KR100267617B1 - 진공처리장치 및 진공처리방법 - Google Patents

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KR100267617B1
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미노루 아오야기
마사토 가지하라
요시오 후카사와
쇼조 호소다
다쓰야 나카고미
다카시 도자와
고지 스즈키
야스마사 이시하라
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히가시 데쓰로
동경 엘렉트론 주식회사
이노우에 쥰이치
도쿄 에레쿠토론 야마나시 가부시키가이샤
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Abstract

진공처리장치는 복수의 반출입구를 가지며, 피처리체를 반송할 때에, 진공으로 유지되는 기밀구조의 기밀실과; 상기 반송실에 반출입구를 통하여, 접속된 적어도 한 개의 예비진공실과; 그 반송실에 상기 반출입구를 통하여 접속되고, 진공처리기구를 구비한 복수의 진공처리실과; 상기 복수의 반출입구를 개폐하기 위한 복수의 게이트밸브와; 상기 반출입실내에 설치되고, 다관절아암부재를 가지며, 상기 피처리체를 상기반송실과 상기 진공처리실 및 예비진공실과의 사이에서 반송하는 반송수단을 구비한다.
반송실내의 배기는 다관절 아암부재의 회동축의 축받이를 통하여 행해진다.

Description

진공처리장치 및 진공처리방법
제1도는 본 발명에 실시예에 관한 진공처리장치의 전체 구성을 나타내는 개략 사시도.
제2도는 제1도의 진공처리장치의 주요부를 나타내는 수평 단면도.
제3도는 제1도의 진공처리장치의 주요부를 나타내는 수직 단면도.
제4도는 제1도의 진공처리장치에 있어서의 반송실의 다관절 아압부재 및 그 구동부를 나타내는 단면도.
제5도는 제1도의 진공처리장치에 있어서의 지지구조를 나타내는 분해사시도.
제6도는 제1도의 진공처리장치에 있어서의 마그네트 유니트의 승강 기구를 나타내는 사시도.
제7a도, 제7b도는 제1도의 승강기구의 작용을 설명하기 위한 모식도.
제8도는 제1도의 진공처리장치에 있어서의 위치맞춤기구를 나타내는 모식도.
제9도는 위치맞춤기구의 다른예를 나타내는 모식도.
제10도는 제9도의 위치맞춤기구의 동작을 설명하기 위한 프로우챠트.
제11도는 본 발명의 다른 실시예에 관한 진공처리장치의 주요부를 나타내는 단면도.
제12도는 제11도의 장치에 적용되는 반도체 웨이퍼를 나타내는 도면.
제13도는 복수의 진공처리장치에 있어서의 배기계 및 냉각순환계를 나타내는 모식도.
제14도는 진공펌프의 가이드 구성을 나타내는 측면도.
제15도는 진공펌프의 가이드 구성의 다른예를 나타내는 측면도.
제16도는 이중배관 구조의 처리가스 공급계의 고정구조를 나타내는 사시도.
제17도는 제16도의 고정부를 나타내는 사시도.
제18도는 바람직한 가스공급 방법이 실현되는 가스 공급계를 나타내는 개략도.
제19도는 진공처리실, 카세트실등의 진공실의 마개부의 힌지구조를 나타내는 사시도.
제20도 내지 제24도는 진공실의 마개부의 힌지 구조에 있어서의 판스프링 구조의 다른예를 나타내는 도면.
제25도는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 진공처리장치의 주요부를 나타내는 모식도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2 : 반송실 3a, 3b : 카세트실
4a∼4c : 진공처리실 5 : 다관절아암
6 : 구동부 7, 10 : 기초대
8, 33 : 승강기구 11 : 매칭박스
12 : 콘트롤 박스 20 : 플레이트
21a,21b,21c : 반출입구 23 : 가스공급관
25 : 가스공급원 26,36,45 : 배기관
27 : 구멍부 35 : 진공펌프
40a,40b,40c :지지 프레임 42 : 하부전극
43 : 전극 46 : 마그네트 유니트
46a : 관체 47 : 마그네트
51∼53 : 아암 54 : 흡인로
61 : 회동축 62 : 플랜지부
63 : 원통부 64 : 축받이부
65 : 케이스 66 : 돌기부
71 : 스테이지 73a : 발광부
73b : 수광부 74 : 제어부
75 : 호스트컴퓨터(주컴퓨터) 76 : 냉매조
77 : 냉매 공급관 78 : 냉매 배출관
81 : 지지판 82a,82b : 아암
83 : 회동축 84 : 작동부
85 : 신축 로드 87 : 전달수단
90 : 바코드리더 91 : 콘트롤러
101 : 하부전극 105 : 매칭장치
106 : 고주파전원 107 : 온도제어기구
108 : 온도제어장치 109 : 배기관
110 : 배기펌프 112 : 가스 확산구멍
113 : 가스도입구 117 : 매스플로우콘트롤러
122 : 바코드 130 : 드라이 펌프
133 : 재키기구 136 : 가이드레일
138 : 이동대 140 : 고정부재
141 : 수지 튜브 142 : 판형상부
143 : 링형상부재 145 : 공기로
150 : 가스박스 171 : 마개부
172 : 힌지 174 : 돌편부
181 : 드럼부 183 : 로울러 샤프트
184 : 로울러 64,52b,53b : 축받이
180,185 : 판스프링 51,52,53 : 반송아암
118,119,120 : 가스봄베 C : 카세트
G : 게이트 밸브 V1,V2,V3 : 밸브
W : 웨이퍼
본 발명은 반도체 웨이퍼등의 피처리실에 소정의 진공처리를 하는 진공처리장치 및 진공처리 방법에 관한 것이다.
반도체의 제조공정에 있어서는 에칭, 성막처리, 어싱 및 스퍼터링등 여러 가지 처리가 있고, 이들에 대응한 여러 가지 진공처리장치가 사용되고 있다. 또 이들 진공처리장치로서 매엽식 및 배치식의 것이 있다. 이 종류의 반도체 제조장치에는 반도체의 고집적화 구 스루풋화에 대응하기 위한 여러 가지 방법, 개량이 이루어지고 예를들면, 매엽식의 진공처리장치에 대하여는 복수의 진공처리실을 공통의 반송실에 접속하고, 공통의 입출력포트로부터 각 진공처리실에 반송하는 장치도 채용되고 있다.
이와같은 장치에서는 진퇴가 자유롭고 회전이 자유로운 반송아암을 구비한 반송실에 복수의 진공처리실 및 카세트실이 접속되어있고, 반도체 웨이퍼를 예를들면, 25매 수납란 웨이퍼 카세트를 카세트실에 반입하고, 이속을 진공배기한후 반송아암에 의하여 웨이퍼 카세트내의 웨이퍼를 순차 진공처리실에 반송하고, 각 진공처리장치내에서 병행하여 웨이퍼의 처리가 행해진다.
이와 같은 장치에서는 진공처리실과 로드록실과를 1 대 1 로 접속하는 경우에 비교하여 복수의 진공처리실에 대하여 반송아암을 공통화 하므로 스페이스 절약화를 도모할 수가 있고, 또 각 진공처리실에 있어서 다른 처리를 시키고, 이들의 처리실에서 1 매의 웨이퍼에 대하여 연속처리를 함으로써 스루풋이 향상한다고 하는 이점도있다.
그런데 상기 반송아암으로서 직선에 따라 진퇴하는 구성의 것이 채용되기 때문에 각 진공처리실 및 카세트실을 반송아암의 중심에 대하여 방사형상으로 배열할 필요가 있다. 이들 각실의 사이에는 스페이스가 있지만, 이들 스페이스는 데드(dead)스페이스로서 다른 제품을 설치하는 것은 할 수 없고, 따라서 장치전체의 실제상의 점유공간은 매우 크게되어 반송아암의 공통화를 도모하고 있는데 비하여는 스페이스적으로는 그다지 커다란 메리트가 없고, 고가인 크린룸에 설치하는 것을 생각하면, 새로운 스페이스 절약화가 요망된다.
또 반송아암은 회전하는 구조이기 때문에 반송실의 바닥부에 회전축의 축받이가 필요하게 되고, 반송아암의 구동시에 그 축받이로부터 파티클이 발생하기 쉽게 되지만 디바이스의 세분화에 따라 이러한 파티클의 제거대책도 필요하다.
본 발명의 목적은 진공처리실이나 용기재치실 배치의 레이아웃의 자유도가 크게되고, 스페이스 효율이 높은 진공처리장치를 제공하는것에 있다.
본 발명의 다른 목적은 반송실내에 있는 반송수단을 구동시킬때에 있어서의 파티클의 비산을 억제할 수가 있는 진공처리장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 피처리실에 대한 콘터미네이션이 적고, 효율적인 처리가 행해지는 진공처리방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 제 1 관점에 의하면, 복수의 반출입구를 가지며, 피처리체를 반송할 때에, 진공으로 유지되는 기밀구조의 기밀실과;
상기 반송실에 반출입구를 통하여, 접속된 적어도 한 개의 예비진공실과;
상기 반송실에 상기 반출입구를 통하여 접속되고, 진공처리기구를 구비한 복수의 진공처리실과;
상기 복수의 반출입구를 개폐하기 위한 복수의 개폐수단과;
상기 반출입실내에 설치되고, 다관절아암부재를 가지며, 상기 피처리체를 상기 반송실과 상기 진공처리실 및 예비진공실과의 사이에서 반송하는 반송수단을 구비하는 진공처리장치가 구비된다.
본 발명의 제 2 관점에 의하면, 복수의 반출입구를 가지며, 피처리체를 반송할 때에 진공으로 유지되는 기밀구조의 반송실과;
상기 반송실에 반출입구를 통하여, 접속되는 적어도 한 개의 예비진공실과;
상기 반송실에 상기 반출입구를 통하여 접속되고, 진공처리기구를 구비한 복수의 진공처리실과;
상기 복수의 반출입구를 개폐하기 위한 복수의 개폐수단과;
상기 반송실내에 설치되고, 수평방향으로 회동하기 위한 주 회동축 및 그 축받이부를 가지며, 상기 피처리체를 상기 반송실과 상기 진공처리실 및 예비진공실과의 사이에서, 반송하기 위한 반송수단과;
상기 반송실 바깥에 설치됨과 동시에, 상기 주 회동축이 연결되고, 상기 반송수단을 구동하기 위한 구동장치와;
상기 반송실내를 상기 축받이부를 통하여, 배기하는 배기수단을 구비하는 진공처리장치가 제공된다.
