 용량 CS는 어느 화소 영역에 있어서도 동일한 상대적 위치에 형성되어 있다. 즉, 화소 영역에 있어서의 축적 용량 CS 의 상대적 위치는 Y 방향으로 서로 인접하는 축적 용량 CS 사이에서 동일하다.
또한, 축적 용량 CS 의 제 1 전극부(C1)와 앞단의 게이트선(G0, C1, G2, ...)에서 튀어나온 제 2 전극부(C2) 사이에 있어서의 상대적인 위치 관계는 각 화소 영역(P12, P22, P32, ...)의 사이에서 X 방향 또는 Y 방향과 동일하다.
예컨대, 게이트선(G1)에 접속하는 화소 영역(P12)에서 인접한 소스선(S1)이 지나는 영역에 축적 용량 콘덴서 CS 가 형성되어 있다. 마찬가지로, 게이트선(G3)에 접속하는 화소 영역(P32)에서도 인접한 소스선(S1)이 통하는 영역에 축적 용량 CS 가 형성되어 있다. 따라서 게이트선(G1, G3)에 접속하는 어느 화소 영역(P11, P12, ..., P31, P32, ...)에서도 축적 용량 CS 의 제 1 전극부(C1)는 TFT(11)의 드레인 영역(112)과의 접속 위치에서 화소 전극(12)의 좌측 영역에까지 그대로 연장되어 있으며, 그 좌측 영역에 있어서 인접한 게이트선 (G0, G2)에서 튀어나온 제 2 전극부(C2)에 중첩되고 있다.
이에 대해서, 게이트선(42)에 접속하는 화소 영역(P22)에서 화소 영역(P22)자체가 접속하는 소스선(S2)이 지나는 영역에 축적 용량 CS 가 형성되어 있다. 따라서, 게이트선(G2)에 접속하는 어느 화소 영역(P21, P22, ...)에서도 축적 용량 CS 의 제 1 전극부(C1)는 TFT(11)의 드레인 영역 (112)과의 접속 위치에서 소스 영역(111)으로 향해서 일단 되돌리고 소스 영역(111)부근부터는 홀수 단의 화소 영역(P11, P12, ..., P31, P32, ...)과 마찬가지로 화소 전극(12)의 좌측 영역으로까지 연장되고 있다. 그리고, 이 좌측 영역에 있어서 인접한 게이트선(G1)으로부터 튀어나온 제 2 전극부(G2)에 중첩되어 있다(제 3 도).
이와 같은 구성의 액티브 매트릭스 기판 제조 방법을 제 4 도를 참조해서 설명한다. 제 4A, B, C 도는 각각 제 2 도의 IV-IV' 단면도, V-V' 단면도, VI-VI' 단면도이다.
제 4A 도에 있어서, 우선, 포토리소그래피 기술에 의해 석영 유리로 이루어진 기판(10)위에 TFT(11)의 능동 영역과 축적 용량 CS 의 제 1 전극부(C1)를 형성하기 위한 다결정 실리콘 박막(10)을 형성한다.
다음으로, 다결정 실리콘막(110)의 열산화에 의해 게이트 산화막(114)과 축적 용량 CS 의 절연막(C3)을 형성한다.
다음으로, 축적 용량 CS 를 형성하기 위한 다결정 실리콘막(110)에 대해서만 불순물을 선택적으로 도핑함으로서 축적 용량 CS 의 제 1 전극부(C1)를 형성한다.
계속해서, 포토리소그래피 기술에 의해서 게이트 전극(113)과 축적 용량(CS)의 제 2 전극부(C2)를 다결정의 도핑된 실리콘 박막으로 형성한다. 이 상태에서 화소 영역 (P21)에서는 게이트 전극(113)이 게이트선(G2)에 접속되고, 제 2 전극부(C2)가 인접한 게이트선(G1)에 전기적으로 접속된 상태에 있다.
다음으로, 게이트 전극(113)을 마스크로 하여 이온을 주입함으로서 소스 영역(111) 및 드레인 영역(112)을 형성한다. 다음에, 층간 절연막(115)이 형성된 후, 그것에 스루홀이 형성된다.
그런 후에, 소스 단자(118) 및 드레인 단자(119)는 소스 영역(111) 및 드레인 영역(112)과 각각 전기적으로 접속한다. 여기에서, 소스 단자(118)는 소스선(S1)에 전기적으로 접속되고, 드레인 단자(119)는 화소 전극(12)에 전기적으로 접속된다.
이와 같이 해서, 화소 영역(P21)에 TFT(11)와 축적 용량 CS를 형성되고, 제 4B, C 도에서 도시되었듯이, 화소 영역(P11, P12, P22)에도 축적 용량 CS가 형성된다.
이와 같은 제조 방법에 있어서, 포토리소그래피 기술에 의해서 기판(10)위에 각 구성 부분이 형성되고, 좌우방향(X 방향)에 패턴 마스크가 정렬되지 않더라도 본 실시예에서 각 화소 영역(P11, P12, P13, ...)에 있어서 구조 파라미터는 각단마다 변화되지 않는다. 즉, 제 5 도에 있어서 TFT(11) 및 축적 용량 CS 의 제 1 전극부(C1)를 형성하기 위한 하층 측의 다결정 실리콘막의 형성 패턴(A3)과 게이트선(G1, G2, G3, ...) 게이트 전극(113) 및 축적 용량 CS 의 제 2 전극부(C2)를 형성하기 위한 상층 측의 다결정 실리콘막의 형성 패턴(A4)과의 중첩 부분은 축적 용량 CS 의 대향 부분 C0 로하여 사선으로 나타내었을 때, 다결정 실리콘막의 형성패턴(A3)과 다결정 실리콘막의 형성 패턴(A4)과의 사이에서 X 방향으로 정렬되지 않더라도 게이트선(G1, G3, ...)에 접속하는 화소 영역(P11, P12, ..., P31, P32, ...)(홀수 단의 화소 영역)의 축적 용량 CS (홀수)(이들 축적 용량은 게이트선(G0, G2, G3, ...)에 접속되어 있다)와 게이트선(G2, ...)에 접속하는 화소 영역(P21, P22, ...)(짝수단의 화소 영역)의 축적 용량 CS(짝수) (이들 축적 용량은 게이트선(G1, G3, G5, ...)에 접속되어 있다)와의 사이에서 대향 부분 C0 의 면적이 변동되지 않는다.
