JPS63208746A

JPS63208746A - 欠陥検査装置

Info

Publication number: JPS63208746A
Application number: JP62042247A
Authority: JP
Inventors: Sunao Murata; すなお村田; Kinya Kato; 欣也加藤; Kazunori Imamura; 今村　和則; Fumitomo Hayano; 史倫早野
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1987-02-25
Filing date: 1987-02-25
Publication date: 1988-08-30
Anticipated expiration: 2010-07-26
Also published as: JPH0769271B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は半導体素子の製造に使われるマスクやレチクル
に存在する欠点、特にマスクやレチクルに付着した異物
を検出する装置に関し、特に環境中に浮遊する微小なゴ
ミからマスクやレチクルを保護する目的で、透明な基板
（高分子薄膜又はガラス板）を一体に設けたマスクやレ
チクル又は透明基板自体等を検査する装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、マスクやレチクル（以下、レチクルで代表する）
を光ビームで走査して、付着した異物を自動検出する装
置として、特開昭５８−６２５４３号公報、特開昭５８
−６２５４４号公報等に開示されたものが知られている
。この装置は集光したレーザ光のスポットをレチクル表
面に１０°〜４５″の角度で入射させた状態で、例えば
ガルバノミラ−（振動鏡）等でＸ方向に一次元走査し、
レチクルをｙ方向に移動させ、レチクル表面から生じる
反射光のうち、側方散乱光、後方散乱光等を、レーザ光
照射位置に対して特定の空間位置に配置された複数の光
電検出器で受光することによって、異物の有無、付着状
況、大きさ等を検査するものである。

このような検査装置において、近年、高分子薄膜（以下
ペリクルと呼ぶ）付きのレチクルに対しても有効な検査
ができるようにすることが望まれてきた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の装置でペリクル付のレチクルをそのまま検査する
場合、以下のような問題点が生じることが本願発明者に
よって確認された。

第１点は、レーザ光がペリクル側からレチクルに入射す
る際、レーザ光が斜入射で走査されているために、走査
位置に応じて入射角が変化し、レチクル面に達するレー
ザ光のスポット光強度が変化することである。これはペ
リクルに対するレーザ光の入射角が変化することによっ
て、そのレーザ光に対する光透過率が見かけ１変化する
ことに起因する。

第２点は、光電検出器が特定の空間に配置され、異物の
付着位置、すなわぢスポット光の走査位置に応じて、異
物から光電検出器に達する散乱光の光路とペリクルとの
なす角度が変化することである。これも散乱光のペリク
ルに対する入射角が変わることで生じるペリクルの見か
け上の光透過率変化に起因する現象である。

このため、ペリクルの付いていないレチクルと、ペリク
ル付きのレチクルとでは、例え同位置に同程度の異物が
付着していても、異物の検出感度が異なってしまうとい
った不都合が生じることになる。

〔問題点を解決するための手段〕

そこで本発明では、被検査基板（レチクルやマスク等）
とほぼ平行に設けられる光透過性基板（ペリクル又は保
護ガラス板）の光透過率又は反射率、具体的には透過率
又は反射率の光線（レーザ光又は散乱光）の入射角変化
に依存した変化特性を入力する入力手段、例えば予め算
出、又は実験により求めた透過率の変化特性に関する情
報を記憶するメモリ、あるいは実測する測定部を設ける
。そして、レーザ光をペリクルを介してレチクルに入射
するか、異物からの散乱光をペリクルを介して光電検出
する場合には、光電検出された異物の情報（電気信号又
はソフトウェア上の数値データ）を透過率の変化特性に
よって補正する補正手段を設けるようにした。

〔作用〕

上記構成により、レーザ光等がレチクルを走査するとき
に生じる各稲光（レーザ光、あるいは散乱光）のペリク
ルに対する入射角が変化しても、この入射角変化に応じ
て異物の検出感度がハードウェア上、又はソフトウェア
上で補正されることになり、検査領域全面で均一な異物
検出感度を得ることができる。

この検出感度の補正は、レーザ光が一次元に走査される
場合は、−次元の走査位置に応じて光電信号に対してリ
アルタイムに加えることができる。

従って検査にあたって、ペリクル付レチクルか否かのみ
を指定すれば、その両者に対してほぼ同一の検出感度で
異物の付着の有無、異物の大きさ、あるいは付着状況を
自動的に検査することができる。