본 발명의 제 3 관점에 의하면, 복수의 반출입구를 가지며, 피처리체를 반송할 때에 진공으로 유지되는 기밀구조의 반송실과;
상기 반송실에 반출입구를 통하여 접속된 적어도 한 개의 예비진공실과;
상기 반송실에 상기 반출입구를 통하여 접속되고 진공처리기구를 구비한 복수의 진공처리실과;
상기 복수의 반출입구를 개폐하기 위한 복수의 개폐수단과;
상기 반송실내에 설치되고, 상기 피처리체를 상기 반송실과 상기 진공처리실 및 예비진공실과의 사이에서, 반송하기 위한 반송수단을 구비하고,
상기 반송실은 상기 예비진공실 및 진공처리실 보다도 높은 압력으로 유지되는 진공처리장치가 제공된다.
본 발명의 제 4 관점에 의하면, 복수의 반출입구를 가지며, 피처리체를 반송할 때에 진공으로 유지되는 기밀구조의 반송실과; 상기 반송실에 반출입구를 통하여 접속된 적어도 한 개의 예비진공실과, 상기 반송실에 상기 반출입구를 통하여 접속되고 진공처리기구를 구비한 복수의 진공처리실과; 상기 복수의 반출입구를 개폐하기 위한 복수의 개폐수단과; 상기 반송실내에 설치되고, 수평방향으로 회동하기 위한 주회동축 및 축받이부를 가지며, 상기 피처리체를 상기 반송실과 상기 진공처리실 및 예비진공실과의 사이에서, 반송하기 위한 반송수단을 구비하는 진공처리장치에 의한 진공처리방법으로서,
상기 반송실을 반송수단의 주 회전축에 축받이를 통하여 배기하는 공정과;
상기 예비진공실을 배기하는 공정과;
상기 예비진공실과 상기 반송실과의 사이의 개폐수단을 연 상태에서 상기 예비진공실로부터 피처리체를 상기 반송실내에 반입하는 공정과;
상기 반송실에 있어 피처리체의 위치맞춤을 하는 공정과;
상기 진공처리실을 배기하는 공정과;
배기된 진공처리실의 어느쪽의 상기 반송실과의 사이에 개폐수단을 받은 상태에서 상기 반송실로부터 그 처리실로 피처리체를 반입하는 공정과;
그 처리실에 있어 소정의 진공처리를 하는 공정을 구비하는 진공처리 방법이 제공된다.
본 발명의 제 5 관점에 의하면, 복수의 반출입구를 가지며, 피처리체를 반송할 때에 진공으로 유지되는 기밀구조의 반송실과; 상기 반송실에 반출입구를 통하여 접속된 적어도 한 개의 예비진공실과; 상기 반송실에 상기 반출입구를 통하여 접속되고, 진공처리기구를 구비한 복수의 진공처리실과; 상기 복수의 반출입구를 개폐하기 위한 복수의 개폐수단과; 상기 반출입실내에 설치되고, 상기 피처리체를 상기 반송실과 상기 진공처리실 및 예비진공처리실 사이에서 반송하는 반송수단을 구비하는 진공처리장치에 의한 진공처리방법으로서,
상기 반송실을 배기하는 공정과;
상기 예비진공실을 배기하는 공정과;
상기 예비진공실과 상기 반송실과의 사이에 개폐수단을 연 상태에서 상기 예비진공실로부터 피처리체를 상기 반송실내에 반입하는 공정과;
상기 반송실에 있어 피처리체의 위치맞춤을 하는 공정과;
상기 진공처리실을 상기 반송실보다도 낮은 압력으로 배기하는 공정과;
배기된 진공처리실의 어느쪽과 상기 반송실과의 사이에 개폐수단을 닫은 상태에서 상기 반송실로부터 그 처리실로 피처리체를 받입하는 공정과;
그 처리실에 있어, 소정의 진공처리를 하는 공정을 구비하는 진공처리방법이 제공된다.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의하여 상세하게 설명한다.
제 1 도는 본 발명의 1 실시예에 관한 진공처리장치의 전체구성을 나타내는 개략사시도이다. 도면중 참조번호 2는 기밀구조의 직방체형상의 반송실이고, 이 반송실(2)의 주위에는 25매의 웨이퍼(W)를 수납하기 위한 용기인 웨이퍼 카세트가 재치되는 기밀구조의 2 개의 카세트실(3a), (3b) 및 3개의 진공처리실(4a∼4c)가 그 반송실(2)에 근접하여 설치되어 있다.
그리고, 반송실(2)에는 다관절 아암부재(5)가 설치되어 있고, 반송실(2)과 이들 카세트실(3a),(3b) 및 진공처리실(4a∼4c)과의 사이에 웨이퍼(W)의 반송은 다관절 아암부재(5)를 사용하여 행한다. 상기 진공처리실(4a∼4c)의 위쪽에는 마그네트 유니트(45)가 설치되어 있고, 각 처리실과 이 마그네트 유니트에 의하여 후술하는 바와같이 마그네트론 프라즈마 에칭장치를 구성하고 있다.
상기 반송실(2), 카세트실(3a),(3b) 및 진공처리실(4a∼4c)은 기초대(7)에 복수의지지 플레이트를 통하여 지지되어 있다. 즉 반송실(2) 및 카세트(3a),(3b)는지지 플레이트(20)에 지지되어 있고, 진공처리실(4a∼4c)는 각각지지 플레이트(40a∼40c)에 지지되어 있다. 상기지지 플레이트(40a∼40c)의 위에는 각 마그네트 유니트(46)를 대응하는 진공처리실의 상면부와 그 위쪽위치와의 사이에서 승강 되기 때문에 승강기구(8)가 설치되어 있다. 또 지지 플레이트(40a∼40c)의 중에는 진공처리실에 고주파 전력을 인가하기 위하여 사용되는 매칭박스(11)나 각 구동부나 밸브등의 제어를 하기 위한 콘트롤 박스(12)등이 수납되어 있다.
반송실(2)은 제 2 도에 나타낸 바와같이 한쪽의 긴변에 따라 2 개의 웨이퍼 반출입구(21a)가 형성되고, 다른쪽의 긴변에 따라 2 개의 반출입구(21b)가 형성되고, 또한 한쪽의 짧은변에 1 개의 웨이퍼 반출입구(21c)가 형성되어 있다. 그리고 2 개의 반출입구(21a)에는 카세트실(3a), (3b)가 접속되어 있고, 반출입구(21b)에는 진공처리실(4a), (4b)가 반출입구(21c)에는 진공처리실(4c)이 접속되어 있다.
이들 반출입구에는 게이트밸브(G)가 설치되어 있고, 게이트 밸브(G)를 닫는것에 의하여 카세트실(3a), (3b), 진공처리실(4a∼4c)이 기밀하게 유지된다.
반송실(2)의 내부에는 아암(51∼53)으로 구성된 상술한 다관절 아암부재(5)와, 웨이퍼를 일시적으로 재치하기 위한 승강이 자유로운 버퍼 스테이지(22)와, 웨이퍼의 오리엔 테이션 플래트의 방향 및 중심위치를 맞추기 위한 위치맞춤기구(7)가 설치되어 있다.
또한 반송실(2)내에는 불활성 가스 예를들면, 질소가스를 공급하기위한 불활성 가스 공급관(23)이 상기 아암부재(51)의 회동중심의 위쪽 위치까지 연장되어 있고, 이 불활성 가스 공급관의 앞끝단부에는 예를들면, 소결금속으로 되는 불활성 가스 공급부(24)가 형성되어 있다, 상기 불활성 가스 공급관(23)의 기초 끝단쪽은 가스 공급원(25)에 접속되어 있고, 가스 공급원(25)으로부터 공급관(23) 및 공급관(24)를 통하여 질소 가스와 같은 불활성 가스가 반송실(2)내에 공급된다. 또 불활성가스 공급부(24)는 필터의 기능을 가지고 있고, 여기를 통하여 불활성 가스가 청정화된다.
이와같은 반송실(2)에 대하여 카세트실 및 진공 처리실은 제 3 도에 나타낸 바와같이 접속되어있다.
카세트실(3a), (3b)내에는 예를들면, 25 매의 웨이퍼를 수납한 웨이퍼 카세트(C)가 재치되어 있다. 카세트실(3a), (3b)의 상부에는 카세트(C)를 집어넣고, 빼내도록 전후에 개폐가 자유로운 마개(32)가 형성됨과 동시에 내부에는 카세트(C)를 간헐적으로 승강시키기 위한 승강기구(33)가 설치되고, 또 바닥부에는 배기관(34)가 접속되어있다. 이 배기간(34)은 밸브(V1)를 통하여 드라이 펌프와 같은 진공펌프(34a)에 접속되어 있다. 또 카세트실(3a), (3b)은 한쪽이 반입용, 다른쪽 반출용으로서 사용된다. 이들 카세트 실(3a), (3b)내에는 삽입된 카세트에 탑재된 웨이퍼의 상태를 검출하는 검출장치 (도시하지 않음)가 설치되어있다.
진공처리실(4a∼4c)에는 서셉터를 겸용하는 하부전극(42)과 상부전극(43)이 각각의 면을 수평으로 하여 설치되어 있고, 처리가스 공급관(44) 및 배기관(45)이 접속되어있다. 처리가스 공급관(44)은 처리가스 공급원(44a)에 접속되어 있고, 배기관(45)은 진공펌프(45a)에 접속되어 있다. 상부 전극(43)의 위쪽에는 마그네트론 유니트(46)가 진공처리실과는 분할되어 설치되어 있고, 그 관체(46a)중에는 진공처리실(4a∼4c)내에 자장을 형성하는 마그네트론 (47) 및 자장 누설 방지용의 마그네트론(48)이 로우터(49)에서 회전하도록 설치되어 있다. 하부전극(42)에는 고주파 전원(E)이 접속되어 있고, 이 전원(E)로부터 양 전극 사이에 고주파 전력이 공급된다. 이들의 사이에 마그네트론 방전이 발생하고, 그때에 여기된 처리가스의 플라즈만 의하여 피처리체로서 웨이퍼에 에칭처리가 실시된다. 또 상기 하부전극(42)내에는 웨이퍼(W)을 냉각하기 위한 냉매조(76)가 형성되어 있고, 이 냉매조(76)에는 냉매 공급관(77)과 냉매 배출관(78)이 접속되어 있다.
