KR100264404B1

KR100264404B1 - 강자성물품센서

Info

Publication number: KR100264404B1
Application number: KR1019980004911A
Authority: KR
Inventors: 히데또 곤노
Original assignee: 가네꼬 히사시; 닛본 덴기 가부시끼가이샤
Priority date: 1997-02-19
Filing date: 1998-02-18
Publication date: 2000-08-16
Also published as: KR19980071451A; US6198276B1; JPH10233146A; CN1191317A

Abstract

본 발명은 강자성 물품(ferromagnetic-article)용 패스웨이(pathway)를 정하기 위한 패스웨이-형성 수단; 상기 패스웨이에 인접하게 배치되어 자계를 형성하는 자석; 및 상기 자석에 의해 형성된 자계의 일부분을 검출하기 위한 자계 검출 소자(magnetic field detection element)-상기 자계의 일부분은 상기 자계 검출 소자의 면에 평행하게 연장됨-를 구비하고, 상기 패스웨이-형성 수단, 상기 자석 및 상기 자계 검출 소자는 상기 강자성 물품이 상기 패스웨이를 통해서 이동할 때, 상기 강자성 물품에 의한 자계들의 변형(modification)을 상기 자계 검출 소자가 검출하도록 배치되는 강자성 물품 센서에 관한 것이다.

Description

강자성 물품 센서{FERROMAGNETIC-ARTICLE SENSOR}

본 발명은 강자성 물품 센서(ferromagnetic-article sensor)에 관한 것으로서, 특히 자계 검지면(magneto-resistive face)에 평행한 자계의 일부를 검출하는 자계 검출 소자를 사용한 강자성 물품 센서에 관한 것이다.

본 출원은 일본 특허출원 평9-049615호에 기초하였으며, 상기 출원의 내용은 본 명세서에서 참조로 설명된다.

일본 특개소 60-102585 호 공보 및 특개소 61-199875 호 공보에는 금속구 검출 장치(metal ball detecting apparatus)가 개시되어 있다.

도 7은 종래의 금속구 검출 장치를 도시한다. 금속구 검출 장치는 금속구(50)용 스루-홀(40, through-hole)을 갖는 홀더(30, holder); 상기 홀더(30) 상의 영구 자석(10)과 홀 소자(60, Hall element); 및 상기 영구 자석(10)과 상기 홀 소자(60)에 접속된 강자성체의 L-자형 자기 경로(70)를 구비한다.

영구 자석(10)의 극면(pole face) 및 홀 소자(60)의 자계 검지면은 스루-홀(40)을 통과하여 이동하는 금속구(50)의 반경에 수직하게 배치된다.

홀 소자면에 수직한 자계를 검출하는 홀 소자 등의 자계 검출 소자를 금속구 검출 장치에 사용하기 때문에, 영구 자석(10), 홀 소자(60) 및 금속구(50)의 배치에는 제한이 생긴다. 즉, 상기 영구 자석면과 상기 홀 소자면 사이의 각은 90도, 또는 90×N도(N은 자연수)가 되어야 한다. 홀 소자(60)의 자계 검지면은 금속구(50)의 반경에 수직하게 배치되어야 하며, 다시 말해서 금속구(50)의 접선에 평행하게 배치되어야 한다.

또한, 선형성(linearity)이 열악하고 30 가우스(gauss) 이하의 저자계를 검지하는 홀 소자(60)의 출력 특성으로 인하여, 영구 자석(10)에 의해 형성된 자계가 향상되거나, 또는 영구 자석(10)과 홀 소자(60) 사이의 간격(gap)이 상당히 좁아져야 한다. 이것은 금속구(500)가 영구 자석에 끌릴 수 있다는 문제점을 야기한다.

본 발명의 목적은 자석과 검출 소자의 자유로운 배치가 가능하며, 저자계 세기를 갖는 소형 자석을 사용할 수 있는 강자성 물품 센서를 제공하여, 강자성 물품 센서의 가격 및 크기를 감소시키는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 강자성 물품 센서는 강자성 물품용 패스웨이(pathway)를 정하기 위한 패스웨이-형성 수단; 상기 패스웨이에 인접하게 배치되어 자계를 형성하는 자석; 및 상기 자석에 의해 형성된 자계의 일부분을 검출하기 위한 자계 검출 소자(magnetic field detection element)-상기 자계의 일부분은 상기 자계 검출 소자의 평면에 평행하게 연장됨-를 구비하고, 상기 패스웨이-형성 수단, 자석, 및 자계 검출 소자는 상기 강자성 물품이 상기 패스웨이를 통해서 이동할 때, 상기 강자성 물품에 의한 자계들의 변형을 상기 자계 검출 소자가 검출하도록 배치되는 강자성 물품 센서에 관한 것이다.

