KR100228026B1 - 이물질 검사를 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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모리시타 요이찌
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Abstract

검사될 광-투과성물체 위에 설치된 조명시스템(2, 3, 5)에서부터 물체의 상면에 제1앙각의 투사각으로 빔을 투사시키는 단계, 및 광검출시스템(6, 9)으로, 빔에 의해 발생된 반사광과 산란광을 제2앙각의 광검출각으로 수광하는 단계를 포함하는, 이물질 검사를 위한 검사방법이다. 또한, 본 방법은, 빔들이 투사되기 전에, 조명시스템의 빔폭이 식 W＜2*sinα*t(tan(sin-1(sin(90°-α)/n)))-tan(sin-1(sin(θ-90°)/n))에 따라 투사각(α), 광검출각(θ), 물체의 두께(t) 및 물체 위의 기재에 대한 물체의 굴절률로부터 계산된 W보다 크지 않도록 설정시키는 단계를 더 포함한다.

Description

이물질 검사를 위한 방법 및 장치
본 발명은 액정패널에 사용되는 유리판, 광디스크와 하드디스크의 기초보드, CCD 밀봉플레이트, 전자부품의 표면탄성파(surface acoustic wave : SAW)필터등과 같은 광-투과성체의 전면에 부착되는 먼지, 머리카락, 각피, 금속소자, 유리, 칩핑, 프로세스부산물등과 같은 이물질을 검사하기 위한 방법과 장치에 관한 것이다. 보다 상세히 말하면, 본 발명은 검사체의 전면에 부착되는 이물질만이 검사체의 후면에 부착되는 이물질과 구별되어 검출되는 방법과 장치에 관한 것이다.
액정패널은 유리판의 전면에 형성된 미세한 액정화소전극과 막박트랜지스터를 가진다. 생산물로서 액정패널의 품질은, 만일 이물질이 유리판의 전면에 부착되어 있다면 크게 불리하게 영향을 받는다. 따라서, 전면에 부착되는 이물질을 검사하기 위하여 검사장치에 의한 검사가 필요하다. 한편, 액정패널에 사용된 유리기재는 약 1mm의 두께와 높은 광-투과성을 가지는 거의 투명한 박판이다. 이러한 액정패널에서는, 기재의 전면에 부착된 이물질("앞 이물질"로 언급됨)뿐만 아니라 후면에 부착되는 이물질("뒤 이물질"로 언급됨)이 검출된다는 문제점을 야기시킬 수 있다. 유리기재는 디스플레이된 영상을 보기 위한 또는 백라이트(back light)를 통과시키기 위한 측에 후면이 고정되는 상태로, 액정패널로 조립된다. 따라서 후면은 단순한 유리면이고 그리고 후면에 이물질의 점착은, 점착되는 물질이 아주 작은 한 전혀 문제가 되지 않는다. 많은 경우에 있어서, 뒤 이물질을 결함으로서 인식하지 않는 것이 채택되었다. 만일 뒤 이물질이 결함으로 인식되었다면, 훌륭한 액정패널 조차도 결함이 있는 것으로 판단되게 되어, 생산성이 낮아지고 그리고 생산품의 커다란 손실을 야기시키게 된다.
한편, 오늘날 유리판은 경량화된 액정패널의 필요성이 증가함에 따라 경량화될 필요가 있어서, 따라서 유리판의 두께는 거의 1mm에서 0.7mm로 감소된다.
이러한 상황하에서, 상기 언급된 뒤 이물질의 잘못된 검출은 보다 많은 주의를 필요로 한다.
뒤 이물질을 검출함이 없이, 액정패널의 유리기재와 같은 검사될 광-투과성체의 앞 이물질만을 검출하기 위하여, 다양한 방법들이 수행된다:
1. 두 광원 각각으로부터 조사된 광이 검사될 물체에 조사되고, 산란된 최종광이 대응하는 광검출기에 의해 검출되고 그리고 산란된 광의 강도가 비교되어, 이에 의해 이물질을 검출한다(미심사된 일본특허 공개공보 제63-186132호).