예컨대, 다결정 실리콘 박막의 형성 패턴(A3)이 다결정 실리콘 박막의 형성 패턴(A4)으로부터 화살표 R 의 방향으로 약간 떨어져 있어도 홀수단의 화소영역(P11, P12, P31, P32, ...) 및 짝수단의 화소 영역(P21, P22, ...)의 둘 다에 있어서 각 축적 용량 CS 에 있어서의 제 1 전극부(C1)와 제 2 전극부(C2)와의 대향 부분(C0)의 면적은 커질 뿐이다.
즉, 다결정 실리콘 박막의 형성 패턴(A3)이 화살표 L 방향으로 다결정 실리콘 박막의 형성 패턴(A4)로부터 약간 이동된다면, 결과는 제 1 전극(C1) 및 제 2 전극(C2)의 대향 부분(C0)의 영역이 홀수 단에서 화소 영역(P11,P12,…P13,P32)와 짝수 째에서 화소 영역(P21,P22,…)의 둘 다에 있어서 각각의 축적 용량들 CS 증가할 뿐이다.
완벽한 정렬이 다소 상하 방향(Y 방향)으로 이루어지지 않아도 각 축적 용량 CS 에 있어서의 제 1 전극부(C1)와 제 2 전극부(C2)와의 대향 부분 C0 의 면적은 변화하지 않는다.
이와 같이 본 실시예의 액티브 매트릭스 기판에서 다결정 실리콘막의 형성 패턴(A3)과 다결정 실리콘막의 형성 패턴 (A4)과의 사이에서 정렬이 좌우방향(X 방향) 또는 상하 방향(Y 방향)으로 이루어지지 않아도 각 화소 영역(P11, P12, ..., P21, P22, ..., P31, P32, ...)의 사이에서 각 축적 용량 CS 의 용량값이 항상 동일하므로 홀수 단의 게이트선(G1, G3, ...)의 최적 LC 공통 전압과 짝수 단의 게이트선(G2, ...)의 최적 LC 공통 전압은 항상 동일하다. 그러므로, 전체적으로 최적 LC 공통 전압을 설정할 수 있으므로, 게이트선 단위에서의 플리커를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시예에서 소스선(S1, S2, S3)을 따라서 Y 방향의 화소 영역(P11,P12, P13, ...)의 사이에 있어서, TFT(11) 및 화소 전극(12)의 상대적인 형성 위치를 일단마다 좌우 반전시킬 뿐 축적 용량 CS 를 형성하기 위한 제 1 전극부 C1 의 형성 위치 및 형상은 상이하다. 따라서, 제 1 전극부(C1)와 제 2 전극부 (C2)와의 상대적인 위치 관계를 최적화하는 것만으로 제 1 전극부(C1) 및 제 2 전극부(C2)를 형성할 때에 정렬이 되지 않더라도 플리커 발생을 방지하는 것이 가능하다. 그러므로, 각 구성 부분의 형성 영역이나 크기에 제한이 있는 경우에도 적용되므로 고세밀 및 고밀도의 액정 표시 장치를 실현할 때 특히 유리하다.
또한, 홀수 단의 게이트선(G1, G3, ...)에 대응하는 화소 영역(P1, P2, ...)과 짝수 단의 게이트선(G2, ...)에 대응하는 화소 영역(P21, P22, ...)과의 사이에 있어서 제 1 전극부(C1)이외의 구성 부분의 패턴은 실질적으로 동일하다. 따라서, 대향 기판(20)과 액티브 매트릭스 기판상의 정렬이 이루어지지 않아도 홀수 단의 게이트선(G1, G3, ...)에 대응하는 화소 영역(P11, P12, ...)과의 짝수 단에서 게이트선 (G2, …)에 대응하는 화소 영역들(P21,P22,…)사이에 개구율의 차는 경감되며 고르지 못한 횡선을 방지할 수 있다.
제 2 실시예
제 6 도는 본 실시예의 액정 표시 장치의 액티브 매트릭스 기판의 각 구성 부분의 형성 패턴을 도시하는 평면도이다. 또한, 본 실시예의 액티브 매트릭스 기판은 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스 기판과 축적 용량의 부분만이 상이하고 대응하는 기능을 갖는 구성 부분에는 같은 부호를 부가하고 있다.
제 1 실시예에서 각 축적 용량 CS 의 제 2 전극부(C2)를 형성하는데 앞단의게이트선이 사용되는 구조이고, 본 실시예에서 정전위의 축적 용량선(CM1, CM2, CM3, ...)이 게이트선(G1, G2, G3, ...)과 X 방향으로 연장된 상태로 형성되고 축적 용량 CS 는 축적 용량선(CM1, CM2, CM3, ...)을 사용해서 제 2 전극부(C2)를 구성하고 있다.
