WO2018139598A1 - 弾性波フィルタ、分波器および通信装置 - Google Patents

弾性波フィルタ、分波器および通信装置 Download PDF

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Definitions

  • the present disclosure relates to an elastic wave filter that filters signals using elastic waves, a duplexer including the elastic wave filter, and a communication device.
  • the elastic wave is, for example, a surface acoustic wave (SAW).
  • a ladder type filter in which a plurality of elastic wave resonators are connected in a ladder type is known as an elastic wave filter (Patent Document 1).
  • the acoustic wave resonator includes, for example, a piezoelectric substrate and an IDT (interdigitated transducer) electrode positioned on the piezoelectric substrate.
  • Patent Document 1 discloses a duplexer having a ladder filter as a transmission filter.
  • the transmission filter filters the input transmission signal and outputs it to the antenna terminal.
  • the duplexer of Patent Document 1 has a low-pass filter at the rear stage (antenna terminal side) of the transmission filter.
  • the capacitor of the low-pass filter is constituted by an IDT electrode located on the piezoelectric substrate.
  • Patent Document 2 discloses a wiring board on which an acoustic wave filter is mounted.
  • the acoustic wave filter mounted on the wiring board filters the transmission signal input from the wiring board and outputs the filtered signal to the wiring board.
  • the wiring board of Patent Document 2 has a low-pass filter in the previous stage (input side to the acoustic wave filter) of the acoustic wave filter.
  • the acoustic wave filter includes a substrate including a piezoelectric substrate, a transmission terminal, an antenna terminal, one or more reference potential terminals, a transmission filter, and an additional resonator.
  • the transmission terminal, the antenna terminal, and the one or more reference potential terminals are located on the substrate.
  • the transmission filter is a ladder filter that filters a signal from the transmission terminal and outputs the filtered signal to the antenna terminal.
  • the transmission filter has one or more series resonators and one or more parallel resonators connected in a ladder shape on the piezoelectric substrate.
  • the first-stage resonator is a series resonator.
  • the additional resonator includes, on the piezoelectric substrate, an IDT electrode that is connected to the transmission terminal before the transmission filter and is connected to one of the one or more reference potential terminals.
  • the resonance frequency and antiresonance frequency of the additional resonator are located outside the pass band of the transmission filter.
  • a duplexer includes the elastic wave filter, a reception terminal, and a reception filter that filters a signal from the antenna terminal and outputs the signal to the reception terminal.
  • a communication device includes an antenna, the above-described elastic wave filter in which the antenna terminal is connected to the antenna, and an IC connected to the transmission terminal.
  • FIG. 2 is a plan view schematically showing a configuration of a SAW filter including the SAW resonator of FIG. 1. It is a figure which shows the frequency characteristic of the transmission filter and additional resonator of the SAW filter of FIG. It is sectional drawing which shows the example of the SAW filter comprised by packaging the SAW filter of FIG. 5A and 5B are a cross-sectional view and a plan view showing an example of a SAW filter configured by packaging the SAW filter of FIG. 2, and FIG. 5C is a plan view of FIG. It is sectional drawing which shows a part of modification of a SAW filter.
  • FIGS. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a SAW filter including the SAW resonator of FIG. 1. It is a figure which shows the frequency characteristic of the transmission filter and additional resonator of the SAW filter of FIG.
  • FIG. 5C is a plan view of FIG. It is sectional drawing which shows a part of modification of a SAW filter.
  • FIG. 6A, 6B, and 6C are diagrams showing examples of insulators that cover the additional resonator, respectively. It is a typical circuit diagram which shows the usage example from the electrical viewpoint of an additional resonator.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing a duplexer as an application example of the SAW filter of FIG. 2. It is a block diagram which shows the structure of the principal part of the communication apparatus as an example of use of the duplexer of FIG. It is a figure which shows typically the modification of the splitter of FIG. It is a figure which shows other duplexers typically. It is a figure which shows typically the frequency band of the duplexer of FIG.
  • first comb electrode 11A and “second comb electrode 11B”. In some cases, it is simply referred to as “comb electrode 11”, which may not be distinguished.
  • FIG. 1 is a plan view showing a configuration of the SAW resonator 1 used in the SAW filter 51 (FIG. 2) according to the embodiment.
  • the SAW resonator 1 may have either direction upward or downward, but in the following description, for the sake of convenience, an orthogonal coordinate system including the D1 axis, the D2 axis, and the D3 axis.
  • the term “upper surface” or the like may be used with the positive side of the D3 axis (the front side in FIG. 1) as the upper side.
  • the D1 axis is defined to be parallel to the propagation direction of the SAW propagating along the upper surface of the piezoelectric substrate 3 to be described later (the surface on the front side of the paper. Usually, the widest surface (main surface)).
  • the axis is defined to be parallel to the upper surface of the piezoelectric substrate 3 and orthogonal to the D1 axis
  • the D3 axis is defined to be orthogonal to the upper surface of the piezoelectric substrate 3.
  • the SAW resonator 1 constitutes a so-called 1-port SAW resonator. For example, when an electric signal having a predetermined frequency is input from one of the first terminal 31A and the second terminal 31B schematically shown, resonance occurs. The signal causing the resonance is output from the other of the first terminal 31A and the second terminal 31B.
  • Such a SAW resonator 1 includes, for example, a substrate 600 (piezoelectric substrate 3 in this example) and a resonator electrode portion 5 provided on the piezoelectric substrate 3.
  • the resonator electrode unit 5 includes an IDT electrode 7 and a pair of reflectors 9 located on both sides of the IDT electrode 7.
  • the piezoelectric substrate 3 is made of, for example, a single crystal having piezoelectricity.
  • the single crystal is, for example, a lithium niobate (LiNbO 3 ) single crystal or a lithium tantalate (LiTaO 3 ) single crystal.
  • the cut angle may be appropriately set according to the type of SAW used.
  • the piezoelectric substrate 3 has a rotational Y-cut X propagation. That is, the X axis is parallel to the upper surface (D1 axis) of the piezoelectric substrate 3, and the Y axis is inclined at a predetermined angle with respect to the normal line of the upper surface of the piezoelectric substrate 3.
  • the substrate 600 may be composed of only the piezoelectric substrate 3 as shown in FIG. 5A described later, or the piezoelectric substrate 3 formed relatively thin as shown in FIG. 5C described later. And a support substrate 4 made of an inorganic material or an organic material bonded to the back surface (surface on the negative side of the D3 axis).
  • the IDT electrode 7 and the reflector 9 are constituted by layered conductors provided on the piezoelectric substrate 3.
  • the IDT electrode 7 and the reflector 9 are composed of the same material and thickness, for example.
  • the layered conductor constituting these is, for example, a metal.
  • the metal is, for example, Al or an alloy containing Al as a main component (Al alloy).
  • the Al alloy is, for example, an Al—Cu alloy.
  • the layered conductor may be composed of a plurality of metal layers.
  • the thickness of the layered conductor is appropriately set according to the electrical characteristics required for the SAW resonator 1. As an example, the thickness of the layered conductor is 50 nm to 600 nm.
  • the IDT electrode 7 includes a first comb electrode 11A (hatched for convenience to improve visibility) and a second comb electrode 11B.
  • Each comb electrode 11 includes a bus bar 13, a plurality of electrode fingers 15 extending in parallel with each other from the bus bar 13, and a plurality of dummy electrodes 17 protruding from the bus bar 13 between the plurality of electrode fingers 15. .
  • the pair of comb electrodes 11 are arranged so that the plurality of electrode fingers 15 mesh with each other (intersect). That is, the two bus bars 13 of the pair of comb electrodes 11 are arranged to face each other, and the electrode fingers 15 of the first comb electrodes 11A and the electrode fingers 15 of the second comb electrodes 11B are arranged in the width direction. They are basically arranged alternately.
  • the plurality of dummy electrodes of one comb electrode 11 have their tips opposed to the tips of the electrode fingers 15 of the other comb electrode 11.
  • the bus bar 13 is, for example, formed in a long shape having a substantially constant width and extending linearly in the SAW propagation direction (D1 axis direction).
  • the pair of bus bars 13 oppose each other in the direction (D2 axis direction) orthogonal to the SAW propagation direction.
  • the bus bar 13 may have a varying width or may be inclined with respect to the SAW propagation direction.
  • Each electrode finger 15 is formed in an elongated shape extending in a straight line in a direction (D2 axis direction) orthogonal to the SAW propagation direction with a substantially constant width, for example.
  • the plurality of electrode fingers 15 are arranged in the SAW propagation direction, for example, and have the same length.
  • the IDT electrode 7 may be so-called apodized in which the lengths of the plurality of electrode fingers 15 (crossing width in another viewpoint) change according to the position in the propagation direction.
  • the number of electrode fingers 15 may be appropriately set according to the electrical characteristics required for the SAW resonator 1. Since FIG. 1 and the like are schematic diagrams, the number of electrode fingers 15 is small. Actually, more electrode fingers 15 (for example, 100 or more) than shown may be arranged. The same applies to the strip electrode 21 of the reflector 9 described later.
  • the pitch p (electrode finger pitch) of the plurality of electrode fingers 15 is, for example, substantially constant over the entire IDT electrode 7. Note that the pitch p is, for example, the distance between the centers of two electrode fingers 15 (or strip electrodes 21 described later) adjacent to each other.
  • the plurality of dummy electrodes 17 are, for example, formed in a long shape protruding in a straight line in a direction (D2 axis direction) perpendicular to the SAW propagation direction with a substantially constant width.
  • the gap between the tip and the tips of the plurality of electrode fingers 15 is, for example, the same among the plurality of dummy electrodes 17.
  • the plurality of dummy electrodes 17 have the same width, number and pitch as the plurality of electrode fingers 15.
  • the width of the dummy electrode 17 may be different from that of the electrode finger 15.
  • the IDT electrode 7 may not have the dummy electrode 17. In the following description, the description and illustration of the dummy electrode 17 may be omitted.
  • the reflector 9 is formed in a lattice shape, for example. That is, the reflector 9 includes a pair of bus bars 19 facing each other and a plurality of strip electrodes 21 extending between the pair of bus bars 19.
  • the shape of the bus bar 19 and the strip electrode 21 may be the same as the bus bar 13 and the electrode finger 15 of the IDT electrode 7 except that both ends of the strip electrode 21 are connected to a pair of bus bars 19.
  • the bus bar 19 is formed in a long shape having a substantially constant width and extending linearly in the SAW propagation direction (D1 axis direction).
  • Each strip electrode 21 is formed in an elongated shape having a substantially constant width and extending linearly in a direction (D2 axis direction) perpendicular to the SAW propagation direction.
  • the plurality of strip electrodes 21 are arranged in the SAW propagation direction, for example, and have the same length.
  • the width and pitch of the plurality of strip electrodes 21 are equal to the width and pitch of the plurality of electrode fingers 15, for example.
  • the number of the strip electrodes 21 is set so that, for example, the reflectance of the SAW in the mode intended for use is approximately 100% or more.
  • the theoretical minimum necessary number is, for example, about several to ten, and is usually set to 20 or more or 30 or more with a margin.
  • the pair of reflectors 9 are adjacent to both sides of the IDT electrode 7 in the SAW propagation direction, for example. Therefore, the plurality of strip electrodes 21 are arranged following the arrangement of the plurality of electrode fingers 15.
  • the pitch between the strip electrode 21 and the electrode finger 15 adjacent to each other between the reflector 9 and the IDT electrode 7 is, for example, equal to the pitch of the plurality of electrode fingers 15.
  • the upper surface of the piezoelectric substrate 3 may be covered with a protective film 23 (FIG. 6A) made of SiO 2 or the like from above the IDT electrode 7 and the reflector 9. Further, when the protective film 23 is provided, an additional film made of an insulator or metal may be provided on the upper or lower surface of the IDT electrode 7 and the reflector 9 in order to improve the SAW reflection coefficient. .
  • a voltage is applied to the pair of comb electrodes 11, a voltage is applied to the piezoelectric substrate 3 by the electrode fingers 15, and a SAW in a predetermined mode that propagates in the D1 axis direction along the upper surface in the vicinity of the upper surface of the piezoelectric substrate 3. Is excited.
  • the excited SAW is mechanically reflected by the electrode fingers 15.
  • a standing wave having a half wavelength of the pitch of the electrode fingers 15 is formed.
  • the standing wave is converted into an electric signal having the same frequency as that of the standing wave, and is taken out by the electrode finger 15.
  • the SAW resonator 1 functions as a resonator.
  • the resonance frequency is substantially the same as the SAW frequency propagating on the piezoelectric substrate 3 with the electrode finger pitch being a half wavelength.
  • the SAW excited in the IDT electrode 7 is mechanically reflected by the strip electrode 21 of the reflector 9. Further, since the adjacent strip electrodes 21 are connected to each other by the bus bar 19, the SAW from the IDT electrode 7 is also electrically reflected by the strip electrode 21. Thereby, the divergence of SAW is suppressed, the standing wave in the IDT electrode 7 stands up strongly, and the function of the SAW resonator 1 as a resonator is improved.
  • the IDT electrode 7 is partly different in size (for example, less than 50% of the total number of electrode finger pitches, more preferably less than 5%) from the majority of the electrode finger pitches in order to improve or fine-tune the characteristics.
  • the electrode finger pitch may be set.
  • the IDT electrode 7 may be provided with a narrow pitch portion having a smaller electrode finger pitch than most of the other sides on both sides in the SAW propagation direction.
  • about 1 to several tens (for example, three) of the electrode fingers 15 of the pair of comb electrodes 11 arranged alternately are eliminated, or the width or arrangement of the electrode fingers 15 substantially equivalent thereto. In some cases, so-called thinning is performed. In the present disclosure, when the pitch is simply referred to, such a unique portion pitch is excluded. Further, in the case where the pitch varies within a minute range over the entire IDT electrode 7, the average value may be used.
  • FIG. 2 is a plan view schematically showing the configuration of the SAW filter 51 including the SAW resonator 1.
  • the reference numerals of the IDT electrode 7 and the reflector 9 shown on the upper left side of the drawing these conductors are shown more schematically than in FIG.
  • the SAW filter 51 is configured, for example, as a filter for filtering a signal to be transmitted in wireless communication.
  • the SAW filter 51 has the piezoelectric substrate 3 described above, and on the piezoelectric substrate 3, a transmission terminal 53T, an antenna terminal 53A, and GND terminals 53G-1 to 53G-3, a transmission filter 55, an additional resonator. 57 and wiring 59.
  • the GND terminals 53G-1 to 53G-3 may be simply referred to as “GND terminals 53G” without being distinguished from each other.
  • the transmission terminal 53T, the antenna terminal 53A, and the GND terminal 53G may be simply referred to as “terminal 53” without being distinguished from each other.
  • the transmission terminal 53T is, for example, a terminal connected to a circuit that generates a transmission signal.
  • the antenna terminal 53A is a terminal connected to the antenna.
  • the GND terminal 53G is a terminal to which a reference potential is applied (grounded).
  • the transmission filter 55 filters the signal input to the transmission terminal 53T and outputs it to the antenna terminal 53A. At this time, unnecessary components (signals outside the passband) are sent to the GND terminal 53G.
  • the additional resonator 57 contributes to protecting the transmission filter 55 from heat, for example.
  • the terminal 53 and a part of the wiring 59 may basically be located on the substrate 600.
  • the terminal 53 and the wiring 59 are made of layered conductors located on the upper surface of the piezoelectric substrate 3. These specific numbers, shapes, sizes, and positions may be set as appropriate.
  • the terminal 53 and the wiring 59 are composed of the same conductor layer (the same material and thickness). However, at the position of the terminal 53, a conductor layer made of another material may be formed on the conductor layer common to the terminal 53 and the wiring 59.
  • the terminal 53 and the wiring 59 may be made of different materials.
  • the terminal 53 does not need to be distinguishable from the wiring 59 by its own configuration (shape or material), and may be a part of the wiring 59.
  • the position or range of the terminal 53 is specified by an insulating layer (for example, the protective film 23) that covers the wiring 59 and does not cover the terminal 53, or a member that contacts the terminal 53 when the piezoelectric substrate 3 is packaged ( For example, it may be specified by a bump).
  • the transmission filter 55 is a so-called ladder-type SAW filter. That is, the transmission filter 55 includes a series arm 61 and one or more parallel arms 63 (first parallel arm 63A to third parallel arm 63C in the illustrated example).
  • the serial arm 61 connects the transmission terminal 53T and the antenna terminal 53A, and contributes to transmission of signals in the passband.
  • the parallel arm 63 connects the serial arm 61 and the GND terminal 53G, and contributes to flowing a signal outside the pass band to the GND terminal 53G.
  • the case where there are a plurality of parallel arms 63 is taken as an example.
  • the series arm 61 includes a plurality of series resonators 65 (first series resonator 65A to fourth series resonator 65D in the illustrated example) connected in series between the transmission terminal 53T and the antenna terminal 53A. .
  • the number of series resonators 65 may be one.
  • Each parallel arm 63 includes a parallel resonator 67 (not shown) that connects the input side (here, the transmission terminal 53T side) or output side (here, the antenna terminal 53A side) of any of the series resonators 65 to the GND terminal 53G.
  • the first parallel resonator 67A to the third parallel resonator 67C) are provided.
  • the plurality of parallel arms 63 (parallel resonators 67) are connected to positions that are electrically different from each other with respect to the series arms 61 (positions having different relative relationships to the series resonator 65).
  • the two input or output terminals (53T and 53A) as described above are connected by the series arm 61 (one or more series resonators 65 from another viewpoint), and the series arm 61 and the GND terminal 53G are connected.
  • the connection in the form of connection by one or more parallel arms 63 (in another aspect, one or more parallel resonators 67) is called a ladder connection.
  • the first-stage resonator (most input side (transmission terminal 53T side)) in the transmission filter 55 is a series resonator 65 (first series resonator 65A). That is, the parallel resonator 67 connected to the transmission terminal 53T side with respect to the first series resonator 65A (all series resonators 65 from another viewpoint) is not provided. Note that, unlike the figure, when the parallel resonator 67 connected to the transmission terminal 53T side of the first series resonator 65A is provided, the first-stage resonator is the parallel resonator 67.
  • the most subsequent stage (antenna terminal 53A side) resonator may be a series resonator 65 (illustrated example) or a parallel resonator 67.
  • the SAW filter 51 which of the two terminals (53T and 53A) used for input and output is the transmission terminal 53T or the antenna terminal 53A (in another direction, a signal to be transmitted is transmitted).
  • the characteristics of the transmission filter 55 usually deteriorate when the transmission terminal 53T and the antenna terminal 53A are reversed. That is, the transmission terminal 53T and the antenna terminal 53A can be distinguished from the specific configuration (design value, etc.) of the transmission filter 55.
  • Each of the series resonator 65 and the parallel resonator 67 is constituted by, for example, the SAW resonator 1 described with reference to FIG. However, specific values such as the number of the electrode fingers 15, the length of the electrode fingers 15, and / or the pitch p are set in accordance with the characteristics required for each resonator.
  • Each of the series resonator 65 and the parallel resonator 67 may be constituted by one SAW resonator 1 or may be constituted by a plurality of SAW resonators 1.
  • the third parallel resonator 67C is configured by one SAW resonator 1, and the other resonators are configured by a plurality of SAW resonators 1 (69).
  • the resonators other than the third parallel resonator 67C may be regarded as one SAW resonator 1 divided into a plurality of SAW resonators 1.
  • the SAW resonator 1 is referred to as a split resonator 69.
  • each of the series resonator 65 or the parallel resonator 67 the plurality of split resonators 69 are connected to each other in series. The connection may be made by the wiring 59 or may be made by sharing the bus bar 13.
  • the plurality of split resonators 69 are, for example, generally configured the same. However, the plurality of split resonators 69 may have different configurations.
  • each SAW resonator 1 is a split resonator 69 or constitutes a series resonator 65 by itself.
  • the connection position with the parallel arm 63 may be specified as a reference.
  • the parallel arm 63 is not connected between two SAW resonators 1 connected in series with each other, the two SAW resonators 1 are both divided resonators 69 constituting one series resonator 65. It is.
  • the number of divisions of the series resonator 65 is different among the plurality of series resonators 65, for example.