제 3 도에 나타낸 바와같이 반송실(2)내의 상기 다관절 아암부재(5)는 각각 독립하여 수평방향으로 회동되는 3 개의 반송아암(51), (52), (53)을 구비하고 있고, 최하단의 아암(51)은 후술하는 구동부(6)로부터 연장하는 회동축(61)에 부착되어 있다. 또 반송실(2)의 바닥벽에는 배기관(26)이 접속되어 있고, 이 배기관(26)은 밸브(V3)를 통하여 터버 펌프등의 진공펌프(35)에 접속되어 있다.
반송실(2)의 아래쪽에는 다관절 아암부재(5)를 구동하기 위한 구동부재(6)가 기밀구조의 케이스(65)내에 설치되어 있고, 이 케이스(65)는 외기로부터 차단되어있다. 구동부(6)는 상기 아암(51), (52), (53)을 구동하기 위한 3 개의 구동 모터를 구비하고 있다. 이 구동부(6)로 부터는 상술한 회동축(61)이 신장 되어 있고, 이 회동축(61)에 아암(51)이 부착되어 있다. 또 상기 회동축(61)의 내부에는 상단 및 동단의 반송아암(52), (53)을 각각 독립하여 구동하기 위한 회동축 (도시하지않음)이 설치되어있다.
또 제 4 도에 나타낸 바와같이 반송실(2)의 바닥벽에는 케이스(65)에 대응하는 구멍부(27)가 형성되어 있고, 이 구멍부(27)을 덮도록 플랜지부(62)가 상기 바닥벽에 대하여 착탈이 자유롭게 설치되어 있다. 상기 플랜지부(62)의 중앙부에는 아래쪽으로 신장되는 원통부(63)가 형성되고, 이 원통부(63)의 내벽과 회동축(61)과의 사이에는 축받이부(64)가 장착되어 있다.
케이스부(65)내의 공간은 대기와 차단된다.
상기 다관절 아암부재(5)에 있어서는 제 4 도에 나타낸 바와같이 상단 및 중단의 반송아암(52), (53)의 사이에 상단의 반송아암(53)을 회동시키는 회동축(53a) 및 축받이부(53b)가 설치되고, 중단 및 하단의 반송아암(51), (52)의 사이제 중단의 반송아암(52)을 회동시키는 회동축(52a) 및 축받이부(52b)가 설치되어 있다. 이 회동축(52a)는 상단의 반송아암(53)용의 회동축 (도시하지 않음)을 내장하고 있다. 그리고 중단 및 하단의 반송아암(51), (52)의 내부에는 구동부(6)의 구동에 의하여 상단 및 중단의 반송아암(52), (53)이 독립하여 구동되도록 벨트나 풀리등의 전송기구가 조립됨과 동시에 관절부의 축받이부(52b), (53b)를 흡인하기 위한 흡인로 (점선으로 나타냄)가 형성되고, 이 흡인로(54)는 상기 회동축(61)내를 통하여 케이스부(65)의 내부공간에 개구되어 있다.
상기 케이스부(65)에는 배기관(36)이 접속되고, 이 배기관(36)는 밸브(V2)를 통하여 상기 진공펌프(35)에 접속되어있다. 따라서 밸브(V2)를 열면, 케이스부 (65)의 배부 공간이 진공배기되고, 이것에 의하여 각 축받이부 (64), (52b), (53b)에서 발생한 파티클이 케이스부 (65)의 내부공간을 통하여 배기관(36)내에 배출되는 것이 된다.
또 상기 축받이 (64)와 반송실 (2)내와의 사이에는 라비린스 (미로) 시일이 형성되어 있다. 즉 회동축(61)에는 돌출부 (61a)가 형성되어 있고, 원통부 (63)에 형성된 회전축(61)의 끼워넣은 구멍은 이것에 대응하여 굴곡하여 있고, 굴곡된 배기경로가 형성되어 있다.
상기 상단의 반송아암 (53)의 웨이퍼 유지부 (53a)에는 예를들면, 웨이퍼를 안정하여 유지할 수 있는 3 개소의 위치에 마찰에 의하여 파티클이 발생하기 어려운 재질 예를들면, 불소 수지로 되는 돌기부 (55)가 설치되어 있고, 이것에 의하여 웨이퍼를 반송아암(53)에 유지한때 웨이퍼의 위치 오차, 웨이퍼자신의 데미지가 방지된다.
다음에 상기 진공처리실의 지지구조에 대하여 제 5 도에 따라서 설명한다. 상술한 바와같이 반송실 (2) 및 카세트실 (3a), (3b), 지지프레임(20)에 의하여 지지되어 있고, 진공처리실 (4a), (4b), (4c) 는 각각 지지프레임 (40a), (40b), (40c)에 의하여 지지되어 있다. 그리고 이들지지 프레임 (20), (40a∼40c)은 틀재나 판재가 조립되어 서로 독립하고 있다.
이들지지 프레임은 상기 기초대 (10)상에 재치되고, 그 중에는 처리가스 공급관 (44), 각실을 진공배기하기 위한 배기관 (제 5 도에서는 반송실 2의 배기관 26을 대표하여 나타냄), 전기배선 (13) 및 전자 밸브의 작동용 에어관 (도시하지 않음)등이 둘러쳐있다. 전기배선으로서는 고주파 전원등의 전력공급선, 각 노터나 밸브등의 제어신호선 및 온도, 압력등의 검출신호선등이 상당한다. 또 기초대 (10)의 상면에는 제 5 도에 S1, S2의 부호로 대표하여 나타내도록 가스배관이나 전기배선의 둘러쳐신 레이아웃에 따라서 마개판이 설치되고, 내부의 전기배선등의 메인티넌스할 수 있도록 구성됨과 동시에 가스 배관이나 전기 배선을 위쪽으로 나오기 위한 구멍 (도시하지 않음)이 형성되어 있다.
다음에 마그네트 유니트 (46)의 상기 승강기구 (8)에 대하여 설명한다. 상기 승강기구 (8)은 제 6 도에 나타낸 바와 같이 서로 대향하는 1 쌍의 지지판 (81)을 구비하고, 그 각각에 전방쪽으로 연장됨과 동시에 수직명에 따라서 회동하는 2개 1 조의 아암 (82a), (82b)가 부착되어 있다. 이 1 조의 아암(82a), (82b)의 위쪽의 아암 (82a)은 기초 끝단부가 지지판(81)에 축지지됨과 동시에 앞끝단부가 마그네트 유니트 (46)의 관체 (46a)의 측면에 축지지 되어있다. 또 아래쪽의 아암 (82b)은 1 쌍의 지지판 (81) 사이에 축지지된 회동축 (83)의 끝단부에 고정됨과 동시에 앞끝단부가 관체의 측면에 축지지되어 있고, 아암 (82a), (82b)가 회동한때에 관체(45a)가 수평자세를 가진채 승강한다.
상기 회동축 (83)의 중앙부에는 전방 경사상에 돌출하는 작동부 (84)가 형성됨과 동시에 이 작동부 (84)의 상단부에는 상부 후방으로부터 연장한 신축 로드(85)의 아래끝단이 지지되어 있다. 상기 신축 로드 (85)의 상단은 지지판 (81)에 고정된 구동부 (86)의 구동에 의하여 그 신축로드 (85)를 신축 동작시키기 위한 전달수단 (87)에 조합되어 있다. 따라서 신축로드 (85)를 축소 후퇴시키면 작동부 (84)의 앞끝단부가 들어 올려지므로 회동축 (83)이 도면 제 3 도 중 반시계 방향으로 회동하고, 이것에 의하여 아암 (82a), (82b)이 위쪽으로 회동하여 제 7a도에 나타낸 바와같이 관체 (45)가 상승한다. 또 신축로드 (85)를 신장시키면, 역의 동작에 의하여 제 7b 도에 나타낸 바와같이 관체 (46a)가 하강한다. 이와같은 관체(46a)를 승강 시키도록 하면, 관체 (46a)를 수직방향으로 직선형상으로 상승시키고, 또 수평방향으로 직선형상으로 인출하는 기구에 비하여 관체 (46a)의 위쪽에 가이드기구가 불필요하게 되는 점에서 스페이스상 유리하다.
다음에 웨이퍼의 위치맞춤기구 (7)에 대하여 상세하게 설명한다.
위치맞춤 기구 (7)는 제 3 도에 나타낸 바와같이 웨이퍼 (1)를 유지하는 소구경의 스테이지 (71)와, 이 스테이지 (71)를 X, Y, Z 및 θ 방향 (회전방향)으로 구동하는 구동부 (72)와, 웨이퍼 (1)의 주연부를 광학적으로 검출하도록 웨이퍼 (1)의 주연의 이동로를 끼운 상하에 발광부 (73a), 수광부 (73b)를 구비한 검출부 (73)를 구비하고 있다. 수광부 (73b)는 제어부 (74)에 접속되어 있고, 이 제어부 (74)는 수광부 (73b)의 수광신호에 따라서 웨이퍼 (W)의 중심위치 및 오리플러의 방향을 검출하고, 웨이퍼 (W)의 중심위치가 소정위치로 되어 오리플러의 방향이 소정의 방향이 되도록 스테이지 (71)의 구동부 (7)를 제어하는 기능을 가지고 있다.
다음에 이상과 같이 구성된 진공처리장치에 있어서의 처리동작에 대하여 설명한다.
