KR100247597B1 - 진공처리장치 - Google Patents
진공처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100247597B1 KR100247597B1 KR1019920009321A KR920009321A KR100247597B1 KR 100247597 B1 KR100247597 B1 KR 100247597B1 KR 1019920009321 A KR1019920009321 A KR 1019920009321A KR 920009321 A KR920009321 A KR 920009321A KR 100247597 B1 KR100247597 B1 KR 100247597B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- closed
- vacuum processing
- transport
- processing apparatus
- conveying
- Prior art date
Links
- 0 CCCC(C(CC)*=C)=N Chemical compound CCCC(C(CC)*=C)=N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/04—Pressure vessels, e.g. autoclaves
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49998—Work holding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/51—Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling
- Y10T29/5124—Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling with means to feed work intermittently from one tool station to another
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/51—Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling
- Y10T29/5196—Multiple station with conveyor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
- Processing Of Solid Wastes (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Manipulator (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Abstract
본 발명은 각각 목적물을 공급하고 방출하는 개구가 제공되어 있는 2개의 스테이션에서 처리되는 목적물용의 진공처리장치에 관한 것이다. 운반장치가 회전할 수 있게 장착되어 있고, 스테이션의 개구에서 순차적으로 이동하는 지지장치가 제공되어 있다.
진공처리장치는 본 발명에 의하여, 개구의 표면에 의하여 범위가 한정되는 표면법선과 운반장치의 회전축에 의하여 범위가 한정되는 공간측이 서로 평행으로 있지 아니하고, 예를 들면 90°또는 45°의 각도를 가지도록 형성되어 있다.
이와 같은 배열에 의하여 다수의 단일스테이션이 달린 매우 조밀한 소형의 진공처리장치를 만들 수 있고, 짧은 운반로를 달성할 수 있으며, 공기조절대상용적을 최소화시킬 수 있다.
Description
제1도는 종래의 진공처리장치에 있어서, 개구평면(F)에 대한 수직측(An)의 관계를 보인 도면.
제2도는 본 발명에 의한 진공처리장치를 도시한 횡단면도.
제3도는 원추형개구각을 가진 제2도 또는 제4도에 도시된 장치를 도시한 부분단면도.
제4도는 제3도에 도시된 장치를 공간축방향으로 개략적으로 도시한 상면도.
제5도는 제2도 내지 제4도에 도시된 장치에 있는 디스크 모양의 목적물용 지지장치를 도시한 도면.
제6도는 제2도 내지 제5도에 도시된 본 발명에 의한 장치의 원리를 개략적으로 도시한 도면.
제7도는 제6도와 유사한 도면으로서, 본 발명에 의한 장치의 또다른 구조를 개략적으로 도시한 도면.
제8도는 본 발명에 의한 장치의 또다른 변형을 도시한 도면.
제9도는 본 발명에 의한 장치의 또다른 실시예를 도시한 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 구동장치 3 : 구동측
5 : 운반 암 7 : 스테이션
9 : 프레임 12 : 패킹 프레임
13 : 스테이션 개구 15 : 덮개
19 : 플레이트 21 : 디스크
22 : 탭 23 : 풀무
25 : 개구 29 : 플랜지
30 : 펌프접속부 35 : 원추체
본 발명은 특허청구범위 제1항 또는 제2항의 대개념에 의한 적어도 하나 이상의 목적물의 진공처리장치에 관한 것이다.
DE-A 24 54 544 또는 일본특허요약(1989년 11월, Vol. 13 No. 532, JP-A2 1-218627)에 의하여, 목적물용의 적어도 하나 이상의 공급개구 또는 배출개구가 제공되어 있고, 각 개구에는 설명을 위하여 제1도에 도시한 바와 같이, 개구면(F)에 대한 평면-수직축(An)이 확정되어 있는 적어도 2개의 스테이션이 포함된 진공처리장치가 공지되어 있다. 이러한 장치에는 공간측 둘레를 회전할 수 있게 장착되어 있고, 적어도 하나 이상의 목적물 운반부분이 달린 운반장치도 제공되어 있고, 이러한 운반부분은 스테이션의 개구에서 순차적으로 이동된다.
운반장치에 하나의 목적물용 운반부분만이 제공되어 있고, 이 운반부분이 운반장치를 형성하는 회전실린더에 움직이지 못하게 제공되어 있는 JP-1-218627에 관한 도면과는 대조적으로, DE-A-24 54 544에 의한 장치에는 운반장치에 관련하여 움직일 수 있게 장착되어 있는 4개의 목적물 운반부분들이 제공되어 있다. 스테이션에 관련된 운반장치의 개별적인 구동은 벽면을 관통하는 구동피스톤에 의하여 행하여진다.
따라서, DE-A-24 54 544에 있어서는 운반부분들이 필요에 따라 스테이션이 이러한 운반부분에 의하여 밀폐될 때까지 스테이션에 대하여 서로 위치를 정할 수 있다.