  • the first series resonator 65A that is the first-stage resonator is, for example, one of the series resonators 65 having the largest number of divisions. More specifically, for example, the number of divisions of the series resonator 65 increases toward the transmission terminal 53T side.
  • the first series resonator 65 ⁇ / b> A has a larger number of divisions than any other series resonator 65.
  • the number of divisions may be the same among the plurality of series resonators 65, or when the number of divisions is different between the plurality of series resonators 65, the number of divisions is equal to or greater than the number of divisions of the first series resonator 65A. There may be a division number of series resonators 65.
  • capacitor connected in parallel to the series resonator 65 or the parallel resonator 67, or an inductor (see FIG. 10) connected in series between the parallel resonator 67 and the GND terminal 53G. It may be provided. And the whole combination of such a capacitor and / or inductor and SAW resonator 1 (series resonator 65 or parallel resonator 67) may be regarded as a series resonator or a parallel resonator.
  • a plurality of series resonators 65 and a plurality of parallel resonators 67 are arranged in an orderly manner. However, actually, it does not have to be neatly arranged in this way.
  • the wiring 59 is connected to the bus bar 13 (see FIG. 1) only in a part in the D1 axis direction. However, the wiring 59 may be connected to the bus bar 13 of the series resonator 65 or the parallel resonator 67 over substantially the entire D1 axis. From another viewpoint, the boundary between the wiring 59 and the bus bar 13 may not be clear.
  • the additional resonator 57 is connected to the transmission terminal 53T in the previous stage (input side) of the transmission filter 55 (the first series resonator 65A that is the first stage resonator from another viewpoint), and is connected to the GND terminal 53G-1. It is connected to the. Therefore, for example, a heat radiation path is formed from the transmission terminal 53T to the GND terminal 53G-1, and the transmission filter 55 is protected from heat.
  • the additional resonator 57 appears to be a parallel resonator 67 of a ladder filter (transmission filter 55) only by looking at the connection relationship. However, as will be described later, the additional resonator 57 has a resonance frequency and an antiresonance frequency. However, the ladder type filter is not configured.
  • the additional resonator 57 only needs to be electrically connected to the transmission terminal 53T before the transmission filter 55, and the connection position (the connection position from the structural viewpoint) of the piezoelectric substrate 3 in plan view is appropriately set. It's okay.
  • the wiring 59 is a wiring 59 that connects the transmission filter 55 and the transmission terminal 53T, and is provided on the upstream side of the first series resonator 65A. It may be connected to either the bus bar 13 or the transmission terminal 53T.
  • the additional resonator 57 is configured by the IDT electrode 7 as schematically shown in FIG.
  • the additional resonator 57 has a configuration in which the pair of reflectors 9 is eliminated from the SAW resonator 1. Since the pair of reflectors 9 are not provided, the additional resonator 57 has a reduced function as a resonator, for example, and as a result, the significance as a capacitive element is relatively increased.
  • the additional resonator 57 may have a pair of reflectors 9. Further, a solid conductor may be arranged on both sides of the SAW propagation direction of the additional resonator 57 so as to reduce the leakage of SAW from the additional resonator 57.
  • the additional resonator 57 may have a configuration in which the dummy electrode 17 is omitted from the IDT electrode 7.
  • the relative position of the additional resonator 57 (its IDT electrode 7), the transmission terminal 53T and the GND terminal 53G-1 on the piezoelectric substrate 3, and the shape of the wiring connecting them may be set as appropriate.
  • the transmission terminal 53T and the GND terminal 53G-1 are located on both sides of the additional resonator 57 in the direction orthogonal to the SAW propagation direction (D2 axis direction) and added in the SAW propagation direction (D1 axis direction). It is within the arrangement range of the resonator 57.
  • the transmission terminal 53T and the GND terminal 53G-1 have substantially the same position in the D1 axis direction (the arrangement ranges overlap with each other in the D1 axis direction).
  • the shortest distance between the transmission terminal 53T and / or the GND terminal 53G-1 and the additional resonator 57 is, for example, less than the length of the electrode finger 15 of the additional resonator 57.
  • the shortest distance may be based on the edge of the bus bar 13 on the electrode finger 15 side (inside the IDT electrode 7).
  • the width (D1 axis direction) of the wiring 59 that connects the transmission terminal 53T and the additional resonator 57 is relatively wide.
  • the width is equal to or larger than the diameter of the transmission terminal 53T, and further, is equal to the length of the bus bar 13 of the additional resonator 57.
  • the width (D1-axis direction) of the wiring 59 that connects the GND terminal 53G-1 and the additional resonator 57 may be the same. That is, the width may be equal to or greater than the diameter of the GND terminal 53G-1, or may be equal to the length of the bus bar 13 of the additional resonator 57.
  • the GND terminal 53G-1 connected to the additional resonator 57 is connected to, for example, the series arm 61 (from another viewpoint, the transmission terminal 53T and the antenna terminal 53A) via one of the one or more parallel resonators 67. It is not the GND terminal 53G (53G-2 in the illustrated example). Further, the GND terminal 53G-1 is not short-circuited (electrically separated) from the GND terminal 53G-2 connected to the series arm 61 through such a parallel resonator 67. That is, although the GND terminal 53G-1 is connected to the GND terminal 53G-2 through an electronic element such as the SAW resonator 1, it is not connected to the other GND terminal 53G only through the wiring 59. .
  • a short circuit (excluding an unintended one) is basically connected by a conductor for the purpose of connection, such as connection by a wiring 59, and from another viewpoint, an electronic element (resistor, A connection without a capacitor or an inductor).
  • a conductor intended for connection such as the wiring 59 has a resistance value, a capacitance, and an inductance, but is not considered here.
  • the piezoelectric substrate 3 is packaged or connected to another circuit board as will be described later.
  • the GND terminal 53G-1 is not short-circuited to the GND terminal 53G-2 by, for example, a package or another circuit board.
  • the GND terminal 53G-1 may be connected to the series arm 61 via the parallel resonator 67 like the GND terminal 53G-2, or may be connected to the GND terminal via the wiring 59, the package, and / or the circuit board. It may be short-circuited with 53G-2.
  • the terminal 53, the wiring 59, the electrode of the series resonator 65, the electrode of the parallel resonator 67, and the electrode of the additional resonator 57 are composed of, for example, the same conductor layer (the same material and thickness). .) However, they may be made of different materials, or only a part of them may be formed with another conductor layer on a conductor layer common to them.
  • a configuration other than the above may be provided on the piezoelectric substrate 3.
  • a low-pass filter may be provided between the antenna terminal 53A and the transmission filter 55.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating frequency characteristics of the transmission filter 55 and the additional resonator 57.
  • the horizontal axis indicates the frequency f (Hz), and the vertical axis indicates the absolute value
  • a line L1 indicates the impedance of the series resonator 65.
  • a line L ⁇ b> 2 indicates the impedance of the parallel resonator 67.
  • a line L3 indicates the attenuation amount of the transmission filter 55.
  • a line L4 or a line L5 indicates the impedance of the additional resonator 57.
  • the frequency characteristics of the impedance relating to the SAW resonator 1 (series resonator 65, parallel resonator 67), a resonance point where the impedance becomes a minimum value and an anti-resonance point where the impedance becomes a maximum value appear.
  • the frequencies at which the resonance point and the antiresonance point appear are defined as the resonance frequency (fsr, fpr) and the antiresonance frequency (fsa, fpa).
  • the antiresonance frequency is higher than the resonance frequency.
  • the series resonator 65 and the parallel resonator 67 have a resonance frequency and an anti-resonance frequency so that the resonance frequency fsr of the series resonator 65 (line L1) and the anti-resonance frequency fsa of the parallel resonator 67 (line L2) are approximately the same. Is set.
  • the transmission filter 55 (line L3) uses the pass band PB as a range slightly narrower than the frequency range (attenuation region AB) from the resonance frequency fpr of the parallel resonator 67 to the antiresonance frequency fsa of the series resonator 65. Functions as a filter.
  • the resonance frequency fsr of the series resonator 65 is located in the pass band PB of the transmission filter 55.
  • the antiresonance frequency fpa of the parallel resonator 67 is located in the pass band PB of the transmission filter 55.
  • the specific frequency of the pass band PB is arbitrary.
  • the pass band PB is located at 2.7 GHz or less. Examples of a system that uses such a frequency band include a mobile phone system and a digital television broadcasting system.
  • the passband PB may be higher than 2.7 GHz or may straddle 2.7 GHz.
  • the additional resonator 57 (line L4 or line L5) is constituted by the IDT electrode 7, it has a resonance frequency fcr and an anti-resonance frequency fca like the SAW resonator 1. However, the resonance frequency fcr and anti-resonance frequency fca are both located outside the passband PB. From another viewpoint, the additional resonator 57 has the same connection relationship as that of the parallel resonator 67, but in the relationship with the frequency characteristics of the series resonator 65 and the other parallel resonator 67, a ladder filter (transmission filter 55). ) Is not included.
  • the anti-resonance frequency fca is fcr ⁇ ⁇ (1+ (C) when the capacitance of the series resonance circuit is C 1 and the capacitance of the parallel resonance circuit is C 0 in the equivalent circuit of the additional resonator 57. 1 / C 0 )).
  • the passband PB may be appropriately specified.
  • the passband PB may be specified by a calculation based on a design value (theoretical calculation or simulation calculation), may be specified by an evaluation test for an actual product, or may be based on an actual product specification or the like. May be specified.
  • the frequency characteristic of the additional resonator 57 is shown by a waveform obtained by shifting the frequency characteristics of the series resonator 65 and the parallel resonator 67 along the horizontal axis.
  • the waveform indicating the frequency characteristics of the additional resonator 57 is completely different from the waveforms indicating the frequency characteristics of the series resonator 65 and the parallel resonator 67. It may be a thing.
  • the ratio (the ratio of the width of the electrode finger 15 to the electrode finger pitch), the length of the electrode finger 15 and / or the capacitance, etc.) may be different from that of the series resonator 65 and the parallel resonator 67.
  • the capacitance of the additional resonator 57 is different from any capacitance of the parallel resonator 67.
  • the former is larger than the latter.
  • the electrode fingers 15 are lengthened, the number of the electrode fingers 15 is increased, and / or the electrode finger pitch is decreased as compared with the parallel resonator 67.
  • the capacitance is relatively increased.
  • a part of the singular part may be ignored.
  • the finger pitch changes as a whole, the average value may be compared.
  • the resonance frequency fcr and anti-resonance frequency fca of the additional resonator 57 are shown at positions relatively close to the passband PB.
  • the resonance frequency fcr and the anti-resonance frequency fca may be farther from the passband PB than shown.
  • the resonance frequency fcr and the anti-resonance frequency fca may be located outside the attenuation range AB.
  • the attenuation band AB may be appropriately specified similarly to the pass band PB.
  • the resonance frequency fcr and the anti-resonance frequency fca may be separated from the pass band PB by a frequency difference equal to or larger than the width of the pass band PB.
  • the SAW filter 51 may be used as it is (as a bare chip) or incorporated in an electronic device. However, the SAW filter 51 may be packaged. Below, an example of a package is shown.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a SAW filter 201 configured by packaging the SAW filter 51.
  • the piezoelectric substrate 3 of the SAW filter 51 is disposed to face the counter substrate 203 through a gap. Further, the terminal 53 and the pad 205 of the counter substrate 203 are joined by a bump 207 interposed therebetween. Thus, a vibration space S that facilitates SAW propagation (vibration of the piezoelectric substrate 3) is formed on the transmission filter 55.
  • the vibration space S is sealed by a sealing portion 209 made of resin or the like disposed around the SAW filter 51 on the counter substrate 203.
  • An external terminal 211 for mounting the SAW filter 201 on a circuit board or the like by bumps is provided on the surface of the counter substrate 203 opposite to the surface on which the SAW filter 51 is mounted.
  • the pad 205 and the external terminal 211 are electrically connected by a wiring conductor (reference numeral omitted) of the counter substrate 203.
  • the wiring conductor includes, for example, a layered conductor pattern 213 formed along the counter substrate 203 inside or on the surface of the counter substrate 203 (its insulating substrate), and a through conductor 215 that penetrates the counter substrate 203 in the thickness direction. It is configured.
  • the conductor pattern 213 may constitute an electronic element such as a capacitor or an inductor by having an appropriate planar shape.
  • an electronic element other than the SAW filter 51 (for example, an electronic component 217) may be mounted on the counter substrate 203.
  • the electronic component 217 is, for example, a chip-type component, and is, for example, a capacitor, an inductor, or an IC (Integrated Circuit).
  • the electronic component 217 other than the SAW filter 51 is not mounted on the counter substrate 203, and the width of the counter substrate 203 is made as small as possible with respect to the width of the piezoelectric substrate 3. Good.
  • the SAW filter 201 may be a chip size package type component.
  • the terminal 53 of the SAW filter 51 and the external terminal 211 are directly connected (short-circuited) by a wiring conductor of the counter substrate 203.
  • an electronic element is configured by the conductor pattern 213 or an electronic element (electronic component 217) other than the SAW filter 51 is mounted on the counter substrate 203, such an electronic element is connected to the terminal 53 and the outside. It may be interposed between the terminal 211.
  • the GND terminal 53G connected to the additional resonator 57 of the SAW filter 51 may be led out to the external terminal 211 without being short-circuited with the other GND terminal 53G in the counter substrate 203.
  • FIG. 5A is a cross-sectional view showing a SAW filter 301 configured by packaging the SAW filter 51.
  • a cover 303 is provided on the piezoelectric substrate 3 of the SAW filter 51.
  • the cover 303 includes a frame portion 305 that surrounds at least the transmission filter 55 on the piezoelectric substrate 3, and a lid portion 307 that is positioned on the frame portion 305 and closes the opening of the frame portion 305.
  • a vibration space S that facilitates SAW propagation (vibration of the piezoelectric substrate 3) is formed on the transmission filter 55.
  • the additional resonator 57 may be located in the frame portion 305 or may overlap the frame portion 305 (described later).
  • a columnar terminal 309 penetrating the cover 303 is provided on the terminal 53.
  • the upper surface side portion of the columnar terminal 309 is a land 310 for mounting the SAW filter 301 on a circuit board or the like by bumps.
  • a through hole penetrating the cover 303 may be provided on the terminal 53 without providing the columnar terminal 309. In this case, for example, the terminal 53 and the circuit board are joined by bumps.
  • FIG. 5B is a top view of the SAW filter 301.
  • the reference numeral of the terminal 53 corresponding to the land 310 is also attached to the land 310.
  • the upper surface of the cover 303 has a reinforcing layer 311 (311A and 311B) that overlaps at least part of the vibration space S in plan view.
  • the reinforcing layer 311 is made of a conductor having higher rigidity than the cover 303 such as metal.
  • the reinforcing layer 311 contributes, for example, to suppressing the bending of the lid portion 307 toward the vibration space S side.
  • the reinforcing layer 311 may or may not be connected to the land 310.
  • the SAW filter 51 may be electrically connected to the terminal 53 or may not be connected.
  • the reinforcing layer 311 is connected to the land 310 corresponding to the GND terminal 53G.
  • the reinforcing layer 311A and the reinforcing layer 311B are separated from each other.
  • the reinforcing layer 311A is connected to the GND terminals 53G-2 and 53G-3.
  • the reinforcing layer 311B is connected to the GND terminal 53G-1. Accordingly, the GND terminal 53G-1 connected to the additional resonator 57 is electrically separated from the parallel resonator 67 and the GND terminal 53G-2 connected to the parallel resonator 67 in the entire SAW filter 301. ing.
  • the reinforcing layer 311A and the reinforcing layer 311B may not be separated, and the GND terminal 53G-1 and the GND terminal 53G-2 may be short-circuited.
  • the SAW filter 301 has a relatively wide conductor layer (reinforcing layer 311B) that is short-circuited to the GND terminal 53G-1.
  • This conductor layer can contribute to heat dissipation of the GND terminal 53G-1, for example.
  • the area of the reinforcing layer 311B is wider than the IDT electrode 7 of the additional resonator 57, for example. Note that the boundary between the outer edge of the bus bar 13 and the wiring 59 may not be clear, and the size of the bus bar 13 is theoretically arbitrary. Therefore, as the area of the IDT electrode 7 compared with the area of the reinforcing layer 311B, the area of the arrangement area of the plurality of electrode fingers 15 (area between the pair of bus bars 13) may be used.
  • FIG. 5C is a cross-sectional view for explaining a modified example of the SAW filter 301 package.
  • a layered conductor pattern 313 parallel to the piezoelectric substrate 3 may be provided in the cover 303 (for example, between the frame portion 305 and the lid portion 307).
  • the conductor pattern 313 may constitute an electronic element such as an inductor or a capacitor by being formed in an appropriate planar shape.
  • the electronic element may be interposed between the terminal 53 and the land 310.
  • a conductor pattern 313 is interposed between a through conductor 315 that is located on the terminal 53 and penetrates the frame portion 305 and a through conductor 317 that penetrates the lid portion 307 and is connected to the land 310. ing.
  • the GND terminal 53G connected to the additional resonator 57 may be as short as possible until it is electrically connected to a conductor pattern having a large area.
  • the through conductors 309 and 315 may be connected to a layered wide area conductor pattern only.
  • the GND terminal 53G to which the parallel resonator 67 is connected and the inductor 303 are led out to the land 310 through the inductor in the cover 303, and the GND terminal 53G connected to the additional resonator 57 is in-plane within the cover 303. It may be led out to the land 310 without passing through a conductor pattern having a thin line width that bypasses the line.
  • the substrate 600 is not limited to the piezoelectric substrate 3 alone, and the support substrate 4 may be bonded to the lower surface of the piezoelectric substrate 3. .
  • the support substrate 4 is made of a material having strength to support the piezoelectric substrate 3.
  • the support substrate 4 is formed of a material having a smaller linear expansion coefficient than the material of the piezoelectric substrate 3 (for example, if any of them has anisotropy, for example, the linear expansion coefficient in the D1 axis direction).
  • a material having a smaller linear expansion coefficient than the material of the piezoelectric substrate 3 for example, if any of them has anisotropy, for example, the linear expansion coefficient in the D1 axis direction.
  • examples of such a material include a semiconductor such as silicon, a single crystal such as sapphire, and a ceramic such as an aluminum oxide sintered body.
  • the support substrate 4 may be configured by laminating a plurality of layers made of different materials.
  • an intermediate layer may be interposed between the support substrate 4 and the piezoelectric substrate 3.
  • the intermediate layer may be a stacked body in which a plurality of layers are stacked.
  • the shape of the support substrate 4 is, for example, an outline, a thin rectangular parallelepiped shape, and has a shape and dimensions that match the piezoelectric substrate 3 in plan view, for example.
  • the thickness of the support substrate 4 is constant, for example, and is thicker than the thickness of the piezoelectric substrate 3.
  • a specific value of the thickness of the support substrate 4 may be set as appropriate.
  • the thickness of the piezoelectric substrate 3 is 10 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less, whereas the thickness of the support substrate 4 is 100 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less. Further, for example, the thickness of the support substrate 4 is not less than 5 times and not more than 20 times the thickness of the piezoelectric substrate 3.
  • the piezoelectric substrate 3 and the support substrate 4 are bonded to each other through an adhesive layer (not shown), for example.
  • the material of the adhesive layer may be an organic material or an inorganic material.
  • the organic material include a resin such as a thermosetting resin.
  • the inorganic material include SiO 2 .
  • the piezoelectric substrate 3 and the support substrate 4 may be bonded by so-called direct bonding, in which the bonding surface is bonded without a bonding layer after being activated by plasma or the like.
  • the support substrate 4 for example, it is possible to compensate for a change in frequency characteristics of the SAW resonator 1 due to thermal expansion of the piezoelectric substrate 3.
  • the support substrate 4 is illustrated only in the example of FIG. 5C. However, the support substrate 4 may be provided in other examples, and conversely, the example of FIG. 5C.
  • the piezoelectric substrate 3 to which the support substrate 4 is not bonded may be used.
  • the shape of the support substrate 4 may be larger than that of the piezoelectric substrate 3 in plan view. That is.
  • the piezoelectric substrate 3 may be located inside the outer periphery of the support substrate 4.
  • the upper surface of the support substrate 4 may include an exposed portion that is not covered by the piezoelectric substrate 3.