먼저 반송로 (2)의 반출입구 (21a), (21b), (21c)의 게이트 밸브 (G)을 닫고 밸브 (V3)를 열어 배기관 (26)을 통하여 반송실 (2)을 예를들면, 50∼200mTorr 까지 배기한다. 다음에 밸브 (V3)을 닫고, 밸브 (V2)를 열어 배기를 계속한다. 이 경우에 회전축 (61)의 축받이부 (64) - 케이스부 (65) - 배기관 (36)의 경로 및 반송수단 (5)의 관절부의 축받이부 (52b), (53b) - 흡인로 (54) - 케이스부 (65) - 배기관 (36)의 경로 2 개의 경로에서 배기된다.
다음에 호스트 컴퓨터에 시스템공정을 입력하고 카세트실 (3a), (3b)의 마개(32)를 열고, 피처리체로서의 웨이퍼(W)를 25 매 수납한 카세트 (C)를 웨이퍼(W)가 수평으로 되는 자세로 반입용의 카세트실 (3a)내의 승강기구 (33)상에 재치함과 동시에 반출용의 카세트실 (3b)내에 빈 카세트 (C)를 재치하고 마개 (32)를 닫는다. 그리고 양 카세트실의 밸브 (V1)를 열고 카세트실 (3a), (3b)내를 배기한다. 카세트실 (3a), (3b)의 배기때에는 10 Torr 정도까지 파티클의 말아올림을 방지하기 위하여 슬로우 배기를 한다. 그후 통상의 배기와 같이 그 중을 30∼300 Torr 정도로 하고, 그 도달압력으로 밸브 (V1)를 닫는다. 이 배기와 동시에 카세트실 (3a)내에 설치된 검출장치 (도시하지 않음)에 의하여 카세트실 (C)에 탑재된 웨이퍼 (W)의 서어치를 하여 웨이퍼의 상태를 파악한다.
다음에 가스 공급원 (25)로부터 가스 공급관 (23) 및 가스 공급부 (24)를 통하여 반송실 (2)내에 질소가스를 공급하고, 그 압력을 900m Torr이하 예를들면, 100∼200 m Torr 로 콘트롤한다.
이 상태에서 카세트실 (3a), (3b)과 반송실 (2)과의 사이의 게이트 밸브 (G)를 열고, 다관절 아암 (5)의 아암 (53)을 반출입구 (21a)를 통하여 카세트실 (3A)의 카세트실 (C) 내에 진입시키어, 웨이퍼 (W)를 받는다. 이 경우 승강기구 (33)을 간헐적으로 강하시킴으로써 카세트 (C)로부터 1매씩 웨이퍼 (W)가 취출된다. 그리하여 웨이퍼 (W) 반송아암 (53)의 유지부 (53a)의 3 개의 돌기부 (55)에 의하여 유지된다.
이 경우 반송실 (2)내는 카세트실 (3a), (3b)보다도 양압으로 유지된다.
반송실 (2)내에서는 반송아암 (53)이 카세트 (C)로부터 받아넘김 웨이퍼 (W)를 위치맞춤기구 (7)의 스테이지 (71)상에 재치하고, 검출부 (73)에 의하여 웨이퍼 (W)의 주연을 검출하고, 그 결과에 따라서 스테이지 (71)를 운동하여 웨이퍼 (W)의 오리플러의 방향 및 중심의 위치맞춤을 한다. 계속하여 배기관 (45)을 통하여 진공처리실(4a∼4c)내를 10 m Torr 이하, 바람직하게는 1m Torr로 진공배기한다. 이경우에 반송실 (2)내는 진공처리실(4a∼4c)보다도 양압으로 유지된다.
예를들면, 반송실 (2)이 약 200m Torr로 유지되고, 진공처리실 (4a∼4c)가 1m Torr오더로 유지된다.
이들 처리실의 중의 공정에 의하여 미리 정해진 처리실 예를들면, 처리실 (4a)에 대응하는 게이트 (G)을 열고, 다관절 아암 (5)에 의하여 반출입구 (21b)을 통하여 진공처리실 (4a)내에 웨이퍼 (W)을 반한다. 진공처리실 (4a)내에서는 반송 아암 (53)에 재치된 웨이퍼 (W)를 서셉터로하여 하부전극 (42)의 위쪽으로 위치시키고, 하부전극에 설치된 승강핀 (도시하지 않음)을 돌출시켜 웨이퍼 (W)을 받고, 또한 승강핀을 후퇴시키는 것에 의하여 웨이퍼 (W)를 하부전극 (42)상에 재치시킨다. 다음에 다관절 아암 (5)을 반송실 (2)에 후퇴시키고, 게이트 밸브 (G)를 닫는다.
진공처리실 (4a)내에는 가스공급관 (44)를 통하여 처리가스가 공급되고, 하부전극 (42)과 상부전극 (43)과의 사이에 고주파 전원 (E)으로부터 고주파 전력이 공급되고, 이 전계와 마그네트 (47)에 의한 자계에 의하여 전극간에 마그네트론 방전이 생기고, 이때에 여기된 처리가스의 플라즈마에 의하여 웨이퍼 (W)의 에칭 처리가 시행된다.
카세트실 (C)내의 웨이퍼 (W)는 상술과 동일한 수순에 의하여 1 매씩 순차 공정에 따라 각 진공처리실 (4a∼4c)에 반송되고, 이들에 의하여 병행하여 진공처리 (이예에서는 플라즈마 에칭처리)가 행해진다 이때에 1 개의 처리실의 게이트 밸브가 열려있는 경우에는 다른 처리실의 게이트 밸브가 닫치는 것이나 크로스 콘터미네니션을 방지하는 관점으로부터 바람직하다. 또 처리실의 게이트 밸브를 열은 경우에는 당연한 것으로 그 처리실은 배기되어 있을 필요가 있다.
처리마침의 웨이퍼 (W)는 다관절 아암(5)에 의하여 반출용 카세트실 (3b)의 카세트 (C)내에 주고 받기되나, 다음에 처리되어야할 웨이퍼 (W)는 진공처리실 (4a∼4c)에서 처리가 행해지고 있는 사이에 위치맞춤 기구 (7)에 의하여 위치 맞춤되고, 버퍼 스테이지 (22)상에서 대기한다.
이상과 같은 진공처리 중 밸브 (V2)은 열려 있고, 이들에 의하여 케이스부 (65)사이가 진공배기되고, 상술한 바와같은 축받이부 (64), (52b), (53b)로부터 반송실 (2)내에 흡입되고, 동시에 불활성가스 공급부 (24)로부터 예를들면, 질소 가스가 반송실 (2)냉 공급되어 반송실 내가 소정의 압력으로 콘트롤 되어 있다. 이 불활성 가스 공급부 (24)는 반송수단 (5)의 회전축 (61)의 위쪽부근에 있기 때문에 상기 질소가스는 주로 축받이 (64), (52b), (53b)로부터 상술한 경로에서 케이스부 (65)내에 흘러 들어간다.
이와 같은 진공처리장치에 의하며, 반송실 (2)내에 반송수단으로서 각각 독립 하여 수평하게 이동이 자유로운 3 개의 반송아암 (51∼53)을 구비한 다관절 아암 (5)을 설치하고 있기 때문에 반송수단의 수평자세의 얻어지는 자유도가 크고, 반송아암 (51∼53)에 의하여 웨이퍼 (W)의 반송경로를 아암의 스트로크 범위이면, 자유롭게 선택할 수 있다. 따라서 진공처리실 (4a∼4c) 및 카세트실 (3a), (3b)에 대응하는 반출입구를 반송수단 (5)과의 위치관계의 자유도가 크다. 또 반송실 (2)의 형상, 진공처리실 (4a∼4c) 및 카세트실 (3a), (3b)의 배치 레이아웃의 자유도가 크기 때문에 설치 스페이스에 따라서 레이이웃을 결정할 수가 있고, 보다 스페이스 절약화를 도모 할 수가 있다.
또한 반송실 (2)을 사각형으로 하고, 그 주위에 복수의 진공처리실 및 카세트실을 배치하므로서 반송수단의 회전 중심에 대하여 방사형상의 복수의 진공처리실이나 카세트실을 방사형상으로 나란하게 한 경우에 비하여 장치의 스페이스가 좁게 되고, 복수의 진공처리실의 조합된 장치를 고가인 크린룸내에 설치하는데 대하여 매우 유효하다. 또 각실의 배관의 레이아웃의 자유도가 크기 때문에 웨이퍼 (W)의 반송거리를 짧게 할 수가 있기 때문에 스루풋의 향상을 도모할 수가 있다.
또 반송수단 (5)의 구동부 (6)은 대기와 차단되고, 기밀상태로 유지되는 케이스 (65)내에 수납되어 있으므로 회동축 (61)의 축받이부 (64)로서 자성유체 시일등이 불필요하게 된다. 그리고 회전축 (61)의 축받이부 (64) - 케이스 (65) - 배기관 (36)의 경로 및 반송수단 (5)의 관절부의 축받이부 (52b), (53b) - 흡인로 (54) - 케이스 (65) - 배기관 (36)의 경로 2개의 결로로 배기되고, 더구나 아암 (51)의 위쪽으로부터 가스를 공급하여 기류가 형성되고, 이것에 의하여 다관절 아암부재 (5)의 축받이부 (64), (52b), (53b)가 공기를 쓸어내므로 다관절아암부재 (5)의 구동에 따라 축받이부로부터 발생한 파티클이 반송실 (2) 내에 비산하는 것이 방지되고, 웨이퍼 (W)의 오염을 매우 적게 할 수가 있다. 따라서 미세 패턴화하는 반도체 디바이스의 제조장치로서 매우 유효하다. 또한 축받이부 (64)근처에 레비린스 시일을 형성하기 위하여 축받이부 (64)에서 발생한 파티클이 반송실(2)내에 비산하는 것이 방지되고, 한층 반송실 (2)내를 크린한 상태로 유지할 수가 있다.
이와같이 반송실 (2)을 매우 크린한 상태로 유지할 수가 있기 때문에 반송실 (2)을 카세트실 및 진공처리실 보다도 양압상태로 하여도 카세트실 및 진공처리실을 오염하는 일이 없다. 더구나 이와같은 반송실 (2)을 양압으로 함으로써 각 처리실로부터 콘터미네이션이 반송실 (2)내에 유입하는 것이 방지되고, 반송실 (2)내에 있어서의 크로스 터미네니션의 형성이 방지된다. 또 불활성가스로서는 질소에 한정하지 않고, 아르곤가스나 헬륨가스로서도 좋다.