〔実施例〕

第１図は、本発明の第１の実施例に使用される入力手段
の測定部を原理的に示す斜視図であって、１、．１２は
、ペリクルフレーム２に張設されたペリクル（薄膜）２
ａ上に直交するように定めた直線でペリクルフレーム２
はｌ、を回転軸として、モータ等により回転可能である
。レーザ光源１は異物検査時に用いるレーザ光と同じ波
長の光を出力し、そのレーザ光はＮ、、１２を含むペリ
クル２ａの面に斜入射し、その透過光は受光素子３に入
射する。直線１２は光源１からのレーザ光の光軸のペリ
クル面上での写影である。

その際、ペリクル２ａをｌｌ中心に回転させ、入射角に
対する受光素子３の光電出力を測定することにより、ペ
リクル２ａの該レーザ光に対する透過率の入射角依存性
（透過率の変化特性）を知ることができる。

またペリクルフレーム２及びペリクル２ａがすでにレチ
クルにペリクル２ａとレチクル面とが平行になるように
取り付けられていた場合は、透過率を直接測定すること
は不可能だが、ペリクル２ａでの反射光を受光素子４を
用いて光電検出することにより反射率の変化特性を測定
することがでこの実施例では直線ｌＩを中心にペリクル
２ａを回転したが、この回転範囲は異物検査装置におけ
る入射レーザ光とペリクル２ａとが成す角度範囲、ある
いは、受光系への散乱光の角度範囲と同じであれば好都
合であるが、特にその必要はない。

なぜなら、波長の決った光線に対しである入射角範囲で
、ペリクル２ａの透過率変化特性を知ることができて、
かつ、そのペリクル自体の特性つまり単一物質からでき
ているか、表面に反射防止膜を付着させているか等が判
れば、その特性は十分推定できるからである。尚、この
ペリクル２ａの回転範囲によっては、反射光を検出する
受光素子４を不図示の装置でペリクル２ａの回転と同期
させて移動させる必要がある。

また、レーザ光源１からのレーザ光の波長も異物検査用
レーザ光と同じにする必要もなく、異なっていても透過
率は推定可能である。

さらに、光源として単色光である必要もない。

さらに本実施例ではべりクル２ａの位置による厚みムラ
はないものと仮定するが、厚みムラがある場合でも後述
する方法によって十分対応できる。

またレーザ光源ｌからペリクル２ａに達するレーザ光は
異物検査装置側のレーザ光と同一の開口数（Ｎ、Ａ、）
及びスポットサイズとすることが望ましいが、かならず
しもその必要はない。

さて第２図は、第１図の測定部を異物検査装置に組み入
れた本発明の第１実施例による構成を示す斜視図である
。レーザ光源１１を出たレーザビーム１００はハーフプ
リズム１２により透過率測定部Ａに向うし□゛−ザビー
ム１０２異物検査部Ｂに向うレーザビーム１０１に分け
られる。測定部Ａに向かうレーザビーム１０２は、さら
にハーフプリズム１３によってレーザビーム１０３とレ
ーザビーム１０４に分けられる。レーザビーム１０４は
光量モニター用受光素子１４によって受光される。また
、レーザビーム１０３はミラー１５により偏向後、測定
部Ａ内の所定位置に設置されたペリクル２ａに入射する
。このペリクルフレーム２はペリクル２ａ上に定めた回
転軸！、のまわりを矢印１１１の方向に適宜モータ等に
より回転する。ペリクル２ａからの反射光１０５又は透
過光１０６をそれぞれ受光素子４．３により受光し、光
線の入射角（又は射出角）θの関数として、それぞれ受
光素子１４によって受光された光量を分母にとり、受光
素子３．４により受光された各光量をそれぞれ分子にと
ることによって、透過率又は反射率の変化特性を実測す
る。このとき、たとえば反射光１０５を測定する場合は
べりクル２ａ（フレーム２）の回転にともなって、受光
素子４も移動（直線１１のまわりに回転）する方が、受
光素子４の受光面の小型化という点からは好都合である
。尚、第２図中の測定部Ａには光学系（レンズ等）が省
略されているが、適宜最適なものが設けられることは述
べるまでもない。

