KR100279196B1 - 폴리머 스터드 그리드 어레이 - Google Patents
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Abstract
새로운 구조적 형상은
- 전기 절연 폴리머로 이루어진 사출 성형된 3차원 기판(S),
- 기판(S)의 하부면에 평탄하게 배치되고 사출 성형시 함께 형성되는 폴리머 범프(PS),
- 폴리머 범프(PS) 위에 납땜 가능한 표면으로 형성되는 외부 접속부(AA),
- 외부 접속부(AA)를 내부 접속부(IA1;IA2;IA3)와 연결시키는, 적어도 기판(S)의 하부면에 형성된 도전 경로(LZ), 및
- 내부 접속부(IA1;IA2;IA3)에 도전 접속된 접속부(CA1;CA2;CA3)를 갖는, 기판(S) 위에 배치된 적어도 하나의 칩(C1)을 포함한다.
단일 칩, 소수 칩 또는 다중 칩 모듈에 적합한 새로운 구조적 형상은 볼 그리드 어레이의 장점과 MID 기술(MID = Moulded Interconnection Devices)의 장점을 동시에 가지고 있다. 폴리머 범프의 제조 및 금속화는 MID 기술에서 절대적으로 요구되는 방법 단계의 틀내에서 최소의 부가 비용으로 이루어질 수 있다.
Description
집적 회로는 점점 더 많은 수의 접속부를 가지며, 점점 더 소형화된다. 소형화가 증가됨에 따라 예상되는 납땜 페이스트의 도포 및 장착의 어려움은 새로운 하우징 형상에 의해 제거되어야 한다. 이 경우, 특히 볼 그리드 어레이 패키지의 단일 칩, 소수 칩 또는 다중 칩 모듈이 두드러진다(DE-Z productronic 5, 1994, 페이지 54, 55). 상기 모듈은 칩이 예컨대 콘택팅 와이어를 통해 또는 플립 칩 본딩에 의해 콘택되는 기판을 기본으로 한다. 기판의 하부면에는 볼 그리드 어레이가 배치된다. 상기 볼 그리드 어레이는 종종 솔더 그리드 어레이, 랜드 그리드 어레이 또는 솔더 범프 어레이라고도 불린다. 볼 그리드 어레이는 기판의 하부면에 평탄하게 배치된 납땜 범프를 포함한다. 납땜 범프는 프린트 기판 또는 소자 상에서 표면 설치를 가능하게 한다. 납땜 범프의 평면 배치에 의해 예컨대 1.27 ㎜의 거친 래스터 내에 많은 수의 접속부가 구현될 수 있다.
소위 MID 기술(MID = Moulded Interconnection Devices)에서는 종래의 프린트 회로 대신에 집적된 도전 경로를 가진 사출 성형품이 사용된다. 3차원 기판의 사출 성형에 적합한 고가의 열가소성 수지는 상기 기술의 기초이다. 이러한 열가소성 수지는 종래의 프린트 회로용 기판 재료에 비해 보다 양호한 기계적, 열적, 화학적, 전기적 그리고 환경적 특성을 갖는다. MID 기술의 특별한 방향, 소위 SIL 기술(SIL = Spritzgiessteile mit integrierten Leiterzuegen)에서는 사출 성형품에 제공된 금속화층이 그밖의 마스킹 기술을 사용하지 않고 특수한 레이저 구조화 방법에 의해 구조화된다. 구조화된 금속화층을 가진 3차원 사출 성형품에는 다수의 기계적 및 전기적 기능이 통합될 수 있다. 하우징 지지체는 동시에 가이드 및 스냅 연결을 수행하는 한편, 금속화층은 와이어링 및 연결 기능과 더불어 전자 차폐부로서 사용되고 양호한 열 방출을 위해 제공된다. 집적 도전 경로를 가진 3차원 사출 성형품의 제조를 위한 그밖의 세부 사항은 예컨대, 독일 특허 공개 제 37 32 249호 또는 유럽 특허 공개 제 0 361 192호에 제시된다.
미국 특허 5 081 520호에는 기판 상에 IC 칩을 고정시키기 위한 방법이 공지되어 있는데, 여기서는 기판이 IC 칩의 고정을 위한 집적 범프를 가진 사출 성형품으로 제조된다. 범프를 금속화 시킨 후에 연결층이 제공됨으로써, IC 칩이 기판 상에 고정될 수 있다. 이 경우, 칩 접속면은 범프의 관련 금속화층에 도전 접속된다.