그리고 또 반송실 (20)내에 버퍼 스테이션 (22)을 설치하면, 다음의 웨이퍼 위치맞춤을 마치고 여기에 대기 시켜둘 수가 있는등 반송의 효율화를 도모할 수가 있고, 스루풋이 향상한다. 이 경우 반송중의 웨이퍼와 버퍼 스테이지 (22)상의 웨이퍼가 높이 방향으로 간섭하지 않도록 버퍼 스테이지 (22)를 상승 또는 하강시키도록 하면, 진공처리실로부터 카세트실 (C)로 웨이퍼 반송하는 반송로의 근처에 버퍼 스테이지 (22)를 설치할 수가 있다. 또 위치 맞춤 기구 (7)을 2 개 준비하여 이들을 버퍼스테이지로서 겸용시키는 것도 좋다.
상술한 바와같은 진공처리장치를 제조하는 경우 또는 메이티넌스를 한후에 장치의 조립을 하는 경우에는 반송실 (2) 및 각 진공처리실(4a∼4c)의 유니트마다 미리 조립을 하고, 조립된 유니트를 기초대 (10)상에서 조립시킬수가 있다. 예를 들면, 진공처리실 (4a)의 유니트에서는지지 프레임 (40a)에 진공처리실 (4A)을 재치하고, 필요한 기기종류을 장착하여 유니트의 조립을 하고, 동일한 작업을 다른 유니트에 대하여도 하여 각 유니트마다지지 프레임을 기초대 (10)에 재치하여 조립시킨다. 이와같이 각 유니트의 조립을 병행하여 할 수가 있으므로 단시간에 작업을 할 수가 있고, 또 장치의 일부를 교환하는 경우 예를들면, 진공처리실(4a)을 교환하는 경우 그 지지프레임 (40a)을 다른 유니트로부터 절단하여 교환 작업을 할 수가 있으므로 작업성이 좋다.
또 가스 배관이나 전기 배선이 기초대 (10) 안에 꼬여져 있기 때문에, 진공처리실 등의 각 유니트를 조립한 후 지지 프레임을 기초대(10) 위에 용이하게 옮겨 넣어서 설치할 수 있으며, 또 각지지 프레임을 기초대 바깥으로 운반해 내는 작업도 용이하다. 또 기초대(10) 상에 실어서 작업을 하는 경우에도 전기 배선 등이 단락하지 않아서 작업하기 쉽다.
그런데, 상기 진공처리실에 어떤 이상이 일어난 경우, 예를들면 가스 유량이나 전력 등의 프로세스 조건이 소정치에서 벗어난 경우, 알람이 발생되어 처리가 중지된다. 이때, 오퍼레이터의 판단에 의하여 셋트처리하여 장치를 다시 스타트시키고, 그 후 이상이 해제되어 있는 경우에는 중지된 웨이퍼가 카세트로 되돌려진 후, 다음의 웨이퍼로부터 통상의 처리가 이루어진다. 따라서 이와같은 경우에는 카세트에 되돌려진 웨이퍼 중에는 통상의 처리가 이루어지지 않았던 웨이퍼도 포함되는 것으로 되지만, 이 웨이퍼에 대해서는 예를들면 주(主)컴퓨터의 데이터시트에 따라서 오퍼레이터가 그 웨이퍼를 포함하는 카세트를 판별하고, 그 카세트중으로부터 웨이퍼를 삭제하고, 폐기되는 것으로 되지만, 이것은 매우 번잡한 작업이다.
이와 같은 점을 고려하고, 통상의 처리가 이루어지지 않았던 웨이퍼를 용이하게 판별할 수 있는 방법에 대하여 설명한다.
이 방법을 실시함에 있어서, 제 9 도에 나타내는 위치맞춤 기구가 사용되고 있다. 이 위치맞춤 기구는 제 8 도의 것과는 다르며, 제어부(74)가 진공처리실(4a), (4b) 또는 (4c)로서 결정된 오리플러의 방향을 지정하는 처리용 모드와, 통상이 처리가 처리가 행해진 웨이퍼 (W)가 카세트 (C)내에 수납된때에 다른 오리엔테이션 플래트의 방향 예를들면, 180도 다른 방향을 지정하는 수납 식별용 모들을 선택한다. 또 이 제어부(74)는 반송수단 (5)의 구동부 (6)를 제어하고 진공처리실 (4a), (4b) 또는 (4c) 이 정상인 경우에는 통상의 반송을 하는 통상모드을 또 진공처리실쪽에서 이상이 검출되어 통상의 처리가 행해지 않았던 웨이퍼 (W)를 반송하는 경우에는 호스트 컴퓨터 (75)의 지령에 따라 이상 모드를 선택하는 기능 구비하고 있다. 그리고, 진공처리실에서 정상적인 처리가 이루어졌는가 아닌가에 의하여 반송공정이 변화한다.
이 때의 웨이퍼 반송의 플로우를 제 10 도를 참조하여 설명한다. 진공처리실에서 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 진공처리를 할 때에는, 예를들면 처리가스의 유량, 온도, 압력, 전력 등의 프로세스 조건이 주 컴퓨터(75)에 의하여 관리되어 있다. 상술한 바와 같이 하여 각 처리실에서 웨이퍼(W)에 대하여 통상의 처리가 이루어진 경우에는, 처리실로부터 반출된 웨이퍼(W)는 반출용 카세트실(3b) 내의 카세트에 수용된다. 이겻에 대하여 통상의 처리가 이루어지지 않은 경우, 상술한 프로세스 조건이 이상치로 되어, 주컴퓨터(75)로부터 이상신호가 제어부(74)에 출력된다. 이 때에 제어부(74)는 이상모드를 선택하여 구동부(6)를 제어하고, 웨이퍼(W)는 위치맞춤기구(7)의 스테이지(71)에 반송된다.
또 제어부(74)는 위치맞춤기구(7)에 대하여 수납식별용 모드를 선택하고, 이것에 의하여 웨이퍼 (W)의가 통상의 웨이퍼(W) 오리엔테이션 플래트의 방향과는 다른 방향에서 카세트(C) 내에 수납되도록 스테이지(71)를 회전운동시킨다.
그 후에 이 웨이퍼(W)는 스테이지(71)로부터 카세트실(3b)의 카세트(C) 내에 반송된다. 그리고 이상이 생긴 진공처리실의 프로세스의 이상이 예를들면 리세트 처리에 의하여 해제된 경우에는, 카세트실(3a)의 카세트 (C) 내의 나머지의 웨이퍼(W)가 순차 처리된다.
이와같은 공정을 거쳐 웨이퍼(W)가 건네 받아진 카세트실(3b) 내의 카세트(C)는 통상의 처리가 이루어지지 않았던 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플 졌는가 아닌가 통상의 웨이퍼(W)의 오리엔 테이션 플통상의 웨이퍼(W)의 오리엔 테이션 플래트 방향이, 통상의 처리가 이루어진 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플래트의 방향과는 예를들면 180도 다르다.
따라서 오퍼레이터는 이 카세트(C) 내를 보면, 통상의 처리가 이루어지지 않았던 웨이퍼를 동일하게 식별할 수 있고, 통상의 처리가 행해진 웨이퍼도 되는 일 없이 그 웨이퍼를 제거 할 수가 있고, 그후 공정에서 불필요한 검토공정으로 정지하는 일없이 된다. 또 오리엔 테이션 플레트를 대신하여 예를들면, 노치라고 부르는 반원형상의 절단이 형성되어 있는 웨이퍼에 대하여는 노치에 대하여 웨이퍼의 방향이 결정된다.
또 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 일 없이 여러 가지 변경가능하다. 진공처리로서는 마그네트를 사용하지 않은 플라즈마 에칭, 플라즈나 CVD, 열 CVD, 어싱, 스퍼터링들을 하는 진공처리실에 있어서도 좋고, 각 진공처리실에서 각각의 진공처리를 하도록 하여도 좋다.
또 진공처리실에 있어서 반듯이 동일 조건으로 웨이퍼를 진공처리할 필요는 없고, 웨이퍼 마다 다른 조건으로 처리하도록 하여도 좋다. 이하 이와같이 처리해야 할 웨이퍼의 처리조건의 변경에 신속하게 대응할 수가 있는 진공처리장치에 대하여 설명한다.
동일 장치에 의한 진공처리 예를들면, 드라이 에칭처리를 하는 경우 반도체 웨이퍼의 재질, 크기, 레지스트, 패턴, 규격등에 의하여 드라이에칭처리에 있어서의 각종의 처리조건, 예를들면, RF 파워, 에칭반응가스의 종류 및 그 유량비, 처리실내의 진공도, 처리온도등이 다르게 된다. 이 때문에 드라이 에칭처리하는 때에는 처리대상인 반도체 웨이퍼에 고유의 각종 처리 조건하에서 에칭 처리장치를 작동시키어 처리를 실행할 필요가 있다.
제 11 도는 이와같은 웨이퍼 마다 처리조건의 설정이 가능한 장치를 나타내는 도면이다.
여기에서는 상기 처리실 (4a)에 마그네트를 사용하지 아니한 드라이에칭 장치를 적용할 경우에 대하여 설명한다.
상술한 위치맞춤 기구 (7)의 위쪽에 레이저를 이용한 판독장치, 예를들면, 바코드 리더 (90)가 설치되어 있다. 이 바코드 리더 (90)는 수평방향으로 진퇴가 자유롭게 구성되어 있고, 상기 위치 맞춤 기구 (7)에 의하여 위치 맞춤이 완료된 시점에서 웨이퍼의 위쪽의 소정의 위치로 이동하고, 그 웨이퍼의 소정 위치에 표시되어 있는 바코드를 읽어들여 이것에 의하여 인식한 정보를 신호화하고, 이것을 외부에 설치되어 있는 콘트롤러(6)로 출력한다.