그러나, 챔버의 벽을 관통하는 구동피스톤을 제공하는 것은 다음과 같은 면에서 단점이 있다.
1) 각 구동피스톤별로 동적 슬라이딩 진공패킹을 제공하여야 하는데, 이는 진공기술적인 면에서 비용이 많이 소요된다.
2) 구동피스톤이 제공된 스테이션보다 고정배치되어 있다. 따라서, 하나의 장치에 제공되는 스테이션의 수를 변동시키거나 증가시켜야 하는데, 이는 진공밀폐적으로 관통되는 변동된 수의 구동피스톤이 달린 장치를 새로 구성하는 것이 된다.
본 발명은 전술한 종류의 장치에 근거한 것으로서, 전술한 단점들을 제거하는 것을 목적으로 한다.
이러한 목적은 특허청구범위 제1항의 특징에 의한 장치의 구조에 의하여 달성한다.
이에 의하여, 구동수단이 합체되어 있고, 최대한으로 신축성있게 조종할 수 있고, 스테이션의 수에 따라 서로 다르게 구성된 장치를 삽입할 수 있고, 이와 동시에 전술한 패킹 문제도 해결되는 운반장치가 제공된다.
DE-A 24 54 544에 의한 진공처리장치는 현재 시판중에 있으나, 운반장치가 그 둘레를 회전할 수 있는 공간축과 법선축이 스테이션의 개구면에 대하여 서로 평행으로 되어있고, 적어도 스테이션의 개구들이 공간축 둘레에 등거리로 배치되어 있다는 것이 단점이며, 한편으로는 스테이션의 개구들이 운반장치가 전술한 공간축 둘레를 선회하여야 만 이용할 수 있다는 장점이 있는 반면에, 다른 한편으로는 진공처리장치를 배열하는 때에는 몇개의 스테이션들이 공간축에 대하여 평행으로 되어있는 개구축에 의하여 입첵적으로 배치되어야 한다는 단점이 있다. 이것은 스테이션들을 주어진 방향으로, 경우에 따라서는 운반장치가 스치고 지나가는 면의 양측으로 배치하여야 한다는 의미이다.
특허청구범위 제2항에 의한 장치의 구조에 의하여, 운반장치용 공간축에 관련하여 개구가 달린 스테이션들을 공간적으로 양측에 배열하는 것을 광범위하게 자유로이 선택할 수 있고, 매우 조밀하게 구성할 수 있는 장치가 제공된다.
전술한 공간축 둘레를 회전할 수 있는 운반장치의 유지에 있어서, 개별적으로 구동 및 이동될 수 있는 운반부분에도 불구하고, 공지된 바와 같은 스테이션 개구의 축평행 구성관계가 아니라, 운반장치에 결부되고, 본 발명에 의한 장치구조에 있어서는 전술한 바와 같이, 장치를 조밀하게 구성하고, 진공을 만드는 공간을 최소한으로 제공하고, 스테이션 사이의 간격에 비례하여 처리주기시간을 최소화할 수 있도록 최대한의 구성상 신축성을 달성한다는 것은 원칙적으로 공지되어 있다.
특허청구범위 제5항에 의한 적당한 실시예에서는 운반장치가 공간축 둘레를 회전할 때, 주어진 개구각(≤90°)으로 원추형면을 스쳐간다.
본 발명에 의한 운반장치가 전술한 개구각이 제어되면서, 서로 다른 가변원추면을 스쳐갈 수 있는 것으로 도시되어 있더라도, 특허청구범위 제5항에 의한 방법에 의하면, 본 발명의 과제에서 말하는 신축성을 상실함이 없이, 간소화를 달성할 수 있음이 판명되었다. 특허청구범위 제2항에 명시된 바와 같이,=90°일때, 운반장치가 원형면에 이르기까지 원추면을 스쳐가는 경우에는 전동수단과 함께 운반부 또는 회전축의 방사상 길이를 조정함으로써 또한 스테이션 또는 서로 다른 원의 크기로 원추형체에 놓여 있는 그 개구가 전술한 원추면에 도달할 수 있다. 이때에는 스테이션의 개구면 법선을 무리하게 원추면 모선 방향으로 향하게 할 필요없이, 먼저 임의의 방향으로 향하게 할 수 있다. 그다음에, 운반장치에 있는 운반부분을 해당 스테이션 개구쪽으로 안내되도록 선회시킨다.
이와 관련된 또다른 간소화방안은 특허청구범위 제6항에 의한 적당한 실시예에 있어서, 스테이션들은 개구면 법선들이 모선 방향으로 향하여 있고, 원추면이 회전운동시 운반장치에 의하여 스쳐지나가도록 배치되어 있다.
스테이션이나 그 개구들은 원추면의 서로 다른 크기의 원상에 계단모양으로 놓여있을 수 있으나, 이와 같은 계단식 배치는 많은 경우에 있어서 불필요하며, 모선방향에 따라 동렬로 서로 전후연속하여 계단식으로 배열되어 있는 스테이션들이 운반장치에 의하여 그 덮개가 벗겨지기 때문에 계단식 배치가 필요없다.