  • the terminal 53 and a part of wiring 59 may be located.
  • the cover 303 as shown in FIG. 5A may be joined to the exposed portion of the support substrate 4 instead of on the piezoelectric substrate 3.
  • the intermediate layer may or may not exist in the exposed portion. In consideration of heat dissipation, it is preferable that the exposed portion is not covered with the intermediate layer.
  • the additional resonator 57 may be covered with an insulator or the like that does not cover the transmission filter 55 (its resonator).
  • SAW propagation vibration of the piezoelectric substrate 3 in the transmission filter 55 (resonator) can be allowed, while SAW propagation in the additional resonator 57 can be suppressed.
  • examples of such insulators are shown.
  • FIG. 6A is a cross-sectional view schematically showing a part of a configuration example on the upper surface of the piezoelectric substrate 3.
  • the upper surface of the piezoelectric substrate 3 is covered with a protective film 23 from above the conductor layer constituting the IDT electrode 7 and the like.
  • the protective film 23 may be merely for suppressing the corrosion of the IDT electrode 7 or the like, or may contribute to temperature compensation.
  • the protective film 23 is made of, for example, SiO 2 .
  • the thickness may be thinner than the IDT electrode 7 etc. (example of illustration), and may be thick.
  • the protective film 23 covers both the transmission filter 55 and the additional resonator 57.
  • the additional resonator 57 is covered with an insulating layer 71 that is not provided on the transmission filter 55 (the series resonator 65 and the parallel resonator 67).
  • the insulating layer 71 is made of, for example, a resin or an inorganic material. The thickness may be set appropriately.
  • the insulating layer 71 may directly cover the additional resonator 57 without using the protective film 23.
  • FIG. 6B is a cross-sectional view schematically showing a part of another configuration example on the upper surface of the piezoelectric substrate 3.
  • the protective film 23 described with reference to FIG. 6A is thicker on the additional resonator 57 than on the transmission filter 55 (the series resonator 65 and the parallel resonator 67). It has become.
  • Such a configuration includes, for example, a process of forming a material to be the protective film 23 on the entire surface of the piezoelectric substrate 3 and a process of forming a material to be the protective film 23 only on the additional resonator 57. Realized. Note that either of the two steps may be performed first.
  • FIG. 6C is a cross-sectional view schematically showing a part of still another configuration example on the upper surface of the piezoelectric substrate 3.
  • the frame portion 305 of the cover 303 surrounds the transmission filter 55 in a plan view and is positioned on the additional resonator 57. That is, the frame portion 305 functions as an insulator that covers only the additional resonator 57 among the transmission filter 55 (its resonator) and the additional resonator 57.
  • the protective film 23 is not shown in FIG. 6C, the cover 303 may be provided on the protective film 23.
  • FIG. 7 is a schematic circuit diagram showing an example of use of the additional resonator 57 from the electrical viewpoint.
  • the additional resonator 57 is used to configure a low-pass filter 75 connected to the previous stage (input side) of the transmission filter 55.
  • the low-pass filter 75 is, for example, a so-called ⁇ type. That is, the low pass filter 75 includes an inductor 77 and two capacitors (here, a capacitor 79 and an additional resonator 57) connected in a ⁇ type.
  • the inductor 77 is disposed in series with the signal path. That is, the inductor 77 connects the input port 81 connected to a circuit that generates a transmission signal and the transmission terminal 53T of the SAW filter 51.
  • the capacitor 79 connects the front (input side) of the inductor 77 and the reference potential portion.
  • the additional resonator 57 connects the inductor 77 after (output side) and the reference potential portion. That is, the additional resonator 57 functions as a capacitor closest to the transmission filter 55 in the ⁇ -type low-pass filter.
  • the ⁇ -type low-pass filter may have one or more combinations of the inductor 77 and the capacitor 79 on the input side of the illustrated inductor 77 and capacitor 79.
  • the inductance of the inductor 77 and the capacitances of the capacitor 79 and the additional resonator 57 may be appropriately set according to a known design method. Usually, in the low-pass filter having one inductor and two capacitors as shown in the figure, the capacitances of the two capacitors are equal. In the low-pass filter 75, the capacity of the additional resonator 57 may be equal to or different from the capacity of the capacitor 79, and is smaller than the capacity of the capacitor 79, for example.
  • the capacity of the additional resonator 57 may be equal to the capacity of any one of the capacitors 79 or different from the capacity of any one of the capacitors 79. For example, it is smaller than the capacitance of any capacitor 79.
  • the inductor 77 and the capacitor 79 may be appropriately configured from a structural viewpoint.
  • At least one of the electronic elements of the inductor 77 and the capacitor 79 may be provided on a circuit board (not shown) on which the SAW filter 51, 201, or 301 is mounted.
  • the electronic element (77 and / or 79) may be constituted by, for example, a surface or internal conductor of the circuit board, or may be constituted by a component mounted on the circuit board.
  • At least one of the electronic elements of the inductor 77 and the capacitor 79 may be provided on the surface or inside of the SAW filter 201 or 301 package member.
  • the electronic element (77 and / or 79) may be constituted by the conductive pattern 213 on the surface or inside of the counter substrate 203 in the SAW filter 201, or may be constituted by the electronic component 217 in the SAW filter 201.
  • the conductor pattern 313 in the SAW filter 301 may be used.
  • At least one of the inductor 77 and the capacitor 79 may be configured by a conductor pattern on the piezoelectric substrate 3.
  • an electronic element (77 and / or 79) may be connected between the transmission terminal 53T of the SAW filter 51 and the transmission filter 55.
  • the conductor layer constituting the electronic element (77 and / or 79) may be the same as the conductor layer constituting the IDT electrode 7 or the like (the material and thickness are the same), or may be different. Good.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing a duplexer 101 as an application example of the SAW filter 51.
  • the duplexer 101 is, for example, a duplexer that demultiplexes a transmission signal and a reception signal.
  • a SAW filter 51 is used as a filter for filtering the transmission signal.
  • the duplexer 101 includes, for example, a SAW filter 51, a reception filter 103, and a reception terminal 53R.
  • the reception filter 103 is connected to the antenna terminal 53A and the reception terminal 53R, filters the signal from the antenna terminal 53A, and outputs the signal to the reception terminal 53R.
  • the configuration of the reception filter 103 may be appropriate.
  • the reception filter 103 is exemplified by a ladder-type SAW filter, similar to the transmission filter 55.
  • the SAW filter that constitutes the reception filter 103 may be in another form (for example, a multimode filter).
  • the SAW filter 51 and the reception filter 103 may be provided on the same piezoelectric substrate 3 or may be provided on different piezoelectric substrates 3. Also good.
  • the antenna terminal 53A is common to the transmission filter 55 and the reception filter 103, and the reception filter 103 is connected to the antenna terminal 53A on the piezoelectric substrate 3.
  • the antenna terminal 53 ⁇ / b> A is only for the transmission filter 55 of the transmission filter 55 and the reception filter 103, for example, on the shortest path between the antenna and the reception filter 103. Not located.
  • the antenna terminal 53A and the reception filter 103 are connected to each other through a circuit board on which the SAW filter 51 and the reception filter 103 are mounted.
  • the duplexer 101 may have a configuration other than the above.
  • a low-pass filter that is located between the antenna terminal 53A and the antenna and is not located on the shortest path between the reception filter 103 and the antenna is provided, or is located on the antenna side of the reception filter 103 and the transmission filter 55 A low-pass filter that is not located on the shortest path to the antenna may be provided.
  • FIG. 9 is a block diagram illustrating a configuration of a main part of a communication device 151 as an example of use of the duplexer 101.
  • a transmission information signal TIS including information to be transmitted is modulated and increased in frequency (conversion to a high frequency signal of a carrier frequency) by an RF-IC (Radio Frequency Integrated Circuit) 153, and the transmission signal TS Is done. Unnecessary components other than the transmission passband are removed from the transmission signal TS by the bandpass filter 155, amplified by the amplifier 157, and input to the duplexer 101 (transmission terminal 53T). Then, the duplexer 101 removes unnecessary components other than the transmission passband from the input transmission signal TS, and outputs the transmission signal TS after the removal to the antenna 159 from the antenna terminal 53A.
  • the antenna 159 converts the input electric signal (transmission signal TS) into a radio signal (radio wave) and transmits it.
  • a radio signal (radio wave) received by the antenna 159 is converted into an electric signal (reception signal RS) by the antenna 159 and input to the duplexer 101 (for example, the antenna terminal 53A).
  • the duplexer 101 removes unnecessary components other than the reception passband from the input reception signal RS, and outputs the result to the amplifier 161 from the reception terminal 53R.
  • the output received signal RS is amplified by the amplifier 161, and unnecessary components other than the reception passband are removed by the band pass filter 163. Then, the reception signal RS is subjected to frequency reduction and demodulation by the RF-IC 153 to be a reception information signal RIS.
  • the transmission information signal TIS and the reception information signal RIS may be low-frequency signals (baseband signals) including appropriate information, for example, analog audio signals or digitized audio signals.
  • the passband of the radio signal may conform to various standards such as UMTS (Universal Mobile Telecommunications System).
  • the modulation method may be any of phase modulation, amplitude modulation, frequency modulation, or a combination of any two or more thereof.
  • the direct conversion method is illustrated in FIG. 9 as the circuit method, other appropriate methods may be used. For example, a double superheterodyne method may be used.
  • FIG. 9 schematically shows only the main part. A low-pass filter, an isolator, or the like may be added at an appropriate position, and the position of the amplifier or the like may be changed.
  • two or more SAW filters 51 having different passbands are connected to a common antenna port (may be the antenna terminal 53A), or two or more duplexers 101 having different passbands are commonly used.
  • a multiplexer (a diplexer or the like) may be configured by being connected to a port.
  • a communication module may be configured by mounting appropriate electronic components on a circuit board on which the SAW filter 51, 201, or 301 is mounted.
  • the SAW filter 51 (or 201 or 301) includes the piezoelectric substrate 3, the transmission terminal 53T, the antenna terminal 53A, one or more GND terminals 53G, the transmission filter 55, and the additional resonator 57. ing.
  • Various terminals 53 are located on the piezoelectric substrate 3.
  • the transmission filter 55 is a ladder type filter that filters a signal from the transmission terminal 53T and outputs the filtered signal to the antenna terminal 53A.
  • the transmission filter 55 includes one or more series resonators 65 and one or more parallel resonators 67 connected in a ladder shape on the piezoelectric substrate 3, and the first-stage resonator is a series resonator 65. is there.
  • the additional resonator 57 includes, on the piezoelectric substrate 3, an IDT electrode 7 that is connected to the transmission terminal 53T and connected to one of the one or more GND terminals 53G before the transmission filter 55.
  • the anti-resonance frequency is located outside the pass band of the transmission filter 55.
  • the additional resonator 57 constitutes a heat dissipation path that releases heat upstream of the transmission filter 55.
  • the first-stage resonator is the series resonator 65
  • thermal loads and electrical loads tend to concentrate on the first-stage series resonator 65.
  • the maximum value of the thermal load can be lowered as the whole SAW filter 51.
  • the durability as a whole can be improved. Further, for example, the influence of heat on the filter characteristics can be reduced.
  • the heat dissipation path is constituted by the resonator (57), for example, the additional resonator 57 can be used for a low-pass filter. That is, the configuration for improving the filter characteristics of the SAW filter 51 can be used as a heat dissipation path, and the SAW filter 51 or a device including the SAW filter 51 can be downsized.
  • the resonance frequency and anti-resonance frequency of the additional resonator 57 are located outside the pass band of the transmission filter 55. However, the resonance may not occur in the pass band of the transmission filter 55.
  • the electrode fingers 15 of the additional resonator 57 may be arranged in a direction orthogonal to the direction in which the elastic wave propagates, and the pitch of the electrode fingers 15 may be unquestioned.
  • the transmission signal input from the outside to the transmission terminal 53T is basically generated as a signal in the pass band of the transmission filter 55.
  • the resonance frequency and anti-resonance frequency of the additional resonator 57 are located outside the pass band of the transmission filter 55. Therefore, the vibration in the additional resonator 57 is suppressed as compared with the transmission filter 55.
  • the additional resonator 57 effectively functions as a heat dissipation path and has high power resistance.
  • the additional resonator 57 is formed on the piezoelectric substrate 3, it can be formed simultaneously with the formation of the transmission filter 55. Accordingly, it is possible to reduce the risk of an increase in manufacturing process due to the provision of the additional resonator 57.
  • the GND terminal 53G-1 to which the additional resonator 57 is connected is connected to the series arm 61 (in another aspect, the transmission terminal 53T and the antenna terminal 53A) via any of the parallel resonators 67. It is not connected to the GND terminal 53G and is not short-circuited with any of the GND terminals 53G (electrically separated).
  • the capacitance of the additional resonator 57 is different from any capacitance of the parallel resonator 67.
  • the additional resonator 57 does not constitute the transmission filter 55, such a capacitance can be set, and the capacitance of the additional resonator 57 is different from the capacitance of the parallel resonator 67.
  • the additional resonator 57 By configuring the additional resonator 57 as described above, various effects can be obtained.
  • the capacitance of the additional resonator 57 is larger than the capacitance of the parallel resonator 67, it is easy to lengthen the electrode fingers 15 or increase the number of electrode fingers 15. That is, the electrode area of the additional resonator 57 can be easily increased. As a result, for example, the heat dissipation function of the additional resonator 57 itself is improved.
  • the capacitance of the additional resonator 57 is larger than the capacitance of the parallel resonator 67, it is easy to narrow the electrode finger pitch of the additional resonator 57. Since the electrode finger pitch is narrow, for example, heat is easily transmitted between the pair of comb-teeth electrodes 11, and the additional resonator 57 effectively functions as a heat dissipation path. Further, since the electrode finger pitch is narrow, for example, the electrode area occupying the area of the additional resonator 57 as a whole (including the non-arranged region of the electrode) can be increased.
  • the additional resonator 57 when the capacitance of the additional resonator 57 is smaller than the capacitance of the parallel resonator 67, for example, the additional resonator 57 can be downsized and the SAW filter 51 can be downsized. Easy.
  • the additional resonator 57 constitutes a capacitor closest to the transmission filter 55 of the ⁇ -type low-pass filter 75 connected to the preceding stage of the transmission filter 55.
  • the additional resonator 57 constituting the heat dissipation path can be effectively used.
  • the additional resonator 57 includes the IDT electrode 7, for example, the capacitance can be easily finely adjusted by increasing or decreasing the number of the electrode fingers 15. That is, the characteristics of the low-pass filter 75 can be adjusted more simply than when a capacitor is provided outside the SAW filter 51.
  • the capacitance of the additional resonator 57 is different from the capacitance of any one or more capacitors (here, the capacitor 79) other than the additional resonator 57 included in the low-pass filter 75.
  • the capacitance of the additional resonator 57 is different from the capacitance of the other capacitors.
  • the difference in capacitance is greater than or equal to the increase or decrease in capacitance caused by the increase or decrease of one electrode finger 15 of the additional resonator 57. It is a certain state.
  • the capacitance of the additional resonator 57 is easy to adjust as described above, it is easy to set the capacitance. Normally, the capacitance of the capacitor (additional resonator 57 in the present embodiment) located at the last stage of the ⁇ -type low-pass filter 75 is equal to the capacitance of any of the other capacitors 79. .
  • the capacitance of the additional resonator 57 is smaller than the capacitance of any capacitor 79 of the low-pass filter 75.
  • the additional resonator 57 can be easily downsized, and the SAW filter 51 can be easily downsized.
  • the SAW filter 301 (FIG. 5) has a conductor layer (reinforcing layer 311B).
  • the reinforcing layer 311B is short-circuited to the GND terminal 53G-1 to which the additional resonator 57 is connected, and has a larger area than the arrangement region of the plurality of electrode fingers 15 in the IDT electrode 7 of the additional resonator 57.
  • heat released from the previous stage of the transmission filter 55 to the additional resonator 57 can be transmitted to the reinforcing layer 311B.
  • the reinforcing layer 311B has a relatively large area, for example, it is advantageous for heat transfer to other members in contact with the reinforcing layer 311B or heat dissipation from the reinforcing layer 311B.
  • the potential of the additional resonator 57 is easily stabilized, and noise can be reduced.
  • the SAW filter 51, 201, or 301 covers only the additional resonator 57 among the series resonator 65, the parallel resonator 67, and the additional resonator 57, or the series resonator 65, the parallel resonance.
  • an insulator insulating layer 71 (FIG. 6A), protective film 23 (FIG. 6B)) or frame 305 (FIG. 6) thickened only in the additional resonator 57. (C))).
  • vibration in the additional resonator 57 is suppressed compared to vibration in the transmission filter 55.
  • the possibility that the vibration of the additional resonator 57 affects the filter characteristics of the transmission filter 55 is reduced.
  • the pass band PB of the transmission filter 55 is located within a frequency range of 2.7 GHz or less, for example.
  • the electrode finger pitch in the transmission filter 55 is wider than when a part or all of the pass band PB exceeds 2.7 GHz. Accordingly, for example, the electrode finger pitch of the additional resonator 57 is reduced to ensure the capacitance while reducing the size of the additional resonator 57, and the resonance frequency and antiresonance frequency of the additional resonator 57 are set to the passband PB. It is easy to separate from.
  • the SAW filter 201 or 301 has a package member (the counter substrate 203 or the cover 303) that seals the transmission filter 55.
  • At least one of the capacitors (capacitor 79) other than the inductor 77 and the additional resonator 57 included in the low-pass filter 75 is configured by, for example, a conductor pattern 213 or 313 located at least one of the inside and the surface of the package member. Has been.
  • the additional resonator 57 can be effectively used by the SAW filter itself, and the characteristics of the SAW filter itself can be improved.
  • the inductor 77 and / or the capacitor 79 are formed on the piezoelectric substrate 3, for example, the possibility that unnecessary vibration is generated in the piezoelectric substrate 3 is reduced, the area of the piezoelectric substrate 3 is reduced, It is easy to increase the thickness of the conductor pattern constituting the inductor 77 and the capacitor 79.
  • At least one of the capacitors (capacitors 79) other than the inductor 77 and the additional resonator 57 included in the low-pass filter 75 may be configured by, for example, an electronic component 217 mounted on a package member (counter substrate 203). .
  • the same effect as in the case where the inductor 77 and / or the capacitor 79 is configured by the conductor pattern 213 or 313 is obtained.
  • the additional resonator 57 can be effectively used by the SAW filter itself, and the characteristics of the SAW filter itself can be improved.
  • the number of series resonators 65 is plural. At least one of the plurality of series resonators 65 is divided into a plurality of divided resonators 69 connected in series with each other. In the plurality of series resonators 65, the number of divisions of the series resonator 65 (first stage resonator) closest to the transmission terminal 53T is larger than the number of divisions of the series resonator closest to the antenna terminal 53A.
  • the SAW filter 51 when determining which of the two types of terminals 53 is the transmission terminal 53T and the antenna terminal 53A, even if the side where the number of divisions of the series resonator 65 is large is determined as the transmission terminal 53T side. Good.
  • the SAW filters 51, 201 and 301 are examples of elastic wave filters, respectively.
  • the GND terminal 53G is an example of a reference potential terminal.
  • the reinforcing layer 311B is an example of a conductor layer.
  • the insulating layer 71, the protective film 23 (as shown in FIG. 6B), and the frame portion 305 (as shown in FIG. 6C) are examples of insulators.
  • the counter substrate 203 and the cover 303 (frame portion 305) are examples of package members.
  • FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a configuration of a duplexer 401 (duplexer) according to a modification.
  • the duplexer 401 is only provided with one or more parallel inductors 83P and one or more series inductors 83S (hereinafter, simply referred to as “inductors 83” without distinguishing between the two). This is different from the duplexer 101 of FIG. However, with the provision of the inductor 83, the specific design values of the series resonator 65 and the parallel resonator 67 may be adjusted as appropriate.
  • the parallel inductor 83P is connected in series with the parallel resonator 67 in the transmission filter 455. More specifically, for example, the parallel inductor 83P is connected to the reference potential portion (GND terminal 53G) side with respect to the parallel resonator 67. Unlike the example shown in the figure, the parallel inductor 83P may be connected to the series arm side with respect to the parallel resonator 67.