또한, 본 실시예의 액정 표시 장치에서도 제 1 실시예와 마찬가지로 적색, 녹색, 청색에 대응하는 3 개 각 화소 영역(P21, P22, P23)이 그것들을 1 단위로서 X 방향으로 위치하고 있다. 또한, Y 방향으로 서로 인접한 화소열에서도, 마찬가지로 1 단위에 상당하는 화소 영역(P11, P12, P13) 및 화소 영역(P31, P32, P33)이 좌우 교대로 1/2 주기만큼 떨어져 배치되어 있다.
여기에서, 각 소스선(S1, S2, S3, ...)은 구부러진다. 또한, 동일한 색에 대응하는 화소 영역의 화소 전극만이 동일한 소스선과 접속된다. 따라서, 동일 소스선이 적색, 녹색, 청색중의 어느 한 색의 표시를 행하는 것은 충분하다.
또한, 각 화소 영역은 동일한 기본 구조를 가짐으로써, 화소 영역(P21)을 예로 설명하면 화소 영역(P21)에는 드레인 영역(112) 및 화소 전극(12)에 전기적으로 접속되는 도핑된 실리콘 막으로 이루어지는 제 1 전극부(1)가 형성되고, 축적 용량선 (CM2)에서는 Y 방향으로 연장하는 제 2 전극부(C2)를 형성한다. 제 1 전극부(C1)와 제 2 전극부(C2)는 유전체막을 거쳐서 마주보고 있으며 화소 영역(P21)에서 화소 전극(12)과 축적 용량선(CM2)과의 사이에 축적 용량 CS가 구성되어 있다.
이와 같이 구성된 액티브 매트릭스 기판에서 델타 배열에 따른 각 컬러필터(21)의 동일한 색에 대응하는 화소 영역(P11, P12, P13, ...)의 화소 전극(12)만이 구부러진 소스선들과 접속되고, 화소 영역(P12, P22, P32)의 화소 전극(12)은 동일한 소스선(S2)과 좌우 교대로 접속된다. 기타의 소스선(S1, S3, ...)에서도 마찬가지다.
따라서, 제 1 실시예와 마찬가지로, X 방향으로의 각 화소 영역(P11, P12, P13, ...)의 사이에는 TFT(11), 화소 전극(12) 및 축적 용량CS(제 1 전극부(C1) 및 제 2 전극부(C2))의 상대적인 형성 위치가 동일한 한편, Y 방향으로, 화소 영역(P12, P22, P32, ...)에 있어서의 TFT(11) 및 화소 전극(12)의 상대적인 형성 위치가 각단마다 좌우 반전되어 있다.
그러나, 축적 용량 CS는 어느 화소 영역에 있어서도 동일한 상대적 위치에 형성된다. 즉, 축적 용량 CS의 상대적 위치는 Y 방향으로 서로 인접하는 축적 용량 사이에서 동일하다.
또한, 축적 용량 CS 의 제 1 전극부(C1)와 축적 용량선(CM1, CM2, ...)에서 튀어나온 제 2 전극부(C2)와의 사이에 있어서의 상대적인 위치는 Y 방향으로 서로 인접하는 축적 용량 사이에서 동일하다. 즉, 각 화소 영역의 사이에서 상대적 위치는 동일하다.
이와 같은 구성의 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법은 제 1 실시예와 거의 같으며, 게이트 전극(113), 게이트선(G1, G2, G3, ...)이 형성될 때, 축적 용량선(CM1, CM2, CM3, ...)과 그 선들에서 튀어나온 제 1 전극부(C2)를 동시에 형성하는 점만이 상이하다.
따라서, 제 7 도에 있어서 TFT(11) 및 축적 용량 CS 의 제 1 전극부(C1)를 형성하기 위한 하층 측의 다결정 실리콘막의 형성 패턴(A3)과 게이트선(G1, G2, G3, ...), 게이트 전극(113), 유지용량선(CM1, CM2, CM3, ...)및 축적 용량 CS의 제 2 전극부(C2)를 형성하기 위한 상층 측의 다결정 실리콘막의 형성 패턴(A5)과의 중첩 부분은 축적 용량 CS 의 대향 부분(C0)으로써 사선으로 패턴되었을 때 다결정 실리콘막의 형성 패턴(A3)과 다결정 실리콘막의 형성 패턴 (A5)과의 사이의 배열이 좌우방향(X 방향)으로 정렬되지 않을지라도 사선들로 패턴된 대향 부분 C0(축적 용량들 CS의 용량값)의 면적은 항상 화소들(P11, P12, ..., P21, P22, .., P31, P32, ...)의 사이에서 동일하다. 결과적으로, 제 2 실시예는 제 1 실시예의 효과와 유사한, 각 게이트선에서 플리커의 발생 방지와 같은 효과를 갖는다.
제 3 실시예
제 1 및 제 2 실시예에서 어느 것이나 스위칭 소자로서 코플래너형의 TFT를 사용했는데, 본 실시예에서 이것을 대신해서 역스태거형의 TFT 를 사용하고 있다.
제 8 도는 아몰퍼스 실리콘막을 능동층에 사용한 TFT 및 축적 용량의 단면도이다. 제 8 도에 있어서 유리 기판(10A)의 표면상에는 기층막(10A)상의 탄탈륨막으로된 게이트 전극(113A)이 형성되고, 그 표면에는 게이트 절연막으로서의 탄탈륨 산화물(114A)이 형성되어 있다. 탄탈륨 산화물(114A)의 표면에는 실리콘 질화물(114B)이 형성되며 탄탈륨 산화물(114A)과 실리콘 질화물(114B)이 게이트 절연막으로서 기능하도록 되어 있다. 실리콘 질화물(114B)의 표면상에는 채널을 형성하기 위한 진성 아몰퍼스 실리콘막(117A)이 형성된다. 진성 아몰퍼스실리콘막(117A)의 표면상에는 고농도의 N 형 아몰퍼스 실리콘막(116A)이 형성되어 있다. N 형의 아몰퍼스 실리콘막(116A)은 게이트 전극(113A)과 대치하는 부분이 에칭되며 소스 영역(111A)과 드레인 영역(112A)으로 분할된다. 소스 영역 (111A)에서 몰리브덴 층(118A)상에 알루미늄 전극층(118B)이 형성되며 이 알루미늄 전극층(118B)은 소스선(S1, S2, S3, ...)에 접속되어 있다. 드레인 영역(112A)에 ITO 막으로 이루어지는 화소 전극(12A)이 접속되어 있다.