본 발명에 따른 강자성 물품 센서는, 자계 검지면에 평행한 자계를 검출하는 자계 검출 소자를 사용하기 때문에, 이동하는 강자성 물품에 대하여 상대적으로 자계 검출 소자의 위치를 자유롭게 결정할 수 있으며, 설계의 자유도를 향상 시킬 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 강자성 물품 센서는, 평행한 자계 검출 소자가 저자계에 민감하며, 영구 자석 및 강자성 물품에 의해 형성된 특정 방향에서의 자계의 일부를 검출하기 때문에, 영구 자석, 스루-홀, 자계 검출 소자의 자유로운 배치가 가능하다.

본 발명의 두번째 특징으로는, 강자성 물품 및 자계 검출 소자의 중심들을 관통하는 제1 면과, 자계 검출 소자의 자계 검지면을 관통하는 제2 면 사이의 각은 42-80도, 132-170도, 222-260도, 및 312-350도 중 어느 하나의 범위 내에 존재한다. 상기 강자성 물품의 중심에 대한 상기 자석의 중심과 자계 검출 소자의 중심 사이의 각이 42-80도, 132-170도, 222-260도, 및 312-350도 중 어느 하나의 범위 내에 존재할 수 있다. 상기 자석은 표면 자속 밀도(surface flux magnetic density)로서 1000-2000 가우스의 자기 세기(magnetic intensity)를 갖는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 자계 검지면에 평행한 자계를 검출하는 자계 검출 소자가 사용되며, 저자계에 민감하기 때문에, 강자성 물품 센서는 자계 검출 소자의 위치를 자유롭게 결정할 수 있다.

상기 패스웨이를 통하여 이동하는 상기 강자성 물품의 이동 속도를 검출하도록 다수의 자석과 자계 검출 소자가 제공되는 것이 바람직하다. 상기 자계 검출 소자는 Ni-Fe, Ni-Co, 및 Ni-Fe-Co 중 어느 하나의 박막으로 형성될 수 있으며, 집적 회로 칩의 실리콘 기판 상에 배치될 수 있다.

상기 자계 검출 소자는 비등방성(anisotropic) 자기-저항 소자, 자이언트(giant) 자기-저항 소자, 또는 컬라슬(colossal) 자기-저항 소자 중 하나로 할 수 있다. 또한, 상기 자석은 영구 자석으로 할 수 있다.

도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 강자성 물품 센서를 도시한 사시도. 도 1b는 자계 검출 소자를 도시한 확대 사시도. 도 1c는 상기 실시예에서 영구 자석, 자계 검출 소자, 강자성 물품의 위치를 도시한 평면도.

도 2는 상기 실시예에서 영구 자석과 강자성 물품에 의해 형성된 자계의 분포를 도시한 도면.

도 3a는 상기 실시예에서 강자성 물품의 존재시 및 부재시에 제각기 자계 검출 소자에 의해 검출된 자계의 세기의 변동들을 도시한 도면. 도 3b는 상기 실시예에서 강자성 물품에 대한 자계 검출 소자의 위치를 도시한 평면도.

도 4a는 상기 실시예에서 IC 칩의 기판 상에 형성된 몰드 집적화 자계 검출 소자(molded integrated magnetic field detection element)를 도시한 부분 사시 절개도. 도 4b는 상기 실시예에서 집적화 자계 검출 소자의 등가 회로의 회로도.

도 5a는 상기 실시예를 설명하는 도면. 도 5b는 상기 실시예를 설명하는 측면도. 도 5c는 상기 실시예에서 유효 자계 영역을 설명하는 평면도. 도 5d는 상기 실시예에서 강자성 물품 센서로부터의 출력의 파형도로서, 상부 그래프는 강자성 물품의 통과를 나타내며, 하부 그래프는 강자성 물품이 통과하지 않는 상태를 나타냄.