  • the parallel inductor 83P is provided individually (one to one) for all the parallel resonators 67 in the transmission filter 455, for example. However, the parallel inductor 83P may be provided for only some of the plurality of parallel resonators 67. Further, one parallel inductor 83P may be commonly connected to two or more parallel resonators 67.
  • the series inductor 83S is connected in series to the series resonator 65 in the reception filter 403. More specifically, for example, the series inductor 83S is located between two series resonators 65 adjacent to each other with respect to electrical connection. Note that the series inductor 83S may be positioned on the receiving terminal 53R side between the two series resonators 65 and the connection position of the series arm and the parallel resonator 67 (illustration example). It may be located on the antenna terminal 53A side.
  • the series inductor 83S is provided, for example, between all the series resonators 65 in the reception filter 403.
  • the series inductor 83 ⁇ / b> S may be provided only in a part between the plurality of series resonators 65.
  • the series inductor 83S may also be provided outside the plurality of series resonators 65 (between the transmission terminal 53T and the first series resonator 65A and between the fourth series resonator 65D and the antenna terminal 53A). .
  • the frequency characteristics of the combination of the SAW resonator 1 (65 or 67) and the inductor 83 that are connected in series with each other are roughly the same as the anti-resonance frequency in the frequency characteristics of the SAW resonator 1, and the resonance frequency is set to the low frequency side. It will be moved.
  • the frequency characteristic of the parallel resonator 67 is represented by a line L2 in FIG.
  • the frequency characteristic of the combination of the parallel resonator 67 and the parallel inductor 83P is obtained by moving the resonance frequency fpr to the low frequency side (left side of the drawing) while keeping the antiresonance frequency fpa.
  • the frequency difference ⁇ f between the resonance frequency fpr and the anti-resonance frequency fpa increases.
  • the frequency characteristic of the series resonator 65 is represented by a line L1 in FIG.
  • the frequency characteristics of the combination of the series resonator 65 and the series inductor 83S are obtained by moving the resonance frequency fsr to the low frequency side while keeping the antiresonance frequency fsa. From another viewpoint, the frequency difference ⁇ f between the resonance frequency fsr and the anti-resonance frequency fsa is increased.
  • the series resonator 65 is connected in parallel so that the resonance frequency fsr of the series arm and the anti-resonance frequency fpa of the parallel arm substantially coincide with each other with the inductor 83 connected.
  • a resonator 67 and an inductor 83 are designed. As a result, a ladder filter having a desired frequency band as the pass band PB is obtained.
  • the frequency difference ⁇ f of the parallel arm including the parallel resonator 67 and the parallel inductor 83P is large, so that the passband PB is wide as compared with the case where the parallel inductor 83P is not provided. That is, providing the parallel inductor 83P facilitates obtaining a broadband filter.
  • the series inductor 83S since the series inductor 83S is not provided, the series arm frequency difference ⁇ f is kept narrow. As a result, for example, the steepness on the high frequency side of the passband PB is maintained. In other words, the amount of attenuation outside the high frequency band can be increased.
  • the frequency difference ⁇ f of the series arm including the series resonator 65 and the series inductor 83S becomes large, so that the pass band PB becomes wider than when the series inductor 83S is not provided. That is, by providing the series inductor 83S, it is easy to obtain a broadband filter.
  • the reception filter 403 is not provided with the parallel inductor 83P, the frequency difference ⁇ f between the parallel arms is kept narrow. As a result, for example, the steepness on the low frequency side of the pass band PB is maintained. In other words, it is possible to increase the amount of attenuation outside the low frequency band.
  • the pass band PB of the transmission filter 455 has a lower frequency than the pass band PB of the reception filter 403. Therefore, even if the inductor 83 is provided, the transmission filter 455 maintains the steepness on the pass band PB side (high frequency side) of the reception filter 403, and the reception filter 403 has the steepness on the transmission filter 445 side (low frequency side). Sex will be maintained. As a result, the duplexer 401 has a wide pass band PB and high isolation between the transmission filter 455 and the reception filter 403.
  • the inductor 83 may be configured in the same manner as the inductor 77 and the capacitor 79 described with reference to FIG.
  • the above description regarding the inductor 77 from the structural viewpoint may be the description of the inductor 83 by replacing the inductor 77 with the inductor 83.
  • the inductor 83 may be provided on a circuit board on which the SAW filter (455, 403) or the duplexer 401 is mounted, or may be provided on a package member of the SAW filter or the duplexer 401.
  • the conductor pattern on the piezoelectric substrate 3 may be used.
  • the package member is, for example, the counter substrate 203 (FIG. 4) or the cover 303 (FIGS. 5A to 5C).
  • the inductor 83 may be constituted by, for example, the conductive pattern 213 on the surface and / or inside of the counter substrate 203 or the conductive pattern 313 on the surface and / or inside of the cover 303.
  • the inductor 83 When the inductor 83 is configured by the conductor pattern 213 or 313, for example, it is easier to reduce the size of the duplexer 401 than when the inductor 83 is configured by the chip-type electronic component 217 (FIG. 4). . Further, compared to the case where the inductor 83 is configured by a conductor pattern on the piezoelectric substrate 3, for example, the thickness of the conductor pattern configuring the inductor 83 can be set separately from the IDT electrode 7. As a result, for example, the loss caused by providing the inductor 83 by making the conductor pattern constituting the inductor 83 thicker than the thickness of the IDT electrode 7 can be reduced.
  • the necessity of forming the inductor 83 wide in order to reduce the loss is reduced, and as a result, the possibility of increasing the size of the duplexer 401 is reduced.
  • the inductor 83 by configuring the inductor 83 with the conductor pattern 213 or 313, it is easy to obtain a desired inductance while suppressing an increase in the size of the duplexer 401.
  • the piezoelectric substrate 3 of the duplexer 401 may be bonded to the support substrate 4 (FIG. 5C) or may not be bonded.
  • the piezoelectric substrate 3 bonded to the support substrate 4 is made of a material that is difficult to ensure a wide pass band as compared to the piezoelectric substrate 3 not bonded to the support substrate 4. Therefore, the effect of the inductor 83 is highly useful when the duplexer 401 has the support substrate 4.
  • FIG. 11 is a diagram schematically showing a duplexer 501 as an application example of the SAW filter 51.
  • the duplexer 501 is configured as a quadplexer having four SAW filters 51 (455 or 403). More specifically, the duplexer 501 includes two first duplexers 401A and second duplexers 401B (hereinafter, simply referred to as “demultiplexer 401”) configured as duplexers. I have. Each duplexer 401 is, for example, the same as the duplexer 401 described with reference to FIG.
  • the first duplexer 401A is connected to the antenna terminal 53A, transmission terminal 53T-1, and reception terminal 53R-1, which correspond to the antenna terminal 53A, transmission terminal 53T, and reception terminal 53R in FIG.
  • the second duplexer 401B is connected to the antenna terminal 53A, the transmission terminal 53T-2, and the reception terminal 53R-2 corresponding to the antenna terminal 53A, the transmission terminal 53T, and the reception terminal 53R in FIG.
  • the antenna terminal 53A is shared by the two duplexers 401, and the four filters (455, 403) are connected to each other while being branched from each other.
  • the two duplexers 401 may be provided on the same piezoelectric substrate 3 or may be provided on different piezoelectric substrates 3.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating the frequency characteristics of the duplexer 501.
  • the horizontal axis indicates the frequency f (Hz).
  • the vertical axis represents the attenuation A (dB).
  • a line L11 indicates the frequency characteristic of the transmission filter 455 of the first duplexer 401A.
  • a line L12 indicates the frequency characteristic of the reception filter 403 of the first duplexer 401A.
  • a line L13 indicates the frequency characteristic of the transmission filter 455 of the second duplexer 401B.
  • a line L14 indicates the frequency characteristic of the reception filter 403 of the second duplexer 401B.
  • the pass band of the transmission filter 455 (first transmission band T1) has a frequency lower than the pass band of the reception filter 403 (first reception band R1), for example.
  • the pass band of the transmission filter 455 (second transmission band T2) has a lower frequency than the pass band of the reception filter 403 (second reception band R2), for example.
  • the first frequency band B1 including the first transmission band T1 and the first reception band R1 has a lower frequency than, for example, the second frequency band B2 including the second transmission band T2 and the second reception band R2.
  • each demultiplexer 401 isolation between the transmission filter 455 and the reception filter 403 can be improved while ensuring a wide pass band.
  • the effect of improving the isolation is highly useful when the band fd (transition band) of the band (transition band) between the two pass bands is narrow.
  • the transition bandwidth fd is a frequency width from the upper limit value of the low frequency side pass band (for example, the first transmission band T1) to the lower limit value of the high frequency side pass band (for example, the first reception band R1).
  • fd / fm ⁇ 100 (%) where fm is the center frequency of the low frequency side passband (the frequency just between the upper limit value and the lower limit value of the passband).
  • fd / fm ⁇ 100 Is 1.2% or less.
  • Examples of the standard in which fd / fm ⁇ 100 is 1.2% or less include Bands 2, 3, 8, and 25 of UMTS.
  • the reception filter 403 of the first demultiplexer 401A is configured by a ladder type filter, compared to the case where the reception filter 403 is configured by a multimode filter, the high frequency side of the first reception band R1 The steepness is improved. That is, the amount of attenuation outside the high frequency band of the first reception band R1 can be increased. As a result, the isolation between the first reception band R1 and the second transmission band T2 is improved.
  • the series inductor 83S is provided in the reception filter 403 of the first duplexer 401A, the pass band of the reception filter 403 is expanded to ensure a pass band width equivalent to that of the multimode filter. It becomes easy.