본 발명은 폴리머 스터드 그리드 어레이에 관한 것이다.
본 발명의 실시예는 도면을 참조하여 하기에 자세히 설명된다.
도 1은 와이어 본딩 기술로 콘택된 하나의 칩을 갖춘 폴리머 스터드 그리드 어레이의 단면도이고,
도 2는 제 1실시예에 따라 플립 칩 기술로 콘택된 하나의 칩을 갖춘 폴리머 스터드 그리드 어레이의 단면도이고,
도 3은 제 2실시예에 따라 플립 칩 기술로 콘택된 하나의 칩을 갖춘 폴리머 스터드 그리드 어레이의 단면도이고,
도 4는 외부 접속부, 도전 경로 및 내부 접속부를 위에서 바라본, 도 1에 따라 도시된 폴리머 스터드 그리드 어레이의 기판의 단면도이며,
도 5는 도 4에 도시된 외부 접속부, 도전 경로 및 내부 접속부를 확대시킨 단면도이다.
본 발명의 목적은 MID 기술의 장점을 가지며 볼 그리드 어레이에서와 같이, 외부 접속부의 평면 배치를 가능하게 하는 단일 칩, 소수 칩 또는 다중 칩 모듈용 구조적 형상을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 구조적 형상은 볼 그리드 어레이(BGA)와 관련하여 폴리머 스터드 그리드 어레이(PSGA)로 불리며, 이 경우 "폴리머 스터드"는 기판을 사출 성형할 때 함께 형성되는 폴리머 범프를 의미한다. 기판을 사출 성형할 때 폴리머 범프를 간단하고 저렴하게 제조할 수 있으며, 또한 MID 기술 또는 SIL 기술에서 통상적인 도전 경로를 제조하는 것과 동시에 최소의 비용으로 폴리머 범프 위의 외부 접속부를 제조할 수 있다. SIL 기술에서 바람직한 레이저 정밀 구조화에 의해, 외부 접속부가 다수의 접속부를 갖는 폴리머 범프 위에 매우 미세한 래스터로 구현된다. 두드러진 점은, 폴리머 범프의 온도 팽창이 기판의 온도 팽창에 상응하고 모듈을 수용하는 프린트 기판에 상응한다는 것이다. 기계적 응력이 생기면, 폴리머 범프의 탄성적 특성에 의해 적어도 부분적인 보상이 가능하게 된다. 폴리머 범프 위에 형성된 외부 접속부의 형상 안정성에 의해, 납땜 범프에 의해 형성된 외부 접속부를 갖는 볼 그리드 어레이에 비해 수선 및 교체시에 안전이 현저하게 향상될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예는 종속항에서 제시된다.
청구항 2의 실시예에 따라 사출 성형된 기판의 웰에 칩이 본딩됨으로써, 얻어지는 단일 칩, 소수 칩 또는 다중 칩 모듈의 두께가 매우 얇게 구현될 수 있다. 상기 방식의 본딩에 의해 칩이 최상으로 보호될 수 있고, 간단하게 화학적으로 캡슐 봉함될 수 있다.
청구항 3에 따른 개선예는 공지된 와이어 본딩 기술에서 칩의 본딩을 가능하게 한다. 청구항 4에 따라, 콘택팅 와이어의 설치는 내부 접속부를 웰의 계단 위에 배치함으로써 용이하게 될 수 있다.
청구항 5에 따라, 칩을 본딩하기 위해 또한 플립 칩 기술이 바람직하게 사용될 수 있다.
청구항 6에 따라, 플립 칩 기술에서는 칩 접속부를 관련 내부 접속부와 직접 접속시키기 위해 칩의 접속부가 용융 가능한 범프로서 형성될 수 있다.
청구항 7에 따라, 플립 칩 본딩에서 내부 접속부는 또한 기판의 사출 성형시 함께 형성되는 납땜 가능한 표면을 갖는 폴리머 범프로 형성될 수 있다. 그럼으로써, 한편으로는 용융 가능한 범프가 없는 보통의 칩이 사용될 수 있으며, 다른 한편으로는 MID 기술에서 폴리머 범프를 추가 비용 없이 제조 및 금속화 할 수 있다. 폴리머 범프는 부가적으로, 상기 범프에 의해 기판과 칩 사이의 상이한 탄성 특성이 탄성적으로 보상될 수 있는 장점을 갖는다.