화소 전극(12A)(ITO 막)은 제 9 도에 도시하듯이 화소 영역(P11, P12, P13, ...)의 단부에 까지 형성되어 있으며 그래서, 화소 전극(12A)의 단부는 축적 용량 CS 의 제 1 전극부(C1)로 기능한다.
제 1 전극부(C1)의 하층측에는 게이트 절연막과 동시에 형성되는 탄탈륨 산화물(114A)과 실리콘 질화물(114B)로 된 축적 용량 CS 의 유전체막(C3)이 형성되어 있다. 유전체막(C3)의 하층측에는 게이트 전극(113A)과 동시에 형성된 탄탈륨 막이 형성되어 있으며 이 탄탈륨막은 축적 용량 CS 의 제 2 전극부(C2)로써 기능한다.
기타의 구성은 제 1 실시예와 거의 마찬가지로 되어 있기 때문에 그 상세한 설명을 생략한다. 본 실시예에서도 제 9 도에 도시되었듯이, 화소 영역(P11, P12, P13, ...)은 델타 배열의 컬러 필터(21)에 대응해서 배치되어 있다. 여기에서, 같은 색에 대응하는 화소 영역(P11, P12, P13, ...)의 화소 전극(12a)만이 동일 소스선(S1, S2, S3, ...)과 접속되어 있다. 따라서, 녹색(G)에 대응하는 화소 영역(P12, P22, P32, ...)이 동일 소스선(S2)과 소스선(S2)의 좌우반대측에서 교대로 접속하고 있다.
본 실시예에서도 제 1 실시예와 마찬가지로, 예컨대, 소스선(S2)을 따라서 Y방향으로 화소 영역(P12, P22, P32, ...)에서 축적 용량 CS는 화소 영역내의 동일한 위치에 형성된다. 즉, 축적 용량 CS 의 제 1 전극부(C1)는 제 1 실시예와 달리 화소 전극(12A)의 단부에서 형성되는 것에도 불구하고, 제 1 실시예와 상이하지만 이 제 1 전극부(C1)와 인접한 게이트선(G0, G1, G2, ...)에서 튀어나온 제 2 전극부 (C2)와의 사이에 있어서의 상대적인 위치 관계는 화소 영역(P11, P12, P13, ...)의 사이에서 X 방향 및 Y 방향중의 어느 방향에 있어서 일치하게 설정된다. 따라서, 제 10 도에 있어서, 화소 전극(12A) 및 축적 용량(CS)의 제 1 전극부(C1)를 형성하기 위한 ITO 막의 형성 패턴(A7)과 게이트선(G1, G2, G3, ...), 게이트 전극(113A) 및 축적 용량 CS 의 제 2 전극부(C2)를 형성하기 위한 탄탈륨막의 형성 패턴(A6)과의 중첩 부분을 축적 용량 CS 의 대향 부분 C0 로 하여 사선으로 패턴될 때, ITO 막의 형성 패턴(A7)과 탄탈륨막의 형성 패턴(A6)을 형성할 때, 좌우방향(X방향)으로 정렬이 되지 않더라도 홀수 단의 게이트선(G1, G3, ...)에 접속하는 화소 영역(P11, P12, ..., P31, P32, ...)의 축적 용량 CS 와 게이트선(G2, ...)에 접속하는 화소 영역(P21, P22, ...)의 축적 용량 CS 와의 사이에서 사선으로 나타낸 대향 부분 C0 의 면적(축적 용량 CS 의 용량값)은 동일하다. 그러므로 본 실시예에 의하면 각 게이트선에서 플리커의 발생을 방지할 수 있는 등 제 1 실시예와 유사한 효과를 갖는다.
또한, 본 실시예에서 제 2 전극부(C2)를 형성함에 있어서 제 1 실시예와 마찬가지로 인접한 게이트선(G0, G1, G2, G3, ...)을 사용했음에도 불구하고, 제 2실시예와 같이 전용의 축적 용량선(CM1, CM2, CM3, ...)을 형성하고 그것을 사용하여 축적 용량 CS를 구성하는 것이 가능하다.
제 4 실시예
제 1 내지 제 3 실시예에는 델타 배열의 컬러 필터를 사용한 액정 표시 장치에 관한 실시예인데, 본 실시예는 모자이크 배열에 따른 컬러 필터를 사용한 액정 표시 장치에 관한 실시예이다.
또한, 본 실시예에서 컬러 필터는 모자이크 배열에 따라 배열되기 때문에, 화소들은 격자상으로 배치된다. 그러나, 기타의 부분은 제 1 실시예와 마찬가지이기 때문에, 대응하는 부분에는 동일한 부호를 병기하고 그들의 상세한 설명은 생략한다.