  • the elastic wave is not limited to SAW.
  • the elastic wave may be a bulk wave propagating in the piezoelectric substrate, or an elastic boundary wave propagating through the boundary portion between the piezoelectric substrate and the insulating layer covering the piezoelectric substrate (however, in a broad sense, it is a kind of SAW). It may be.
  • the arrangement direction of the plurality of electrode fingers in the additional resonator does not necessarily coincide with the SAW propagation direction.
  • the conductor layer having a larger area than the arrangement region of the plurality of electrode fingers in the additional resonator is not limited to the reinforcing layer 311B.
  • the conductor layer may be provided on the upper surface of the piezoelectric substrate 3, may be provided on the lower surface of the piezoelectric substrate 3, or may be provided on the upper surface, inside, and lower surface of the counter substrate 203.
  • the conductor pattern provided on the package member that constitutes the inductor or the capacitor is not limited to that provided inside the counter substrate 203 or the cover 303.
  • the conductor pattern may be provided on the surface of the counter substrate or the cover.
  • the electronic components mounted on the package member that constitute the inductor or the capacitor are not limited to those mounted on the counter substrate 203.
  • the electronic component may be mounted on the upper surface of the cover 303.
  • the electronic component may be located inside the package member, such as being disposed in a recess formed in the circuit board or the cover.
  • the duplexer (multiplexer) is not limited to a duplexer having two filters or a quadplexer having four filters.
  • the duplexer may be a triplexer having three filters, or may have five or more filters.
  • the first filter is a ladder type filter including one or more series resonators and one or more parallel resonators
  • the second filter is a ladder type filter including one or more series resonators and one or more parallel resonators, and has a higher passband frequency than the first filter
  • the third filter has a higher passband frequency than the second filter
  • the first filter has an inductor connected in series to the parallel resonator
  • the duplexer includes an inductor connected in series to the series resonator.
  • the transmission filter 455 of the first duplexer 401A is an example of the first filter.
  • the reception filter 403 of the first duplexer 401A is an example of a second filter.
  • the transmission filter 455 of the second duplexer 401B is an example of a third filter.
  • the parallel inductor 83P is an example of an inductor connected in series to the parallel resonator.
  • the series inductor 83S is an example of an inductor connected in series with a series resonator.
  • the additional resonator may be provided or may not be provided.
  • the first to third filters may or may not include a transmission filter.
  • the first to third filters include transmission filters
  • the first-stage resonator connected to the transmission terminal may be a series resonator or a parallel resonator.
  • the third filter may be a filter other than the ladder type filter.

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Abstract

ＳＡＷフィルタは、圧電基板を含む基板、送信フィルタおよび付加共振子を有している。送信フィルタは、送信端子からの信号をフィルタリングしてアンテナ端子へ出力するラダー型フィルタである。また、送信フィルタは、ラダー型に接続されている１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を圧電基板上に有している。送信フィルタにおいて、初段の共振子は直列共振子である。付加共振子は、送信フィルタよりも前段で送信端子に接続されているとともに１以上のＧＮＤ端子のいずれかに接続されているＩＤＴ電極を圧電基板上に含んでいる。付加共振子の共振周波数および***振周波数は送信フィルタの通過帯域の外側に位置している。

Description

弾性波フィルタ、分波器および通信装置
　本開示は、弾性波を利用して信号をフィルタリングする弾性波フィルタ、当該弾性波フィルタを含む分波器および通信装置に関する。弾性波は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：surface acoustic wave）である。
　弾性波フィルタとして、複数の弾性波共振子をラダー型に接続したラダー型フィルタが知られている（特許文献１）。弾性波共振子は、例えば、圧電基板と、圧電基板上に位置するＩＤＴ（interdigitated transducer）電極とを含んでいる。
　特許文献１は、ラダー型フィルタを送信フィルタとして有している分波器を開示している。送信フィルタは、入力された送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子に出力する。特許文献１の分波器は、送信フィルタの後段（アンテナ端子側）にローパスフィルタを有している。ローパスフィルタのキャパシタは、圧電基板上に位置するＩＤＴ電極によって構成されている。
　特許文献２は、弾性波フィルタが実装される配線基板を開示している。配線基板に実装される弾性波フィルタは、配線基板から入力された送信信号をフィルタリングして配線基板へ出力する。特許文献２の配線基板は、弾性波フィルタの前段（弾性波フィルタへの入力側）にローパスフィルタを有している。
特開２００８－２４５３１０号公報 特開２００４－２５４２５７号公報
　本開示の一態様に係る弾性波フィルタは、圧電基板を含む基板、送信端子、アンテナ端子、１以上の基準電位端子、送信フィルタおよび付加共振子を有している。前記送信端子、前記アンテナ端子および前記１以上の基準電位端子は、前記基板上に位置している。前記送信フィルタは、前記送信端子からの信号をフィルタリングして前記アンテナ端子へ出力するラダー型フィルタである。また、前記送信フィルタは、ラダー型に接続されている１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を前記圧電基板上に有している。前記送信フィルタにおいて、初段の共振子は直列共振子である。前記付加共振子は、前記送信フィルタよりも前段で前記送信端子に接続されているとともに前記１以上の基準電位端子のいずれかに接続されているＩＤＴ電極を前記圧電基板上に含んでいる。前記付加共振子の共振周波数および***振周波数は、前記送信フィルタの通過帯域の外側に位置している。
　本開示の一態様に係る分波器は、上記の弾性波フィルタと、受信端子と、前記アンテナ端子からの信号をフィルタリングして前記受信端子へ出力する受信フィルタと、を有している。
　本開示の一態様に係る通信装置は、アンテナと、前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されている上記の弾性波フィルタと、前記送信端子に接続されているＩＣと、を有している。
ＳＡＷ共振子の構成を示す平面図である。 図１のＳＡＷ共振子を含むＳＡＷフィルタの構成を模式的に示す平面図である。 図２のＳＡＷフィルタの送信フィルタおよび付加共振子の周波数特性を示す図である。 図２のＳＡＷフィルタをパッケージングして構成したＳＡＷフィルタの例を示す断面図である。 図５（ａ）および図５（ｂ）は図２のＳＡＷフィルタをパッケージングして構成したＳＡＷフィルタの例を示す断面図および平面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）のＳＡＷフィルタの変形例の一部を示す断面図である。 図６（ａ）、図６（ｂ）および図６（ｃ）はそれぞれ付加共振子を覆う絶縁体の例を示す図である。 付加共振子の電気的観点からの利用例を示す模式的な回路図である。 図２のＳＡＷフィルタの利用例としての分波器を模式的に示す図である。 図８の分波器の利用例としての通信装置の要部の構成を示すブロック図である。 図８の分波器の変形例を模式的に示す図である。 他の分波器を模式的に示す図である。 図１１の分波器の周波数帯を模式的に示す図である。
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
　同一または類似する構成については、「第１櫛歯電極１１Ａ」、「第２櫛歯電極１１Ｂ」のように、同一名称に対して互いに異なるアルファベットを付して呼称することがあり、また、この場合において、単に「櫛歯電極１１」といい、これらを区別しないことがある。
（ＳＡＷ共振子の構成）
　図１は、実施形態に係るＳＡＷフィルタ５１（図２）に用いられるＳＡＷ共振子１の構成を示す平面図である。
　ＳＡＷ共振子１（ＳＡＷフィルタ５１）は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下の説明では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義し、Ｄ３軸の正側（図１の紙面手前側）を上方として、上面等の語を用いることがあるものとする。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電基板３の上面（紙面手前側の面。通常は最も広い面（主面）。）に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電基板３の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電基板３の上面に直交するように定義されている。
　ＳＡＷ共振子１は、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子を構成しており、例えば、模式的に示す第１端子３１Ａおよび第２端子３１Ｂの一方から所定の周波数の電気信号が入力されると共振を生じ、その共振を生じた信号を第１端子３１Ａおよび第２端子３１Ｂの他方から出力する。
　このようなＳＡＷ共振子１は、例えば、基板６００（この例では圧電基板３）と、圧電基板３上に設けられた共振子電極部５とを有している。共振子電極部５は、ＩＤＴ電極７と、ＩＤＴ電極７の両側に位置する１対の反射器９とを有している。
　圧電基板３は、例えば、圧電性を有する単結晶からなる。単結晶は、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）単結晶またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶である。カット角は、利用するＳＡＷの種類等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、圧電基板３は、回転ＹカットＸ伝搬のものである。すなわち、Ｘ軸は圧電基板３の上面（Ｄ１軸）に平行であり、Ｙ軸は、圧電基板３の上面の法線に対して所定の角度で傾斜している。なお、基板６００は、後述の図５（ａ）に示すように圧電基板３のみで構成してもよいし、後述の図５（ｃ）に示すように、比較的薄く形成された圧電基板３と、その裏面（Ｄ３軸負側の面）に貼り合わされた無機材料または有機材料からなる支持基板４とで構成してもよい。
　ＩＤＴ電極７および反射器９は、圧電基板３上に設けられた層状導体によって構成されている。ＩＤＴ電極７および反射器９は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、金属である。金属は、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）である。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ－Ｃｕ合金である。層状導体は、複数の金属層から構成されてもよい。層状導体の厚さは、ＳＡＷ共振子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ～６００ｎｍである。
　ＩＤＴ電極７は、第１櫛歯電極１１Ａ（視認性をよくする便宜上ハッチングを付す）および第２櫛歯電極１１Ｂを有している。各櫛歯電極１１は、バスバー１３と、バスバー１３から互いに並列に延びる複数の電極指１５と、複数の電極指１５の間にてバスバー１３から突出する複数のダミー電極１７とを有している。１対の櫛歯電極１１は、複数の電極指１５が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。すなわち、１対の櫛歯電極１１の２本のバスバー１３は互いに対向して配置され、第１櫛歯電極１１Ａの電極指１５と第２櫛歯電極１１Ｂの電極指１５とはその幅方向に基本的に交互に配列されている。また、一方の櫛歯電極１１の複数のダミー電極は、その先端が他方の櫛歯電極１１の電極指１５の先端と対向している。
　バスバー１３は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。そして、一対のバスバー１３は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）において互いに対向している。なお、バスバー１３は、幅が変化していたり、ＳＡＷの伝搬方向に対して傾斜していたりしてもよい。
　各電極指１５は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。複数の電極指１５は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に配列されており、また、互いに同等の長さである。なお、ＩＤＴ電極７は、複数の電極指１５の長さ（別の観点では交差幅）が伝搬方向の位置に応じて変化する、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。
　電極指１５の本数は、ＳＡＷ共振子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。なお、図１等は模式図であることから、電極指１５の本数は少なく示されている。実際には、図示よりも多く（例えば１００本以上）の電極指１５が配列されてよい。後述する反射器９のストリップ電極２１についても同様である。
　複数の電極指１５のピッチｐ（電極指ピッチ）は、例えば、ＩＤＴ電極７全体に亘って概ね一定とされている。なお、ピッチｐは、例えば、互いに隣り合う２本の電極指１５（または後述するストリップ電極２１）の中心間距離である。ピッチｐは、基本的に、圧電基板３上を伝搬するＳＡＷのうち共振させたい周波数と同等の周波数を有するＳＡＷの波長λの半分（ｐ＝λ／２）とされている。
　複数のダミー電極１７は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に突出する長尺状に形成されている。その先端と複数の電極指１５の先端とのギャップは、例えば、複数のダミー電極１７間で同等である。複数のダミー電極１７の幅、本数およびピッチは、複数の電極指１５と同等である。なお、ダミー電極１７の幅は電極指１５と異なっていてもよい。ＩＤＴ電極７は、ダミー電極１７を有さないものであってもよい。以下の説明では、ダミー電極１７の説明および図示を省略することがある。
　反射器９は、例えば、格子状に形成されている。すなわち、反射器９は、互いに対向する１対のバスバー１９と、１対のバスバー１９間において延びる複数のストリップ電極２１とを有している。
　バスバー１９およびストリップ電極２１の形状は、ストリップ電極２１の両端が１対のバスバー１９に接続されていることを除いては、ＩＤＴ電極７のバスバー１３および電極指１５と同様とされてよい。
　例えば、バスバー１９は、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。各ストリップ電極２１は、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。また、複数のストリップ電極２１は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に配列されており、また、互いに同等の長さである。複数のストリップ電極２１の幅およびピッチは、例えば、複数の電極指１５の幅およびピッチと同等である。
　複数のストリップ電極２１の本数は、例えば、利用を意図しているモードのＳＡＷの反射率が概ね１００％以上となるように設定されている。その理論的な必要最小限の本数は、例えば、数本～１０本程度であり、通常は、余裕を見て２０本以上または３０本以上とされている。
　１対の反射器９は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向においてＩＤＴ電極７の両側に隣接している。従って、複数のストリップ電極２１は、複数の電極指１５の配列に続いて配列されている。反射器９とＩＤＴ電極７との間で互いに隣接するストリップ電極２１と電極指１５とのピッチは、例えば、複数の電極指１５のピッチと同等である。
　なお、圧電基板３の上面は、ＩＤＴ電極７および反射器９の上から、ＳｉＯ２等からなる保護膜２３（図６（ａ））によって覆われていてもよい。また、保護膜２３が設けられる場合等において、ＩＤＴ電極７および反射器９の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。
　１対の櫛歯電極１１に電圧が印加されると、電極指１５によって圧電基板３に電圧が印加され、圧電基板３の上面付近において上面に沿ってＤ１軸方向に伝搬する所定のモードのＳＡＷが励起される。励起されたＳＡＷは、電極指１５によって機械的に反射される。その結果、電極指１５のピッチを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指１５によって取り出される。このようにしてＳＡＷ共振子１は共振子として機能する。その共振周波数は、電極指ピッチを半波長として圧電基板３上を伝搬するＳＡＷの周波数と概ね同一の周波数である。
　ＩＤＴ電極７において励起されたＳＡＷは、反射器９のストリップ電極２１によって機械的に反射される。また、互いに隣接するストリップ電極２１がバスバー１９によって互いに接続されていることから、ＩＤＴ電極７からのＳＡＷは、電気的にもストリップ電極２１によって反射される。これにより、ＳＡＷの発散が抑制され、ＩＤＴ電極７における定在波が強く立ち、ＳＡＷ共振子１の共振子としての機能が向上する。
　なお、ＳＡＷ共振子１（または後述する付加共振子５７）について接続という場合、特に断りがない限りは、第１端子３１Ａおよび第２端子３１Ｂによって模式的に示されているように、１対の櫛歯電極１１に電圧が印加されるような態様での接続をいうものとする。
　ＩＤＴ電極７は、特性の向上または微調整のために、その一部（例えば電極指ピッチの総数の５０％未満、より好ましくは５％未満）に、大部分の電極指ピッチとは異なる大きさの電極指ピッチが設定されることがある。例えば、ＩＤＴ電極７は、ＳＡＷの伝搬方向の両側に、他の大部分よりも電極指ピッチが小さい狭ピッチ部が設けられることがある。また、例えば、交互に配列されている１対の櫛歯電極１１の電極指１５を１～数十本程度（例えば３本）無くす、またはこれと実質的に等価な電極指１５の幅または配列の変更を行う、いわゆる間引きが行われることがある。本開示において単にピッチという場合、このような特異な部分のピッチは除くものとする。また、ピッチがＩＤＴ電極７全体に亘って微小範囲内で変動するような場合においては、その平均値を用いてよい。
（ＳＡＷフィルタの構成）
　図２は、ＳＡＷ共振子１を含むＳＡＷフィルタ５１の構成を模式的に示す平面図である。この図では、紙面左上側に示されたＩＤＴ電極７および反射器９の符号から理解されるように、これらの導体を図１よりも更に模式的に示している。
　ＳＡＷフィルタ５１は、例えば、無線通信において、送信すべき信号をフィルタリングするフィルタとして構成されている。ＳＡＷフィルタ５１は、既述の圧電基板３を有しているとともに、当該圧電基板３上に、送信端子５３Ｔ、アンテナ端子５３ＡおよびＧＮＤ端子５３Ｇ－１～５３Ｇ－３、送信フィルタ５５、付加共振子５７および配線５９を有している。
　なお、以下では、ＧＮＤ端子５３Ｇ－１～５３Ｇ－３を区別せずに、単に「ＧＮＤ端子５３Ｇ」ということがある。また、送信端子５３Ｔ、アンテナ端子５３ＡおよびＧＮＤ端子５３Ｇを区別せずに、単に「端子５３」ということがある。
　送信端子５３Ｔは、例えば、送信信号を生成する回路に接続される端子である。アンテナ端子５３Ａは、アンテナに接続される端子である。ＧＮＤ端子５３Ｇは、基準電位が付与される（接地される）端子である。送信フィルタ５５は、送信端子５３Ｔに入力された信号をフィルタリングしてアンテナ端子５３Ａに出力する。この際、不要成分（通過帯域外の信号）は、ＧＮＤ端子５３Ｇへ流される。付加共振子５７は、例えば、送信フィルタ５５を熱から保護することに寄与する。
　端子５３と配線５９の一部とは、基本的に基板６００上に位置していればよい。この例では、端子５３および配線５９は、圧電基板３の上面に位置する層状導体からなる。これらの具体的な数、形状、大きさおよび位置は適宜に設定されてよい。端子５３および配線５９は、例えば、互いに同一の導体層によって構成されている（互いに同一の材料および厚さである。）。ただし、端子５３の位置においては、端子５３および配線５９に共通の導体層上に、他の材料からなる導体層が形成されていてもよい。もちろん、端子５３および配線５９は、互いに異なる材料から構成されていてもよい。
　なお、端子５３は、それ自体の構成（形状または材料等）によって配線５９と区別可能である必要はなく、配線５９の一部のようになっていてよい。例えば、端子５３の位置または範囲は、配線５９を覆い、端子５３を覆わない絶縁層（例えば保護膜２３）によって特定されたり、圧電基板３がパッケージングされたときに端子５３に当接する部材（例えばバンプ）によって特定されてもよい。
（送信フィルタの構成）