도 6은 상기 실시예에서 강자성 물품 센서에 접속된 디스플레이 회로의 개략도.

도 7은 종래 기술에서의 금속구 검출 장치(metal ball detecting apparatus)를 도시한 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1, 10 : 영구 자석

2 : 수평 자계 검출 소자

3, 30 : 홀더(holder)

4, 40 : 스루-홀(through-hole)

5, 50 : 강자성체 구

본 발명의 실시예에 따르는 강자성 물품 센서의 최상의 모드(mode)를 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다.

도 1a에 도시된 바와 같이, 강자성 물품 센서는 구(5)가 통과할 수 있는 스루-홀(4, 패스웨이)을 갖는 홀더(3)와 같은 패스웨이 형성 수단을 구성하는 베이스(base); 상기 홀더(3) 상에 설치되는, 표면 자속 밀도(surface magnetic flux density)로서 1000-2000 가우스의 양호한 자기 세기(magnetic intensity)를 갖는 영구 자석(1); 및 그 면에 평행항 자계를 검지하는 자계 감지면을 갖는 비등방성 자기-저항 효과를 갖는 AMR 소자(anisotropic magneto-resistive element; 비등방성 자기-저항 소자)와 같은 자계 검출 소자(2)를 구비한다. 펄스 형성 회로(pulse shaping circuit)는 상기 AMR 소자에 접속될 수 있다. 영구 자석(1)은 상기 영구 자석(1)으로부터 특정 방향으로 수 밀리미터 정도의 거리에 20-30 가우스의 자계를 형성하는 것이 바람직하다.

도 1b에 도시된 바와 같이, 자계 검지면은 상부면(A), 후면(B, rear face), 저면(C), 전면(D) 중 어느 하나의 면 상에 형성될 수 있다. 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 자계 검출 소자(2)가 상기 자계 검지면에 평행한 자계를 검출하기 때문에, 구(5)의 반경에 수직한 자계 검지면을 설치하는 것은 불필요하다.

도 2는 상기 구(5)가 상기 스루-홀(4)을 통과하여 이동할 때, 상기 영구 자석(1)에 의해 형성된 자계를 도시한다. N극 및 S극은 상기 영구 자석(1)과 관련하여 강자성체 구(5) 내에 형성된다. 자계는 영구 자석(1)과 반대 측면 상의 강자성체 구(5)의 N극으로부터 영구 자석(1)에 인접한 강자성체 구(5)의 S극으로 향하는 자력선(6); 및 H 방향에서 강자성체 구(5)의 중심으로부터 강자성체 구(5)와 반대 측면 상의 영구 자석(1)의 S극으로 향하는 자력선(7)을 포함한다. 상기 상황에서, 상기 자계 검출 소자(2)는 V 방향에서 왜곡된 자력선들(6,7)에 반응한다.

그 면에 평행한 자계를 검지하는 자계 검지면을 갖는 상기 자계 검출 소자(2)를 사용하여, 강자성 물품 센서는 영구 자석(1)의 N-극(또는 S-극)과 강자성체 구(5) 사이의 자계 세기를 검출한다. 그러므로, 상기 구(5)의 반경에 수직한 자계 검지면을 도시하는 것은 불필요하다. V 방향에서의 자계의 변형을 검출하도록 자계 검지면을 배치하기 때문에, 강자성 물품 센서는 이동하는 강자성체 구(5)를 검출한다.

다음으로, 도 3 및 4를 참조하여 상기 실시예의 동작을 설명한다. 도 3a는 상기 실시예에서 강자성 물품의 존재시와 부재시에 제각기 검출된 자계의 세기의 변동들을 도시하며, 도 3b는 영구 자석(1)과 구(5)의 위치를 도시한다.

도 3에서는, 수평축은 B 방향에서 구(5)의 중심(0x)으로부터의 거리를 표시하며, 수직축은 자계의 세기를 표시한다. 실선은 구(5)가 스루-홀(4)을 통하여 이동하는 순간에서의 자계의 세기를 도시하며, 점선은 구(5)의 이동 전후의 자계의 세기를 도시한다. -6x [구(5)의 좌측 끝의 위치] 내지 0x[구(5)의 중심의 위치]의 범위에서, 실선으로 도시된 자계의 세기는 -6x 에서 최대값 및 0x 에서 최소값을 도시한다. 0x 이하의 범위(0x 의 좌측)에서, 구(5)의 이동 전후의 자계의 세기(점선으로 도시)는 구(5)의 이동 순간에서 자계의 세기(실선으로 도시)보다 훨씬 작게 된다.