제 11 도는 본 실시예의 액티브 매트릭스 기판의 각 구성 부분의 패턴을 도시한 도면이다. 투명한 기판의 표면에는 X 방향으로 연장하는 게이트선(G1, G2, G3, ...)과 Y 방향으로 연장하는 소스선(S1, S2, S3, ...)과의 교점에 대응해서 화소 영역(P11, P12, P13, ...)이 형성되어 있다. 이들 화소 영역(P11, P12, P13, ...)에서는 소스선(S1, S2, S3, ...)이 스위칭 소자로서의 TFT(11)를 거쳐서 투명한 화소 전극(12)과 접속되어 있다. 또한, 액정 용량부 CLC 에서의 축적 특성을 향상시키기 위해서 인접한 게이트선(G0, G1, G2, G3, ...)과 화소 전극(12)과의 사이에 축적 용량 CS 가 형성되어 있다.
이와 같은 구성은 컬러 필터(21)가 델타 배열을 갖는 제 1 내지 제 3 실시예와 동일하지만, 본 실시예에서는 적색 R, 녹색 C, 청색 B 의 컬러 필터(21)가 모자이크 배열로 형성되어 있기 때문에, 적색 R, 녹색 G, 청색 B 의 컬러 필터(21)에 대응하게 화소 영역(P11, P12, P13, ...)이 배열되어 있다.
제 11 도에서는 각 화소 영역(P11, P12, P13, ...)의 각각이 대응하는 컬러 필터의 색의 종류를 (R)(G)(B)로 도시하고 있다. 여기에서 적색, 녹색, 청색의 3색의 컬러 필터는 제 13 도에 도시하듯이 이들 3 색을 1 단위로하여 X 방향에 주기적으로 배열되고 있다. 제 1 컬러 필터 열 F1(홀수단의 컬러 필터열)과 제 2 컬러 필터 열 F2'(짝수 단의 컬러 필터열)은 그 다음의 열들이 X방향으로 상기 1 단의 주기의 1/3 주기만큼 떨어져 있도록 배치된다.
이와 같은 컬러 필터의 배열에 대응해서, 게이트선(G1)에 접속하는 화소 영역(P11, P12, P13, ...)에서는, 적색 R, 녹색 G, 청색 B 의 컬러 필터(21)에 대응하는 3 개의 화소 영역(P11, P12, P13, ...)들은 제 1 화소열(짝수 단에서의 화소열)을 형성하는 1 단위로써 X 방향으로 선형적으로 반복 배치된다. 게이트선 G2와 접속되는 화소 영역들(P21, P22, P23, ...)로 구성되는 제 2 화소열(짝수 단에서의 화소열)에서, 적색 R, 녹색G, 청색B에 해당하는 3개 화소 영역(P21, P22, P23, ...)은 1단위를 형형하며 X방향으로 선형적으로 반복 배치된다.
제 1 화소열(홀수 단의 화소열)과 제 2 화소열(짝수 단의 화소열)은 사이에서는 적색 R, 녹색 G, 청색 B를 구성하는 컬러 필터(21)에 대응하는 3 색의 화소 영역들이 1 단위로써 주기적으로 배열되었을 때의 1/3 주기에 상당하는 거리만큼 X 방향으로 떨어져 배치된다. 그 결과, 각 화소 영역(P11, P12, P13, ...)의 중심 위치는 1 단마다 1 화소 피치만큼 좌우 교대로 비킨 상태에 있다.
이와 같이 구성한 액티브 매트릭스 기판에서, 델타 배열을 사용하는 액티브 매트릭스 기판에서와 달리, 동일한 색에 대응하는 화소 영역의 화소 전극만이 각 소스선(S1, S2, S3, ...)중 동일 소스선과 접속하는 경우에도 소스선(S1, S2, S3, ...)들은 Y 방향으로 각 화소 영역의 사이를 직선적으로 연장하도록 형성된다.
제 1 내지 제 3 실시예와 같이, 화소 영역(P12, P22, P32, ...)의 화소 전극(12)은 좌우 교대로 동일한 소스선(S2)과 접속된다. 따라서, X 방향의 각 화소 영역(P11, P12, P13, ...)들에 대해, TFT(11), 화소 전극(12) 및 축적 용량 CS (제 1 전극부(C1) 및 제 2 전극부(C2))의 상대적인 형성 위치가 동일한 반면, 소스선(S2)을 따라서 Y 방향으로 화소 영역(P12, P22, P23, ...)에 대해서는, TFT(11) 및 화소 전극(12)의 상대적인 형성 위치가 1 단마다 좌우로 반전되고 있다.
그러나, 축적 용량(CS)는 어느 화소 영역에 있어서도 동일한 상대적 위치에 형성된다. 즉, 화소 영역에 있어서의 축적 용량 CS 의 상대 위치는 Y 방향으로 인접하는 축적 용량끼리의 사이에서 동일하다.
또한, 축적 용량 CS 의 제 1 전극부(C1)와 인접한 게이트선(G0, G1, G2, ...)에서 튀어나오는 제 2 전극부(C2)와의 사이에 있어서의 상대적인 위치 관계는 각 화소 영역(P12, P22, P32, ...)의 사이에서 X 방향 및 Y 방향중의 어느 한 방향과 동일하다.
따라서, 축적 용량(CS)의 제 1 전극부(C1)와 제 2 전극부(C2)를 형성할 때, 좌우방향(X 방향) 또는 상하 방향(Y 방향)으로 정렬이 되지 않을지라도 홀수 단의게이트선(G1, G2, G3, ...)에 대응하는 화소 영역(P11, P12, P13, ...)과 짝수 단의 게이트선(G2, ...)에 대응하는 화소 영역(P21, P22, P23, ...)과의 사이에서 플리커의 발생을 방지할 수 있는 등, 제 1 실시예와 마찬가지의 효과를 갖는다.