　送信フィルタ５５は、いわゆるラダー型のＳＡＷフィルタによって構成されている。すなわち、送信フィルタ５５は、直列腕６１および１以上の並列腕６３（図示の例では第１並列腕６３Ａ～第３並列腕６３Ｃ）を有している。直列腕６１は、送信端子５３Ｔとアンテナ端子５３Ａとを接続しており、通過帯域の信号の伝送に寄与している。並列腕６３は、直列腕６１とＧＮＤ端子５３Ｇとを接続しており、通過帯域外の信号をＧＮＤ端子５３Ｇへ流すことに寄与している。なお、本実施形態の説明では、基本的に、並列腕６３の数が複数である場合を例にとる。
　直列腕６１は、送信端子５３Ｔとアンテナ端子５３Ａとの間において直列に接続された複数の直列共振子６５（図示の例では第１直列共振子６５Ａ～第４直列共振子６５Ｄ）を含んでいる。なお、直列共振子６５の数は、１つとすることも可能である。各並列腕６３は、いずれかの直列共振子６５の入力側（ここでは送信端子５３Ｔ側）または出力側（ここではアンテナ端子５３Ａ側）とＧＮＤ端子５３Ｇとを接続する並列共振子６７（図示の例では第１並列共振子６７Ａ～第３並列共振子６７Ｃ）を有している。複数の並列腕６３（並列共振子６７）は、直列腕６１に対して電気的に互いに異なる位置（直列共振子６５に対する相対関係が互いに異なる位置）に接続されている。
　なお、上記のような、２つの入力または出力用の端子（５３Ｔおよび５３Ａ）を直列腕６１（別の観点では１以上の直列共振子６５）によって接続し、直列腕６１とＧＮＤ端子５３Ｇとを１以上の並列腕６３（別の観点では１以上の並列共振子６７）によって接続する態様の接続はラダー型接続といわれている。
　本実施形態では、送信フィルタ５５において初段（最も入力側（送信端子５３Ｔ側））の共振子は直列共振子６５（第１直列共振子６５Ａ）となっている。すなわち、第１直列共振子６５Ａ（別の観点では全ての直列共振子６５）に対して送信端子５３Ｔ側に接続されている並列共振子６７は設けられていない。なお、図示とは異なり、第１直列共振子６５Ａの送信端子５３Ｔ側に接続されている並列共振子６７が設けられている場合、初段の共振子は並列共振子６７であるということになる。最も後段（アンテナ端子５３Ａ側）の共振子は、直列共振子６５であってもよいし（図示の例）、並列共振子６７であってもよい。
　なお、ＳＡＷフィルタ５１において、入出力に供される２つの端子（５３Ｔおよび５３Ａ）のうち、いずれが送信端子５３Ｔまたはアンテナ端子５３Ａであるか（別の観点では通過させるべき信号が伝達される方向）は、例えば、ＳＡＷフィルタ５１の仕様書などから特定可能である。また、仕様書において送信端子およびアンテナ端子が指定されていることからも明らかなように、通常、送信フィルタ５５は、送信端子５３Ｔおよびアンテナ端子５３Ａを逆にすると特性が低下する。すなわち、送信端子５３Ｔおよびアンテナ端子５３Ａは、送信フィルタ５５の具体的な構成（設計値など）から区別可能である。
　直列共振子６５および並列共振子６７それぞれは、例えば、図１を参照して説明したＳＡＷ共振子１により構成されている。ただし、電極指１５の本数、電極指１５の長さおよび／またはピッチｐ等の具体的な値は、各共振子に要求される特性に応じて設定されている。
　直列共振子６５および並列共振子６７それぞれは、１つのＳＡＷ共振子１によって構成されてもよいし、複数のＳＡＷ共振子１によって構成されていてもよい。図示の例では、第３並列共振子６７Ｃは、１つのＳＡＷ共振子１によって構成されており、それ以外の共振子は、複数のＳＡＷ共振子１（６９）によって構成されている。
　なお、第３並列共振子６７Ｃ以外の共振子は、１つのＳＡＷ共振子１が複数のＳＡＷ共振子１に分割されて構成されていると捉えられてもよい。以下では、１つの直列共振子６５または１つの並列共振子６７が複数のＳＡＷ共振子１によって構成される場合、このＳＡＷ共振子１を分割共振子６９というものとする。
　直列共振子６５または並列共振子６７それぞれにおいて、複数の分割共振子６９は、互いに直列に接続されている。接続は、配線５９によってなされていてもよいし、バスバー１３が共通化されることによってなされていてもよい。直列共振子６５または並列共振子６７それぞれにおいて、複数の分割共振子６９は、例えば、概略、互いに同一の構成とされている。ただし、複数の分割共振子６９は、互いに異なる構成とされていてもよい。
　このように、１つの直列共振子６５または１つの並列共振子６７を分割することによって、例えば、１つのＳＡＷ共振子１（各分割共振子６９）に印加される電圧を下げ、１つの直列共振子６５全体または１つの並列共振子６７全体における耐電力性を向上させることができる。
　なお、直列腕６１内で、直列に接続されている複数のＳＡＷ共振子１がある場合において、各ＳＡＷ共振子１が、分割共振子６９であるのか、単体で直列共振子６５を構成するものであるのかは、例えば、並列腕６３との接続位置を基準に特定してよい。例えば、互いに直列に接続されている２つのＳＡＷ共振子１間に並列腕６３が接続されていなければ、その２つのＳＡＷ共振子１は、共に１つの直列共振子６５を構成する分割共振子６９である。
　直列共振子６５の分割数は、例えば、複数の直列共振子６５間で互いに異なっている。初段の共振子である第１直列共振子６５Ａは、例えば、最も分割数の多い直列共振子６５の一つとなっている。より具体的には、例えば、直列共振子６５の分割数は、送信端子５３Ｔ側ほど多くなっている。また、例えば、第１直列共振子６５Ａは他のいずれの直列共振子６５よりも分割数が多い。ただし、分割数は、複数の直列共振子６５間で互いに同一であってもよいし、分割数が複数の直列共振子６５間で互いに異なる場合において、第１直列共振子６５Ａの分割数以上の分割数の直列共振子６５が存在してもよい。
　なお、特に図示しないが、直列共振子６５または並列共振子６７に並列に接続されるキャパシタ、または並列共振子６７とＧＮＤ端子５３Ｇとの間に直列に接続されるインダクタ（図１０参照）等が設けられてもよい。そして、このようなキャパシタおよび／またはインダクタと、ＳＡＷ共振子１（直列共振子６５または並列共振子６７）との組み合わせ全体が、直列共振子または並列共振子と捉えられてもよい。
　図２では、説明の便宜上、複数の直列共振子６５および複数の並列共振子６７は整然と並べられている。ただし、実際には、このように整然と並べられていなくてもよい。また、図２では、配線５９は、バスバー１３（図１参照）に対して、そのＤ１軸方向の一部のみに接続されている。ただし、配線５９は、直列共振子６５または並列共振子６７のバスバー１３に対して、そのＤ１軸方向の概ね全体に亘って接続されていてもよい。別の観点では、配線５９とバスバー１３との境界は明確でなくてもよい。
（付加共振子の構成）
　付加共振子５７は、送信フィルタ５５（別の観点では初段の共振子である第１直列共振子６５Ａ）よりも前段（入力側）において送信端子５３Ｔに接続されているとともに、ＧＮＤ端子５３Ｇ－１に接続されている。従って、例えば、送信端子５３ＴからＧＮＤ端子５３Ｇ－１へ放熱経路が形成され、送信フィルタ５５が熱から保護される。なお、付加共振子５７は、その接続関係のみを見れば、ラダー型フィルタ（送信フィルタ５５）の並列共振子６７に見えるが、後述するように、並列共振子６７とは共振周波数および***振周波数が異なり、ラダー型フィルタを構成していない。
　付加共振子５７は、電気的に送信フィルタ５５よりも前段において送信端子５３Ｔに接続されていればよく、圧電基板３の平面視における接続位置（構造的な観点の接続位置）は適宜に設定されてよい。例えば、付加共振子５７から延びているように見える配線５９が設けられている場合、当該配線５９は、送信フィルタ５５と送信端子５３Ｔとを結ぶ配線５９、第１直列共振子６５Ａの前段側のバスバー１３、および送信端子５３Ｔのいずれに接続されてもよい。
　付加共振子５７は、例えば、図２において模式的に示されているように、ＩＤＴ電極７によって構成されている。換言すれば、付加共振子５７は、ＳＡＷ共振子１から１対の反射器９を無くした構成である。１対の反射器９が設けられていないことから、付加共振子５７においては、例えば、共振子としての機能は低下しており、その結果、相対的に容量素子としての意義が大きくなっている。ただし、付加共振子５７は、１対の反射器９を有していてもよい。また、付加共振子５７からのＳＡＷの漏れを低減するように、ベタ状の導体を付加共振子５７のＳＡＷの伝搬方向の両側に配置するなどしてもよい。また、付加共振子５７は、ＩＤＴ電極７からダミー電極１７を無くした構成としてもよい。
　付加共振子５７（そのＩＤＴ電極７）、送信端子５３ＴおよびＧＮＤ端子５３Ｇ－１の圧電基板３上における相対位置、ならびにこれらを接続する配線の形状は適宜に設定されてよい。
　例えば、送信端子５３ＴおよびＧＮＤ端子５３Ｇ－１は、付加共振子５７に対してＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）の両側に位置し、ＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）において付加共振子５７の配置範囲に収まっている。また、例えば、送信端子５３ＴおよびＧＮＤ端子５３Ｇ－１は、Ｄ１軸方向の位置が概ね互いに同等である（Ｄ１軸方向において配置範囲が互いに重なっている。）。送信端子５３Ｔおよび／またはＧＮＤ端子５３Ｇ－１と付加共振子５７との最短距離は、例えば、付加共振子５７の電極指１５の長さ未満である。なお、配線５９とバスバー１３との境界が明確でない場合は、上記の最短距離は、バスバー１３の電極指１５側（ＩＤＴ電極７の内側）の縁部を基準としてよい。上記のような構成の少なくともいずれか１つにより、例えば、送信端子５３ＴからＧＮＤ端子５３Ｇ－１への放熱経路が短くなる。
　また、例えば、送信端子５３Ｔと付加共振子５７とを接続する配線５９は、その幅（Ｄ１軸方向）が比較的広くされている。例えば、当該幅は、送信端子５３Ｔの直径以上とされ、さらには、付加共振子５７のバスバー１３の長さと同等とされている。ＧＮＤ端子５３Ｇ－１と付加共振子５７とを接続する配線５９の幅（Ｄ１軸方向）も同様とされてよい。すなわち、当該幅は、ＧＮＤ端子５３Ｇ－１の直径以上とされてもよいし、さらには、付加共振子５７のバスバー１３の長さと同等とされていてもよい。
　付加共振子５７と接続されるＧＮＤ端子５３Ｇ－１は、例えば、１以上の並列共振子６７のいずれかを介して直列腕６１（別の観点では送信端子５３Ｔおよびアンテナ端子５３Ａ）と接続されているＧＮＤ端子５３Ｇ（図示の例では５３Ｇ－２）ではない。また、ＧＮＤ端子５３Ｇ－１は、そのような並列共振子６７を介して直列腕６１と接続されているＧＮＤ端子５３Ｇ－２と短絡されていない（電気的に分離されている）。すなわち、ＧＮＤ端子５３Ｇ－１は、ＧＮＤ端子５３Ｇ－２とＳＡＷ共振子１等の電子素子を介しては接続されているものの、他のＧＮＤ端子５３Ｇと配線５９のみを介した接続はなされていない。
　なお、短絡（意図しないものは除く）は、例えば、配線５９による接続のように、基本的に接続を目的とした導体によって接続されることを言い、別の観点では、電子素子（抵抗体、キャパシタまたはインダクタ等）を介さない接続をいう。配線５９等の接続を目的とした導体も、厳密には、抵抗値、キャパシタンスおよびインダクタンスを有するが、ここでは考慮しない。
　圧電基板３は、後述するように、パッケージングされたり、他の回路基板と接続されたりする。ＧＮＤ端子５３Ｇ－１は、例えば、パッケージまたは他の回路基板によってもＧＮＤ端子５３Ｇ－２と短絡されていない。
　ただし、ＧＮＤ端子５３Ｇ－１は、ＧＮＤ端子５３Ｇ－２のように並列共振子６７を介して直列腕６１と接続されていてもよいし、配線５９、パッケージおよび／または回路基板を介してＧＮＤ端子５３Ｇ－２と短絡されていてもよい。
　端子５３、配線５９、直列共振子６５の電極、並列共振子６７の電極および付加共振子５７の電極は、例えば、互いに同一の導体層によって構成されている（互いに同一の材料および厚さである。）。ただし、これらは互いに異なる材料によって構成されていてもよいし、これらのうちの一部のみ、これらに共通の導体層の上に他の導体層が形成されていてもよい。
　特に図示しないが、圧電基板３上には、上記以外の構成が設けられていてもよい。例えば、アンテナ端子５３Ａと送信フィルタ５５との間にローパスフィルタが設けられていてもよい。
（共振子の周波数特性）
　図３は、送信フィルタ５５および付加共振子５７の周波数特性を示す図である。
　この図において、横軸は、周波数ｆ（Ｈｚ）を示し、縦軸は、インピーダンスの絶対値｜Ｚ｜（Ω）または減衰量Ａ（ｄＢ）を示している。線Ｌ１は直列共振子６５のインピーダンスを示している。線Ｌ２は並列共振子６７のインピーダンスを示している。線Ｌ３は、送信フィルタ５５の減衰量を示している。線Ｌ４または線Ｌ５は、付加共振子５７のインピーダンスを示している。
　ＳＡＷ共振子１（直列共振子６５、並列共振子６７）に係るインピーダンスの周波数特性においては、インピーダンスが極小値となる共振点と、インピーダンスが極大値となる***振点が現れる。共振点および***振点が現れる周波数を共振周波数（ｆｓｒ、ｆｐｒ）および***振周波数（ｆｓａ、ｆｐａ）とする。ＳＡＷ共振子１において、***振周波数は共振周波数よりも高い。
　直列共振子６５および並列共振子６７は、直列共振子６５（線Ｌ１）の共振周波数ｆｓｒと並列共振子６７（線Ｌ２）の***振周波数ｆｓａとが概ね一致するように共振周波数および***振周波数が設定される。これにより、送信フィルタ５５（線Ｌ３）は、並列共振子６７の共振周波数ｆｐｒから直列共振子６５の***振周波数ｆｓａまでの周波数範囲（減衰域ＡＢ）よりも若干狭い範囲を通過帯域ＰＢとするフィルタとして機能する。
　従って、直列共振子６５の共振周波数ｆｓｒは、送信フィルタ５５の通過帯域ＰＢ内に位置している。また、並列共振子６７の***振周波数ｆｐａは、送信フィルタ５５の通過帯域ＰＢ内に位置している。
　通過帯域ＰＢの具体的な周波数は任意である。例えば、通過帯域ＰＢは、２．７ＧＨｚ以下に位置している。このような周波数帯を利用するシステムとしては、例えば、携帯電話システムおよびデジタルテレビ放送システムを挙げることができる。もちろん、通過帯域ＰＢは、２．７ＧＨｚよりも高くてもよいし、２．７ＧＨｚに跨っていてもよい。
　付加共振子５７（線Ｌ４または線Ｌ５）は、ＩＤＴ電極７によって構成されているから、ＳＡＷ共振子１と同様に、共振周波数ｆｃｒおよび***振周波数ｆｃａを有している。しかし、その共振周波数ｆｃｒおよび***振周波数ｆｃａは、いずれも通過帯域ＰＢの外側に位置している。別の観点では、付加共振子５７は、接続関係は並列共振子６７と同様であるものの、直列共振子６５および他の並列共振子６７の周波数特性との関係において、ラダー型フィルタ（送信フィルタ５５）を構成し得る周波数特性を有していない。
　なお、付加共振子５７のインピーダンスの周波数特性においては、実際には、複数の極小値および複数の極大値が現れる。ここでいう共振周波数ｆｃｒは、理論上、λ＝２ｐのＳＡＷの周波数となる周波数である。また、***振周波数ｆｃａは、理論上、付加共振子５７の等価回路において、直列共振回路のキャパシタンスをＣ１とし、並列共振回路のキャパシタンスをＣ０としたときに、ｆｃｒ×√（１＋（Ｃ１／Ｃ０））となる周波数である。
　また、共振周波数ｆｃｒまたは***振周波数ｆｃａが通過帯域ＰＢ内に位置するか否かを判定するに際して、通過帯域ＰＢは適宜に特定されてよい。例えば、通過帯域ＰＢは、設計値に基づく計算（理論計算またはシミュレーション計算）によって特定されてもよいし、実際の製品に対する評価試験によって特定されてもよいし、実際の製品の仕様書等に基づいて特定されてもよい。
　図３では、付加共振子５７の周波数特性は、直列共振子６５および並列共振子６７の周波数特性を横軸に沿ってシフトした波形で示されている。ただし、付加共振子５７は、送信フィルタ５５を構成するものではないから、付加共振子５７の周波数特性を示す波形は、直列共振子６５および並列共振子６７の周波数特性を示す波形とは全く異なるものであってよい。例えば、付加共振子５７の、共振周波数におけるインピーダンス、***振周波数におけるインピーダンス、共振周波数と***振周波数との周波数差（Δｆ）、および／または、これらを規定する各種の条件（電極指ピッチ、デューティー比（電極指ピッチに対する電極指１５の幅の比）、電極指１５の長さおよび／または静電容量等）は、直列共振子６５および並列共振子６７のものと異なっていてよい。
　例えば、付加共振子５７の静電容量は、並列共振子６７のいずれの静電容量とも異なる。例えば、前者は、後者よりも大きい。この場合、例えば、付加共振子５７は、並列共振子６７に比較して、電極指１５が長くされたり、電極指１５の本数が多くされたり、および／または電極指ピッチが小さくされたりすることによって、静電容量が相対的に大きくされる。なお、付加共振子５７と並列共振子６７との間で電極指ピッチを比較する場合、既に言及したように、一部の特異部分（狭ピッチ部または間引き部）は無視してよいし、電極指ピッチが全体として変化する場合は平均値で比較してよい。
　また、図３では、付加共振子５７の共振周波数ｆｃｒおよび***振周波数ｆｃａは、通過帯域ＰＢに比較的近い位置に示されている。ただし、共振周波数ｆｃｒおよび***振周波数ｆｃａは、図示よりも通過帯域ＰＢから離れていてよい。例えば、共振周波数ｆｃｒおよび***振周波数ｆｃａは、減衰域ＡＢの外側に位置していてもよい。なお、減衰域ＡＢも通過帯域ＰＢと同様に適宜に特定されてよい。また、例えば、共振周波数ｆｃｒおよび***振周波数ｆｃａは、通過帯域ＰＢに対して、通過帯域ＰＢの幅以上の周波数差で離れていてもよい。
（パッケージされたＳＡＷフィルタ）
　ＳＡＷフィルタ５１は、例えば、そのまま（ベアチップのまま）、電子機器に組み込まれるなどして利用されてよい。ただし、ＳＡＷフィルタ５１は、パッケージされてもよい。以下では、パッケージの例を示す。
（パッケージの例１）
　図４は、ＳＡＷフィルタ５１をパッケージングして構成したＳＡＷフィルタ２０１を示す断面図である。
　ＳＡＷフィルタ２０１において、ＳＡＷフィルタ５１の圧電基板３は、隙間を介して対向基板２０３に対向配置されている。また、端子５３と、対向基板２０３のパッド２０５とがその間に介在するバンプ２０７によって接合されている。これにより、送信フィルタ５５上には、ＳＡＷの伝搬（圧電基板３の振動）を容易化する振動空間Ｓが構成されている。振動空間Ｓは、対向基板２０３上においてＳＡＷフィルタ５１の周囲に配置された樹脂などからなる封止部２０９によって封止されている。
　対向基板２０３の、ＳＡＷフィルタ５１が実装される面とは反対側の面には、ＳＡＷフィルタ２０１を回路基板等にバンプによって実装するための外部端子２１１が設けられている。パッド２０５と外部端子２１１とは、対向基板２０３の配線導体（符号省略）によって電気的に接続されている。当該配線導体は、例えば、対向基板２０３（その絶縁基板）の内部または表面において対向基板２０３に沿って形成された層状の導体パターン２１３、および対向基板２０３をその厚み方向に貫通する貫通導体２１５によって構成されている。
　ＳＡＷフィルタ２０１においては、ＳＡＷフィルタ５１以外の電子素子が設けられてもよい。例えば、導体パターン２１３は、適宜な平面形状とされることによって、キャパシタまたはインダクタ等の電子素子を構成していてもよい。また、例えば、対向基板２０３には、ＳＡＷフィルタ５１以外の電子素子（例えば電子部品２１７）が実装されていてもよい。電子部品２１７は、例えば、チップ型の部品であり、また、例えば、キャパシタ、インダクタまたはＩＣ（Integrated Circuit）である。
　なお、図示の例とは異なり、ＳＡＷフィルタ５１以外の電子部品２１７を対向基板２０３に実装しないようにし、圧電基板３の広さに対して対向基板２０３の広さを極力小さくするようにしてもよい。別の観点では、ＳＡＷフィルタ２０１は、チップサイズパッケージ型の部品とされてもよい。
　ＳＡＷフィルタ５１の端子５３と外部端子２１１とは、例えば、対向基板２０３の配線導体によって直接的に接続されている（短絡されている。）。ただし、導体パターン２１３により電子素子が構成されたり、ＳＡＷフィルタ５１以外の電子素子（電子部品２１７）が対向基板２０３に実装されたりしている場合においては、そのような電子素子が端子５３と外部端子２１１との間に介在していてもよい。
　なお、ＳＡＷフィルタ５１の付加共振子５７に接続されるＧＮＤ端子５３Ｇは、その他のＧＮＤ端子５３Ｇと対向基板２０３内においても短絡することなく外部端子２１１に導出させてもよい。
（パッケージの例２）
　図５（ａ）は、ＳＡＷフィルタ５１をパッケージングして構成したＳＡＷフィルタ３０１を示す断面図である。
　ＳＡＷフィルタ３０１においては、ＳＡＷフィルタ５１の圧電基板３上にカバー３０３が設けられている。カバー３０３は、圧電基板３上において少なくとも送信フィルタ５５を囲む枠部３０５と、枠部３０５上に位置して枠部３０５の開口を塞ぐ蓋部３０７とを有している。これにより、送信フィルタ５５上には、ＳＡＷの伝搬（圧電基板３の振動）を容易化する振動空間Ｓが構成されている。なお、平面視において、付加共振子５７は、枠部３０５内に位置していてもよいし、枠部３０５に重なっていてもよい（後述）。
　端子５３上には、カバー３０３を貫通する柱状端子３０９が設けられている。柱状端子３０９の上面側部分は、ＳＡＷフィルタ３０１を回路基板等にバンプによって実装するためのランド３１０となっている。なお、柱状端子３０９が設けられずに、端子５３上においてカバー３０３を貫通する貫通孔が設けられてもよい。この場合、例えば、端子５３と回路基板等とがバンプによって接合される。
　図５（ｂ）は、ＳＡＷフィルタ３０１の上面図である。この図では、ランド３１０に対応する端子５３の符号もランド３１０に付している。
　図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、カバー３０３の上面には、平面視において振動空間Ｓの少なくとも一部に重なる補強層３１１（３１１Ａおよび３１１Ｂ）を有している。補強層３１１は、例えば、金属などのカバー３０３よりも剛性が高い導体から構成されている。補強層３１１は、例えば、蓋部３０７の振動空間Ｓ側への撓みを抑制することに寄与している。
　補強層３１１は、ランド３１０と接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。別の観点では、ＳＡＷフィルタ５１の端子５３と電気的に接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。図５（ｂ）の例では、補強層３１１は、ＧＮＤ端子５３Ｇに対応するランド３１０に接続されている。
　補強層３１１Ａおよび補強層３１１Ｂは互いに分離されている。補強層３１１Ａは、ＧＮＤ端子５３Ｇ－２および５３Ｇ－３に接続されている。補強層３１１Ｂは、ＧＮＤ端子５３Ｇ－１に接続されている。従って、付加共振子５７と接続されているＧＮＤ端子５３Ｇ－１は、ＳＡＷフィルタ３０１全体においても、並列共振子６７および並列共振子６７と接続されているＧＮＤ端子５３Ｇ－２と電気的に分離されている。なお、補強層３１１Ａと補強層３１１Ｂとが分離されず、ＧＮＤ端子５３Ｇ－１とＧＮＤ端子５３Ｇ－２とが短絡されていてもよい。
　別の観点では、ＳＡＷフィルタ３０１は、ＧＮＤ端子５３Ｇ－１と短絡されている比較的広い導体層（補強層３１１Ｂ）を有している。この導体層は、例えば、ＧＮＤ端子５３Ｇ－１の放熱に寄与し得る。補強層３１１Ｂの広さは、例えば、付加共振子５７のＩＤＴ電極７よりも広い。なお、バスバー１３の外側の縁部と配線５９との境界とは明確でないことがあり、また、バスバー１３の大きさは理論上は任意である。従って、補強層３１１Ｂの面積と比較されるＩＤＴ電極７の面積としては、複数の電極指１５の配置領域（１対のバスバー１３間の領域）の面積を用いてよい。
　図５（ｃ）は、ＳＡＷフィルタ３０１のパッケージの変形例を説明するための断面図である。
　この図に示すように、カバー３０３内（例えば枠部３０５と蓋部３０７との間）には圧電基板３に平行な層状の導体パターン３１３が設けられてもよい。導体パターン３１３は、適宜な平面形状とされることによって、インダクタまたはキャパシタ等の電子素子を構成していてもよい。導体パターン３１３により電子素子が構成されている場合においては、当該電子素子が端子５３とランド３１０との間に介在していてもよい。図示の例では、端子５３上に位置し、枠部３０５を貫通する貫通導体３１５と、蓋部３０７を貫通してランド３１０に接続されている貫通導体３１７との間に導体パターン３１３が介在している。
　なお、放熱効率を考慮すると、付加共振子５７に接続されるＧＮＤ端子５３Ｇは、広い面積の導体パターンに電気的に接続されるまでの経路はなるべく短くしてもよい。例えば、貫通導体３０９，３１５のみで層状の広面積の導体パターンに接続してもよい。また、並列共振子６７が接続されるＧＮＤ端子５３Ｇ、カバー３０３内においてインダクタ等を経てランド３１０まで導出されるようにし、付加共振子５７に接続されるＧＮＤ端子５３Ｇは、カバー３０３内において面内を迂回するような線幅の細い導体パターンを経ずにランド３１０まで導出されていてもよい。
（貼り合わせ基板）
　既述のように、また、図５（ｃ）に示すように、基板６００は、圧電基板３単体に限定されず、圧電基板３の下面に支持基板４が貼り合わされたものであってもよい。
　支持基板４は、圧電基板３を支える強度を備える材料からなる。例えば、支持基板４は、圧電基板３の材料よりも線膨張係数（いずれかに異方性がある場合は、例えば、Ｄ１軸方向における線膨張係数）が小さい材料によって形成されている。このような材料としては、例えば、シリコン等の半導体、サファイア等の単結晶および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板４は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。また、支持基板４と圧電基板３との間には中間層（接着層）が介在してもよい。中間層は複数の層が積層された積層体であってもよい。