2. 다수의 광검출수단이 설치된다. 광이 각 방향에서 검사될 물체로 향하고 그리고 물체에서 산란된 광이 검출기에서 비교되어, 이에 의해 이물질이 검출된다(미심사된 일본특허 공개공보 제63-241343호).
상기 방법에서의 구성은 다수의 광원과 광검출기를 설치하기에 복잡하다.
반면에 다음과 같은 간단한 구조의 방법이 있다.
3. 검사될 물체에 대한 조사각과 광검출각간에 유지되는 각도는 90°에 설정되고 그리고 광분할판이 광검출기 바로 전에 설치된다. 이물질에 의해 발생된 산란광만이 광검출기에 인도되어, 이에 의해 이물질이 검출된다(미심사된 일본특허 공개공보 제3-72248호). 이 방법의 기술이 도 6을 참조하여 설명되는데, 간략화를 위해 광경로의 사용만을 설명한다. 레이저조명(A)은 검사될 물체인 글래스(22)에 대해 2°의 투사각을 형성하여, 글래스(22)의 전면에 포커스된 영상을 형성하는 레이저(24)에서 발생된다. 따라서, 글래스(22)의 전면은 감소된 크기의 레이저조명으로 조사된다. 광전자 증배관(photomultiplier)으로 구성된 광검출기(25)의 광검출각도는 88°로 설정되어, 광검출각도와 레이저조명의 투사각간에는 90°의 각도가 유지된다. 슬릿(25)이 광검출기(26) 앞에 위치된다. 슬릿(25)은 글래스(22)의 전면부에 부착되는 이물질(23a)에서부터 발생되는 반사광 또는 산란광의 광경로(31a) 상의 영상형성위치와 대응하도록 형성된다. 이러한 구성에서, 글래스(22)의 전면부에 부착되는 이물질(23a)에서부터 발생되는 산란광 또는 반사광은 광경로(31a)를 통해 광검출기(26)에 도달하고 그리고 이는 이물질로서 검출된다. 반대로, 글래스(22)를 통과한 레이저조명에 의해 글래스(22)의 후면에 부착되는 이물질(23b)로부터 발생되는 반사광 또는 산란광은 광경로(31b)를 지나 슬릿(25)에 의해 차단된다. 따라서, 뒤 이물질(23b)로부터의 반사광 또는 산란광은 광검출기(26)에 도달하지 않아 이물질로서 검출되지 않는다.
그러나, 상기 방법에서, 앞 이물질(23a)과 뒤 이물질(23b)을 구별하는 것이 어렵다. 달리 말하면, 상기 뒤 이물질이 실제적으로 가끔 검출된다. 도 6의 레이저조명(A)은 단일의 광경로를 형성하는 것으로 이상적으로 도시되었지만, 그러나 폭(W)의 빔으로 구성된다. 레이저(24)로부터 발생된 레이저조명(A)은 감소되어 글래스(22)의 전면에 포커스되게 되기 때문에, 레이저조명(A)의 빔은 글래스(22)의 근처에서는 평행한 것으로 여겨진다. 글래스(22) 근처의 평행빔은 수직방향으로 폭(W)을 가진다. 빔의 저단(lower end)은 경로(P1Q1)를 따라 검사기재(22)의 전면에 도달하고 그리고 전면에서 굴절된 후에 경로(Q1R1)을 따라 후면에 도달한다. 빔의 상단은 경로(P2Q2)를 따라 기재(22)의 전면에 도달하고 그리고 여기서 굴절되어 경로(Q2R2)를 따라 후면에 도달한다. 만일 이물질이 기재(22)의 후면의 범위(R1-R2)내에 존재한다면, 빔은 이물질과 충돌하게 되어, 이에 의해 빔은 산란 또는 반사되게 된다. 한편, 기재(22)의 후면에 존재하는 이물질로부터의 산란 또는 반사광이 슬릿(25)을 통해 광검출기(26)에 입력되는 경로를 고려하면, 도 7의 위치(S)에서 이물질에서 발생되는 광의 일부는 경로(SQ0)를 따라 기재(22)의 전면에 도달하여, 굴절되어 슬릿(25)을 통해 광검출기(26)에 입력된다. 따라서, 도 7로부터 명확히 알 수 있는 바와 같이, 빔폭(W)이 규정된 값보다 크고 그리고 빔들이 후면의 범위(R1-R2)내에 있는 경우에, 이물질이 범위내 특정위치(이 경우, 위치(S))에 있을 때 조명광은 산란 또는 반사되고, 그리고 광의 일부는 슬릿(25)을 지나 광검출기(26)에 도달한다. 따라서 이물질이 기재(22)의 후면에 있다하더라도 이물질이 검출되게 된다.