진공처리장치 (40a)내에는 반출입구 (21a)를 통하여 반출되는 웨이퍼 (W)를 유지하는 서셉터로서의 기능을 가지는 하부전극 (101)가 설치되어 있다. 유지하기 위한 기구로서는 예를들면, 유도체로 직류전압을 인가한때에 생기는 정전력을 이용한 정전척등이 채용된다.
이 하부전극 (101)은 알루미늄등의 재질에 의하여 구성되고, 진공처리실 (4a)의 바닥부에 설치된 세라믹등으로부터 되는 절염판 (102)상에 설치되어있고, 접지되어 있는 진공처리실 (4a)는 절연되어 있다. 하부전극 (101)에는 블록킹 콘덴서 (104), 매칭장치 (105)를 통하여 고주파 전원 (106)이 접속되어 있고, 이 고주파 전원 (106)으로부터 하부전극 (101)에 예를들면, 고주파가 13.5MHz, 파워가 100W∼1500W 까지의 임의의 값의 고주파 전력이 인가된다.
또 상기 고주파 전원 (36)의 출력은 상기 콘틀롤러 (91)에 의하여 제어된다.
하부전극 (101)내에는 하부전극 (101)을 소정온도 예를들면, -30℃ ∼ +60℃까지의 임의의 온도로 제어하기 위한 온도조절기구 (107)가 설치되어 있고, 이 온도 조절기구 (107)는 진공처리실 (4a)의 외부에 설치되어 있는 온도 제어장치 (108)에 의하여 제어되고, 또 이온 제어장치(108) 자체도, 상기 콘틀롤러 (91)에 의하여 제어된다.
상기 진공처리실(4a)의 바닥부에는 배기관 (109)이 접속되어 있고, 이 배기관 (109)에는 진공펌프 (103)가 접속되어 있다. 그리하여 배기관 (109)에는 배기펌프 (110)가 설치되어 있다. 그래서 진공펌프 (103) 및 밸브 (110)의 작동에 의하여 진공처리실(4a)내 예를들면, 10-3∼10-1Torr 까지의 사이 임의의 감압 분위기로 설정, 유지된다. 그래서 이 배기 밸브 (110)의 작동, 개폐도등은 상기 콘트롤러 (91)에 의하여 제어된다.
진공처리실(4a)내의 상부에는 하부전극 (101)과 대향하도록 상부전극 (11)이 설치되어 있다. 이 상부전극 (11)은 전체로서 증공구조를 가지고 있고, 또 상기 서셉터 (101)과의 대향면의 재질은 예를들면, 어멀퍼스 카본으로 되어 있다. 그래서 이 대향면에는 다수의 가스확산구멍 (112)이 설치되어 있고, 상기 상부전극(41)의 중심 상부에 설치되어 있는 가스도입구 (113)로부터 공급되는 에칭가스등의 처리가스가 이등 가스 확산구멍 (112)로부터 하부전극 (101)상에 유지되어 있는 웨이퍼 (W)에 대하여 균등하게 토출된다.
상기 가스 도입구 (113)는 밸브 (114)를 통하여 가스 공급관(115)과 접속되어 있고, 이 가스 공급관 (115)는 더 3 개로 분지되어 각 분지선에는 각 밸브 (116), 가스 공급양을 조정하는 매스 플로우 콘트롤러 (117)를 통하여 각각 다른 처리가스가 충진되어 있는 가스 봄베 (118), (119), (120)가 접속되어 있다. 본 실시예에서는 가스 봄베 (118)에 HCI 가스가, 가스 봄베 (119)에는 HBr가스가, 가스 봄베 (120)에는 불활성가스인 N2가 각각 충진되어 있다. 그리고 상기 각 밸브 (116) 및 각 매스플로우 콘트롤러 (117)는 상기 콘트롤러 (91)에 의하여 각각 제어된다.
이와같은 진공처리장치에 있어서 에칭처리를 하기 위하여는 먼저 제 12 도에 나타낸 바와같이 피처리체로 되는 웨이퍼 (W)의 오리엔 테니션 플래트 (121) 근처에 그 웨이퍼 (W)의 드라이 에칭처리를 실시하는때에 고유의 각종조건, 예를들면, RF 파워, 에칭반응가스의 종류 및 그 유량, 처리실내의 진공도, 처리온도가 정보화 되어 바코드 (122)로서 표시된다.
그리고 그와 같이 하여 각각의 반도체 웨이퍼 고유의 각종처리조건이 바코드 표시되어 있는 복수의 웨이퍼 (W1∼W25)가 카세트 (C)에 탑재된 상태로 카세트실(3a)에 수납된다. 그후 상술한 실시예와 동일하게, 반송실 (2) 및 카세트실 (3a)내가 진공배기되고, 이들 사이의 게이트 밸브 (G)가 개방된다. 그리고 반송실 (2)내의 다관절아암 부재에 의하여 먼저 웨이퍼 (W1)가 반송실 (2)내에 반입된다. 그 후 위치맞춤기구 (7)에 의하여 웨이퍼 (W1)의 오리엔테이션 플래트 맞춤이 완료하면, 바코드리더 (90)가 이 웨이퍼 (W1)의 위쪽 소정위치로 이동하여 웨이퍼 (W1)의 오리엔테이션 플래트 근처에 표시된 상술한 각종 처리조건이 정보화되어 있는 바코드를 읽어들여 그 정보를 콘트롤러 (91)로 출력한다.
콘트롤러 (91)는 입력된 웨이퍼 (W1)고유의 각종 처리조건 정보를 연산 처리하고, 이것에 따른 코맨드를 고주파전원(106), (밸브 (110), 온도제어장치 (108) 및 처리계의 각 밸브 (116), 매스플로우 콘트롤러 (117)에 출력한다.
다음에 진공처리실 (4a)내를 배기한후, 반송실 (2) 및 진공처리실 (4a)사이의 게이트 밸브 (G)가 개방되어 웨이퍼 (W1)는 다관절 아암부재 (5)에 의하여 진공처리실 (4a)내의 하부전극 (101)상에 재치된다. 그후 상기 게이트 밸브 (G)가 페쇄되면, 콘트롤러 (91)의 코멘드에 따라서 배기밸브 (110)가 제어되고, 웨이퍼 (W1)의 드라이에칭 처리에 적합한 분위기, 예를들면, 0.6 Torr로 유지된다.
또 동시에 콘트롤러 (91)의 코멘드에 따라서 온도제어장치 (108)에 의하여 하부전극 (101)은 소정온도 예를들면, 40℃로 제어되고 또 동일 콘트롤러 (91)의 코멘드에 따라서 소정의 처리가스가 소정의 유량비로 가스 도입구 (113)으로부터 진공처리실(4a)내에 도입된다. 예를들면, 웨이퍼 (W1)의 레지스터 피복율이 40%의 경우에는 HCI/HBr 가스가 유량비 200/20 SCCM의 비율로 진공처리실 (4a)내에 도입된다.
그후 콘트롤러 (91)의 코멘드에 의한 설정조건에 따라서 고주파 전원 (106)으로부터 예를들며, 파워 275 W, 주파수가 13.56 MHz의 고주파 전력이 하부전극 (101)에 대하여 인가되고, 상기 반도체 웨이퍼 (W1)에 대하여 에칭처리가 행해진다.
이러한 경우 상기 각종 처리조건은 어느쪽도 미리 상기 반도체 웨이퍼 (W1)에 바코드로서 정보화되고, 이 정보에 따라서 각종 장치가 제어되어 그 처리조건이 설정되어 있으므로 매우 정확한 에칭처리가 이루어진다.
그리고 그와 같이 하여 상기 반도체 웨이퍼 (W1)에 대하여 소정의 에칭처리가 완료된후 다음의 피처리체인 웨이퍼 (W2)에 대하여 에칭처리를 하는 경우도 상기와 동일한 프로세스를 통하여 웨이퍼 (W2) 고유의 조건하에서 처리된다.
예를들면, 웨이퍼 (W2)의 피복율이 처리종료의 웨이퍼 (W1)와 다르고 7.4% 인 경우에는 그것에 따른 각종처리 조건이 동일하게 바코드화 되어 반도체 웨이퍼 (W2)의 표면에 표시되어 있으므로 반송실 (2)내의 위치맞춤 기구 (7)에 의한 오리엔테이션 맞춤이 완료된 시점에서의 바코드리더 (90)에 의한 읽어내는 동작에 의하여 이 웨이퍼 (W2) 고유의 피처리 조건이 콘트롤러 (91)에 입력되고, 이것에 따라서 고주파 전원 (106), 밸브 (110), 온도제어장치 (108) 및 처리가스계의 각 밸브 (116), 매스플로우 콘트롤러 (117)등이 세트업된다. 구체적으로 말하면, 웨이퍼 (W2)는 그 레지스트의 피복율 7.4% 이므로 이것에 따른 HCI/HBr 가스의 유량비 200/80 SCCM 이 설정된다. 이렇게 하여 상기 세트업이 완료하여 웨이퍼 (W2)가 진공처리실 (4a)내의 하부전극 (101)상에 재치되면, 콘트롤러 (91)의 코멘드에 따라 진공처리실 (4a)내에 공급되는 HCI/HBr 가스의 유량비가 200/80 SCCM 가지 변화하고, 설정조건하에서 에칭처리가 개시된다. 이와같은 웨이퍼 (W1)와는 다른 조건에서의 처리가 필요한 웨이퍼 (W2)에 대하여 상응하는 적절한 처리가 자동적이고, 정확하게 실행된다.
이와같이 하여 각각 다른 고유의 처리조건을 가지는 다른 웨이퍼 (W3∼W25)에 대하여도 자동적으로 처리조건이 변경되어 적절한 에칭처리가 이루어진다. 또 이것을 실행할때의 바코드의 판독은 반도체 웨이퍼의 위치맞춤이 완료된 시점에서 행하므로 항상정확하다.
또 상기예에서는 웨이퍼 (W1), (W2)로서는 그 처리조건이 처리가스의 유량비만이 다르지만, 물론 다른 고주파 전력의 파워나 온도, 감압 분위기등이 다른경우에 대하여도 이것이 바코드화되어 처리체인 반도체 웨이퍼상에 표시되어 있으면, 적절하게 대처할 수 있다.