0x 내지 +4x 의 범위에서, 자계의 세기는 +4x 로[상기 구(5)의 우측 끝의 위치를 향하여] 감에 따라 증가된다. 영구 자석(1)의 자계의 세기가 충분히 클 때는, 0x 내지 +4x 범위에서의 특성은 -6x 내지 0x 범위에서와 유사하다.

자계 검출 소자는 2개의 소자들 또는 4개의 소자들로서 구성될 수 있으며, 필요하다면, 상기 소자들 및 집적 회로를 포함하는 장치로 구성될 수 있다.

자계 검출 소자는 자계 검지면에 평행한 자계에 반응하여 그 전기 저항을 변화시킨다. 1 소자당 저항값(R)은 신호 자계(Hx)에 반응하여 변화되며, 아래 수학식으로 주어진다.

상기 수학식에서, Ro 는 초기 저항값이며, ΔRmax 는 최대 변화량이고, Ho 는 소자의 자화 곤란축(hard axis)의 방향에서의 포화 자계이며, Ho 는 Ho = 4πMt / W + HK 로 주어진다[W 는 소자 패턴(element pattern)의 폭이며, t 는 막의 두께이며, M 은 포화 자화(magnetization)이고, Hk 는 비등방성 자계이다].

도 2에 도시된 V 방향에서의 자계의 세기 변화에 반응하여 저항이 효과적으로 변화되도록, 영구 자석(1) 및 구(5)의 위치가 결정된다. 즉, 자계 검출 소자로부터의 출력은 B 방향에서의 자계의 세기의 증가에 반응하여 증가되며, 또한 상기 출력은 B 방향에서의 자계의 세기의 감소에 반응하여 감소된다.

집적된 자기-저항 소자는 일본 특공평 7-078528호에 기재된 바와 같이 자계의 세기에 반응하는 스위칭 특성(switching characteristic)을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다.

도 4a는 몰드된 집적 자기- 저항 소자(molded integrated magneto-resistive element)의 구성을 도시하며, 도 4b는 상기 소자의 등가 회로를 도시한다. 선정된 평면(소자면) 상의 지그재그-형(zigzag-shape)으로 자기-저항 물질의 막을 패터닝(patterning)함으로써 자기-저항 소자를 형성한다. 상기 자기 저항은 4개의 부분들로 분할되며, 브리지(bridge, 회로)에서 결합된다. 자기-저항 물질의 막은 파형 정형 회로(wave-form shaping circuit)의 집적 회로 칩의 기판 상에 형성된다. 상기 분할된 부분들은 서로 전기적으로 결합된다.

등가 회로에서, 자기 저항들(11 내지 13)을 포함하는 브리지 회로는 전원 단자들(17과 19)에 접속되며, 브리지 회로의 중간 지점의 출력은 히스테리시스 특성(hysteresis characteristic)을 제공하는 피드백 저항기(16)를 갖는 비교기(comparator)에 접속되어, 펄스 전압이 단자(18)로부터 출력된다. 상기 회로는 자기-저항 스위치로서 작동하며, 강자성 물품의 이동에 반응하여 출력 전압을 “0”(high) 부터 “1”(low) 까지 증가시킨다.

상기 실시예의 구체적인 예를 이하에서 설명한다. 도 3을 참조하면, 구(5)의 반경이 R 일 때는, 수평 및 수직축들 상의 값들을 5.5x=R 및 6y=30 가우스의 상태를 맞추도록 설정한다. -6x 내지 -2x 의 범위에서, 영구 자석(1) 부근으로 이동하는 강자성체 구(5)와 연결되는 B 방향에서의 자계의 세기(도 3b에서)는 강자성체 구(5)의 부재시의 자계의 세기 보다 훨씬 크다. -6x 내지 -2x 의 범위에서, 구(5) 및 자계 검출 소자(2)의 중심을 통과하는 제1 면과, 자계 검지면을 통과하는 제2 면 사이의 각 α(도 1c에 도시)는 42-80도의 범위 내에 존재한다. 구(5)의 중심에 대한 영구 자석(1)의 중심과 자계 검출 소자(2)의 중심 사이의 각 θ는 42-80도의 범위 내에 존재한다.