또한, 제 1 실시예와 마찬가지로 인접한 게이트선(G0, G1, G2, G3, ...)의 일부를 축적 용량 CS 의 제 2 전극부(C2)에 사용했음에도 불구하고, 제 2 실시예와 같이 전용의 유지 용량선(CM1, CM2, CM3, ...)을 형성하고 그 일부를 축적 용량 CS 의 제 2 전극부(C2)에 사용하는 것이 가능하다.
또, TFT(11)로서는 코플래너형의 TFT 뿐만이 아니라 제 3 실시예와 같이 역스태거형의 TFT 를 사용해도 좋다.
기타의 실시예
본 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판은 모노크롬 액정 표시 장치에 사용한 경우에도 컬러 액정 표시 장치의 경우와 마찬가지로 정렬이 이루어지지 않는 것에 기인하는 플리커를 방지할 수 있다.
또한, 각 실시예에 있어서, 투명한 ITO 전극을 사용했는데 알루미늄 전극등을 화소 전극으로서 사용한 반사형의 액정 표시 장치에도 마찬가지로 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, TFT 를 대신해서 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조의 다이오드를 스위칭 소자로서 사용한 액티브 매트릭스 기판에도 본 발명을 적용할 수 있다. 즉, Y 방향으로 서로 인접한 축적 용량사이의 축적 용량의 제 1 전극부와 제 2 전극부와 상대적인 형성 위치를 동일하게 제조함으로써, 실시예(1) 내지 (4)와 유사한 효과를 갖는다.
이상과 같이, 본 발명에 있어서, 액티브 매트릭스 기판의 축적 용량로 구성하는 제 1 전극부와 제 2 전극부의 구조를 각 화소 영역간에서 평행 이동시키면 중첩될 수 있고, 즉, 제 1 전극부와 제 2 전극부의 상대적인 위치 관계는 각 화소 영역간에서 동일하다. 따라서, 본 발명에 따라, 제 1 전극부 및 제 2 전극부를 형성할 때 정렬되지 않더라도 축적 용량의 용량값은 동일하게 된다. 그러므로, 홀수의 게이트단과 짝수의 게이트 단과의 사이에서 축적 용량의 용량값의 차를 없앨 수 있고 플리커를 줄일 수 있다.
또한, 화소 영역에서는 제 1 전극부 및 제 2 전극부의 형성 위치나 점유면적이 한정되어 있지 않으나, 본 발명에 의하면 제 1 전극부와 제 2 전극부의 상대적인 위치 관계를 최적화하는 것만으로 제 1 전극 및 제 2 전극부를 형성할 때의 정렬이 이루어지지 않음에 기인하는 플리커를 방지할 수 있다. 그러므로, 고정밀 및 고밀도의 액정 표시 장치를 실현할 때에는 특히 유리하다.
또한, 홀수의 게이트단에 대응하는 화소 영역과 짝수의 게이트단에 대응하는 화소 영역과의 사이에서 제 1 전극부의 형성 패턴만이 상이하고, 기타의 구성 부분의 패턴은 실질적으로 동일하다. 그러므로, 컬러 필터를 구비하는 대향 기판과 액티브 매트릭스 기판사이에서, 또는 액티브 매트릭스 기판 상에서의 정렬이 이루어지지 않아도 기수의 게이트단에 접속하는 화소 영역과 우수의 게이트단에 접속하는 화소 영역과의 사이에서 개구율의 차도 없어지며 불균일한 횡선을 효과적으로 방지할 수 있다.
Claims (13)
- 액티브 매트릭스 기판으로서,제 1 방향으로 연장하는 복수의 게이트선들과,제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장하는 복수의 소스선들과,상기 소스선들 중 하나와 전기적으로 접속되는 소스 영역을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터들과,상기 박막 트랜지스터들 중의 하나의 드레인 영역과 전기적으로 각각 접속되는 복수의 화소 전극들과,상기 화소 전극들의 하나와 전기적으로 접속된 제 1 전극과 상기 게이트선들 중 하나에 인접한 상기 게이트선들의 다른 하나와 전기적으로 접속된 제 2 전극을 포함하는, 제 2 방향을 따라 배치된 복수의 축적 용량들을 포함하고,제 2 방향으로 서로 인접한 상기 축적 용량들은 상기 화소 전극들의 동일한 측면을 따라 위치하고, 상기 축적 용량들은 소스선과 겹치도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
- 액티브 매트릭스 기판으로서,제 1 방향으로 연장하는 복수의 게이트선들과,제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장하는 복수의 소스선들과,상기 소스선들 중 하나와 전기적으로 접속되는 소스 영역을 포함하는 복수의박막 트랜지스터들과,상기 박막 트랜지스터들 중 하나의 드레인 영역과 전기적으로 각각 접속된 복수의 화소 전극들과,화소 전극들 중의 하나와 전기적으로 접속된 제 1 전극과 상기 게이트선들 중 하나에 인접한 상기 게이트선들의 다른 하나와 전기적으로 접속된 제 2 전극을 각각 포함하는 복수의 축적 용량들을 포함하고,제 2 방향으로 서로 인접한 상기 축적 용량들은 상기 화소 전극들의 동일한 측면을 따라 위치하고, 상기 축적 용량들은 소스선과 겹치도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
- 컬러 액정 표시 장치로서,제 1 방향으로 연장하는 복수의 게이트선들과,제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장하는 복수의 소스선들과,상기 소스선들 중 하나와 전기적으로 접속되는 소스 영역을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터들과,상기 박막 트랜지스터들중 하나의 드레인과 전기적으로 각각 접속되는 복수의 화소 전극들과,상기 화소 전극들 중 하나와 전기적으로 접속된 제 1 전극과 상기 게이트선들 중 하나에 인접한 상기 게이트선들의 다른 하나와 전기적으로 접속된 제 2 전극을 포함하고, 제 2 방향을 따라 배치되거나 또는 상기 소스선들을 따라 배치된 복수의 축적 용량들과,제 1 방향으로 주기적으로 배열된 단위 주기를 갖는 상기 3색들의 컬러 필터들의 한 단위 세트를 포함하고, 제 2 방향으로 상기 제 1 컬러 필터열에 인접한 제 2 컬러 필터열과, 제 1 방향으로 주기적으로 배열되며, 상기 화소 전극들 중 대응 전극과 결합되고 3색 중 하나이고, 단위 주기를 결정하는 컬러 필터열의 한 단위 주기 세트를 포함하는 제 1 컬러 필터열을 포함하고,제 2 방향으로 서로 인접한 축적 용량들은 상기 화소 전극들의 동일한 측면을 따라 위치하고, 상기 축적 용량들은 소스선과 겹치도록 배치되며,상기 제 1 컬러 필터열과 상기 제 2 필터열은 1/2 단위 주기에 상당하는 거리만큼 제 1 방향으로 서로 떨어진 상태로 배치되고,상기 각 소스선들은 상기 3색들 중 선택된 한 색을 갖는 컬러 필터에 대응하는 화소 전극들만을 갖는 상기 박막 트랜지스터들 중의 하나와 접속되는 컬러 액정 표시 장치.