さて、透過率測定部Ａでペリクル２ａの入射角による透
過率変化特性が計測されると、異物検査部Ｂには、ペリ
クル単体又はペリクル付のレチクルが不図示の移動装置
で搬送される。本実施例ではべりタル付のレチクル２２
を検査する場合を図示する。異物検査部Ｂでは、レーザ
ビーム１０１がミラー１９により光路を曲げられ、スキ
ャナーミラー２０で反射されて、いわゆるレーザビーム
偏向が行なわれる。走査用対物レンズ２１及び不図示の
ビームエキスパンダー光学系により走査レーザビームは
、走査軌跡１１０（第２図ではレチクル２２０表面で図
示）上で焦点を結ぶ。このとき焦点上にフレーム２３に
張設したペリクル２３ａやレチクル２２の表面が位置し
、そこに異物があると、異物から散乱光を生じるが、こ
れを集光レンズ２４．２６を介して受光素子２５．２７
で受光して異物を検出する。異物検出の方法は種々提案
されているが、基本的には先に揚げた特開昭５８−６２
５４４号公報に開示されているように、レーザビームの
走査軌跡１１０のＸ座標位置（レーザ走査方向の位置）
による受光光学系への散乱光のとり込み率の変化を、各
受光素子からの光電信号の電気増巾率（利得）にフィー
ドバンクして補正するか、あるいは散乱光であることを
電気信号で２値化するためのコンパレート電圧（スライ
スレベル）を変化させるかして、異物の付着場所による
検出感度の変化を一様にしている。

ここでレチクル２２にはべりクル２３ａが貼付されてい
ると、レーザビーム１０１が斜入射であることから、レ
ーザビーム１０１のペリクル２３ａにおける透過率が１
ではないことがあり、さらに、入射ビーム光学系（レン
ズ２１等）が、いわゆるテレセンドリンク光学系でない
場合はレーザビームの走査により、入射角が変化してい
るので透過率も一定とならない。かつ、異物からの散乱
光においても、受光光学系（レンズ２４．２６）への散
乱光の光線とペリクル２３ａとのなす角度がレーザビー
ムの走査位置により変化するので、たとえばレチクル２
２上の異物からの散乱光信号は、ペリクルの有無により
レーザビームが例え同一走査位置にあったとしても変化
することになる。

またペリクル２３ａの内側の面に付着している異物から
の散乱光についても同様に、レーザビームの走査位置に
応じて強度変化をうける。このときの変化は、ペリクル
２３ａの膜厚等が判れば、推定できるが、この情報は透
過率測定部Ａにより得ることができるので、レーザビー
ムを走査させた異物検出時に容易に補正することができ
る。

なお、この補正は異物検出時に行なう必要はなく、検出
後、異物の大きさや位置等を検査結果として表示させる
時に、ソフトウェア上の演算で補正をかけても構わない
。このときは透過率や反射率の変化特性の測定を異物検
査の後で行なえる。

異物検査は、レチクル２２をｙ方向に移動させることに
よりレーザビーム走査を２次元的に行ない、全面検査を
行う。また、レチクル２２又はペリクル２３ａの異物検
査は、不図示のＺ方向に移動するステージにてレーザビ
ームのスポット光の走査軌跡１１０をレチクル表面上ま
たはペリクル面上に移してから、ｙ方向移動により、そ
れぞれレチクル２２及びペリクル２３ａ上の異物検査を
行なう。

さて第３図は、第２図で示した実施例の電気信号処理の
ブロック図である。まず、受光素子１４からの光電信号
３０は電圧変換器とＡ／Ｄ変換器等を含む前処理回路３
３を介して、ＣＰＵ３５に入力する。一方、受光素子３
．４のうち反射光１０５を受光する受光素子４からの光
電信号３１は電圧変換器とＡ／Ｄ変換器等を含む前処理
回路３４を経てＣＰＵ　（計算器）３５に入力する。同
時にペリクル２ａの回転１１１を角度にしたデータ３２
も、不図示のロータリーエンコーダ等からＣＰＵ３５に
入力する。ペリクル２ａの透過率の入射角依存性を知る
のに必要な角度範囲だけ、これらのデータをＣＰＵ３５
に入力後、ＣＰＵ３５はレーザビーム１０３０人射角と
透過率の関係（透過率の変化特性）をテーブルとして作
成しておく。

