JPWO2019187809A1 - 垂直共振器型面発光レーザ素子及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
第1のクラッド層は、上記活性層上に設けられている。
上記中間層は、上記第1のクラッド層上に設けられ、電子のポテンシャルが上記第1のクラッド層の電子のポテンシャルより高く、かつ正孔のポテンシャルが上記第1のクラッド層の正孔のポテンシャルより高い。
上記中間層は、AlGaInPとは異なる材料であって、AlGaInPより電子のポテンシャルが高く、かつAlGaInPより正孔のポテンシャルが高い材料からなるものであってもよい。
上記中間層の厚さは、0より大きく0.25λ以下であってもよい。
上記中間層は、上記第1のクラッド層と上記狭窄層の間に設けられていてもよい。
n型DBR(Distributed Bragg Reflector)層と、
p型DBR(Distributed Bragg Reflector)層と、
上記n型DBR層と上記活性層の間に設けられたn型クラッド層とをさらに具備し、
上記狭窄層は、上記p型DBR層と上記中間層の間に設けられていてもよい。
上記垂直共振器型面発光レーザ素子は、活性層と、上記活性層上に設けられた第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に設けられ、電子のポテンシャルが上記第1のクラッド層の電子のポテンシャルより高く、かつ正孔のポテンシャルが上記第1のクラッド層の正孔のポテンシャルより高い中間層とを備える。
本実施形態に係るVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser: 垂直共振器型面発光レーザ)素子との比較として、一般的なVCSEL素子の構造及び動作について説明する。
図2は、VCSEL素子300のバンド構造を示す模式図である。n電極308とp電極309の間に電圧を印加すると電子(図中マイナス)は、n−DBR層302側(図中左上)から活性層304に流入する。正孔(図中プラス)はp−DBR層307側(図中右下)から活性層304に流入する。
本実施形態に係るVCSEL素子の構造について説明する。図3は、本実施形態に係るVCSEL素子100の構造を示す模式図である。また、図4は、VCSEL素子100の各層の材料及び膜厚の例を示す表である。なお、以下の説明においてVCSEL素子100の発振波長をλとして示す。
n電極110とp電極111の間に電圧を印加すると、n電極110とp電極111の間に電流が流れる。電流は狭窄層108による狭窄作用を受け、非酸化領域108bに注入される。
中間層106は、電子のポテンシャルがp−クラッド層121(第1p−クラッド層105及び第2p−クラッド層107)の電子のポテンシャルより高く、かつ正孔のポテンシャルがp−クラッド層121の正孔のポテンシャルより高い層である。
図6は、中間層106の機能を示すバンド構造の模式図である。n電極110とp電極111の間に電圧を印加すると電子(図中マイナス)は、n−DBR層102側(図中左上)から活性層104に流入する。正孔(図中プラス)はp−DBR層109側(図中右下)から活性層104に流入する。
中間層106の材料について説明する。中間層106は、上記のようにp−クラッド層121より電子のポテンシャルが高く、pクラッド層121より正孔のポテンシャルが高い層を形成することが可能な材料からなるものであればよい。
中間層106におけるp型ドーパントのキャリア濃度(ドーピング濃度)によって中間層106のポテンシャルは変化する。
中間層106は上記のように、第1p−クラッド層105と第2p−クラッド層107の間に設けられる。また、第2p−クラッド層107は必ずしも設けられなくてもよく、この場合、中間層106は第1p−クラッド層105と狭窄層108の間に設けられる。
本技術の特徴としては以下の点を挙げることができる。
以下に本技術による効果を説明する。
本技術に係るVCSEL素子100は、主に600nm〜700nmの赤色波長帯域を発光波長帯域とするVCSEL素子であり、高速データリンク用の光源、ディスプレイ及びプロジェクタ等の表示デバイス、レーザプリンタ光源、光メモリ等の各種電子機器に利用することが可能である。
活性層と、
上記活性層上に設けられた第1のクラッド層と、
上記第1のクラッド層上に設けられ、電子のポテンシャルが上記第1のクラッド層の電子のポテンシャルより高く、かつ正孔のポテンシャルが上記第1のクラッド層の正孔のポテンシャルより高い中間層と
を具備する垂直共振器型面発光レーザ素子。
上記(1)に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
上記第1のクラッド層はAlGaInPからなり、
上記中間層は、AlGaInPとは異なる材料であって、AlGaInPより電子のポテンシャルが高く、かつAlGaInPより正孔のポテンシャルが高い材料からなる
垂直共振器型面発光レーザ素子。
上記(2)に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
上記中間層は、AlGaInPとは異なるV族材料で構成されている
垂直共振器型面発光レーザ素子。