특허청구범위 제7항에 의하여, 개구들이 원추형원에 따라 배치되어 있는 경우에도 또한 같다.
운반장치는 예를 들면, 운반원추체 또는 운반디스크로서 형성할 수 있으나, 특허청구범위 제8항에서는 공간축에 일측면으로 회전할 수 있게 장착된 적어도 하나의 운반암이 제공되어 있고, 또다른 단부에는 운반부분이 제공되어 있다.
특허청구범위 제9항에 의하면, 스테이션들이 운반장치가 그안에 들어있는 챔버를 형성할 수 있도록 챔버 벽에 의하여 결합되어 있고, 이에 따라 운반장치가 한편으로는 보호를 받고, 다른 한편으로는 스테이션의 개구들이 챔버와 통하여 있기 때문에, 스테이션이 오염될 위험이 감소된다.
특허청구범위 제10항에 의하여, 조작주기, 스테이션에서 조정되는 진공과정 등에 따라, 스테이션 또는 운반장치가 들어있는 챔버에 가스공급 및 흡인여과 장치가 제공되어 있다. 따라서, 가공과정중 일스테이션내의 진공공기가 챔버 또는 다른 스테이션내의 진공공기에 의하여 영향을 받느냐의 여부에 따라 스테이션과 챔버내의 공기를 선택할 수 있다.
특허청구범위 제11항에 의하여, 개구중 적어도 하나에 대하여 표면수직방향으로 이동할 수 있는 디스크가 운반부분에 제공되어 있고, 이러한 디스크에 의하여 적어도 하나의 스테이션이 운반장치가 있는 공간에 맞대어 밀폐된다.
이때 예를 들면, 전술한 공간이 챔버인 경우에는 디스크는 챔버내에 있는 목적물용 공급 록의 일부를 형성하거나, 디스크에 대응하여 형성된 목적물 지지체로서, 예를 들면, 한편으로는 목적물을 과정내로 안내하는 스퍼터 스테이션에, 다른 한편으로는 운반장치가 들어있는 공간에 맞대어 있는 스퍼터 스테이션에 밀폐되는 지지물로 할 수 있다.
본 발명을 첨부도면에 의하여 더 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 발명에 의한 진공처리장치의 제1형상을 도시한 횡단면도이다. 이러한 진공처리장치에는 구동모터(1)가 포함되어 있고, 공간축(A)과 물리적 구동축(3)으로서의 그 축상에는 축(A)을 가진 적어도 하나 이상의 운반 암(5)이 예를 들면, 공간축(A) 에 대하여 45°의 각도로 고정되어 있다. 구동축(3)이 모터에 의하여 ω로 도시된 바와 같이, 회전전치되면, 운반 암이 원추면을 45°의 원추형개구각으로 스치고 지나간다. 제2도에는 2개의 스테이션이 도시된 바와 같이, 록(lock)으로서 형성되어 있다. 이 스테이션에는 프레임(9)이 포함되어 있고, 이러한 프레임에는 상·하로 움직이는 프레임(11)에 접합되어 있다. 상하로 구동되는 프레임(11)의 내부에는 스테이션 개구(13)의 범위를 한정하고, 개구면 수직선(A13)이 있는 패킹 프레임(12)이 놓여있다. 즉 스테이션(7)에는 그외에도, 방향(X)에 따라 선형으로 이동할 수 있는 덮개(15)가 포함되어 있다. 이러한 덮개는 제2도에서 개구와 셔터에 대하여 수직으로된 축 둘레를 선회할 수 있다. 이 덮개는 도시되어 있는 폐쇄위치에서 중간프레임(11)이 y방향으로 내려않음으로서 패킹 프레임(12)상에 밀폐된 상태로 놓이게 된다.
이에 의하여 록 스테이션(7)은 주위(U)에 대하여 밀폐된다.
운반 암(5)에는 종단부분에 지지부재로서 디스크(19)가 달려있고, 디스크 위에는 처리대상물, 도시된 실시예에서는 CD디스크 또는 자기광학적 메모리 디스크(21)가 놓여있고, 이 디스크는 페그(17)에 의하여 디스크(19)에서 중심을 잡고 있다. 점선으로 도시된 바와 같이, 지지암(5)에서는 디스크(19)가 패킹 프레임(12)에 있는 그 시트에 의하여 공간축(A)에 맞대어 지지되고, 이에 의하여 록이 운반장치측으로 개방될 수 있다. 제2도에 도시된 장치에서는 운반장치(3, 5, 19)가 진공밀폐된 챔버(K)내에 놓여있기 때문에, 여기에서는 디스크(19)가 프레임(12)에 밀착되어 있을 필요가 없다. 이것은 챔버(K) 자체가 진공밀폐되어 있지 아니한 경우에는 달라진다. 목적물(21)은 모터(1)에 의하여 회전축(3)이 회전함에 따라 운반암에 의하여 도시된 제2스테이션(27)에 운반된다. 본 발명의 구체적인 구성과는 관계가 없고, 전문가에게는 많은 실현가능성이 개방되어 있는 운반암(5)의 지지기구는 풀무(23)에 의하여 챔버(K)내의 주위와 진공밀폐된다. 운반 암(5)이 회전하면 목적물, 즉 디스크(21)가 도시된 제2스테이션(27)의 개구(25) 영역내로 운반된다. 개구(25)는 개구면 수직선(A25)의 범위를 한정한다. 운반디스크(19)는 점선으로 도시된 근접위치에서 디스크(21)와 함께 예를 들면, 암(5)에 있는 압축공기식 승강기구에 의하여 다시 들어올려지기 때문에, 디스크(19)는 예를 들면, 성층스테이션으로서 형성할 수 있는 스테이션 개구(25)의 연단에 밀폐되게 인접될 수 있다.