또 상기 실시예에서는 바코드로서 표준화 되어있는 정보가 피처리체에 실시되는 소위 환경적인 조건에 대하여는 케이스에 있지만, 물론 본 발명에 의하면 이것에 한정하지 않고, 예를들면, 복수의 진공처리실에 의한 처리 시켄스가 피처리체 마다 다른경우에도 적용할 수가 있다.
예를들면, 진공처리실 (4a)을 세정처리장치, 진공처리장치 (4b)를 에칭처리장치, 진공처리실 (4c)을 CVD 처리장치로 하고, 각각 웨이퍼에 대하여 각각 고유한 개별처리를 하는 경우 당해 반도체 웨이퍼의 표면에 필요한 개별처리를 정보화하여 예를들면, 이것을 바코드화하여 표시하여 두면, 어느 웨이퍼에 대하여는 처리실 (4a)에서의 세정처리만을 실행하고, 다른 반도체에 대하여 처리실 (4a)에서의 세정처리후에 또한 처리실 (4a)에 있어서 에칭처리를 실행하고, 또 다른 웨이퍼에 대하여는 퍼리실(4a)에서의 세정처리, 처리실 (4b)에 있어서의 에칭처리후에 또한 처리실 (4c)에 있어서의 CVD처리를 실행하는 것을 모두 자동화 하는일이 가능하다.
물론 상기의 경우 각처리실에 있어서 또 각각의 처리조건을 각 웨이퍼미디 설정 변경하는 일도 가능하다.
또 상기 예에 있어서는 처리조건등을 정보화 하여 이것을 표시하는 표식으로하여 바코드를 이용하였으나, 물론 이것에 한정하지 않고, 예를들면, 숫자, 알파헤드, 이메지신 홀등의 기호, 도형에 의하여 표시하여도 좋다. 또 이경우의 판독수단도 예를들면, 화상처리수단을 이용한 장치에 의하여도 된다.
이상과 같이 정보화된 표식의 피처리체로의 표시는 예를들면, 반도체 웨이퍼의 경우 마스트 형성시 동시에 하는 것이 가능하고, 본 발명을 실행하기에 적합하게 특히 프로세스를 부가할 필요는 없다.
제 1 도에 나타낸 장치에 있어서 한층 더 스페이스 절약화 및 코스트 다운을 도모하는 관점으로 부터는 제 13도에 나타낸 바와같이 복수의 진공처리실에 있어서 냉매 순환장치 및 드라이펌프를 공통화 하는 것이 바람직하다.
즉 각 진공처리실 (4a∼4c)의 냉매 공급관 (77) 및 냉매 배출관 (78)은 공통의 냉매 순환장치 (79)에 접속되는 것이 바람직하고, 각 진공처리실의 주펌프 예를들면, 터버분자 펌프 (45a)의 배기쪽에는 각각 밸브 (V3∼V6)을 통하여 각 터버 펌프 (45a)의 배기쪽의 압력을 소정의 압력으로 조정하기 위한 1 개의 보조 펌프 예를들면, 드라이펌프(130)에 접속되는 것이 바람직하다.
또 반송실 (2)등의 바닥면의 아래쪽에 진공펌프 (35) 예를들면, 터버 분자 펌프를 수직방향으로 향하여 부착하는 경우에는 제 14도에 나타낸 바와같이 진공 펌프 (35)의 하부에 재키기구 (133)를 설치함과 동시에 이 재키기구 (133)를 캐스터 (134)를 구비한 이동틀체 (135)에 조립 부착하는 것이 바람직하다. 이와같은 구성에 의하면, 대중앙의 진공펌프 (35)를 재키기구 (133)에 의하여 강하시켜 가로로 잡아 당길수가 있으므로 진공펌프 (35)의 탈착이 용이하게되는 장치의 메인티넌스시에 편리하다.
또 진공처리실(4a), (4b) 또는 (4c)의 측벽에 제 15도에 나타낸 바와같이 버퍼 플라이 밸브 (VA), 게이트밸브 (VB) 및 진공펌프 (45a) 예를들면, 터버분자 펌프를 수평방향에 따라 부착한 경우에는 동 도면에 나타낸 바와같이 지지프레임 (40a)상에 수평한 가이드 레일(136)을 설치함과 동시에, 이것에 가이드되어 수평으로 이동한다. 차바퀴(137)를 갖춘 이동대(138) 상에 진공펌프(45a)를 설치하는 것이 바람직하고, 이 경우에는 진공펌프(45a)를 용이하게 옆으로 인출시키기 때문에, 버터플라이 밸브 (VA), 게이트 밸브 (VB) 및 진공펌프 (45a)의 메인티넌스시에 편리하다.
한편 처리가스 공급관(44)은, 통상, 처리가스의 누설방지를 위하여, 가요성의 재질, 예를들면 수지튜브의 안을 통과하여 이중배관으로 되어 있고, 이 수지튜브안은 항상 배기되어 부압으로 된다.
제 16 도는 이와 같은 이중배관을 고정하는 경우의 바람직한 구성예를 나타낸 것이고, 가스유량이나 압력등을 제어하는 유니트부를 구비한 가스 박스 (150)와 진공처리실 (4a), (4b) 또는 (4c)과의 사이에 수지 튜브 (141)의 중에 처리가스 공급관 (44)을 통하여 되는 이중관이 설치되어 있다. 또 수지 튜브 (141)내에는 부압에 의하여 줄어들지 않도록 링 (141a)이 설치되어 있다. 이중배관의 도중에는 고정부재 (140)가 설치되어 있다. 이 고정부재(140)는 확대구경 부분 예를들면, 정사각형의 훈육부의 판형상부 (142)의 전후 (앞뒤)에 링형상부재 (143)가 각각 형성됨과 동시에 구경방향에 예를들면, 반부분만 분활가능하게 구성되어 있다.
상기 판형상체 (142)의 중앙에는 제 17 도에 나타낸 바와같이 처리 가스공급관 (44)에 적합한 관통구멍 (144)가 형성되어있고, 분할된 고정부재편(140a), (140b)을 처리가스 공급관 (44)의 양쪽으로부터 끼워넣어지도록 하여 처리가스 공급관 (44)의 외주면에 고정부재 (140)를 고정시키고, 너트 (144a)(제 17 도에서는 도시하지않음)로 구정부재편 (140a), (140b)끼리를 고정하고, 배관고정부 예를들며, 기초대 (10)의 바닥판에 고정한다. 그리고 수지튜브 (141)는 길이 방향으로 2개 분할되어 있고, 그 분할편의 한쪽방향 및 다른 방향이 각각 링형상부 (143)의 외주면에 바깥으로 끼워짐과 동시에 분할끝단의 한쪽으로부터 다른쪽에 걸쳐 통기되도록 한쪽의 링형상부 (143)으로부터 판형상부 (142)를 통하여 다른쪽의 링형상부 (143)로 연장하는 공기로 (145)가 동심형상으로 형성되어 있다.
또 가스박스 (150)에 접속된 배기관 (151)에 의하여 가스박스 (150)내를 배기하는 것으로 수지튜브 (141)내가 화살표와 같도록 배기한다. 이와같이 하여 이중 배관을 고정하면, 종래와 같이 판급박스를 사용하는 경우에 비하여 고정부재가 소형화 할 수 있으므로 스페이스 효율이 좋고, 또 예를들면,지지 프레임상이나 인간이 통하는 개소에 고정부재를 설치하는 경우등에는 메인티넌스시에 있어서의 작업의 방해가 되기 어렵다.
또 처리가스의 공급방법에 대하여도 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. 여기서 제 18 도를 참조하면서 처리가스의 바람직한 공급방법에 대하여 기술한다. 가스 박스 (160)내에 예를 들면, n 개의 가스 공급계 (가스라인) (L1∼Ln)이 설치되어 있고, 각 가스 공급계 (L1∼Ln)에는 밸브, 유량계, 압력계)등의 제어기기가 조립 되어 있다.
제 18 도에서는 이들 제어기기를 모식적으로 생략하여 나타내고, Va∼Vc 는 밸브, MFC 는 매스플로우 콘트롤러이다. 또 밸브 (Vc)는 가스 공급계 (L1∼Ln)를 접속하는 배관의 각 가스 공급계의 사이에 각각 설치되어 있다. 여기서 n=3으로 하고, 가스 공급계 (L1∼Ln)를 각각 질소가스, 제 1 처리가스, 제 2 처리가스 (제 1 처리가스와는 다른가스)를 고급하기 위한것이고 제 1 처리가스가 지금까지 이용되고, 다음에 제 2 처리가스의 처리가 행해지는 것으로한다. 먼저 각 가스 공급계 (L1∼L3)의 밸브 (Vb)을 닫고, 밸브 (Va), (Vc)을 열음과 동시에 처리 가스 공급관 (43)의 밸브 (161)를 닫고, 진공처리실 (4a), (4b) 또는 (4c) 내를 백관 (44)을 통하여 진공배기한다. 다음에 예를들면, 가스 공급계 (L1)의 밸브 (Vb)를 열고 질소가스를 소정유량으로 공급한다. 이것에 의하여 가스 공급계 (L1∼Ln)의 밸브나 매스플로우 콘트롤러의 제어기기 및 배관내가 진공배기되어 그후 질소가스가 통과하는 것이 된다. 이와같은 공정을 1 회 또는 복수회 반복하는 것에 의하여 제어기기 및 배관내의 잔유가스가 확실하게 제거된다. 따라서 제 2 의 처리가스를 흐린때에는 이 가스중에는 다른 가스성분의 혼입이 억제되므로 웨이퍼 (W)중에 불순물의 혼입을 방지할 수 있다. 또 이 경우 질소가스를 대신하여 다른 불활성 가스를 사용하여도 좋다.