また、ＣＰＵ３５は、作成したテーブルに基づいて、Ｘ
方向のレーザビームの走査位置変化に対応した透過率を
演算により求め、これをＲＡＭ３６、５７に各受光素子
２５．２７からの信号側に記憶させる動作も行なう。従
ってこのＲＡＭ３６．５７の夫々に、トリガー発生器３
８からの時系列信号（パルス信号）をカウントした値を
アドレスとして印加すると、その走査位置での透過率が
自動的に読み出されることになる。

尚、上記前処理回路３３．３４、ＣＰＵ３５、ＲＡＭ３
６．５７、により本発明の入力手段が構成され、掛は算
器４３．４４、増中度可変器４９．５０により本発明の
補正手段が構成される。また前処理回路３３．３４、Ｃ
ＰＵ３５、ＲＡＭ３６．５７は本発明における光透過性
基板（ペリクル）に関する情報を保持する部分なので、
ここを特にペリクル情報保持部３７とする。

ところで異物からの散乱光は受光素子２５及び２７に受
光され、その光量に応じた大きさの光電信号４５及び４
６が得られる。この信号４５．４６は各々、電圧変換器
４７及び４８により、電圧変換される。ここで、レーザ
ビームのＸ方ｒＬｔ査位置に関しては、トリガー発生器
３８によるスタートパルスを同期信号としてのこぎり波
発生器３９からの電気信号４０をスキャナーミラー２０
の駆動回路に入れることから、トリガー発生器３８から
の時系列信号（位置に応じたパルス信号）をカウントす
ることで知ることができる。そこでこのカウント値に基
づいて散乱光が出ているときのＸ方向の走査位置が判る
。

ペリクルがない場合でも、受光素子２５．２７に入射す
る散乱光量は、受光立体角がＸ方向の位置に応じて変化
することから、光量の規格化のために電圧変換器４７．
４８の各々からの信号に対して利得調整を行なう増中度
可変器４９．５０が各々設けられる。このための増中度
変換定数は予め実験等により求めてＲＯＭ４２及び４１
に記憶　　　“してあり、トリガー発生器３８からの時
系列信号に応答してＲＯＭ４２．４１から順次増中度変
換値を読み出し、夫々掛は算器４４．４３を介して増中
度可変器４９及び５０に入力する。これにより、Ｘ方向
の走査位置に応じた散乱光量の光電信号補正を行なって
いる。尚、掛は算器４４．４３の夫々の他方の入力定数
は、ペリクルがないレチクルの場合は１に設定され、Ｒ
ＯＭ４２．４１からの値がそのまま増巾変可変器４９．
５０に指示される。ここでペリクル２３が貼付されてい
たときは、そのＸ方向の走査位置に応じた補正値をさら
にかえる必要がある。つまり、Ｘ方向の異物の位置がわ
かれば、まず、異物に入射するレーザビームの入射角が
判る。又、異物からの散乱光もある光線束として受光素
子２５．２７に入射することがこのときの光線束とペリ
クル２３ａとの入射角も、受光素子２５．２７の幾何学
的な配置から容易に求められる。そこで、走査軌跡１１
０上でのスポット光のＸ方向位置に対応するトリガー発
生器３８からの時系列信号を、透過率（又は反射率）の
変化特性を走査位置に対する透過率のテーブルとして記
憶したＲＡＭ５７及びＲＡＭ３６に人力すれば、レーザ
ビームのＸ方向の走査位置に応じた散乱光の透過量補正
値を順次得ることができる。このようにペリクルの存在
により生じるレーザビーム（スポット光）のＸ方向の走
査位置に応じた補正値は、前記ＲＯＭ４２及び４１にあ
る補正値と同様なものなので、両者の補正値を掛は算器
４４．４３で掛は合わせてから増中度可変器４９．５０
にペリクル２３ａがあるときの増中度変換値として入力
すれば、ペリクル２３ａがあっても正しく散乱光量を規
格化できる。こうして規格化された増中度可変器４９．
５０からの各信号は、基準電圧（スライスレベル）５３
．５４と比較されるコンパレータ５１．５２により一定
の信号レベル以上の散乱光量に対して２値化が行なわれ
る。そして、どちらの散乱光量も一定レベル以上である
ときにデジタル信号５６を出力するＡＮＤ回路５５によ
り、例えば、特定の方向に強く散乱光を出す、レチクル
パターンエツジからの散乱光を誤検出することなく、は
ぼ等友釣に散乱光を発生する異物の存在を知ることがで
きる。