상기 실시예에서, 자계 검지면을 포함하는 평면과 구(5) 사이의 각은 tan^-1R/4 로 설정된다. 도 1b에서, 자계 검지면은 상부면(A), 후면(B, rear face), 저면(C), 전면(D) 및 상기 면들(A-D)에 평행한 또 다른 면 중 어느 하나의 면 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 자계 검출 소자용 자기-저항 물질은 퍼멀로이(permalloy, Ni-Fe), Ni-Co, 및 Ni-Fe-Co 합금 중 어느 하나이다. 상기 검출 출력을 디지털 전압으로 변환하기 위하여, 일본 특공평 7-078528호에 기재된 바와 같이, 도 4b의 펄스 파형 정형 회로를 사용하며, 브리지 회로를 구성하는 저항기(11)의 저항값은 로우(low) 가 되도록 설정된다. 이러한 구성에서, 42-80도의 각 α의 범위에 위치된 상기 자계 검출 소자(2)는 강자성체 구(5)의 이동에 응답하여 하이(high) 레벨에서 전압 신호를 출력한다.

도 5a는 영구 자석(1), 자계 검출 소자(2) 및 강자성체 구(5)의 위치적 관계를 설명한 도면이며, 도 5b는 상기 실시예를 설명한 측면도이다. 도 5c는 상기 자계 검출 소자의 위치의 예를 도시한다.

강자성체 구(5)는 11 mm 의 반경을 갖는다. 영구 자석(1)은 1000-2000 가우스의 표면 자속 밀도(surface magnetic flux density)를 갖는다. 자계 검출 소자는 0.5-1.0 mm 의 갭(gap) 내의 표면 자계에 반응하는 MRSM76 또는 MRSS95 (NEC 에서 생산됨) 이며, 도 5c에서 설명된 장방형 영역에 위치된다. 즉, 상기 자계 검출 소자(2)를 수평축(도 3a에서도 도시) 상에서 -4x=4mm 의 위치에 배치한다. 그 결과, 도 5d에 도시된 바와 같이 강자성체 구(5)의 이동에 반응하여 “1”(high)인 전압 신호를 출력하는 강자성 물품 센서가 구성된다.

도 6은 강자성체 구(5)의 이동을 카운트하기 위한 디스플레이 회로를 도시한 블록도이다. 카운터 집적 회로(22, counter integrated circuit)는 강자성 물품 센서(21)로부터 출력된 펄스 전압을 카운트하며, 상기 카운터(22)에 의해서 카운트된 전체 값은 상기 디스플레이(23)에 의해 표시된다.

상기 실시예의 설명에서는 강자성 물품이 구(5)이지만, 상술한 특정한 방향에서의 자계가 영구 자석 및 강자성 물품에 의해 형성되는 한 강자성 물품의 형태는 제한되지 않는다.

상술한 실시예에서는 x-축 상의 값이 음일 때를 설명하였다. x-축 상의 값이 양일 때에도, 유사한 특성들을 얻을 수 있으며, 강자성 물품(article)의 중심의 우측으로 자계 검출 소자를 배치함으로써 강자성 물품 센서를 구성할 수 있다. 즉, 충분히 큰 표면 자속 밀도를 갖는 영구 자석을 사용할 때, 자계의 세기는 0x로부터 x-축 상의 우측 방향으로 증가되며, 이것은 0x로부터 x-축 상의 좌측 방향으로 증가되는 것과 유사하다.

따라서, 상기 영구 자석을 동일 위치에 배치해야 하며, 상기 자계 검출 소자를 강자성 물품의 중심의 우측 상에 배치하여야 한다. 도 1c에서, 강자성체 구(5) 및 자계 검출 소자(2)의 중심들을 통과하는 제1 면과, 자계 검지면을 통과하는 제2 면 사이의 각 α는 42-80도, 132-170도, 222-260도 및 312-350도 중 어느 하나의 범위 내에 있어야 한다. 구(5)의 중심에 대한 영구 자석(1)의 중심과 자계 검출 소자(2)의 중심 사이의 각 θ는 42-80도, 132-170도, 222-260도 및 312-350도 중 어느 하나의 범위 내에 있어야 한다.