다음에 상술한 반송실이나 카세트실의 마개부의 힌지기구의 바람직한 1 예에 대하여 제 19 도를 참조하면서 설명한다. 도면중 참조부호 170은 진공실의 상면을 이루는 상벽의 일부, 171 은 진공실의 상면은 개폐하는 마개부이다. 마개부 (171)는 좌우 양쪽의 힌지 (172)에 의하여 개폐될 수 있도록 구성되어 있다. 마개부 (171)와 진공실의 상벽 (170)과의 사이에는 좌우에 각각의 판스프링 (180)이 설치되어 있다. 이 판 스프링기구 (180)는 예를들면, 원추를 주위방향으로 4등분한 형태의 드럼부 (181)를 원주면을 마개부 (171)쪽에 향하여 상기 상벽 (170)상에 고정하는 한편, 마개부 (171)쪽에 로울러 베이스 (182)를 공정하여 이것에 수평한 로울러 샤프트 (183)를 통하여 로울러 (284)를 회동이 자유롭게 부착하고, 이 로울러 (184)에 판스프링 (185)를 권취함과 동시에 판 스프링 (185)의 앞끝단부를 로울러 (184)의 아래쪽으로부터 꺼내어 드럼부 (181)의 원주면에 따라 장착하여 고정되어 있다.
이와같은 구성에 의하면, 판 스프링 (185)의 복원력에 의하여 마개부 (171)에 대하여 열은 방향의 힘이 작용하므로 마개부 (171)를 개폐하는 경우에 마개부 (171)의 자체무게에 대응하는 힘으로부터 판 스프링 (185)의 복원력에 대응하는 힘을 차이 힘으로 개폐할 수가 있고, 진공에 견디므로 훈육부의 안정성이 높다.
또 이와같이 하여 판 스프링 (185)은 제 20 도에 나타낸 바와같이 마개부 (171)의 기초끝단부에 드럼부 (181)를 형성하고, 진공실의 상벽 (170)의 측부에 로울러 (184)를 설치하는 구성이나 제 21 도에 나타낸 바와같이 상벽 (170)쪽에 드럼부 (181)를 마개부 (171)의 측부에 로울러 (184)를 설치하는 구성으로 하여도 된다.
P은 친 (170)의 회전중심부이다. 또 판스프링 기구 (180)는 제 22도 및 제 23 도에 나타낸 바와같이 진공실의 측벽 (173)에 로울러 (184)를 마개부 (171)의 기초 끝단부에 드럼부 (181)를 설치하는 구성으로 하여도 좋고, 제 24 도에 나타낸 바와같이 진공실의 상면에 수직으로 돌편부 (174)를 형성하고, 이것에 드럼부 (181)를 설치하여도 된다.
또 상기 장치에서는 피처리체로서 웨이퍼를 사용하였으나, 이것에 한정하지 않고, 예를들면, LCD 기판등에 있어서도 좋다.
또 진공처리장치 및 카세트실의 레이아웃은 상기 예에 한정하지 않고, 예를들면, 제 15 도에 나타낸 바와같이 평면형상이 사각형이 반송실 (2)의 서로 대향하는 긴변에 진공처리실 (4a∼4b)을 2 개식 나란하게 함과 동시에 서로 대향하는 단변에 1 개식 카세트실 (3a), (3b)을 나란하게 하는등의 레이아웃을 채용할 수가 있다.
이상에 있어서 카세트실 (3a), (3b)을 예비 진공실로서 사용하였으나 이 예비 진공실로서는 카세트실에 한정하지 않고, 1 매만 웨이퍼를 재치하기 위한 로드록실이나 반송수단을 구비한 다른 반송실에 있어서도 좋다.

Claims (13)

  1. 복수반송실과의 반출입구를 가지며, 피처리체를 반송할 때에, 진공으로 유지되는 기밀구조의
    상기 반송실에 상기 복수의 반출입구 중 한쪽을 통하여, 접속된 적어도 한 개의 예비진공실과;
    상기 반송실에 상기 복수의 반출입구 중 각각 한쪽을 통하여 각각 접속되고, 진공처리기구를 각각 구비한 복수의 진공처리실과;
    상기 복수의 반출입구를 개폐하기 위한 복수의 개폐수단과;
    상기 반송실 내에 설치되고, 다관절아암부재를 가지며, 상기 피처리체를 상기 반송실과 상기 진공처리실 및 상기 반송실과 상기 예비진공실과의 사이에서 반송하는 반송수단과,
    상기 복수의 진공처리실을 독립적으로 지지하기 위한 복수의 제 1 지지프레임과,
    상기 제 1 지지프레임과는 독립적으로 설치되며, 상기 반송실을 지지하기 위한 제 2 지지프레임, 및
    상기 제 1 지지프레임 및 상기 제 2 지지프레임이 재치되는 기초대를 구비하는 진공처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반송실은 사각 단면형상을 이루고 있는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 반송수단이 주 회동축 및 주회동축용 축받이를 포함하며, 반송실을 배기하기 위한 배기수단을 구동하기 위한 주 회동축에 접속된 구동수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  4. 복수의 반출입구를 가지며, 피처리체를 반송할 때에, 진공으로 유지되는 기밀구조의 반송실과;
    상기 반송실에 반출입구를 통하여, 접속되는 적어도 한 개의 예비진공실과;
    상기 반송실에 상기 반출입구를 통하여 접속되고, 진공처리기구를 구비한 복수의 진공처리실과;
    상기 복수의 반출입구를 개폐하기 위한 복수의 개폐수단과;
    상기 반송실내에 설치되고, 반송아암 및 상기 반송아암을 수평방향으로 회동하기 위한 주 회동축 및 그 축받이부를 가지며, 피처리체를 상기 반송실과 상기 진공처리실 및 상기 반송실과 상기 예비진공실과의 사이에서 반송하기 위한 반송수단과;
    상기 반송실 바깥에 설치됨과 동시에, 주 회동축이 연결되고, 상기 반송수단을 구동하기 위한 구동장치; 및
    상기 반송실내를 상기 축받이부를 통하여, 배기하는 배기수단을 구비하며,
    라비린스실이 주 회동축용 상기 축받이부 근방에 설치되고, 상기 배기수단이 상기 라비린스실에 의하여 형성된 굴곡형상의 배기로를 통하여 상기 반송실을 배기하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 반송실은 사각 단면형상을 이루고 있고, 상기 진공처리실 중에 적어도 2개는 상기 반송실의 한변을 따라 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 예비진공실은, 피처리체 탑재용기를 재치하기 위한 용기재치실이고, 상기 피처리체 탑재용기를 장착하기 위한 마개를 가지며, 그 마개부를 통하여, 대기와 연결되어 있는 진공처리장치.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 복수의 진공처리실은 독립적으로 지지하기 위한 복수의 제 1 지지프레임과;
    상기 제 1 지지프레임과는 독립하게 설치되고, 상기 반송실을 지지하는 제 2 지지프레임과;
    이들 제 1 지지프레임과 제 2 지지프레임이 재치되는 기초대를 더 구비하는 진공처리장치.
  8. 복수의 반출입구를 가지며, 피처리체를 반송할 때에 진공으로 유지되는 기밀구조의 반송실과;
    상기 반송실에 반출입구 중 한쪽을 통하여 접속된 적어도 한 개의 예비진공실과;
    상기 반송실에 상기 복수의 반출입구 중 각각 하나씩의 반출입구를 통하여 각각 접속되고 진공처리기구를 각각 구비한 복수의 진공처리실과;
    상기 복수의 반출입구를 개폐하기 위한 복수의 개폐수단과;
    상기 반송실 내에 설치되고, 반송아암 및 상기 반송아암을 수평방향으로 회동하기 위한 주 회동축 및 주회동축용 축받이를 가지며, 피처리체를 상기 반송실과 상기 진공처리실 및 상기 반송실과 예비진공실과의 사이에서, 반송하기 위한 반송수단과,
    상기 반송실 바깥에 설치됨과 동시에 주 회동축에 연결되고, 상기 반송실을 구동하기 위한 구동장치와,
    상기 축받이부를 통하여 상기 반송실을 배기하는 배기수단, 및
    상기 구동부를 덮고, 대기와는 차단되며, 상기 축받이부를 통하여 상기 반송실과 연결되는 케이스를 구비하며,
    상기 배출수단은, 상기 케이스를 배기하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 반송수단은, 적어도 3개의 아암과 각각의 아암을 연결하는 적어도 두 개의 회동축과, 회동축용 상기 축받이부, 및 상기 축받이부의 내부와, 아암의 내부, 및 주 회동축의 내부를 통하여 상기 케이스와 연이어 통하는 흡인로를 가지는 다과전아암부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 주 회동축의 축받이부 근방에 라비린스시일이 설치되고, 상기 배기수단은 상기 라비린스시일에 의하여 형성된 굴곡형상의 배기로를 통하여 상기 반송실을 배기하는 진공처리장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 반송실내에 설치되고, 불활성가스를 반송실 내에 공급하는 불활성가스 공급수단을 가지며, 적어도 반송동작중에 불활성가스가 공급되고, 상기 흡인로를 통하여, 상기 케이스내에 흡인되는 진공처리장치.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 반송실은 사각 단면형상으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  13. 복수의 반출입구를 가지며, 피처리체를 반송할 때에 진공으로 유지되는 기밀구조의 반송실과,
    상기 반송실에 상기 복수의 반출입구 중 한쪽을 통하여 접속된 적어도 한 개의 예비진공실과,
    상기 반송실에 복수의 반출입구 중 각각의 하나의 반출입구를 통하여 각각 접속되고, 진공처리기구를 각각 구비하는 복수의 진공처리실과,
    상기 복수의 반출입구를 개폐하기 위한 복수의 개폐수단, 및
    상기 반송실 내에 설치되고, 피처리체를 상기 반송실과 상기 진공처리실 및 상기 반송실과 상기 예비진공실 사이에 반송하기 위한 반송수단을 구비하며,
    상기 반송실은, 각각의 상기 예비진공실 및 상기 진공처리실의 압력보다 더 높게 유지되는 압력과,
    상기 복수의 진공처리실을 독립적으로 지지하기 위한 복수의 제 1 지지프레임과,
    상기 제 1 지지프레임에 독립적으로 설치되고, 상기 반송실을 지지하기 위한 제 2 지지프레임, 및
    제 1 지지프레임 및 제 2 지지프레임을 재치하고 있는 기초대를 구비하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
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