以上で、異物からの散乱光は光線束としてペリクル２３
ａを透過することや散乱光が偏光性を有すること（偏向
成分による異物検出感度のちがい）などは、予め、ＣＰ
Ｕ３５に各種物理条件として入れておけば、補正が正確
になることは明らかである。

なお、ここでペリクルによる補正手段は、この実施例と
全く同じにする必要はなく例えは、ペリクル情報保持部
３７からの情報に基づいて基準電圧５３−５４を可変に
するように構成してもよいし、又、異物を検査後、透過
率測定部Ａで透過率を測り異物検出後に異物の大きさや
位置の情報をＣＲＴに表示するときにその表示レベルを
可変するようにしてもよい。この表示方法については例
えばＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ　　ＯＦ　　５ＰＩＥＶｏ
１．４７０　（１９８４年３月１４．１５日）の２４２
−！−２４９頁に記載されたものが応用できる。この場
合はソフトウェア上の演算が本発明の補正手段に相当す
る。さらにまた、ペリクルの透過率変化特性が予め、既
知であれば、測定部Ａを用いることはな（異物検査前に
、そのペリクルの透過率データを求めてＣＰ　Ｕ　３　
’５に入力してもよいことは明らかである。

さらにＣＰＵ３５に入力した透過率データをＲＡＭ５７
．３６に出力するときも、予め想定されるデータを幾つ
かＣＰＵ３５内部に入れておき、透過率測定部Ａで得ら
れたデータとよく相応するデータを選択し、走査位置に
対応する透過率（補正ファクタ）に変換してＲＡＭ５７
．３６に出力する方法でもよい。この場合、ＣＰＵ３５
、ＲＡＭ３６．５７に記憶される各種データは例えば第
４図に示したグラフのように定められる。ＣＰＵ３５に
はべりタルの種類によって予め定められる反射率の変化
特性（入射角度依存性）のいくつがが記憶される。ここ
では第４図（ａ）、第４図（ｂ）に代表的に示すような
２つの変化特性がデータベースとして記憶されているも
のとする。第４図（ａ）、（ｂ）で横軸はべりタルと入
射光線との成す角度θ（ｄ　ｅ　ｇ）を表わし、縦軸は
反射率を表わす。さて、測定部Ａで受光素子４により計
測された角度２０°〜４０°の範囲での反射率の変化特
性が、ＣＰＵ３５によって仮りに第４図（ａ）の特性Ａ
に類似するものと判断されると、ＣＰＵ３５は第４図（
ｃ）、（ｄ）に示した補正カーブＡ−１、Ａ−２のデー
タを夫々ＲＡＭ３６．５７に出力する。第４図（Ｃ）、
（ｄ）で横軸はレーザビームのスポット光の走査軌跡１
１０上の位置を表わし、縦軸は掛は算器４３．４４（す
なわち増中度可変器４９．５０）に与える利得調整量を
表わす。第４図（Ｃ）、（ｄ）において、補正カーブＡ
−１で決まる利得は例えば受光素子２５からの光電信号
４５に対して与えられ、走査開始点ｘ８ではほとんど補
正が行なわれず（利得１）、走査終了点Ｘｒでは約２倍
に増中度が上げられる。一方補正カーブＡ−２で決まる
利得は、受光素子２７からの光電信号４６に対して与え
られ、開始点Ｘｉでは約２倍、終了点ｘ、では約３倍に
なるようにほぼ連続的に調整される。またＣＰＵ３５の
判断で、実測した反射率変化特性が第４図（ｂ）に類似
することがわかると、ＣＰＵ３５は第４図（ｅ）、（ｆ
）に示した補正カーブＢ−１、Ｂ−２のデータを夫々Ｒ
ＡＭ３６．５７に出力する。