상기에서 설명된 바와 같이, 통상적으로 다수의 광검출기 또는 이와 같은 구이 검사될 광-투과성 물체이 전면에 부착되는 이물질을 검출하기 위해 필요하게 되어, 복잡한 구성이되는 한편, 단순한 구성은 검사될 물체의 전면과 후면에 있는 이물질을 완전히 구별할 수 없게 된다.
본 발명의 목적은 검사될 광-투과성물체의 전면에 부착되는 이물질만이 단순한 구성으로 검출될 수 있는 방법과 장치를 제공하는 것이다.
이들 및 다른 특징을 달성함에 있어서, 본 발명의 제1특징에 따라, 이물질을 검사하기 위한 검사방법이 제공되는바, 방법은:
검사될 광-투과성물체 위에 설치된 조명시스템으로부터의 광을 제1앙각(elevation angle)의 투사각으로 물체의 상면에 투사시키는 단계; 및 빔에 의해 발생된 반사광과 산란광을 제2앙각의 광검출각도로 광검출시스템으로 수광하는 단계를 포함하고, 상기 방법은 또한 빔들이 투사되기 전에, 방정식 W＜2*sinα*t(tan(sin-1(sin(90°-α)/n)))-tan(sin-1(sin(θ-90°)/n))에 따라 투사각(α), 광검출각(θ), 물체의 두께(t) 및 물체 위의 기재에 대한 물체의 굴절률(n)로 계산된 폭(W)보다 조명시스템의 광폭이 크지 않도록 설정하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제2특징에 따라, 제1특징에 따른 이물질 검사방법이 제공되는데, 상기 방법에서 조명시스템의 광원은 레이저광원이고 그리고 조명시스템의 빔폭은 물체의 초점면에서 반 대역폭이다.
본 발명의 제3특징에 따라, 제1특징에 따른 이물질 검사방법이 제공되는바, 방법에서 물체는 액정패널이다.
본 발명의 제4특징에 따라, 제1특징에 따른 이물질 검사방법이 제공되는 바, 방법에서 광학적 기록매체의 기초보드이다.
본 발명의 제5특징에 따라 이물질을 검사하기 위한 검사장치가 제공되는 바, 장치는:
제1앙각의 투사각으로 물체의 상면을 빔으로 투사하기 위해 검사될 광-투과성물체 위에 설치된 조명시스템; 빔에 의해 발생된 반사광과 산란광을 제2앙각의 광검출각도로 검출하기 위한 광검출시스템; 및 조명시스템의 빔폭을 방정식 W＜2*sinα*t{tan(sin-1(sin(90°-α)/n))-tan(sin-1(sin(θ-90°)/n))}에 따라 투사각(α), 광검출각(θ), 물체의 두께(t) 및 물체 위의 기재에 대한 물체의 굴절률(n)로 계산된 W가 되도록 설정시키기 위한 설정유닛을 포함한다.
본 발명의 제6특징에 따라, 제5특징에 따른 이물질 검사장치가 제공되는 바, 조명시스템의 광원은 레이저광원이고 그리고 조명시스템의 빔폭은 물체의 초점면에서 반 대역폭이다.
본 발명의 제7특징에 따라, 제5특징에 따른 이물질 검사장치가 제공되는 바, 물체는 액정패널이다.
본 발명의 제8특징에 따라, 제5특징에 따른 이물질 검사장치가 제공되는바, 물체는 광학적 저장매체의 기초보드이다.
본 발명에 따라 제공된 방법과 장치는 검사될 광-투과성물체의 후면에 부착되는 이물질만을 단순한 구성으로 검출될 수 있게 해준다.
본 발명의 이들 특징과 다른 특징들은 첨부도면을 참조해 바람직한 실시예와 함께 이루어진 상세한 설명으로부터 명확히 알 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 이물질 검사장치의 구성을 보여주는 개략적인 도면.
