JPWO2020137263A1 - フィルタ装置 - Google Patents
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Abstract
フィルタ装置10は、共通接続端子3と、共通接続端子3に接続されており、インダクタLを有する第1の帯域通過型フィルタ1と、共通接続端子3に接続されており、第1の帯域通過型フィルタ1よりも通過帯域が低域側に位置する第2の帯域通過型フィルタ2とを備える。フィルタ装置10はSH波を利用している。第1の帯域通過型フィルタ1はラダー型フィルタである。直列腕共振子S1〜S4及び並列腕共振子P1〜P4はそれぞれIDT電極を有する。第1の帯域通過型フィルタ1の並列腕共振子P1〜P4のうちIDT電極の電極指ピッチが最も小さい並列腕共振子P1に直列にインダクタLが接続されている。
Description
第1の帯域通過型フィルタの通過帯域…2110MHz〜2200MHz
第2の帯域通過型フィルタの通過帯域…1710MHz〜1780MHz
圧電性基板の材料…タンタル酸リチウム(LiTaO3)
圧電性基板のオイラー角…(0°±5°,θ,0°±5°)、θ −54°〜−42°
第1の帯域通過型フィルタの通過帯域…2110MHz〜2200MHz
第2の帯域通過型フィルタの通過帯域…1710MHz〜1780MHz
圧電性基板の材料…タンタル酸リチウム(LiTaO3)
圧電性基板のオイラー角…(0°±5°,θ,0°±5°)、θ −54°〜−42°
2…第2の帯域通過型フィルタ
3…共通接続端子
4…第1の信号端子
5…第2の信号端子
6…圧電性基板
7…IDT電極
8…反射器
9…反射器
10…フィルタ装置
13…第1のバスバー
14…第2のバスバー
15…第1の電極指
16…第2の電極指
21A,21B…第1の帯域通過型フィルタ
22A…高音速支持基板
22B…支持基板
23…高音速膜
24…低音速膜
25…圧電体層
26A〜26C…圧電性基板
31,41…第1の帯域通過型フィルタ
50…フィルタ装置
53…第3の帯域通過型フィルタ
L…インダクタ
P1〜P3、P21,P22,P31〜P34,P101〜P104…並列腕共振子
S1〜S4、S31〜S35,S41,S42,S101〜S105…直列腕共振子
第1の帯域通過型フィルタの通過帯域…2110MHz〜2200MHz
第2の帯域通過型フィルタの通過帯域…1710MHz〜1780MHz
圧電性基板の材料…タンタル酸リチウム(LiTaO3)
圧電性基板のオイラー角…(0°±5°,θ,0°±5°)、θ=−54°〜−42°
第1の帯域通過型フィルタの通過帯域…2110MHz〜2200MHz
第2の帯域通過型フィルタの通過帯域…1710MHz〜1780MHz
圧電性基板の材料…タンタル酸リチウム(LiTaO3)
圧電性基板のオイラー角…(0°±5°,θ,0°±5°)、θ=−54°〜−42°
Claims (14)
- 共通接続端子と、
前記共通接続端子に接続されており、圧電性基板と、前記圧電性基板上において構成されている複数の弾性波共振子と、インダクタと、を有する第1の帯域通過型フィルタと、
前記共通接続端子に接続されており、通過帯域が前記第1の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも低域側に位置する第2の帯域通過型フィルタと、
を備え、
SH波を利用しており、
前記第1の帯域通過型フィルタが直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を有するラダー型フィルタであり、前記直列腕共振子及び前記複数の並列腕共振子が、それぞれIDT電極を有する弾性波共振子であり、
前記第1の帯域通過型フィルタの前記複数の並列腕共振子のうち前記IDT電極の電極指ピッチが最も小さい並列腕共振子に、直列に前記インダクタが接続されている、フィルタ装置。 - 共通接続端子と、
前記共通接続端子に接続されており、圧電性基板と、前記圧電性基板上において構成されている複数の弾性波共振子と、インダクタと、を有する第1の帯域通過型フィルタと、
前記共通接続端子に接続されており、通過帯域が前記第1の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも低域側に位置する第2の帯域通過型フィルタと、
を備え、
前記圧電性基板は、オイラー角(φ,θ,ψ)におけるθが−54°〜−42°であるタンタル酸リチウム層を有し、
前記第1の帯域通過型フィルタが直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を有するラダー型フィルタであり、前記直列腕共振子及び前記複数の並列腕共振子が、それぞれIDT電極を有する弾性波共振子であり、
前記第1の帯域通過型フィルタの前記複数の並列腕共振子のうち前記IDT電極の電極指ピッチが最も小さい並列腕共振子に、直列に前記インダクタが接続されている、フィルタ装置。 - 共通接続端子と、
前記共通接続端子に接続されており、圧電性基板と、前記圧電性基板上において構成されている複数の弾性波共振子と、インダクタと、を有する第1の帯域通過型フィルタと、
前記共通接続端子に接続されており、通過帯域が前記第1の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも低域側に位置する第2の帯域通過型フィルタと、
を備え、
SH波を利用しており、
前記第1の帯域通過型フィルタが並列腕共振子及び複数の直列腕共振子を有するラダー型フィルタであり、前記複数の直列腕共振子及び前記並列腕共振子が、それぞれIDT電極を有する弾性波共振子であり、
前記第1の帯域通過型フィルタの前記複数の直列腕共振子のうち前記IDT電極の電極指ピッチが最も小さい直列腕共振子の前記共通接続端子側に、直列に前記インダクタが接続されている、フィルタ装置。 - 共通接続端子と、
前記共通接続端子に接続されており、圧電性基板と、前記圧電性基板上において構成されている複数の弾性波共振子と、インダクタと、を有する第1の帯域通過型フィルタと、
前記共通接続端子に接続されており、通過帯域が前記第1の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも低域側に位置する第2の帯域通過型フィルタと、
を備え、
前記圧電性基板は、オイラー角(φ,θ,ψ)におけるθが−54°〜−42°であるタンタル酸リチウム層を有し、
前記第1の帯域通過型フィルタが並列腕共振子及び複数の直列腕共振子を有するラダー型フィルタであり、前記複数の直列腕共振子及び前記並列腕共振子が、それぞれIDT電極を有する弾性波共振子であり、