도 1은 와이어 본딩 기술로 콘택된 칩(C1)을 갖는 폴리머 스터드 그리드 어레이의 일부분을 도시한 단면도이다. 도시된 어레이의 베이스는, "폴리머 스터드" 또는 폴리머 범프(PS) 및 웰(M1)을 포함하는 하나의 기판(S)이며, 이 경우 웰(M1)은 ST로 표시된 계단을 포함한다. 폴리머 범프(PS), 웰(M1) 및 계단(ST)을 포함하는 기판(S)은 사출 성형에 의해 제조되며, 기판 재료로서는 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 또는 액체 크리스탈 폴리머와 같은 고온에 안정된 열가소성 수지가 적합하다.
도 1에 도시된 기판(S)은 MID 기술에 상응하게 전표면이 금속화되고, 그 다음에 레이저 구조화 방법에 따라 처리되며, 상기 레이저 구조화의 결과로서 폴리머 범프(PS) 위의 외부 접속부(AA), 계단(ST) 위의 내부 접속부(IA1) 및 그 사이에 있는 도전 경로(LZ)가 얻어진다. 외부 접속부(AA)의 피크 영역에는 납땜층(LS)이 제공되고, 상기 납땜층(LS)은 예컨대 주석-납 합금에 의해 형성된다. 납땜층(LS) 대신에, 예컨대 층이 니켈과 금으로 이루어진 납땜 가능한 표면이 또한 제공될 수 있다. 계단(ST) 위에 배치된 내부 접속부(IA1)는 콘택팅 와이어(KD)를 통해 웰(M1)의 바닥에 페이스 업 상태로 고정된 칩(C1)의 접속부(CA1)와 접속된다.
도 1에 도시된 폴리머 스터드 그리드 어레이는 도시되지 않은 프린트 기판 또는 소자 위에 아래쪽으로 폴리머 범프(PS) 위에 형성된 외부 접속부(AA)와 콘택된다. 도 1에 도시된 위치와 반대로, 폴리머 범프(PS)를 갖는 면은 기판(S)의 하부면이다.
도 2는 제 1실시예에 따라 플립 칩 기술로 콘택된 하나의 칩(C2)을 갖춘 폴리머 스터드 그리드 어레이의 일부분을 도시한 단면도이다. 도 1과 달리, 도 2에서 IA2로 표시된 내부 접속부는 M2로 표시된 웰의 바닥에 배치된다. 페이스 다운 상태로 웰(M2)에 배치된 칩(C2)은 용융 가능한 범프의 형태, 즉 관련 내부 접속부(IA2) 위에 배치되고 상기 접속부와 납땜 결합되는 형태를 갖는다.
도 3은 제 2실시예에 따라 플립 칩 기술로 콘택된 하나의 칩을 갖춘 폴리머 스터드 그리드 어레이의 일부분을 도시한 단면도이다. 도 1 및 도 2와 달리, 도 3에서 IA3으로 표시된 내부 접속부는 기판(S)을 사출 성형할 때 부가적으로 웰(M3)의 바닥 영역에 함께 형성된, 납땜 가능한 표면을 포함하는 폴리머 범프(PH)로 형성된다. 내부 접속부(IA3)용 폴리머 범프(PH)는 외부 접속부(AA)용 폴리머 범프의 부피의 대략 1/3이다. 페이스 다운 상태로 웰(M3)에 배치된 칩(C3)은 그것의 칩 접속부(CA3)와 함께 폴리머 범프(PH)의 관련 내부 접속부(IA3) 위에 배치되고, 상기 내부 접속부와 납땜 결합된다. 도면에 도시되지 않은 땜납은 예컨대 피크 영역에서 내부 접속부(IA3) 위에 제공된 납땜층의 형태로, 즉 외부 접속부(AA)에서와 동일한 방식으로 준비될 수 있다.
도 4 및 도 5는 도 1에 도시된 폴리머 스터드 그리드 어레이의 세부 사항을 보여주는데, 도면에 도시된 기판(S)은 웰(M1)에 칩(C)을 고정시키기 전의 형태이다. 도면을 통해, 폴리머 범프(PS) 위에 형성된 외부 접속부(AA)는 미세한 래스터로 연속으로 배치될 수 있음을 알 수 있다. MID 기술에서 통상적인 레이저 정밀 구조화에 의해 도전 경로(LZ) 및 계단(ST) 위에 배치된 내부 접속부(IA1)가 연속적으로 밀집 배치될 수 있다.