도 2는 제1실시예의 벡터적인 설명도.
도 3은 제1실시예에서 조명의 빔폭의 상태를 나타내는 도면.
도 4는 검출되지 않는 후면의 이물질에 대한 상태의 설명도.
도 5는 검출되지 않는 후면의 이물질에 대한 상태의 설명도.
도 6은 통상적인 이물질 검사장치의 원리를 나타내는 도면.
도 7은 통상적인 이물질 검사장치에서 후면의 이물질이 검출될 때, 상태를 나타내는 도면.
도 8은 제1실시예에 따른 이물질 검사장치에 의해 수행되는 이물질 검사방법을 보여주는 흐름도.
본 발명의 상세한 설명을 진행하기에 앞서, 첨부도면 전체를 통해 동일한 부분들은 동일한 참조번호로 참조된다는 것을 명심해야 한다.
본 발명은 본 발명의 한 바람직한 실시예와 함께 이루어진 도 1∼5와 도 8을 참조하여 설명된다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 이물질 검사방법과 이물질 검사장치의 기초구성을 보여주는 도면이다. 도 2는 설명의 목적을 위해 도 1에서부터 전개된 각도와 벡터를 보여주는 도면으로서, 동일한 참조번호는 도 1에서의 동일한 부분을 나타낸다. 도 1에서, 예시적인 조명시스템은 레이저광원(2), 레이저광원으로부터의 광을 평행빔으로 변환시키기 위한 시준렌즈(collimator lens)(3), 및 검사될 광-투과성기재(1)("검사기재"로 언급됨)의 전면에 초점면을 가지고 또한 평행빔으로부터 선형의 영상을 형성하는 원통형레즈(5)로 구성된다. 원통형렌즈(5)의 초점면은 대물렌즈(6)의 앞측의 초점면과 일치한다. 선형센서(9)가 대물렌즈(6)의 영상형성면에 설치된다. 이들 부재(6, 9)들은 예시적인 광검출시스템을 구성한다. 선형센서(9)는 공지된 판단회로(100)에 연결된다. 검사기재(1)는 공지된 가동테이블(도시되지 않음)에 위치되어, Y주 주사방향과 X부 주사방향으로 모든 표면이 검사된다.
도 2에서, 투사방향으로의 벡터(11)는 레이저원(2), 시준렌즈(3), 및 원통형렌즈(5)로 구성된 조명시스템의 광학적 축을 나타내는 것으로서, 검사기재(1)에 대해 투사각(α)를 이룬다. 광검출방향으로의 벡터(12)는 대물렌즈(6)와 선형센서(9)를 포함하는 광검출시스템의 광학적 축을 보여주는 것으로서, 검사기재(1)에 대해 광검출각(θ)를 이룬다. 예컨대, 투사각(α)과 광검출각(θ)은 각각 거의 2°와 150°로 설정되게 된다. 원통형렌즈(5)에 의해 검사기재(1)의 전면상에 형성된 선형영상의 빔은 선형영상에 대해 수직인 방향으로 검사기재(1)의 전면 근처에서 거의 평행이다. 검사기재(1)의 검사표면에 대해 수직인 방향으로 간격인, 검사기재(1)의 전면 근처에서 평행비의 폭(W)은, 투사각(α)가 2°이고, 검출각(θ)가 150°이고, 공기에 대한 검사기재의 굴절률(n)은 1.5이고 그리고 검사기재의 두께(t)는 700㎛라는 조건하에서, 계산식 EX에 따라 9㎛로 설정된다.
W＜2*sinα*t{tan(sin-1(sin (90°-α)/n))
-tan(sin-1(sin(θ-90°)/n))} ------ EX
상기와 같이 구성된 실시예의 이물질 검사방법은 다음 방식으로 작동한다.