상기 실시예에서는 AMR(anisotropic magneto-resistive, 비등방성 자기-저항) 효과를 갖는 평행한 자계 검출 소자를 사용하지만, GMR(giant magneto-resistive) 소자, 또는 CMR(colossal magneto-resistive) 소자를 사용하는 것도 가능하다.

더우기, 강자성 물품들의 이동 간격을 측정함으로써 패스웨이를 통해 이동하는 강자성 물품의 이동 속도를 검출하도록, 다수의 영구 자석 및 자계 검출 소자를 강자성 물품의 이동 방향에 따라서 제공할 수 있다. 또한, 전자석을 영구 자석 대신에 사용할 수 있다. 강자성 물품을 위한 패스웨이는 원형 스루-홀에 제한되지 않는다.

본 발명은 본 발명의 사상에서 벗어나지 않고 다른 방법으로도 수행될 수 있으며, 다른 형태들로 실시될 수 있다. 그러므로, 본 발명의 실시예는 모든 관점들을 나타내도록 고려된 것으로서 제한되지 않으며, 첨부된 청구항에 의해 정의된 본 발명의 사상 및 등가의 의미와 범위에서의 모든 변형들은 본 발명의 범위에 포함된다.

Claims

강자성 물품용 패스웨이(pathway)를 가진 패스웨이-형성 수단(3);

상기 패스웨이-형성 수단(3) 상에 설치되어 상기 패스웨이를 통과하는 강자성 물품과의 사이에 자계를 형성하는 자석; 및

상기 자석에 의해 형성된 상기 자계의 일부분을 검출하고, 그 면에 대하여 평행한 자계를 검지하는 자계 검지면을 가진 자계 검출 소자

를 구비하며,

상기 패스웨이 형성 수단, 상기 자석 및 상기 자계 검출 소자는 상기 강자성물품이 상기 패스웨이를 통하여 이동할 때, 상기 자계 검출 소자가 상기 자계의 일부분의 변형을 검출하도록 배치되고,

상기 패스웨이를 통과하는 상기 강자성 물품의 중심에 대한 상기 자석의 중심과 상기 자계 검출 소자의 중심 간의 각도(θ)는 42-80도, 132-170도, 222-260도 및 312-350도 중 어느 하나의 각도 범위 내에 있으며,

상기 자계 검지면과, 상기 강자성 물품 및 상기 자계 검출 소자의 중심을 통과하는 면 간의 각도(α)는 42-80도, 132-170도, 222-260도 및 312-350도 중 어느 하나의 각도 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 강자성 물품 센서.
제1항에 있어서, 다수의 자석 및 상기 자계 검출 소자가 상기 패스웨이를 통해 이동하는 상기 강자성 물품의 이동 속도를 검출하도록 제공되는 것을 특징으로 하는 강자성 물품 센서.
제1항에 있어서, 상기 자계 검출 소자는 Ni-Fe, Ni-Co, 및 Ni-Fe-Co 중 적어도 어느 하나의 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 강자성 물품 센서.
제1항에 있어서, 상기 자계 검출 소자는 집적 회로 칩의 실리콘 기판 상에 배치되고, 상기 집적 회로 칩 내의 회로에 접속되는 것을 특징으로 하는 강자성 물품 센서.
제1항에 있어서, 상기 자계 검출 소자는 AMR(anisotropic magneto-resistive, 비등방성 자기-저항) 소자, GMR(giant magneto-resistive, 자이언트 자기- 저항) 소자,및 CMR(colossal magneto-resistive, 컬라슬 자기- 저항) 소자 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 강자성 물품 센서.
제1항에 있어서, 상기 패스웨이 형성 수단은 상기 강자성 물품이 이동할 수 있는 홀(hole)을 갖는 베이스(base)를 구비하며, 상기 자석은 상기 베이스 상에 설치되는 것을 특징으로 하는 강자성 물품 센서.
제1항에 있어서, 상기 자석은 영구 자석인 것을 특징으로 하는 강자성 물품 센서.