제2도에 도시된 바와 같이, 스테이션(7, 27)과 모터(1)의 플랜지(29)는 운반기구가 암(5)과 함께 그 안에서 움직이는 폐쇄된 챔버(X)를 둘러쌀 수 있도록 서로 결합되어 있다. 운반장치 챔버(K)는 주위와 진공밀폐되게 구성되어 있다. 용도에 따라 스테이션(27), 챔버(K) 또는 스테이션(7)에 적당한 공기를 조정하기 위한 장치가 제공되어 있다. 즉, 배구용 접속부 또는 가스유입구가 제공되어 있다. 제2도에는 챔버(K) 및 록(7)용의 펌프접속부(30)가 도시되어 있다.
장치가 제공된 암(5)중 하나에 의하여 모든 스테이션 개구들이 언제나 동시에 밀폐될 수 있게 형성되어 있는 경우에는 챔버(K)내의 공기와는 관계없이, 몇개의 스테이션내에 공기를 미리 유입시킬 수 있다. 그러나, 어떤 경우에는 스테이션과 운반장치 챔버(K)용으로 공동의 공기를 제공하는 것만으로 충분하며, 이러한 경우에는 제2도에 도시된 록 스테이션(7)과 챔버(K)와 같이, 예를 들면, 챔버(K)만이 공기조절되거나 배기된다.
제3도는 부분적으로 절단된 장치를 도시한 것으로서, 여기에서는 암(5)이 모터(1)의 축(3)으로부터 수직으로 솟아 있고,는 90°가 된다.
제4도는 제3도에 도시된 장치의 상면도이다. 여기에서는 동일한 구성요소에 대한 참조부호를 붙였다. 제3도에 도시된 바와 같이, 축(A) 둘레에는 6개의 운반 암(5a 내지 5f)이 배치되어 있고, 이러한 운반암들은 디스크(21)를 집어넣고 끌어내는 록 스테이션(7)과 또다른 5개의 가공스테이션(27a 내지 27e)을 교호적으로 작동시킨다.
제5도는 제2도에 도시된 디스크(21)와 같이, 중앙공이 뚫려있는 CD디스크 또는 자기광학디스크와 같은 원판을 처리하기 위하여 디스크(19) 위에 지지물이 있는 것을 도시한 것이다. 디스크(19)에는 그 중앙에 페그(22)가 제공되어 있고, 이 페그에는 120°의 변위각으로 전치되고, 축방향으로 뻗어있는 3개의 노치(23)가 제공되어 있다. 이러한 노치내에는 스프링(25)이 고정되어 있다. 스프링들은 페그(22)의 높이 솟은 단부쪽으로 외측으로 볼록하게 구부러진 부분(26)에 의하여 페그의 외표면 위로 약간 돌출함으로써 디스크(21')가 공급로봇에 의하여 이러한 볼록부분위로 약간 밀려가서 이 부분(26)에는 약간만 휴지하게 된다. 이것은 구부러진 부분(26)이 내려놓여있는 디스크(21) 위로 얼마나 강하게 돌출하느냐에 따라 달라진다. 디스크(21)가 부분(26)의 정점(P) 위에 약간만 가볍게 휴지하여 있기 때문에, 처리후 구동기구를 이용할 필요없이 디스크(21)를 쉽게 끌어낼 수 있다.
제6도는 제2도 내지 제4도에 의하여 설명한 장치의 원리를 개략적으로 도시한 것이다. 예를 들면, 3개의 운반 암(5a 내지 5c)에 의하여 공간축(A) 둘레를 회전하는 3개의 스테이션(27)에는 개구(25)가 제공되어 있다. 운반장치의 챔버(K)는 경계(29)에 의하여 표시된 바와 같이 형성할 수 있다. 운반장치는 회전(ω)할 때, 개구각으로 원추면을 스쳐지나고, 스테이션(27)을 이용하고, 스테이션의 개구(25)가 표면법선(A26)을 확정시킨다. 이러한 표면법선을 스쳐지나가는 원추체의 모선 방향으로 향하여 있다. 스테이션(27)의 개구(25)는 스쳐가는 원추면의 대원상에 놓여있다. 즉, 이러한 개구들은 모두 암(5)이 스쳐가는 원추형의 정점(S)으로부터 동일한 폭으로 떨어져 있다.