도 1에서, 검사기재(1)의 전면 상의 선형영역은 레이저광원(2), 시준렌즈(3) 및 원통형렌즈(5)을 지나 선형영상을 형성하는 빔으로 조명된다. 만일 이물질(10)이 조명된 영역의 전면에 존재한다면, 빔은 산란 또는 반사광을 생산하고 그리고 광의 일부는 렌즈(6)에 의해 집광되어, 이에 의해 영상이 선형센서(9)에 형성된다. 이 영상은 선형센서(9)에 의해 광전기적으로 변환되어, 판단회로(100)에 의해 이물질로서 판단된다. 가동테이블(도시되지 않음)에 적재된 검사기재(1)는 검사기재(1)상의 빔에 대해 수직인 Y주 주사방향과 X부 주사방향으로 모든 표면이 주사된다. 따라서, 검사기재(1)의 전체 표면상의 이물질들이 검출된다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 단계 S1에서 기재(보드)의 두께(t)와 빔의 폭(W)은 후에 설명되는 계산부(101)에 의해 굴절률(n)을 토대로 계산된다. 단계 S2에서, 빔들은 검사기재(1)의 검사표면에 조명된다. 단계 S3에서, 검사표면으로부터의 광이 광검출기로서 역할하는 선형센서(9)에 의해 검출된다. 단계 S4에서, 빔의 양이 규정된 값, 즉 규정된 임계값보다 적은지 여부가 판단회로(100)에 의해 판단된다. 빔의 양이 규정된 양보다 적지 않으면, 단계 S5에서 이물질이 존재하는 것으로서 판단된다. 빔의 양이 규정된 값보다 작으면, 단계 S6에서 이물질이 존재하지 않는 것으로서 판단된다.
계산식 EX에 따라 상기와 같이 빔폭(W)이 판명된 이유가 여기서 설명된다. 첫째로, 빔폭(W)이 계산식 EX에서부터 계산된 규정된 값보다 큰경우에 검사기재(1)의 후면에 있는 이물질이 검출되는 이유가 도 5를 참조하여 설명된다. 빔의 저단은 경로(P1Q1)을 따라 검사기재(1)의 전면으로 가서, 굴절되어 경로(Q1R1)를 따라 검사기재(1)의 후면에 도달한다. 빔의 상단은 경로(P2Q2)를 따라 검사기재(1)의 전면으로가서, 전면에서 굴절된 후에 경로(Q2R2)를 따라 검사기재(1)의 후면으로 간다. 이 경우에, 만일 이물질이 후면의 범위(R1-R2)내에 존재한다면, 이물질은 빔에 의해 조사되게 되어, 이에 의해 빔들이 산란 또는 반사되게 된다. 기재의 후면에 존재하는 이물질로부터의 산란 또는 반사광이 광검출기로서 역할하는 선형센서(9)로 들어가는 경로를 고려하면, 도 5의 위치(S)에서 이물질로부터 생성된 산란 또는 반사광의 일부는 경로(SQ0)를 따라 검사기재(1)의 전면으로 안내되어, 굴절된 후에 경로(Q0T)를 따라 선형센서(9)로 들어간다. 따라서, 만일 빔폭(W)이 규정된 값보다 크고 그리고 빔이 검사기재의 후면의 범위(R1-R2)내로 들어가면, 도 5에 도시된 바와 같이 이물질이 이 범위내 특정위치(위치 S)에 존재할 때, 빔들은 산란 또는 반사되어, 부분적으로 선형센서(9)내로 들어간다. 따라서, 이물질이 검사기재(1)의 후면에 존재한다 하더라도, 광은 실재적으로 이물질로서 검출된다.
두 번째로, 빔폭(W)이 계산식 EX에서 계산된 빔폭(W)이 규정된 값보다 작다면, 검사기재(1)의 후면에 있는 이물질이 검출되지 않는 이유가 도 4을 참조하여 설명된다. 작은 빔폭(W) 때문에, 빔이 도달할 때 검사기재(1)의 후면의 범위(R1-R2)가 도 4에 도시된 바와 같이 감소되어, 따라서 빔들은, 만일 이물질이 존재한다면 빔들이 선형센서(9)로 투사되게 되는 위치(S)로 결코 인도되지 않는다. 후면에 있는 이물질으로부터의 광이 선형센서(9)에 도달하지 않기 때문에, 검사기재(1)의 후면에 있는 이물질은 전혀 검출되지 않게 된다.