도 1 내지 5를 참조하여 상술된 실시예는, 폴리머 범프 위에 형성된 외부 접속부를 갖는 폴리머 스터드 그리드 어레이의 기본 원리를 설명해 준다. 폴리머 범프의 형상은 도면에 도시된 형태와 다른 형상, 예컨대 원뿔대 형상일 수 있다. 단 하나의 칩만 도시되었지만, 새로운 구조적 형상은 단일 칩, 소수 칩 또는 다중 칩 모듈에 적용될 수 있다. 칩은 예컨대 웰을 주조 함으로써 또는 덮개를 설치함으로써 캡슐 봉함된다. 사출 성형된 기판의 상부면 및 측면에는 금속화층이 전자 차폐부로서 또는 양호한 열 방출을 위해 제공된다. 그러나, 기판에 스루 플레이팅(throughplating)이 제공될 수도 있고, 상부면에 제 2와이어층이 배치될 수도 있다. 상기 제 2와이어층 위에는, 상응하는 절연체층을 제공한 후에 다층 와이어링 방식에 따라 다른 도체 평면이 형성될 수도 있다. 스루 플레이팅이 제공된 기판에서는, 폴리머 범프 및 칩(들)이 기판의 상이한 면에도 배치될 수 있다. 폴리머 범프 및 칩을 기판의 반대 측면에 상기 방식으로 배치하는 것은, 특히 다수의 관련 외부 접속부를 필요로 하는 크기가 큰 칩에서 요구된다.
Claims (7)
- - 전기 절연 폴리머로 이루어진 사출 성형된 3차원 기판(S),- 기판(S)의 하부면에 평탄하게 배치되고 사출 성형시 함께 형성되는 폴리머 범프(PS),- 폴리머 범프(PS) 위에 납땜 가능한 표면으로 형성된 외부 접속부(AA),- 외부 접속부(AA)를 내부 접속부(IA1;IA2;IA3)와 연결시키는, 적어도 기판(S)의 하부면에 형성된 도전 경로(LZ), 및- 내부 접속부(IA1;IA2;IA3)에 도전 접속된 접속부(CA1;CA2;CA3)를 갖는 기판(S) 위에 배치된 적어도 하나의 칩(C1)을 포함하고,- 상기 폴리머 범프(PS)가 기판(S)의 하부면에 평탄하게 그리드 어레이로 배치된 폴리머 스터드를 형성하도록 구성된 폴리머 스터드 그리드 어레이.
- 제 1항에 있어서, 상기 칩(C1;C2;C3)은 기판(S)의 웰(M1;M2;M3)에 배치되는 것을 특징으로 하는 폴리머 스터드 그리드 어레이.
- 제 2항에 있어서, 상기 칩(C1)은 페이스 업 상태로 웰(M1)에 배치되고, 상기 칩(C1)의 접속부(CA1)가 콘택팅 와이어(KD)를 통해 관련 내부 접속부(IA1)에 도전 접속되는 것을 특징으로 하는 폴리머 스터드 그리드 어레이.
- 제 3항에 있어서, 상기 내부 접속부(IA1)는 웰(M1)의 계단(ST) 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 폴리머 스터드 그리드 어레이.
- 제 2항에 있어서, 상기 칩(C2;C3)은 페이스 다운 상태로 웰(M1)에 배치되고, 상기 칩(C2;C3)의 접속부(CA2;CA2)는 플립 칩 본딩에 의해 웰(M2;M3)의 바닥에 배치된 내부 접속부(IA2;IA3)에 도전 접속되는 것을 특징으로 하는 폴리머 스터드 그리드 어레이.
- 제 5항에 있어서, 상기 칩(C2)의 접속부(CA2)는 용융 가능한 범프로서 형성되는 것을 특징으로 하는 폴리머 스터드 그리드 어레이.
- 제 5항에 있어서, 상기 내부 접속부(IA3)는 기판(S)의 사출 성형시 부가로 형성되는, 납땜 가능한 표면을 포함하는 폴리머 범프(PH)로 형성되는 것을 특징으로 하는 폴리머 스터드 그리드 어레이.
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