제7도는 본 발명에 의한 장치를 달리 형성할 수 있는 또다른 가능성을 도시한 것이다. 여기에서는 암(5)에 의하여 스쳐가는 원추형(31)상에는 대원(33) 상에는 스테이션들이 놓여있고, 넓혀진 대원(35) 상에는 또다른 스테이션(하나만이 도시되어 있음)이 놓여 있다. 개구표면법선(A25)는 여기에서도 원추형 모선(m) 방향으로 향하여 있다. 서로 다른 대면(33, 35)상에 놓여있는 스테이션(27)의 개구(25)를 이용하기 위하여, 암(5)이 도면에서 37로 도시된 바와 같이, 제2도에 도시된 풀무(23)와 유사한 풀무(여기에는 도시 없음)에 의하여 덮여있는 압축공기에 의한망원경식 구동장치를 거쳐 연장되거나, 단축될 수 있다. 이에 의하여 스테이션들은 제2도 내지 제4도에 도시된 장치에서 배열된 바와 같이, 하나의 대원상에만 배치되는 것이 아니라, 방위각(α)으로 변위되어 다수의 원추형 대원상에 배치될 수 있다.
제8도에 도시된 본 발명에 의한 장치의 또다른 구조에 있어서는 암(5)이 37로 표시된 바와 같이, 외측으로 나가거나 복귀할 수 있고, 암에는 운반플레이트(19a)가 달려있다. 그외에도, 원추각은 예를들어 원추체가 서로 다른 개구각에 의하여 스쳐갈 수 있도록 조정할 수 있다. 따라서, 임의로 배치된 스테이션을 광범위하게 이용할 수 있다. 지지판(19a)은 β≤90°의 각으로 암(56)에 장착되어 있고, P로 도시되어 있는 바와 같이, 암축(A5) 둘레를 회전할 수 있다. 원추각 조정뿐 아니라, 암의 진입과 후퇴 및 P 점에서의 회전 등도 제어된 구동하에서 실시할 수 있고, 이러한 배열에 의하여 개구(25)가 제공되어 있는 임의로 배치된 스테이션들을 공간적으로 이용할 수 있다. 특히 조밀한 운반장치 챔버(K)는 점선으로 도시되어 있다.
제9도에서는 공간축(A)이 수직으로 놓여있다. 암(5)은 L자형으로 형성되어 있고, 운반디스크가 수평으로 놓이도록 장착되어 있다. 이것은 공작물을 디스크(19)위에 유지할 필요가 없는 장점이 있다. 디스크(19)를 이동(Y) 시키기 위한 암과 일체로 형성된 구동장치는 풀무(23) 내부에 놓여있다.
본 발명의 개념 또는 이에 상응하는 진공처리장치에 의하여 다수의 단일스페이션이 달린 매우 조밀한 장치를 제공할 수 있으며, 필요한 경우에는 최적으로 짧은 운반로를 실현하거나, 공기조절되는 용적을 최소화시킬 수 있다.
Claims (23)
- 공작물을 공급하고, 끌어내기 위한 2개 이상의 개구와 하나의 공작물 운반 장치(3, 5)가 제공되는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실로, 상기 운반 장치(3, 5)가 운반실(K) 내에, 회전 구동 장치에 의하여, 회전축(A) 둘레를 회전할 수 있게 장착되고, 하나 이상의 공작물용 지지물(19)이 이송 장치(5) 및 왕복 구동 장치와 함께 제공되고, 상기 지지물(19)이 상기 운반 장치(3, 5)의 회전에 의하여 선택적으로 개구(21, 25)중 하나에 대향하여 위치할 수 있고, 상기 공작물이 이 위치로부터 상기 이송 장치(5) 및 상기 왕복 구동 장치에 의하여 개구쪽으로 또는 개구로부터 이동할 수 있는 운반실에 있어서, 상기 지지물(19), 상기 왕복 구동 장치와 합체된 운반암(5)으로서 형성된 상기 이송 장치 및 상기 운반 장치(3, 5)가 운반실(K) 내에서 하나의 단위 부재로 결합되는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 제1항에 있어서, 상기 왕복 구동 장치가 선형 구동 장치로서 형성되는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 왕복 구동 장치가 사복부(蛇服部)에 의하여 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 제1항에 있어서, 상기 개구(13, 25)의 평면 법선(A13, A25)이 운반 장치(3, 5)의 회전축(A)에 대하여 평행으로, 방사상 방향으로 또는 경사각으로 되는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 제1항에 있어사, 상기 왕복 구동 장치가 운반 장치(3, 5)의 회전축(A)에 대하여 평행으로, 방사상 방향으로 또는 경사각으로 작용하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 제1항에 있어서, 2개 이상의 지지물에, 이에 병렬된 운반암(5)과 일체로 형성된 왕복 구동 장치가 