지금부터, 후면에 있는 이물질을 검출하지 않기 위하여 빔폭(W)의 조건을 조절하기 위한 계산식이 도 3을 참조하여 설명된다. 후면과 지점(Q0)에서 후면까지의 연직선의 교차점이 Q0'라고 가정하면, 아래 식(1)이 성립되게 되어, 위치(S)는 범위(R1-R2)내에 존재하지 않게 된다.
Q0'S＜Q0'R1------ (1)
∠Q0'Q0S=ø이면, 다음 식(2)이 유지되는데, 여기서 t는 검사기재(1)의 두께이다.
Q0'S=t*tanø ------ (2)
프레넬의 법칙에 따라, 검사기재(1)가 그 위의 물질에 대한 굴절률(n)을 가질 때, 다음 식(3)이 성립된다.
sinø/sin(θ-90°)=1/n ------ (3)
식 (2), (3)으로부터 식(4)가 획득된다.
Q0'S=t*tan(sin-1(sin(θ-90°)/n)) ------ (4)
다음에, Q0'R1이 구해진다. 지점(Q1)에서 검사기재(1)의 후면까지의 연직선과 후면간의 교차점이 Q1'이라고 가정하면,
Q0'R1=Q1'R1-Q1'Q0'=Q1'R1-Q1'Q0------ (5)
∠Q1'Q1R1=β가 만족되면, 식(5)는 식(6)이 된다.
Q1'R1=t*tanβ ------ (6)
프레넬의 법칙에 따라,
sin(90°-α)*sinβ=n ------ (7)
빔폭이 W이면,
Q1Q0=(w/2)/sinα ------ (8)
따라서, 식(9)가 상기 식(5)∼(8)로부터 구해진다.
Q0'R1=[t*tan(sin-1(sin(90°-α)/n)-W]/(2*sinα) ------ (9)
앞서 설명된 식(EX)에서 구해진 폭(W)을 설정하기 위한 조건은 식(1), (4), (9)에서부터 생긴다.
식(EX)은 도 3에서 광검출각(θ)이 90°보다 클 경우에 관한 것이다. 광검출각(θ)이 90°보다 크지 않은 경우에도 동일하게 적용된다.
빔폭(W)은 검사기재(1)의 후면에 있는 이물질을 검출하지 않기 위하여 몇몇 경우에 식(EX)을 토대로 다음과 같이 결정된다. 다음 경우에서 공통적인 것은, 검사기재가 700㎛의 두께와 검사기재 상의 물질에 대한 1.5의 굴절률을 가지는 글래스로 형성되고 그리고 조명광이 2°의 투사각(α)으로 투사된다는 것이다.
1) θ=150°일 때, W＜9.1㎛
2) θ=90°일 때, W＜43.7㎛
3) θ=30°일 때, W＜78.2㎛
실시예에 따라, 빔폭(W)은 상기 설명된 바와 같이 계산부(101)에 의해 식(EX)에 따라 계산되고 그리고 계산부(101)에 연결된 제어기(102)에 의해, 식(EX)에 따라 계산된 바와 같이 설정되어, 전체적으로 단순한 구성으로 광-투과성 검사기재(1)의 전면에 부착되는 이물질만이 판단회로(100)에 의해 견고히 검출될 수 있다. 계산부(101)와 제어기(102)는 빔의 폭을 설정하기 위한 설정유닛으로 역할할 수 있다. 제어기(102)는 또한 이물질판단을 실행하기 위한 판단회로(100)의 동작을 제어한다.
빔들이 레이저광원으로부터의 레이저광이면, 빔폭(W)은 검사기재(1)의 초점면의 근처에서 반 대역폭이 된다. 빔폭(W)의 최소값은 3∼5㎛가 바람직하다.
본 발명은 상기 실시예에 제한되지 않고 그리고 요점을 변경시킴이 없이 다양한 방식으로 수정될 수 있다.
예컨대, 광검출기로서의 선형센서(9)는 포토다이오드 또는 광전자 증배기등과 같은 광전기 변환수단으로 대체될 수 있다.
본 실시예에서, 빔들은 조명부에서 원통형렌즈(5)의 사용으로 규정된 폭으로 감소될 수 있다. 규정된 빔폭은 슬릿등으로 만들어질 수 있다.