前記第1の帯域通過型フィルタの前記複数の直列腕共振子のうち前記IDT電極の電極指ピッチが最も小さい直列腕共振子の前記共通接続端子側に、直列に前記インダクタが接続されている、フィルタ装置。 - 前記IDT電極の電極指ピッチが最も小さい前記並列腕共振子の前記共通接続端子側に、直列に前記インダクタが接続されている、請求項1または2に記載のフィルタ装置。
- 前記IDT電極の電極指ピッチが最も小さい前記並列腕共振子のグラウンド電位側に、直列に前記インダクタが接続されている、請求項1または2に記載のフィルタ装置。
- 前記IDT電極の電極指ピッチが最も小さい前記並列腕共振子が、前記複数の弾性波共振子のうち最も前記共通接続端子側に配置されている、請求項1、2、5または6のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
- 前記IDT電極の電極指ピッチが最も小さい前記直列腕共振子が、前記複数の弾性波共振子のうち最も前記共通接続端子側に配置されている、請求項3または4に記載のフィルタ装置。
- 前記圧電性基板がタンタル酸リチウム基板である、請求項1〜8のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
- 前記圧電性基板が、高音速材料層と、前記高音速材料層上に直接的または間接的に設けられている圧電体層と、を有し、
前記高音速材料層を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項1〜8のいずれか1項に記載のフィルタ装置。 - 前記高音速材料層が高音速支持基板である、請求項10に記載のフィルタ装置。
- 前記圧電性基板が支持基板をさらに有し、
前記高音速材料層が、前記支持基板と前記圧電体層との間に設けられている高音速膜である、請求項10に記載のフィルタ装置。 - 前記圧電性基板が、前記高音速材料層と前記圧電体層との間に設けられている低音速膜をさらに有し、
前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い、請求項10〜12のいずれか1項に記載のフィルタ装置。 - 前記共通接続端子に、前記第1の帯域通過型フィルタ及び前記第2の帯域通過型フィルタと共通接続された少なくとも1つの帯域通過型フィルタをさらに備える、請求項1〜13のいずれか1項に記載のフィルタ装置。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008160562A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | 分波器および通信装置 |
JP2008205893A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Ngk Insulators Ltd | デュプレクサ |
JP2015073331A (ja) * | 2010-12-24 | 2015-04-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP2015092782A (ja) * | 2011-09-30 | 2015-05-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2017038679A1 (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子 |
WO2018139598A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 京セラ株式会社 | 弾性波フィルタ、分波器および通信装置 |
WO2018164211A1 (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-13 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103004085B (zh) * | 2011-06-23 | 2015-04-15 | 天工松下滤波方案日本有限公司 | 梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器 |
JP2013081068A (ja) | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | ワンチップ漏洩表面弾性波装置 |
CN105474541B (zh) * | 2013-08-21 | 2018-01-12 | 株式会社村田制作所 | 可调谐滤波器 |
WO2016208236A1 (ja) * | 2015-06-22 | 2016-12-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置 |
US10056879B2 (en) * | 2016-04-21 | 2018-08-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave filter device |
-
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2021
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008160562A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | 分波器および通信装置 |
JP2008205893A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Ngk Insulators Ltd | デュプレクサ |
JP2015073331A (ja) * | 2010-12-24 | 2015-04-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP2015092782A (ja) * | 2011-09-30 | 2015-05-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2017038679A1 (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子 |
WO2018139598A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 京セラ株式会社 | 弾性波フィルタ、分波器および通信装置 |
WO2018164211A1 (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-13 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
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