제공되는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 제1항에 있어서, 상기 운반 장치(3, 5)가 회전 운동을 할 때, 주어진 개구각(4)의 원추면 또는 평면을 스쳐지나가는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 제1항에 있어서, 상기 운반 장치(3, 5)가 회전 운동을 할 때, 실린더 표면을 스쳐지나가는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 제1항에 있어서, 가스 공급 및 흡인 여과 장치가 상기 운반실(K) 내에 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 제1항에 있어서, 지지물(19)에, 개구의 평면 법선 방향으로, 개구중 하나 이상의 개구에 대하여 이동할 수 있는 밀폐 수단이 포함되어 있고, 이 밀폐 수단에 의하여 개구(7, 27)중 하나가 폐쇄되는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 제10항에 있어서, 밀폐 수단이 공작물을 수용하기 위한 플레이트에 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 제11항에 있어서, 플레이트에 그 표면 위로 볼록하게 돌기한 탄력있는 부분(26)이 달린 돌출탭(22)이 제공되어 있고, 이러한 부분이 탭의 축 방향으로 보아서, 특히 그 정점 가까이에서, 그 자체만이 목적물(21)과 접촉할 수 있게 놓여있는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 공작물을 공급하고, 끌어내기 위한 2개 이상의 개구와 하나의 공작물 운반 장치(3, 5)가 제공되며, 상기 운반 장치(3, 5)가 운반실(K) 내에, 회전 구동 장치에 의하여, 회전축(A) 둘레를 회전할 수 있게 장착되고, 하나 이상의 공작물용 지지물(19)이 이송 장치(5) 및 왕복 구동 장치와 함께 제공되고, 상기 지지물(19)이 상기 운반 장치(3, 5)의 회전에 의하여 선택적으로 개구(21, 25)중 하나에 대향하여 위치할 수 있고, 상기 공작물이 이 위치로부터 상기 이송 장치(5) 및 상기 왕복 구동 장치에 의하여 개구쪽으로 또는 개구로부터 이동할 수 있고, 상기 지지물(19), 상기 왕복 구동 장치와 합체된 운반암(5)으로서 형성된 상기 이송 장치 및 상기 운반 장치(3, 5)가 운반실(K) 내에서 하나의 단위 부재로 결합되는 폐쇄 운반실을 갖춘 진공처리 장치에 있어서, 하나 이상의 개구에 록 스테이션 또는 가공 스테이션이 배치된 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 공작물용 지지물(19)은 원판형 공작물을 지지하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 제14항에 있어서, 상기 공작물용 지지물(19)은 CD 또는 자기 광학적 기억용 디스크를 지지하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실.
- 제13항에 있어서, 상기 왕복 구동 장치가 선형 구동 장치로서 형성되는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 왕복 구동 장치가 사복부(蛇腹部)에 의하여 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 개구(13, 25)의 평면 법선(A13,A25)이 운반 장치(3, 5)의 회전축(A)에 대하여 평행으로, 방사상 방향으로 또는 경사각으로 되는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 왕복 구동 장치가 운반 장치(3, 5)의 회전축(A)에 대하여 평행으로, 방사상 방향으로 또는 경사각으로 작용하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
- 제13항에 있어서, 2개 이상의 지지물에, 이에 병렬된 운반암(5)과 일체로 형성된 왕복 구동 장치가 제공되는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
- 제13항에 있어서, 지지물(19)에, 개구의 평면 법선 방향으로, 개구중 하나 이상의 개구에 대하여 이동할 수 있는 밀폐 수단이 포함되어 있고, 이 밀폐 수단에 의하여 개구(7, 27)중 하나가 폐쇄되는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치.