- 컬러 액정 표시 장치로서,제 1 방향으로 연장된 복수의 게이트선들과,제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장하는 복수의 소스선들과,상기 소스선들 중 하나와 전기적으로 접속되는 소스 영역을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터들과,상기 박막 트랜지스터들 중 하나의 드레인 영역과 전기적으로 각각 접속된복수의 화소 전극들과,상기 화소 전극들 중 하나와 전기적으로 접속된 제 1 전극과 상기 게이트선들 중 하나에 인접한 상기 게이트선들 중 다른 하나와 전기적으로 접속된 제 2 전극을 포함하고, 제 2 방향을 따라 배치되거나 또는 상기 소스선들 중의 각각을 따라 배치된 복수의 축적 용량들과,제 1 방향으로 주기적으로 배열된 상기 3색의 컬러 필터들의 한 단위 세트를 포함하고, 제 2 방향으로 상기 제 1 컬러 필터열과 인접한 제 2 컬러 필터열과, 제 1 방향으로 주기적으로 배열된 상기 제 1 컬러 필터열과, 상기 화소 전극들 중의 하나에 대응하는 전극과 관련되고 상기 각각의 컬러 필터들이 3색 중의 하나이고, 단위 주기를 결정하는 컬러 필터들의 한 단위 세트를 포함하는 제 1 컬러 필터열과,제 2 방향으로 인접한 축적 용량들은 화소 전극들의 동일한 측면을 따라 위치하고, 상기 축적 용량들은 소스선과 겹치도록 배치되며,상기 제 1 컬러 필터열과 제 2 컬러 필터열은 1/3 단위 주기에 상당하는 거리 만큼 제 1 방향으로 서로 떨어진 상태로 배치되고,상기 소스선들의 각각은 상기 박막 트랜지스터들의 하나를 통하여 상기 3색들 중의 선택된 하나의 색을 갖는 컬러 필터에 대응하는 화소 전극들과 접속되는 컬러 액정 표시 장치.
- 컬러 액정 표시 장치로서,제 1 방향으로 연장된 복수의 게이트선들과,제 1 방향으로 연장하는 복수의 축적 용량 선들과,제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장하는 복수의 소스선들과,상기 소스선들 중의 하나와 전기적으로 접속되는 소스 영역을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터들과,상기 박막 트랜지스터들 중의 하나의 드레인 영역과 전기적으로 각각 접속되는 복수의 화소 전극들과,상기 화소 전극들 중 하나와 전기적으로 접속된 제 1 전극과 상기 용량 선들 중 하나와 전기적으로 접속되는 제 2 전극을 각각 포함하는 복수의 축적 용량들과,제 2 방향으로 서로 인접한 축적 용량들은 상기 화소 전극들 중의 동일한 측면을 따라 위치하고, 상기 축적 용량들은 소스선과 겹치도록 배치되며,각각의 상기 화소 전극들은 컬러와 대응되어 있고, 동일한 색에 대응하는 화소 전극들만이 상기 박막 트랜지스터들을 통하여 동일한 소스선에 접속되는 컬러 액정 표시 장치.