본 실시예는, 검사기재(1)의 전면이 빔폭(W)보다 작은 높이로 기복되거나 또는 뒤틀려, 따라서 기재의 수직방향으로 빔의 높이를 조절하기 위한 조절장치가 제공되지 않는다는 가정을 토대로 한다. 그러나, 만일 검사기재(1)의 전면의 기복, 뒤틀림 또는 이와 비슷한 것이 빔폭(W)보다 커다면, 레이저변위센서 등을 사용하는 높이측정수단과 센서의 측정결과를 사용하는 높이조절장치가 장치에 설치되어야 한다.
상기에서 설명된 본 발명의 구성에서, 이물질을 검사하기 위한 조명광의 빔폭은 계산식(EX)에 따라 결정된 W가 되게 설정된다. 따라서, 광-투과성 검사기재의 전면에 있는 이물질만이 단순한 구성으로 견고히 검출될 수 있다.
1996년 11월 29일에 출원된 일본특허출원 제8-319838의, 명세서, 청구항, 도면 및 요약을 포함한 모든 기재내용은 여기서 완전히 참조로 사용된다.
비록 본 발명이 첨부도면을 참조해 바람직한 실시예로 완전히 설명되었다 하더라도, 다양한 변경과 수정이 이루어질 수 있다는 것을 본 기술분야의 당업자는 알 것이다. 그러한 변경과 수정들은 첨부된 청구항에 의해 규정된 본 발명의 범위를 벗어나지 않는다면, 본 발명의 범위내에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.

Claims (8)

  1. 검사될 광-투과성물체 위에 설치된 조명시스템(2, 3, 5)에서부터 물체의 상면에 제1앙각의 투사각으로 빔을 투사시키는 단계; 및
    광검출시스템(6, 9)으로, 빔에 의해 발생된 반사광과 산란광을 제2앙각의 광검출각으로 수광하는 단계를 포함하고,
    또한, 빔들이 투사되기 전에, 조명시스템의 빔폭이 식 W＜2*sinα*t{tan(sin-1(sin(90°-α)/n))-tan(sin-1(sin(θ-90°)/n))}에 따라 투사각(α), 광검출각(θ), 물체의 두께(t) 및 물체 위의 기재에 대한 물체의 굴절률로부터 계산된 W보다 크지 않도록 설정시키는 단계를 더 포함하는 것이 특징인, 이물질 검사를 위한 이물질검사방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 조명시스템의 광원은 레이저광원이고 또한 조명시스템의 빔폭은 물체의 초점면에서 반 대역폭인 것이 특징인 이물질검사방법.
  3. 청구항 1에 있어서, 물체는 액정패널인 것이 특징인 이물질검사방법.
  4. 청구항 1에 있어서, 물체는 광학적 저장매체의 기초보드인 것이 특징인 이물질검사방법.
  5. 물체의 상면에 제1앙각의 투사각으로 빔을 투사시키기 위해 검사될 광-투과성물체 위에 설치된 조명시스템(2, 3, 5);
    빔에 의해 발생된 반사광과 산란광을 제2앙각의 광검출각으로 검출하기 위한 광검출시스템(6, 9)을 포함하고; 및
    조명시스템의 빔폭을 식 W＜2*sinα*t{tan(sin-1(sin(90°-α)/n))-tan (sin-1(sin(θ-90°)/n))}에 따라 투사각(α), 광검출각(θ), 물체의 두께(t) 및 물체 위의 기재에 대한 물체의 굴절률로부터 계산된 W가 되도록 설정시키기 위한 설정유닛(101, 102)을 포함하는 것이 특징인 이물질 검사를 위한 이물질검사장치.
  6. 청구항 5에 있어서, 조명시스템의 광원은 레이저광원이고 그리고 조명시스템의 빔폭은 물체의 초점면에서 반 대역폭인 것이 특징인 이물질검사장치.
  7. 청구항 5에 있어서, 물체는 액정패널인 것이 특징인 이물질검사장치.
  8. 청구항 5에 있어서, 물체는 광학적 저장매체의 기초보드인 것이 특징인 이물질검사장치.
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