- 2개 이상의 공작물이 회전 평면내의 회전축 둘레를 회전하고, 상기 회전축에 대하여 방사상 방향으로 이동하는 폐쇄 운반실 내에서의 공작물 운반 방법에 있어서, 상기 공작물이 각각의 구동 장치에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 폐쇄 운반실 내에서의 공작물 운반 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 공작물은 상기 회전축 둘레를 회전하는 장치에 의하여 회전하고 운반되는 것을 특징으로 하는 폐쇄 운반실 내에서의 공작물 운반 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970020286A KR100247599B1 (ko) | 1991-05-31 | 1997-05-23 | 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP4117969.2 | 1991-05-31 | ||
DE4117969A DE4117969C2 (de) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | Vakuumkammer |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970020286A Division KR100247599B1 (ko) | 1991-05-31 | 1997-05-23 | 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920021203A KR920021203A (ko) | 1992-12-18 |
KR100247597B1 true KR100247597B1 (ko) | 2000-03-15 |
Family
ID=6432957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920009321A KR100247597B1 (ko) | 1991-05-31 | 1992-05-29 | 진공처리장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5245736A (ko) |
EP (1) | EP0518109B1 (ko) |
JP (1) | JPH0763612B2 (ko) |
KR (1) | KR100247597B1 (ko) |
AT (1) | ATE162854T1 (ko) |
DE (2) | DE4117969C2 (ko) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4139507A1 (de) * | 1991-02-23 | 1992-08-27 | Bernd Plickert | Montagevorrichtung fuer plattenfoermige elemente |
GB2272225B (en) * | 1992-10-06 | 1996-07-17 | Balzers Hochvakuum | A method for masking a workpiece and a vacuum treatment facility |
EP0591706B1 (de) * | 1992-10-06 | 2002-04-24 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Kammer für den Transport von Werkstücken |
CH691377A5 (de) * | 1992-10-06 | 2001-07-13 | Unaxis Balzers Ag | Kammeranordnung für den Transport von Werkstücken und deren Verwendung. |
DE4235677C2 (de) * | 1992-10-22 | 1996-10-31 | Balzers Hochvakuum | Vakuumkammer, Vakuumbehandlungsanlage mit einer solchen Kammer sowie Transportverfahren |
US5400317A (en) * | 1993-04-01 | 1995-03-21 | Balzers Aktiengesellschaft | Method of coating a workpiece of a plastic material by a metal layer |
US5730801A (en) * | 1994-08-23 | 1998-03-24 | Applied Materials, Inc. | Compartnetalized substrate processing chamber |
NL1000138C2 (nl) * | 1995-04-13 | 1996-10-15 | Od & Me Bv | Inrichtingen voor het bewerken van een substraat alsmede werkwijze geschikt voor toepassing bij dergelijke inrichtingen. |
US5605574A (en) * | 1995-09-20 | 1997-02-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer support apparatus and method |
DE19715151A1 (de) * | 1997-04-11 | 1998-10-15 | Leybold Systems Gmbh | Verfahren zum Be- und Entladen einer evakuierbaren Behandlungskammer und Handlingsvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE59805566D1 (de) * | 1997-04-11 | 2002-10-24 | Leybold Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Be- und Entladen einer evakuierbaren Behandlungskammer |
DE19720349A1 (de) * | 1997-05-15 | 1998-11-19 | Huels Chemische Werke Ag | Vakuumbehandlungsvorrichtung |
DE29716440U1 (de) * | 1997-09-12 | 1997-12-11 | Balzers Ag, Balzers | Sputterstation |
CH693508A5 (de) * | 1997-09-12 | 2003-09-15 | Unaxis Balzers Ag | Sputterstation. |
US6730194B2 (en) * | 1997-11-05 | 2004-05-04 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Method for manufacturing disk-shaped workpieces with a sputter station |
US5944948A (en) * | 1998-04-02 | 1999-08-31 | Centennial Technologies, Inc. | Apparatus for assembling a pair of members |
DE19953949A1 (de) * | 1999-11-09 | 2001-05-17 | Asys Gmbh & Co Kg | Vorrichtung zum Bestücken von Teileträgern für Mikrosysteme |
US6572090B2 (en) * | 2001-03-14 | 2003-06-03 | Thermwood Corporation | Method of positioning articles in predetermined relationships and fixture therefor |
DE10259252B4 (de) * | 2002-12-17 | 2005-06-23 | Asys Automatic Systems Gmbh & Co. Kg | Arbeitseinheit für Reinraumsysteme |
US9920418B1 (en) * | 2010-09-27 | 2018-03-20 | James Stabile | Physical vapor deposition apparatus having a tapered chamber |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH573985A5 (ko) * | 1973-11-22 | 1976-03-31 | Balzers Patent Beteilig Ag | |
DE2529018A1 (de) * | 1975-06-28 | 1977-01-13 | Ibm Deutschland | Einrichtung zur automatischen einzelfoerderung von werkstuecken in eine unter unterdruck stehende bearbeitungsstation |
SU973293A1 (ru) * | 1981-04-13 | 1982-11-15 | Ордена Трудового Красного Знамени Институт Сверхтвердых Материалов Ан Усср | Шпиндель |
US4492512A (en) * | 1981-12-02 | 1985-01-08 | George Mink | Amplified motion transmitting device |
JPS59182933U (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-06 | 株式会社 デイスコ | ウェーハ装着機 |
NZ207813A (en) * | 1983-06-24 | 1986-12-05 | Dridrinks Nv | Effervescent mixture:component(s)coated with water-soluble polysaccharide composition |
US4632632A (en) * | 1983-08-30 | 1986-12-30 | Automation Equipment Company | Programmable industrial robot having simplified construction |