以上の反射率（又は透過率）の変化特性のデータベース
又は利得補正用のカーブ特性は、さらに細分化して多種
類の特性に関して予め用意しておけば、ペリクルの材質
、寸法等によらずきめ細かな感度補正ができることは述
べるまでもない。

第５図は、ペリクルの透過率の入射角依存性を測定する
第２実施例であって、第１の実施例で、透過率測定部Ａ
に相応するものであり、ここでは反射率を測定するもの
とする。レーザビーム１０３は、第２図中のミラー１５
のかわりにスキャナーミラー６２に入射する。スキャナ
ーミラー６２は矢印６３の方向に回転振動してレーザビ
ーム１０３はレーザビーム６４及びレーザビーム６５で
はさまれる範囲で偏向させられる。このレーザビーム６
４及びレーザビーム６５は集光レンズ６０により屈折さ
せられて、レチクル２２に貼付しであるペリクルフレー
ム２３上のペリクル２３ａのＰ点で光軸が交わるこれら
レーザビーム６４又は６５も、第２図の場合と同様に所
定の開口数をもち、ペリクル２３ａ上にスポット光とし
て集光されるものとする。

そしてレーザビーム６４は、ペリクル２３ａとθ、をな
す角で入射し、正反射光は同じくθ１をなす角でペリク
ル２３ａから反射される。同様にレーザビーム６５はペ
リクル２３ａとθ２　（θ２〉θ、）をなす角で入射し
、正反射光は同じくθ２をなす角で正反射される。これ
らの正反射光は再び集光レンズ６１により受光素子４に
集まる。

ここで、スキャナーミラー６２の回転振動の角度は、ペ
リクル２３ａに入射する入射角に対応するものであるか
ら、このスキャナーミラー６２のエンコーダ等により検
出される角度情報と受光素子４からの光電信号とに基づ
いて、第１の実施例と同様にペリクル２３ａの透過率（
反射率）の入射角依存性（変化特性）が推定できる。こ
の第２の実施例によれば、ペリクルフレーム２３を回転
させたり、受光素子を移動させることなく透過率の入射
角依存性が測定できるという特徴がある。

以上、本発明の各実施例では、ペリクルの厚さが走査位
置のどこでも均一であるものとし、測定部Ａにおける透
過率変化特性の実測もペリクル上の１点で行なった。し
かしながら、ペリクル上の位置に応じて厚みムラがある
と、これも透過率、変化の要因となる。このため、第１
図中に示した直線１１又は１２に沿ってペリクルを水平
移動させて、異なる位置について同様の実測を行なうと
よい。この場合、異物検査部Ｂでのレーザビームの走査
方向について厚みムラがある場合は、第３図中のペリク
ル情報保持部３７のＣＰＵ３５に、そのデータを入力し
て同様に増中度可変器４９．５０にて補正すればよい。

またレーザビームの走査方向と直交するｙ方向について
厚みムラがある場合は、レチクル（ペリクル付）がｙ方
向に単位移動することに同期して、増中度可変器４９．
５０の利得を調整すればよい。

また各実施例では、いずれも異物検査部Ｂのレーザビー
ムはペリクル２３ａ側からレチクル２２に入射するもの
としたが、レチクル２２側からレーザビームを照射して
、ペリクル２３ａ側から異物の散乱光を光電検出する場
合でも同様に本発明を実施できる。さらにレチクル２２
の両面にペリクル２３ａを所定の間隔で平行に張設する
場合でも同様である。

その他、第２図に示した異物検査部Ｂと測定部Ａとは一
体の構成としてもよい。この場合、スキャナーミラー２
０を走査中心部でスポット光が一時的に静止できるよう
に構成し、正反射光の達する位置に受光素子４を配置す
れば、同様にペリクルの透過率の変化特性が求められる
。さらに測定部Ａにおいて、ペリクルに入射するレーザ
ビームは必らずしも入射角を連続的に変化させる必要は
なく、最低、２つの異なった入射角に対して実測すれば
、他の入射角の場合については演算により求めることが
できる。

尚、本発明の各実施例では、レチクル表面から所定の間
隔で防塵用のペリクルを設けた場合について説明したが
、レチクル自体のガラス基板を厚いものとし、レチクル
のクロム等のパターンが形成された面に防塵用のガラス
板を一体に貼り合わせた構成のレチクルに対しても本発
明は同様に実施できる。