　支持基板４の形状は、例えば、概略、薄型の直方体状であり、また、平面視において例えば、圧電基板３に一致する形状および寸法である。支持基板４の厚みは、例えば、一定であり、また、圧電基板３の厚みよりも厚い。支持基板４の厚さの具体的な値は適宜に設定されてよい。一例として、圧電基板３の厚さが１０μｍ以上３０μｍ以下であるのに対して、支持基板４の厚さは１００μｍ以上３００μｍ以下である。また、例えば、支持基板４の厚さは、圧電基板３の厚さの５倍以上２０倍以下である。
　圧電基板３および支持基板４は、例えば、不図示の接着層を介して互いに貼り合わされている。接着層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ２が挙げられる。また、圧電基板３および支持基板４は、接着面をプラズマなどで活性化処理した後に接着層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていてもよい。
　支持基板４を設けることによって、例えば、圧電基板３の熱膨張に起因するＳＡＷ共振子１の周波数特性の変化を補償することができる。
　なお、本開示では、図５（ｃ）の例においてのみ支持基板４を図示しているが、他の例において支持基板４が設けられてもよいし、逆に、図５（ｃ）の例において、支持基板４が貼り合わされない圧電基板３が用いられてもよい。
　また、支持基板４の形状は、平面視で、圧電基板３よりも大きくしてもよい。すなわち。支持基板４の外周よりも内側に圧電基板３が位置していてもよい。言い換えると、支持基板４の上面は、圧電基板３に覆われない露出部を備えていてもよい。そして、このような露出部において、端子５３および配線５９の一部が位置してもよい。この場合には、端子５３が、圧電基板３よりも熱伝導率のよい支持基板４の側に放熱することができるので、さらに耐電力性を高めることができる。この場合に、図５（ａ）に示すようなカバー３０３は、圧電基板３上ではなく、支持基板４の露出部に接合されていてもよい。
　なお、支持基板４と圧電基板３との間に中間層（接合層）が介在する場合には、中間層は露出部において、存在しても存在していなくてもよい。放熱性を考慮すると、露出部は中間層にも覆われていないことが好ましい。
（付加共振子の被覆）
　付加共振子５７は、送信フィルタ５５（その共振子）を覆っていない絶縁体等によって覆われていてもよい。この場合、例えば、送信フィルタ５５（の共振子）におけるＳＡＷの伝搬（圧電基板３の振動）を許容する一方で、付加共振子５７におけるＳＡＷの伝搬を抑制することができる。以下では、そのような絶縁体の例を示す。
　図６（ａ）は、圧電基板３の上面における構成例の一部を模式的に示す断面図である。
　圧電基板３の上面は、ＩＤＴ電極７等を構成する導体層の上から保護膜２３によって覆われている。保護膜２３は、単にＩＤＴ電極７等の腐食を抑制するためのものであってもよいし、温度補償に寄与するものであってもよい。保護膜２３は、例えば、ＳｉＯ２からなる。また、その厚さは、ＩＤＴ電極７等よりも薄くてもよいし（図示の例）、厚くてもよい。保護膜２３は、例えば、送信フィルタ５５および付加共振子５７の双方を覆っている。
　付加共振子５７は、送信フィルタ５５（直列共振子６５および並列共振子６７）上には設けられていない絶縁層７１によって覆われている。絶縁層７１は、例えば、樹脂または無機材料からなる。その厚さは適宜に設定されてよい。なお、絶縁層７１は、保護膜２３を介さずに、直接的に付加共振子５７を覆っていてもよい。
　図６（ｂ）は、圧電基板３の上面における他の構成例の一部を模式的に示す断面図である。
　この例では、図６（ａ）を参照して説明した保護膜２３は、付加共振子５７上における厚さが、送信フィルタ５５（直列共振子６５および並列共振子６７）上における厚さよりも厚くなっている。このような構成は、例えば、圧電基板３の全面に保護膜２３となる材料を成膜する工程と、付加共振子５７上においてのみ保護膜２３となる材料を成膜する工程とを行うことにより実現される。なお、前記の２つの工程は、いずれが先でもよい。
　図６（ｃ）は、圧電基板３の上面におけるさらに他の構成例の一部を模式的に示す断面図である。
　この例では、図５（ａ）を参照して説明したカバー３０３が設けられることを想定している。そして、カバー３０３の枠部３０５は、平面視において送信フィルタ５５を囲む一方で、付加共振子５７上に位置している。すなわち、枠部３０５は、送信フィルタ５５（その共振子）および付加共振子５７のうち付加共振子５７のみを覆う絶縁体として機能している。なお、図６（ｃ）では保護膜２３が図示されていないが、カバー３０３は、保護膜２３上に設けられていてもよい。
（付加共振子の利用例）
　図７は、付加共振子５７の電気的観点からの利用例を示す模式的な回路図である。
　この例において、付加共振子５７は、送信フィルタ５５の前段（入力側）に接続されるローパスフィルタ７５を構成することに利用されている。ローパスフィルタ７５は、例えば、いわゆるπ型のものである。すなわち、ローパスフィルタ７５は、π型に接続されているインダクタ７７および２つのキャパシタ（ここではキャパシタ７９および付加共振子５７）を有している。
　インダクタ７７は、信号経路に対して直列に配置されている。すなわち、インダクタ７７は、送信信号を生成する回路と接続されている入力ポート８１と、ＳＡＷフィルタ５１の送信端子５３Ｔとを接続している。キャパシタ７９は、インダクタ７７の前（入力側）と基準電位部とを接続している。付加共振子５７は、インダクタ７７の後（出力側）と基準電位部とを接続している。すなわち、付加共振子５７は、π型のローパスフィルタのうちの最も送信フィルタ５５側のキャパシタとして機能している。なお、π型のローパスフィルタは、図示のインダクタ７７およびキャパシタ７９のさらに入力側に、インダクタ７７およびキャパシタ７９の組み合わせを１以上有していてもよい。
　インダクタ７７のインダクタンス、ならびにキャパシタ７９および付加共振子５７の容量は、公知の設計方法に従って適宜に設定されてよい。通常、図示のように１つのインダクタと２つのキャパシタを有するローパスフィルタにおいては、２つのキャパシタの容量は同等とされる。ローパスフィルタ７５において、付加共振子５７の容量は、キャパシタ７９の容量と同等でもよいし、異なっていてもよく、例えば、キャパシタ７９の容量よりも小さい。インダクタ７７およびキャパシタ７９の組み合わせが２以上設けられている場合も同様に、付加共振子５７の容量は、いずれかのキャパシタ７９の容量と同等でもよいし、いずれのキャパシタ７９の容量とも異なっていてもよく、例えば、いずれのキャパシタ７９の容量よりも小さい。
　インダクタ７７およびキャパシタ７９は、構造的観点において、適宜に構成されてよい。
　例えば、インダクタ７７およびキャパシタ７９の少なくとも一方の電子素子は、ＳＡＷフィルタ５１、２０１または３０１が実装される不図示の回路基板に設けられてよい。この場合において、電子素子（７７および／または７９）は、例えば、回路基板の表面もしくは内部の導体によって構成されてもよいし、回路基板に実装された部品によって構成されてもよい。
　また、例えば、インダクタ７７およびキャパシタ７９の少なくとも一方の電子素子は、ＳＡＷフィルタ２０１または３０１のパッケージ用部材の表面または内部に設けられてもよい。例えば、電子素子（７７および／または７９）は、ＳＡＷフィルタ２０１における対向基板２０３の表面または内部の導体パターン２１３によって構成されてもよいし、ＳＡＷフィルタ２０１における電子部品２１７によって構成されてもよいし、ＳＡＷフィルタ３０１における導体パターン３１３によって構成されてもよい。
　また、図示の例とは異なり、圧電基板３上の導体パターンによってインダクタ７７およびキャパシタ７９の少なくとも一方が構成されてもよい。別の観点では、ＳＡＷフィルタ５１の送信端子５３Ｔと送信フィルタ５５との間に電子素子（７７および／または７９）が接続されていてもよい。この場合において、電子素子（７７および／または７９）を構成する導体層は、ＩＤＴ電極７等を構成する導体層と同一（材料および厚さが同一）であってもよいし、異なっていてもよい。
（分波器（デュプレクサ））
　図８は、ＳＡＷフィルタ５１の利用例としての分波器１０１を模式的に示す図である。
　分波器１０１は、例えば、送信信号と受信信号とを分波するデュプレクサである。この分波において、送信信号をフィルタリングするフィルタとしてＳＡＷフィルタ５１が用いられている。
　分波器１０１は、例えば、ＳＡＷフィルタ５１と、受信フィルタ１０３と、受信端子５３Ｒとを有している。受信フィルタ１０３は、アンテナ端子５３Ａと受信端子５３Ｒとに接続されており、アンテナ端子５３Ａからの信号をフィルタリングして受信端子５３Ｒに出力する。
　受信フィルタ１０３の構成は適宜なものとされてよい。図８では、受信フィルタ１０３として、送信フィルタ５５と同様に、ラダー型のＳＡＷフィルタによって構成されているものを例示している。なお、受信フィルタ１０３を構成するＳＡＷフィルタは、他の形式（例えば多重モード型フィルタ）であってもよい。
　このように受信フィルタ１０３がＳＡＷフィルタによって構成されている場合において、ＳＡＷフィルタ５１および受信フィルタ１０３は、同一の圧電基板３に設けられていてもよいし、互いに異なる圧電基板３に設けられていてもよい。なお、同一の圧電基板３に設けられている場合、例えば、アンテナ端子５３Ａは、送信フィルタ５５および受信フィルタ１０３に共通のものであり、受信フィルタ１０３は、圧電基板３上においてアンテナ端子５３Ａに接続されている。互いに異なる圧電基板３に設けられている場合、アンテナ端子５３Ａは、例えば、送信フィルタ５５および受信フィルタ１０３のうちの送信フィルタ５５のみにとってのものであり、アンテナと受信フィルタ１０３との最短経路上に位置していない。ただし、ＳＡＷフィルタ５１および受信フィルタ１０３が実装される回路基板等を介してアンテナ端子５３Ａと受信フィルタ１０３とが接続されていることに変わりはない。
　特に図示しないが、分波器１０１は、上記以外の構成を有していてもよい。例えば、アンテナ端子５３Ａとアンテナとの間に位置するとともに受信フィルタ１０３とアンテナとの最短経路上に位置していないローパスフィルタが設けられたり、受信フィルタ１０３のアンテナ側に位置するとともに送信フィルタ５５とアンテナとの最短経路上には位置していないローパスフィルタが設けられたりしてもよい。
（通信装置）
　図９は、分波器１０１の利用例としての通信装置１５１の要部の構成を示すブロック図である。
　通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ－ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１（送信端子５３Ｔ）に入力される。そして、分波器１０１は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子５３Ａからアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。
　また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１（例えばアンテナ端子５３Ａ）に入力される。分波器１０１は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して、受信端子５３Ｒから増幅器１６１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ－ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。
　なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、ＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）等の各種の規格に従ったものでよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図９では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図９は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。
　特に図示しないが、通過帯域が互いに異なる２以上のＳＡＷフィルタ５１が共通のアンテナ用ポート（アンテナ端子５３Ａでもよい）に接続されたり、通過帯域が互いに異なる２以上の分波器１０１が共通のアンテナ用ポートに接続されたりすることにより、マルチプレクサ（ダイプレクサ等）が構成されてもよい。また、ＳＡＷフィルタ５１、２０１または３０１が実装される回路基板に適宜な電子部品が実装されて通信モジュールが構成されてもよい。
　以上のとおり、本実施形態では、ＳＡＷフィルタ５１（または２０１もしくは３０１）は、圧電基板３、送信端子５３Ｔ、アンテナ端子５３Ａ、１以上のＧＮＤ端子５３Ｇ、送信フィルタ５５および付加共振子５７を有している。各種の端子５３は、圧電基板３上に位置している。送信フィルタ５５は、送信端子５３Ｔからの信号をフィルタリングしてアンテナ端子５３Ａへ出力するラダー型フィルタである。また、送信フィルタ５５は、ラダー型に接続されている１以上の直列共振子６５および１以上の並列共振子６７を圧電基板３上に有しており、初段の共振子が直列共振子６５である。付加共振子５７は、送信フィルタ５５よりも前段で送信端子５３Ｔに接続されているとともに１以上のＧＮＤ端子５３Ｇのいずれかに接続されているＩＤＴ電極７を圧電基板３上に含み、共振周波数および***振周波数が送信フィルタ５５の通過帯域の外側に位置している。
　従って、例えば、付加共振子５７によって、送信フィルタ５５よりも前段側の熱を逃がす放熱経路が構成される。初段の共振子が直列共振子６５である場合においては、この初段の直列共振子６５に熱的な負荷および電気的な負荷が集中しやすい。そのような構成において、初段の直列共振子６５の前段に放熱経路が接続されることから、例えば、ＳＡＷフィルタ５１全体としても熱的な負荷の最大値を下げることができ、ひいては、ＳＡＷフィルタ５１全体としての耐久性を向上させることができる。また、例えば、熱がフィルタ特性に及ぼす影響も緩和できる。
　また、共振子（５７）によって放熱経路を構成することから、例えば、この付加共振子５７をローパスフィルタに利用することなどが可能になる。すなわち、ＳＡＷフィルタ５１のフィルタ特性を向上させるための構成を放熱経路に兼用することができ、ＳＡＷフィルタ５１またはＳＡＷフィルタ５１を含むデバイスの小型化が図られる。
　なお、上述では、付加共振子５７の共振周波数および***振周波数が送信フィルタ５５の通過帯域の外側に位置していることとしたが、送信フィルタ５５の通過帯域において共振しなければよい。例えば、弾性波の伝搬する方向と直交する方向に付加共振子５７の電極指１５を配列させて、電極指１５のピッチは不問としてもよい。
　ここで、外部から送信端子５３Ｔへ入力される送信信号は、基本的には送信フィルタ５５の通過帯域の信号として生成されている。一方、付加共振子５７の共振周波数および***振周波数は、送信フィルタ５５の通過帯域の外側に位置している。従って、付加共振子５７における振動は、送信フィルタ５５に比較して抑制される。その結果、例えば、付加共振子５７は放熱経路として有効に機能し、また、耐電力性も高い。
　また、例えば、付加共振子５７は、圧電基板３上に形成されていることから、送信フィルタ５５の形成と同時に形成されることが可能である。従って、付加共振子５７を設けたことに起因する製造工程の増加のおそれを低減できる。
　また、本実施形態では、付加共振子５７が接続されているＧＮＤ端子５３Ｇ－１は、並列共振子６７のいずれかを介して直列腕６１（別の観点では送信端子５３Ｔおよびアンテナ端子５３Ａ）と接続されているＧＮＤ端子５３Ｇではなく、かつそのようなＧＮＤ端子５３Ｇのいずれとも短絡されていない（電気的に分離されている）。
　従って、例えば、初段の直列共振子６５の前段における熱が付加共振子５７を経由して送信フィルタ５５へ戻るおそれが低減される。
　また、本実施形態では、付加共振子５７の静電容量は、並列共振子６７のいずれの静電容量とも異なる。
　付加共振子５７は、送信フィルタ５５を構成するものではないことから、このような静電容量の設定が可能であり、付加共振子５７の静電容量が並列共振子６７の静電容量と異なるように付加共振子５７を構成することによって種々の効果が得られる。付加共振子５７の静電容量が並列共振子６７の静電容量よりも大きい場合、電極指１５を長くしたり、電極指１５の本数を多くしたりすることが容易である。すなわち、付加共振子５７の電極面積を大きくしやすい。その結果、例えば、付加共振子５７自体の放熱機能が向上する。また、例えば、付加共振子５７の静電容量が並列共振子６７の静電容量よりも大きい場合、付加共振子５７の電極指ピッチを狭くすることが容易である。電極指ピッチが狭いことによって、例えば、１対の櫛歯電極１１間で熱が伝わり易くなり、付加共振子５７が放熱経路として有効に機能する。また、電極指ピッチが狭いことによって、例えば、付加共振子５７全体としての面積（電極の非配置領域も含む面積）に占める電極面積を大きくすることができる。上記とは逆に、付加共振子５７の静電容量が並列共振子６７の静電容量よりも小さい場合においては、例えば、付加共振子５７を小型化し、ひいてはＳＡＷフィルタ５１を小型化することが容易である。
　また、本実施形態では、付加共振子５７は、送信フィルタ５５の前段に接続されているπ型のローパスフィルタ７５の、最も送信フィルタ５５側のキャパシタを構成している。
　従って、例えば、上述のように、放熱経路を構成する付加共振子５７の有効利用が図られる。また、付加共振子５７は、ＩＤＴ電極７を含んで構成されていることから、例えば、電極指１５の本数の増減によって簡単に容量の微調整が可能である。すなわち、ＳＡＷフィルタ５１の外部にキャパシタを設ける場合よりも簡便にローパスフィルタ７５の特性を調整することができる。
　また、本実施形態では、付加共振子５７の静電容量は、ローパスフィルタ７５が含む付加共振子５７以外の１以上のキャパシタ（ここではキャパシタ７９）のいずれの静電容量とも異なる。なお、ここでいう付加共振子５７の容量が他のキャパシタの容量と異なるとは、例えば、容量の差が、付加共振子５７の電極指１５の１本分の増減によって生じる容量の増減以上である状態である。
　上記のように付加共振子５７の容量の調整は容易であることから、このような静電容量の設定も容易である。なお、通常は、π型のローパスフィルタ７５の最も後段に位置するキャパシタ（本実施形態では付加共振子５７）の静電容量は、他のいずれかのキャパシタ７９の静電容量と同等とされる。
　また、本実施形態では、付加共振子５７の静電容量は、ローパスフィルタ７５のいずれのキャパシタ７９の静電容量よりも小さい。
　従って、例えば、付加共振子５７を小型化しやすく、ひいては、ＳＡＷフィルタ５１の小型化が容易である。
　また、本実施形態では、ＳＡＷフィルタ３０１（図５）は、導体層（補強層３１１Ｂ）を有している。補強層３１１Ｂは、付加共振子５７が接続されているＧＮＤ端子５３Ｇ－１と短絡されており、付加共振子５７のＩＤＴ電極７における複数の電極指１５の配置領域よりも面積が広い。
　従って、例えば、送信フィルタ５５の前段から付加共振子５７へ逃がした熱を補強層３１１Ｂへ伝えることができる。補強層３１１Ｂは、比較的面積が広いことから、例えば、補強層３１１Ｂに接する他の部材への伝熱、または補強層３１１Ｂからの放熱に有利である。また、付加共振子５７の電位が安定しやすくなり、ノイズを低減することができる。
　また、本実施形態では、ＳＡＷフィルタ５１、２０１または３０１は、直列共振子６５、並列共振子６７および付加共振子５７のうち付加共振子５７のみを覆っている、または直列共振子６５、並列共振子６７および付加共振子５７のうち付加共振子５７のみにおいて厚くなっている絶縁体（絶縁層７１（図６（ａ））、保護膜２３（図６（ｂ））または枠部３０５（図６（ｃ）））を有している。
　従って、例えば、付加共振子５７における振動は、送信フィルタ５５における振動に比較して抑制される。その結果、例えば、付加共振子５７の振動が送信フィルタ５５のフィルタ特性に影響を及ぼすおそれが低減される。
　また、本実施形態では、送信フィルタ５５の通過帯域ＰＢは、例えば、２．７ＧＨｚ以下の周波数範囲内に位置している。
　この場合、例えば、通過帯域ＰＢの一部または全部が２．７ＧＨｚを超える場合に比較して、送信フィルタ５５における電極指ピッチは広い。従って、例えば、付加共振子５７の電極指ピッチを小さくして、付加共振子５７の小型化を図りつつ静電容量を確保し、かつ付加共振子５７の共振周波数および***振周波数を通過帯域ＰＢから離すことが容易である。
　また、本実施形態では、ＳＡＷフィルタ２０１または３０１は、送信フィルタ５５を封止するパッケージ用部材（対向基板２０３またはカバー３０３）を有している。ローパスフィルタ７５が含む、インダクタ７７および付加共振子５７以外のキャパシタ（キャパシタ７９）の少なくとも１つは、例えば、パッケージ用部材の内部および表面の少なくとも一方に位置している導体パターン２１３または３１３により構成されている。
　この場合、例えば、ＳＡＷフィルタの外部にインダクタ７７およびキャパシタ７９を設ける場合に比較して、ＳＡＷフィルタ自体によって付加共振子５７を有効利用し、ＳＡＷフィルタ自体の特性を向上させることができる。また、圧電基板３上にインダクタ７７および／またはキャパシタ７９を構成する場合に比較して、例えば、圧電基板３に不要な振動が生じるおそれを低減したり、圧電基板３の面積を小さくしたり、インダクタ７７およびキャパシタ７９を構成する導体パターンを厚くしたりすることが容易である。
　また、ローパスフィルタ７５が含むインダクタ７７および付加共振子５７以外のキャパシタ（キャパシタ７９）の少なくとも１つは、例えば、パッケージ用部材（対向基板２０３）に実装された電子部品２１７により構成されてもよい。
　この場合、例えば、導体パターン２１３または３１３によりインダクタ７７および／またはキャパシタ７９を構成する場合と同様の効果が得られる。例えば、ＳＡＷフィルタ自体によって付加共振子５７を有効利用し、ＳＡＷフィルタ自体の特性を向上させることができる。
　また、本実施形態では、直列共振子６５の数は複数である。複数の直列共振子６５のうちの少なくとも１つは、互いに直列に接続された複数の分割共振子６９に分割されている。複数の直列共振子６５において、最も送信端子５３Ｔ側の直列共振子６５（初段の共振子）の分割数は、最もアンテナ端子５３Ａ側の直列共振子の分割数よりも多い。
　従って、熱的および電気的な負荷が集中しやすい初段の直列共振子６５の耐電力性を向上させて、ＳＡＷフィルタ５１全体としての耐電力性を向上させることができる。なお、ＳＡＷフィルタ５１において、２種の端子５３のいずれが送信端子５３Ｔおよびアンテナ端子５３Ａであるか判別する際に、直列共振子６５の分割数が多い側を送信端子５３Ｔ側と判別してもよい。
　なお、以上の実施形態において、ＳＡＷフィルタ５１、２０１および３０１は、それぞれ弾性波フィルタの一例である。ＧＮＤ端子５３Ｇは基準電位端子の一例である。補強層３１１Ｂは導体層の一例である。絶縁層７１、保護膜２３（図６（ｂ）のもの）および枠部３０５（図６（ｃ）のもの）は、それぞれ絶縁体の一例である。対向基板２０３およびカバー３０３（枠部３０５）は、それぞれパッケージ用部材の一例である。
（分波器の変形例）
　図１０は、変形例に係る分波器４０１（デュプレクサ）の構成を示す模式図である。
　分波器４０１は、１以上の並列インダクタ８３Ｐおよび１以上の直列インダクタ８３Ｓ（以下、両者を区別せずに、単に「インダクタ８３」ということがある。）が設けられている点のみが図８の分波器１０１と相違する。ただし、インダクタ８３が設けられていることに伴い、直列共振子６５および並列共振子６７の具体的な設計値は適宜に調整されてよい。
　並列インダクタ８３Ｐは、送信フィルタ４５５において、並列共振子６７に対して直列に接続されている。より具体的には、例えば、並列インダクタ８３Ｐは、並列共振子６７に対して基準電位部（ＧＮＤ端子５３Ｇ）側に接続されている。なお、並列インダクタ８３Ｐは、図示の例とは異なり、並列共振子６７に対して直列腕側に接続されていてもよい。
　また、並列インダクタ８３Ｐは、例えば、送信フィルタ４５５において、全ての並列共振子６７に対して個別に（１対１で）設けられている。ただし、並列インダクタ８３Ｐは、複数の並列共振子６７のうち、一部に対してのみ設けられていてもよい。また、１つの並列インダクタ８３Ｐが２以上の並列共振子６７に対して共通に接続されていてもよい。
　直列インダクタ８３Ｓは、受信フィルタ４０３において、直列共振子６５に対して直列に接続されている。より具体的には、例えば、直列インダクタ８３Ｓは、電気的接続に関して互いに隣り合っている２つの直列共振子６５の間に位置している。なお、直列インダクタ８３Ｓは、２つの直列共振子６５の間において、直列腕と並列共振子６７との接続位置に対して、受信端子５３Ｒ側に位置していてもよいし（図示の例）、アンテナ端子５３Ａ側に位置していてもよい。
　また、直列インダクタ８３Ｓは、例えば、受信フィルタ４０３において、複数の直列共振子６５の間の全てに設けられている。ただし、直列インダクタ８３Ｓは、複数の直列共振子６５の間のうちの一部にのみ設けられていてもよい。また、直列インダクタ８３Ｓは、複数の直列共振子６５の外側（送信端子５３Ｔと第１直列共振子６５Ａとの間および第４直列共振子６５Ｄとアンテナ端子５３Ａとの間）にも設けられてよい。
　互いに直列に接続されたＳＡＷ共振子１（６５または６７）およびインダクタ８３の組み合わせの周波数特性は、概ね、ＳＡＷ共振子１の周波数特性において、***振周波数はそのままで、共振周波数を低周波側に移動させたものとなる。
　例えば、並列共振子６７の周波数特性が図３の線Ｌ２で表されるとする。この場合、並列共振子６７と並列インダクタ８３Ｐとの組み合わせの周波数特性は、***振周波数ｆｐａはそのままで、共振周波数ｆｐｒを低周波側（紙面左側）に移動させたものとなる。別の観点では、共振周波数ｆｐｒと***振周波数ｆｐａとの周波数差Δｆが大きくなる。
　同様に、例えば、直列共振子６５の周波数特性が図３の線Ｌ１で表されるとする。この場合、直列共振子６５と直列インダクタ８３Ｓとの組み合わせの周波数特性は、***振周波数ｆｓａはそのままで、共振周波数ｆｓｒを低周波側に移動させたものとなる。別の観点では、共振周波数ｆｓｒと***振周波数ｆｓａとの周波数差Δｆが大きくなる。