- 액티브 매트릭스 기판으로서,제 1 방향으로 연장된 복수의 게이트선들과,제 1 방향으로 연장된 복수의 축적 용량 선들과,제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장된 복수의 소스선들과,상기 소스선들 중 하나와 전기적으로 접속되는 소스 영역을 각각 포함하는복수의 박막 트랜지스터들과,상기 박막 트랜지스터들 중 하나의 드레인 영역과 전기적으로 각각 접속된 복수의 화소 전극들과,상기 화소 전극들의 하나와 전기적으로 접속된 제 1 전극과 상기 축적 용량선들 중 하나와 전기적으로 접속된 제 2 전극을 각각 포함하는 축적 용량들을 포함하고,제 2 방향으로 서로 인접한 축적 용량들은 화소 전극들의 동일한 측면을 따라 위치하고, 상기 축적 용량들은 소스선과 겹치도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
- 액티브 매트릭스 기판으로서,제 1 방향으로 연장된 복수의 게이트선들과,제 1 방향으로 연장된 복수의 축적 용량 선들과,제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장하는 복수의 소스선들과,상기 소스선들 중 하나와 전기적으로 접속되는 소스 영역을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터들과,상기 박막 트랜지스터들 중 하나의 드레인 영역과 전기적으로 각각이 접속되는 복수의 화소 전극들과,상기 화소 전극들 중 하나와 전기적으로 접속되는 제 1 전극과 상기 축적 용량 선들 중 하나와 전기적으로 접속되는 제 2 전극을 각각 포함하며, 상기 소스선들 중의 각각을 따라 배치되는 복수의 축적 용량들을 포함하고,제 2 방향으로 서로 인접한 축적 용량들은 상기 화소 전극들의 동일한 측면과 교차하여 위치되고, 상기 축적 용량들은 소스선과 겹치도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
- 컬러 액정 표시 장치로서,제 1 방향으로 연장된 복수의 게이트선들과,제 1 방향으로 연장된 복수의 축적 용량 선들과,제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장된 복수의 소스선들과,상기 소스선들 중 하나와 전기적으로 접속되는 소스 영역을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터들과,상기 박막 트랜지스터들 중 하나의 드레인 영역과 전기적으로 각각 접속되는 복수의 화소 전극들과,상기 화소 전극들의 하나에 전기적으로 접속되는 제 1 전극과 축적 용량 선들 중의 하나와 전기적으로 접속되는 제 2 전극을 포함하고, 제 2 방향을 따라 배치되거나 각각의 상기 소스선들을 따라 배치되는 복수의 축적 용량들과, 여기에서, 제 2 방향으로 서로 인접한 연장된 축적 용량들은 상기 화소 전극들의 동일한 측면을 따라 위치하고, 상기 축적 용량들은 소스선과 겹치도록 배치되며,제 1 방향으로 주기적으로 배열된 상기 3색의 컬러 필터들의 한 단위 세트를 포함하고 제 2 방향으로 상기 제 1 컬러 필터열에 인접한 제 2 컬러 필터열과 제 1방향으로 주기적으로 배열된 상기 제 1 컬러 필터열과, 상기 화소 전극들중의 대응하는 전극과 연관되고 상기 3색 중의 하나이고, 단위 주기를 결정하는 컬러 필터들의 한 단위 세트를 포함하는 제 1 컬러 필터열을 포함하고,상기 제 1 컬러 필터열 및 상기 제 2 컬러 필터열은 1/2 단위 주기에 상당하는 거리만큼 제 1 방향으로 서로 떨어진 상태로 배치되고,상기 소스선들의 각각은 상기 박막 트랜지스터들 중의 하나를 통하여 상기 3색들의 선택된 하나의 색을 갖는 컬러 필터에 대응하는 화소 전극들과 접속되는 컬러 액정 표시 장치.
- 컬러 액정 표시 장치로서,제 1 방향으로 연장된 복수의 게이트선들과,제 1 방향으로 연장된 복수의 축적 용량 선들과,제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장된 복수의 소스선들과,상기 소스선들 중 하나와 전기적으로 접속되는 소스 영역을 포함하는 복수의 박막 트랜지스터들과,복수의 화소 전극들과, 상기 화소 전극들의 각각은 상기 박막 트랜지스터들의 하나의 드레인 영역과 전기적으로 접속되고,상기 화소 전극들 중 하나와 전기적으로 접속되는 제 1 전극과 상기 축적 용량 선들 중 하나와 전기적으로 접속되는 제 2 전극을 각각 포함하고, 제 2 방향을 따라 배치되거나 또는 각각의 상기 소스선들을 따라 배치되는 복수의 축적 용량들과, 여기에서, 제 2 방향으로 서로 인접한 축적 용량들은 상기 화소 전극들의 동일한 측면을 따라 위치하고, 상기 축적 용량들은 소스선과 겹치도록 배치되며,제 1 방향으로 주기적으로 배열된 상기 3색들의 컬러 필터들의 한 단위 세트를 포함하고 제 2 방향으로 상기 제 1 컬러 필터열에 인접한 제 2 컬러 필터열과, 제 1 방향으로 주기적으로 배열된 상기 제 1 컬러 필터열과, 상기 화소 전극들 중 하나에 대응하는 전극들과 연관되고 상기 3색 중의 하나이고, 단위 주기를 결정하는 컬러 필터들의 한 단위 세트를 포함하는 제 1 컬러 필터열을 포함하고,상기 제 1 컬러 필터열과 상기 제 2 컬러 필터열은 제 1 방향으로, 1/3 단위 주기에 상당하는 거리만큼 서로 떨어져 배치되고,각각의 상기 소스선들은 상기 박막 트랜지스터들의 하나를 통하여 상기 3색들 중의 선택된 하나의 색을 갖는 컬러 필터에 대응하는 화소 전극들과만 접속되는 컬러 액정 표시 장치.
- 제 1 항, 제 2 항, 제 6 항, 제 7 항들중 어느한 항에 있어서,상기 제 1 전극은 트랜지스터의 드레인 영역이 연장된 영역으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
- 제 1 항, 제 2 항, 제 6 항, 제 7 항들중 어느한 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터들의 게이트 절연막으로써 동일한 처리에 의해 그리고 동일한 재료로 형성되는 축적 용량의 유전체막을 더 포함하는 액티브 매트릭스 기판.
- 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 8 항, 제 9 항들중 어느한 항에 있어서,상기 제 1 전극은 트랜지스터의 드레인 영역이 연장된 영역으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 컬러 액정 표시 장치.
- 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 8 항, 제 9 항들중 어느한 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터들의 게이터 절연막으로써 동일한 처리에 의해 그리고 동일한 재료로 형성되는 축적 용량의 유전체막을 더 포함하는 컬러 액정 표시 장치.
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