また、各実施例における異物検出感度の調整（補正）は
いずれも散乱光を光電検出した後に行なうようにしたが
、例えば第２図中のハーフプリズム１２とミラー１９と
の間のレーザ光路中にＡＯＭ等の光ｍ調整器（減衰器）
を設ければ、一部の補正ファクターに関してはレチクル
面、（又はペリクル面）を走査するレーザスポット光の
強度を、走査位置に対応して予め定められた量だけ高速
に変調することにより同様に異物の検出感度を調整でき
る。

各実施例のようにレーザビームがレチクル面に斜入射し
、複数の受光素子が互いに異なる空間位置でレチクル面
上の走査軌跡を見込んでいるときは、レーザスポット光
の強度のみを調整するだけではペリクルの透過率の変化
特性等による感度ムラを完全に補正することは難しい。

しかし、スポット光の強度を走査位置に応じて変調する
ことができると、受光系側の電気系に与える補正量（増
中度可変器４９．５０の可変中等）が小さくて済み、こ
の結果異物検出の総合的なダイナミックレンジを拡大で
きるといった効果が得られる。このことはより小さな異
物から大きな異物まで適正な感度で検出できることを意
味する。尚、レーザビームを斜入射する場合でも、受光
素子の配置によってはスポット光の強度を変調させるだ
けで同様な補正ができる。

〔発明の効果〕

以上本発明によれば、マスクやレチクル等に防塵用の透
明基板（薄膜又はガラス、板）が設けられている場合に
おいても、光ビームで相対走査される被検査領域の全面
で感度ムラの生じることが防止され、正確な欠陥検査が
達成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例による透過率測定部の原理
的な構成を示す斜視図、第２図は本発明の第１実施例に
よる欠陥検査装置の構成を示す斜特性及び増中度の補正
特性を示すグラフ、第５図は透過率（反射率）測定部の
第２の実施例による原理構成を示す図である。（主要部分の符号の説明） ■、１１・・・レーザ光源２．２３・・・ペリクルフレーム２ａ、２３ａ・・・ペリクル（薄膜）２２・・・レチクル３．４．２５．２７・・・受光素子２０・・・スキャナーミラー３７・・・ペリクル情報保持部４３．４４・・・掛は算器４９．５０・・・増巾変可変器

Claims

【特許請求の範囲】

（１）被検査基板とほぼ平行に光透過性の基板が設けら
れ、前記被検査基板又は前記光透過性基板の表面に存在
する欠点部を光ビームで相対走査し、該欠点部で生じる
特有の光情報を光電検出することにより、該欠点部を検
出する装置において、前記光透過性基板の光透過率又は
反射率に対応した基板情報を入力する手段と；前記光ビ
ームを前記光透過性基板を介して被検査基板に入射する
か、前記欠点部からの光情報を前記光透過性基板を介し
て光電検出する場合に、前記光電検出により得られた欠
点部の情報を前記基板情報に基づいて補正する補正手段
とを備えたことを特徴とする欠陥検査装置。
（２）前記光ビームを前記被検査基板に斜入射の状態で
少なくとも一次元方向に走査する走査手段を有し、前記
基板情報の入力手段は該光ビームの走査による入射角度
変化に依存した前記光透過性基板の光透過率変化の情報
を、前記走査の位置に対応して記憶する記憶回路を含む
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の装置。
（３）前記基板情報の入力手段は、前記光透過性基板の
光透過率又は減裏率に関する情報を光ビームの入射角度
に対応して実測する測定部を含むことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の装置。
（４）前記補正手段は、前記光電検出された信号の大き
さに基づいて前記欠点部を検出するにあたって、該検出
の感度を前記基板情報に応じて電気的に可変する調整回
路を含むことを特徴とする特許請求の範囲第２項又は第
３項記載の装置。
（５）前記補正手段は、前記光ビームによる検査が前記
被検査基板上の所定領域に関して終了した後に、該所定
領域内で得られた欠点部の情報に対して演算により前記
補正を加えることを特徴とする特許請求の範囲第２項又
は第３項記載の装置。