JPS6052574A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-25 | Hitachi Ltd | 連続スパツタ装置 |
US4534314A (en) * | 1984-05-10 | 1985-08-13 | Varian Associates, Inc. | Load lock pumping mechanism |
JPS62130144A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-12 | Mitsuo Nakai | 間欠、回転板のエヤ−吸引装置 |
US4951601A (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
DE3704505A1 (de) * | 1987-02-13 | 1988-08-25 | Leybold Ag | Einlegegeraet fuer vakuumanlagen |
US4795299A (en) * | 1987-04-15 | 1989-01-03 | Genus, Inc. | Dial deposition and processing apparatus |
JPH01218627A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-08-31 | Hitachi Ltd | 複数処理可能な真空処理装置 |
JPH0825151B2 (ja) * | 1988-09-16 | 1996-03-13 | 東京応化工業株式会社 | ハンドリングユニット |
EP0389820B1 (de) * | 1989-03-30 | 1993-06-16 | Leybold Aktiengesellschaft | Vorrichtung zum Ein- und Ausschleusen eines Werkstücks in eine Vakuumkammer |
JPH03109727A (ja) | 1989-09-25 | 1991-05-09 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
US5135349A (en) * | 1990-05-17 | 1992-08-04 | Cybeq Systems, Inc. | Robotic handling system |
JP2808826B2 (ja) * | 1990-05-25 | 1998-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 基板の移し換え装置 |
US5126992A (en) * | 1991-03-18 | 1992-06-30 | Lavinsky Joshua F | Cleaner unit for information disks |
US5154730A (en) | 1991-05-17 | 1992-10-13 | Materials Research Corporation | Semiconductor wafer processing module having an inclined rotating wafer handling turret and a method of using the module |
CH686445A5 (de) * | 1992-10-06 | 1996-03-29 | Balzers Hochvakuum | Kammer und Kammerkombination fuer eine Vakuumanlage und Verfahren zum Durchreichen mindestens eines Werkstueckes. |
KR100189981B1 (ko) * | 1995-11-21 | 1999-06-01 | 윤종용 | 진공 시스템을 구비한 반도체 소자 제조장치 |
US5909994A (en) * | 1996-11-18 | 1999-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vertical dual loadlock chamber |
JP3396693B2 (ja) * | 1998-07-16 | 2003-04-14 | リコーシステム開発株式会社 | 暗号化/復号化装置と公開鍵暗号化システム |
-
1991
- 1991-05-31 DE DE4117969A patent/DE4117969C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-05-25 EP EP92108771A patent/EP0518109B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-25 DE DE59209160T patent/DE59209160D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-25 AT AT92108771T patent/ATE162854T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-05-26 US US07/888,111 patent/US5245736A/en not_active Ceased
- 1992-05-29 KR KR1019920009321A patent/KR100247597B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-06-01 JP JP4140357A patent/JPH0763612B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-11-03 US US08/962,776 patent/USRE40191E1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-07-19 US US09/619,391 patent/USRE40192E1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5245736A (en) | 1993-09-21 |
JPH05184903A (ja) | 1993-07-27 |
USRE40192E1 (en) | 2008-04-01 |
EP0518109A1 (de) | 1992-12-16 |
DE59209160D1 (de) | 1998-03-05 |
KR920021203A (ko) | 1992-12-18 |
USRE40191E1 (en) | 2008-04-01 |
ATE162854T1 (de) | 1998-02-15 |
JPH0763612B2 (ja) | 1995-07-12 |
EP0518109B1 (de) | 1998-01-28 |
DE4117969A1 (de) | 1992-12-03 |
DE4117969C2 (de) | 2000-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100247597B1 (ko) | 진공처리장치 | |
US4670126A (en) | Sputter module for modular wafer processing system | |
US5096364A (en) | Wafer arm handler mechanism | |
US4917556A (en) | Modular wafer transport and processing system | |
US4981408A (en) | Dual track handling and processing system | |
EP0267233B1 (en) | Modular semiconductor wafer transport and processing system | |
US9493306B2 (en) | Low cost high throughput processing platform | |
US4831270A (en) | Ion implantation apparatus | |
JP6205368B2 (ja) | 複合静的及びパスバイ処理用システム構成 | |
US3954191A (en) | Isolation lock for workpieces | |
US6364955B2 (en) | Chamber, at least for the transport of workpieces, a chamber combination, a vacuum treatment facility as well as a transport method | |
US5789878A (en) | Dual plane robot | |
KR100189675B1 (ko) | 스퍼터링 장치 및 이를 사용한 스퍼터링 처리 시스템 | |
US5478195A (en) | Process and apparatus for transferring an object and for processing semiconductor wafers | |
US3901183A (en) | Wafer treatment apparatus | |
JP2531925B2 (ja) | ディスク状のサブストレ―トを気密に挿入しかつ取り出すための装置 | |
CA2102202A1 (en) | Semiconductor wafer processing module | |
CN101223636A (zh) | 衬底搬运机器人及处理装置 | |
EP0211292A2 (en) | Molecular beam epitaxy apparatus | |
KR100247599B1 (ko) | 진공 처리 장치용 폐쇄 운반실 | |
JP3323601B2 (ja) | 工作物を真空雰囲気で搬送するためのチャンバ、複合チャンバ、及び工作物を真空設備内部で搬送する方法 | |
US20040221811A1 (en) | Method and apparatus for processing wafers | |
JPH0770298B2 (ja) | イオン注入装置 | |
JPH0754688B2 (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
JPS61114456A (ja) | イオン打込装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111118 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Expiration of term |