　そして、送信フィルタ４５５および受信フィルタ４０３それぞれにおいては、インダクタ８３が接続されている状態で、直列腕の共振周波数ｆｓｒと並列腕の***振周波数ｆｐａが概ね一致するように、直列共振子６５、並列共振子６７およびインダクタ８３が設計される。これにより、所望の周波数帯を通過帯域ＰＢとするラダー型フィルタが得られる。
　送信フィルタ４５５においては、並列共振子６７および並列インダクタ８３Ｐを含む並列腕の周波数差Δｆが大きくなるから、並列インダクタ８３Ｐが設けられていない場合に比較して通過帯域ＰＢが広くなる。すなわち、並列インダクタ８３Ｐを設けることによって、広帯域のフィルタを得ることが容易化される。
　一方で、送信フィルタ４５５においては、直列インダクタ８３Ｓが設けられていないことから、直列腕の周波数差Δｆは狭く維持される。その結果、例えば、通過帯域ＰＢの高周波側の急峻性が維持される。換言すれば、高周波側の帯域外における減衰量を大きくすることができる。
　また、受信フィルタ４０３においては、直列共振子６５および直列インダクタ８３Ｓを含む直列腕の周波数差Δｆが大きくなるから、直列インダクタ８３Ｓが設けられていない場合に比較して通過帯域ＰＢが広くなる。すなわち、直列インダクタ８３Ｓを設けることによって、広帯域のフィルタを得ることが容易化される。
　一方で、受信フィルタ４０３は、並列インダクタ８３Ｐが設けられていないことから、並列腕の周波数差Δｆは狭く維持される。その結果、例えば、通過帯域ＰＢの低周波側の急峻性が維持される。換言すれば、低周波側の帯域外における減衰量を大きくすることができる。
　ここで、分波器４０１において、送信フィルタ４５５の通過帯域ＰＢは、受信フィルタ４０３の通過帯域ＰＢよりも周波数が低い。従って、インダクタ８３が設けられても、送信フィルタ４５５は、受信フィルタ４０３の通過帯域ＰＢ側（高周波側）の急峻性が維持され、受信フィルタ４０３は、送信フィルタ４４５側（低周波側）の急峻性が維持されていることになる。その結果、分波器４０１は、通過帯域ＰＢの帯域幅が広く、かつ送信フィルタ４５５および受信フィルタ４０３のアイソレーションが高いものとなる。
　インダクタ８３は、構造的観点において、図７を参照して説明したインダクタ７７およびキャパシタ７９と同様に構成されてよい。構造的観点からのインダクタ７７に関する既述の説明は、インダクタ７７をインダクタ８３に置き換えてインダクタ８３の説明とされてよい。例えば、インダクタ８３は、ＳＡＷフィルタ（４５５、４０３）または分波器４０１が実装される回路基板に設けられてもよいし、ＳＡＷフィルタまたは分波器４０１のパッケージ用部材に設けられてもよいし、圧電基板３上の導体パターンによって構成されてもよい。
　パッケージ用部材は、既述のように、例えば、対向基板２０３（図４）またはカバー３０３（図５（ａ）～図５（ｃ））である。そして、インダクタ８３は、例えば、対向基板２０３の表面および／もしくは内部の導体パターン２１３、またはカバー３０３の表面および／もしくは内部の導体パターン３１３によって構成されてよい。
　導体パターン２１３または３１３によってインダクタ８３を構成する場合、例えば、インダクタ８３をチップ型の電子部品２１７（図４）によって構成する場合に比較して、分波器４０１を小型化することが容易である。また、インダクタ８３を圧電基板３上の導体パターンによって構成する場合に比較して、例えば、ＩＤＴ電極７とは別個にインダクタ８３を構成する導体パターンの厚さを設定することができる。その結果、例えば、ＩＤＴ電極７の厚さよりもインダクタ８３を構成する導体パターンを厚くして、インダクタ８３を設けたことによる損失を低減することができる。別の観点では、損失を低減するためにインダクタ８３を幅広に形成する必要性が低減され、ひいては、分波器４０１の大型化のおそれが低減される。このように、導体パターン２１３または３１３によってインダクタ８３を構成することによって、分波器４０１の大型化を抑制しつつ、所望のインダクタンスを得ることが容易化される。
　分波器４０１の圧電基板３は、支持基板４（図５（ｃ））と貼り合わされるものであってもよいし、貼り合わされないものであってもよい。ただし、一般に、支持基板４と貼り合わされる圧電基板３は、支持基板４と貼り合わされない圧電基板３に比較して、広い通過帯域を確保することが困難な材料によって構成されている。従って、インダクタ８３の効果は、分波器４０１が支持基板４を有するものである場合に有用性が高い。
（分波器（クワッドプレクサ））
　図１１は、ＳＡＷフィルタ５１の利用例としての分波器５０１を模式的に示す図である。
　分波器５０１は、４つのＳＡＷフィルタ５１（４５５または４０３）を有するクワッドプレクサとして構成されている。より具体的には、分波器５０１は、デュプレクサとして構成されている２つの第１分波器４０１Ａおよび第２分波器４０１Ｂ（以下、単に「分波器４０１」ということがある。）を備えている。各分波器４０１は、例えば、図１０を参照して説明した分波器４０１と同様のものである。
　第１分波器４０１Ａは、図１０のアンテナ端子５３Ａ、送信端子５３Ｔおよび受信端子５３Ｒに相当する、アンテナ端子５３Ａ、送信端子５３Ｔ－１および受信端子５３Ｒ－１に接続されている。同様に、第２分波器４０１Ｂは、図１０のアンテナ端子５３Ａ、送信端子５３Ｔおよび受信端子５３Ｒに相当する、アンテナ端子５３Ａ、送信端子５３Ｔ－２および受信端子５３Ｒ－２に接続されている。アンテナ端子５３Ａは、２つの分波器４０１に共用されており、４つのフィルタ（４５５、４０３）は、互いに分岐している状態で互いに接続されている。
　２つの分波器４０１は、同一の圧電基板３に設けられていてもよいし、互いに異なる圧電基板３に設けられていてもよい。
　図１２は、分波器５０１の周波数特性を示す図である。
　横軸は、周波数ｆ（Ｈｚ）を示している。縦軸は、減衰量Ａ（ｄＢ）を示している。線Ｌ１１は、第１分波器４０１Ａの送信フィルタ４５５の周波数特性を示している。線Ｌ１２は、第１分波器４０１Ａの受信フィルタ４０３の周波数特性を示している。線Ｌ１３は、第２分波器４０１Ｂの送信フィルタ４５５の周波数特性を示している。線Ｌ１４は、第２分波器４０１Ｂの受信フィルタ４０３の周波数特性を示している。
　第１分波器４０１Ａにおいて、送信フィルタ４５５の通過帯域（第１送信帯域Ｔ１）は、例えば、受信フィルタ４０３の通過帯域（第１受信帯域Ｒ１）よりも周波数が低い。また、第２分波器４０２Ｂにおいて、送信フィルタ４５５の通過帯域（第２送信帯域Ｔ２）は、例えば、受信フィルタ４０３の通過帯域（第２受信帯域Ｒ２）よりも周波数が低い。第１送信帯域Ｔ１および第１受信帯域Ｒ１を含む第１周波数帯Ｂ１は、例えば、第２送信帯域Ｔ２および第２受信帯域Ｒ２を含む第２周波数帯Ｂ２よりも周波数が低い。
　各分波器４０１においては、既に述べたように、通過帯域を広く確保しつつ、送信フィルタ４５５と受信フィルタ４０３とのアイソレーションを向上させることができる。このアイソレーションの向上の効果は、両者の通過帯域間の帯域（遷移帯域）の幅ｆｄ（遷移帯域幅）が狭い場合に有用性が高い。遷移帯域幅ｆｄは、低周波側の通過帯域（例えば第１送信帯域Ｔ１）の上限値から高周波側の通過帯域（例えば第１受信帯域Ｒ１）の下限値までの周波数の幅である。遷移帯域幅ｆｄが狭い場合としては、例えば、低周波側の通過帯域の中心周波数（通過帯域の上限値と下限値とのちょうど中間の周波数）をｆｍとしたとき、ｆｄ／ｆｍ×１００（％）が１．２％以下の場合を挙げることができる。ｆｄ／ｆｍ×１００が１．２％以下となる規格としては、例えば、ＵＭＴＳのＢａｎｄ２、３、８および２５を挙げることができる。
　第１分波器４０１Ａの受信フィルタ４０３がラダー型フィルタによって構成されていることから、この受信フィルタ４０３が多重モード型フィルタによって構成されている場合に比較して、第１受信帯域Ｒ１の高周波側の急峻性が向上する。すなわち、第１受信帯域Ｒ１の高周波側の帯域外における減衰量を大きくすることができる。その結果、第１受信帯域Ｒ１と第２送信帯域Ｔ２とのアイソレーションが向上する。その一方で、第１分波器４０１Ａの受信フィルタ４０３に直列インダクタ８３Ｓを設けていることから、この受信フィルタ４０３の通過帯域を拡張して、多重モード型フィルタと同等の通過帯域幅を確保することが容易になる。
　本開示の技術は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
　弾性波は、ＳＡＷに限定されない。例えば、弾性波は、圧電基板内を伝搬するバルク波であってもよいし、圧電基板と圧電基板を覆う絶縁層との境界部を伝搬する弾性境界波（ただし、広義にはＳＡＷの一種である。）であってもよい。
　付加共振子における複数の電極指の配列方向は必ずしもＳＡＷの伝搬方向と一致しなくてもよい。
　付加共振子における複数の電極指の配置領域よりも面積が広い導体層は、補強層３１１Ｂに限定されない。例えば、導体層は、圧電基板３の上面に設けられてもよいし、圧電基板３の下面に設けられてもよいし、対向基板２０３の上面、内部および下面に設けられてもよい。
　インダクタまたはキャパシタを構成する、パッケージ用部材に設けられる導体パターンは、対向基板２０３またはカバー３０３の内部に設けられるものに限定されない。例えば、導体パターンは、対向基板またはカバーの表面に設けられてもよい。また、インダクタまたはキャパシタを構成する、パッケージ用部材に実装される電子部品は、対向基板２０３に実装されるものに限定されない。例えば、電子部品は、カバー３０３の上面に実装されてもよい。また、電子部品は、回路基板またはカバーに形成された凹部内に配置されるなど、パッケージ用部材の内部に位置していてもよい。
　分波器（マルチプレクサ）は、２つのフィルタを有するデュプレクサ、または４つのフィルタを有するクワッドプレクサに限定されない。例えば、分波器は、３つのフィルタを有するトリプレクサであってもよいし、５以上のフィルタを有するものであってもよい。
　本開示からは、以下の概念を抽出可能である。
（第１概念）
　互いに分岐している態様で互いに接続されている第１～第３フィルタを有しており、
　前記第１フィルタは、１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を含んでいるラダー型フィルタであり、
　前記第２フィルタは、１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を含んでいるラダー型フィルタであり、かつ前記第１フィルタよりも通過帯域の周波数が高く、
　前記第３フィルタは、前記第２フィルタよりも通過帯域の周波数が高く、
　前記第１フィルタは、前記並列共振子に直列に接続されているインダクタを有しており、
　前記第２フィルタは、前記直列共振子に直列に接続されているインダクタを有している
　分波器。
　上記の第１概念の技術に関して、第１分波器４０１Ａの送信フィルタ４５５は第１フィルタの一例である。第１分波器４０１Ａの受信フィルタ４０３は第２フィルタの一例である。第２分波器４０１Ｂの送信フィルタ４５５は第３フィルタの一例である。並列インダクタ８３Ｐは、並列共振子に直列に接続されているインダクタの一例である。直列インダクタ８３Ｓは、直列共振子に直列に接続されているインダクタの一例である。
　上記の第１概念の技術においては、付加共振子は、設けられていてもよいし、設けられていなくてもよい。第１～第３フィルタは、送信フィルタを含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。第１～第３フィルタに送信フィルタが含まれる場合において、送信端子に接続される初段の共振子は、直列共振子であってもよいし、並列共振子であってもよい。第３フィルタは、ラダー型フィルタ以外のフィルタであってもよい。
　３…圧電基板、７…ＩＤＴ電極、５１…ＳＡＷフィルタ（弾性波フィルタ）、５３Ｔ…送信端子、５３Ａ…アンテナ端子、５３Ｇ（５３Ｇ－１～５３Ｇ－１）…ＧＮＤ端子、５５…送信フィルタ、５７…付加共振子、６５（６５Ａ～６５Ｄ）…直列共振子、６７（６７Ａ～６７Ｃ）…並列共振子。

Claims (14)

  1. 　圧電基板を含む基板と、
    　前記基板上に位置している、送信端子、アンテナ端子および１以上の基準電位端子と、
    　前記送信端子からの信号をフィルタリングして前記アンテナ端子へ出力するラダー型フィルタであって、ラダー型に接続されている１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を前記圧電基板上に有しており、前記送信端子に接続される初段の共振子が直列共振子である送信フィルタと、
    　前記送信フィルタよりも前段で前記送信端子に接続されているとともに前記１以上の基準電位端子のいずれかに接続されているＩＤＴ電極を前記圧電基板上に含み、共振周波数および***振周波数が前記送信フィルタの通過帯域の外側に位置している付加共振子と、
    　を有している弾性波フィルタ。
  2. 　前記付加共振子が接続されている前記基準電位端子は、前記１以上の並列共振子のいずれかを介して前記送信端子および前記アンテナ端子と接続されている基準電位端子ではなく、かつ当該基準電位端子のいずれとも短絡されていない
    　請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  3. 　前記付加共振子の静電容量は、前記１以上の並列共振子のいずれの静電容量とも異なる
    　請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
  4. 　前記付加共振子は、前記送信フィルタの前段に接続されているπ型のローパスフィルタの、最も前記送信フィルタ側のキャパシタを構成している
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  5. 　前記付加共振子の静電容量は、前記ローパスフィルタが含む前記付加共振子以外の１以上のキャパシタのいずれの静電容量とも異なる
    　請求項４に記載の弾性波フィルタ。
  6. 　前記付加共振子の静電容量は、前記１以上のキャパシタのいずれの静電容量よりも小さい
    　請求項５に記載の弾性波フィルタ。
  7. 　前記付加共振子が接続されている前記基準電位端子と短絡されており、前記付加共振子の前記ＩＤＴ電極における複数の電極指の配置領域よりも面積が広い導体層を有している
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  8. 　前記１以上の直列共振子、前記１以上の並列共振子および前記付加共振子のうち前記付加共振子のみを覆っている、または前記１以上の直列共振子、前記１以上の並列共振子および前記付加共振子のうち前記付加共振子のみにおいて厚くなっている絶縁体を有している
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  9. 　前記送信フィルタの通過帯域が２．７ＧＨｚ以下の周波数範囲内に位置している
    　請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  10. 　前記送信フィルタを封止するパッケージ用部材をさらに有しており、
    　前記ローパスフィルタが含む、インダクタおよび前記付加共振子以外のキャパシタの少なくとも１つは、前記パッケージ用部材の内部および表面の少なくとも一方に位置している導体パターンにより構成されている
    　請求項４～６のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  11. 　前記送信フィルタを封止するパッケージ用部材をさらに有しており、
    　前記ローパスフィルタが含む、インダクタおよび前記付加共振子以外のキャパシタの少なくとも１つは、前記パッケージ用部材に実装された電子部品により構成されている
    　請求項４～６のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  12. 　前記１以上の直列共振子の数は複数であり、
    　前記複数の直列共振子のうちの少なくとも１つは、互いに直列に接続された複数の分割共振子に分割されており、
    　前記複数の直列共振子において、最も前記送信端子側の直列共振子の分割数は、最も前記アンテナ端子側の直列共振子の分割数よりも多い
    　請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  13. 　請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
    　受信端子と、
    　前記アンテナ端子からの信号をフィルタリングして前記受信端子へ出力する受信フィルタと、
    　を有している分波器。
  14. 　アンテナと、
    　前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されている請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
    　前記送信端子に接続されているＩＣと、
    　を有している通信装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020137263A1 (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 株式会社村田製作所 フィルタ装置
JPWO2020095586A1 (ja) * 2018-11-05 2021-09-24 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
WO2023210353A1 (ja) * 2022-04-28 2023-11-02 株式会社村田製作所 複合フィルタ装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110337783B (zh) * 2017-02-28 2023-02-28 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法
CN111164889B (zh) * 2017-09-29 2023-11-03 株式会社村田制作所 混合滤波器装置以及多路调制器
US10951194B2 (en) * 2017-12-20 2021-03-16 Kyocera Corporation Acoustic wave filter, multiplexer, and communication apparatus
KR20200131528A (ko) * 2019-05-14 2020-11-24 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기를 포함하는 필터
CN112953456B (zh) * 2019-12-11 2024-06-04 株式会社村田制作所 滤波器装置
CN111817688B (zh) * 2020-09-14 2020-12-04 成都频岢微电子有限公司 一种高隔离度声表面波双工器及实现高隔离度的方法
US20220200639A1 (en) * 2020-12-18 2022-06-23 Skyworks Solutions, Inc. Capacitor substitution in a stacked resonator based antennaplexer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09135145A (ja) * 1995-11-08 1997-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波フィルタ
WO2014167755A1 (ja) * 2013-04-08 2014-10-16 株式会社村田製作所 デュプレクサ
JP2015139217A (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 狭い通過帯域を有する共振器フィルタデバイス
WO2017159834A1 (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 株式会社村田製作所 高周波フィルタ素子、マルチプレクサ、送信装置および受信装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661783A (ja) * 1992-08-14 1994-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JPH09232906A (ja) * 1996-02-23 1997-09-05 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP4352572B2 (ja) * 2000-04-03 2009-10-28 パナソニック株式会社 アンテナ共用器
JP4000960B2 (ja) * 2001-10-19 2007-10-31 株式会社村田製作所 分波器、通信装置
US6670866B2 (en) * 2002-01-09 2003-12-30 Nokia Corporation Bulk acoustic wave resonator with two piezoelectric layers as balun in filters and duplexers
JP4000072B2 (ja) 2002-12-26 2007-10-31 京セラ株式会社 ローパスフィルタ内蔵配線基板
US20040227585A1 (en) 2003-05-14 2004-11-18 Norio Taniguchi Surface acoustic wave branching filter
JP2007158755A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合フィルタ
JP4255959B2 (ja) * 2006-05-22 2009-04-22 富士通メディアデバイス株式会社 バランスフィルタおよび分波器
JP2010109894A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Fujitsu Ltd 弾性波フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置
JP4871966B2 (ja) * 2009-01-30 2012-02-08 太陽誘電株式会社 高周波デバイス、フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置
JP5679558B2 (ja) * 2011-01-19 2015-03-04 太陽誘電株式会社 分波器
CN106253877B (zh) * 2011-11-30 2019-03-08 天工滤波方案日本有限公司 梯型弹性波滤波器和天线共用器
JP6170349B2 (ja) * 2013-06-18 2017-07-26 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
DE112015005490B4 (de) * 2014-12-04 2023-01-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Kettenfilter, Filtermodul für elastische Wellen und Duplexer
US10333484B2 (en) * 2016-11-08 2019-06-25 Skyworks Solutions, Inc. Filter modules and filter arrays having inductive impedance

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09135145A (ja) * 1995-11-08 1997-05-20 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波フィルタ
WO2014167755A1 (ja) * 2013-04-08 2014-10-16 株式会社村田製作所 デュプレクサ
JP2015139217A (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 狭い通過帯域を有する共振器フィルタデバイス
WO2017159834A1 (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 株式会社村田製作所 高周波フィルタ素子、マルチプレクサ、送信装置および受信装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2020095586A1 (ja) * 2018-11-05 2021-09-24 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
WO2020137263A1 (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 株式会社村田製作所 フィルタ装置
JPWO2020137263A1 (ja) * 2018-12-25 2021-09-27 株式会社村田製作所 フィルタ装置
US11831301B2 (en) 2018-12-25 2023-11-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter device
WO2023210353A1 (ja) * 2022-04-28 2023-11-02 株式会社村田製作所 複合フィルタ装置

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