上記(3)に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
上記中間層は、p−AlGaAsからなる
垂直共振器型面発光レーザ素子。
上記(4)に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
上記中間層のp型ドーパントはCである
垂直共振器型面発光レーザ素子。
上記(5)に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
上記p型ドーパントのキャリア濃度は1×1018cm3以上である
垂直共振器型面発光レーザ素子。
上記(1)から(6)のうちいずれか一つに記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
上記中間層は、上記垂直共振器型面発光レーザ素子内に形成される光場の節に位置する
垂直共振器型面発光レーザ素子。
上記(1)から(7)のうちいずれか一つに記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
垂直共振器型面発光レーザ素子の発振波長をλとすると、
上記中間層の厚さは、0より大きく0.25λ以下である
垂直共振器型面発光レーザ素子。
上記(1)から(8)のうちいずれか一つに記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
垂直共振器型面発光レーザ素子の発振波長をλとすると、
キャビティ長は0.5λ以下である
垂直共振器型面発光レーザ素子。
上記(1)から(9)のうちいずれか一つに記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
発振波長は630nm以上690nmである
垂直共振器型面発光レーザ素子。
上記(1)から(10)のうちいずれか一つに記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
上記第1のクラッド層は、p型クラッド層である
垂直共振器型面発光レーザ素子。
上記(11)に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
狭窄層をさらに具備し、
上記中間層は、上記第1のクラッド層と上記狭窄層の間に設けられている
垂直共振器型面発光レーザ素子。
上記(12)に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
上記狭窄層と上記中間層の間に設けられた、p型クラッド層である第2のクラッド層
をさらに具備する
垂直共振器型面発光レーザ素子。
上記(12)又は(14)に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
n型DBR(Distributed Bragg Reflector)層と、
p型DBR(Distributed Bragg Reflector)層と、
上記n型DBR層と上記活性層の間に設けられたn型クラッド層とをさらに具備し、
上記狭窄層は、上記p型DBR層と上記中間層の間に設けられている
垂直共振器型面発光レーザ素子。
活性層と、上記活性層上に設けられた第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に設けられ、電子のポテンシャルが上記第1のクラッド層の電子のポテンシャルより高く、かつ正孔のポテンシャルが上記第1のクラッド層の正孔のポテンシャルより高い中間層とを備える垂直共振器型面発光レーザ素子
を具備する電子機器。
101…基板
102…n−DBR層
103…n−クラッド層
104…活性層
105…第1p−クラッド層
106…中間層
107…第2p−クラッド層
108…狭窄層
109…p−DBR層
110…n−電極
111…p−電極
Claims (15)
- 活性層と、
前記活性層上に設けられた第1のクラッド層と、
前記第1のクラッド層上に設けられ、電子のポテンシャルが前記第1のクラッド層の電子のポテンシャルより高く、かつ正孔のポテンシャルが前記第1のクラッド層の正孔のポテンシャルより高い中間層と
を具備する垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項1に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
前記第1のクラッド層はAlGaInPからなり、
前記中間層は、AlGaInPとは異なる材料であって、AlGaInPより電子のポテンシャルが高く、かつAlGaInPより正孔のポテンシャルが高い材料からなる
垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項2に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
前記中間層は、AlGaInPとは異なるV族材料で構成されている
垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項3に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
前記中間層は、p−AlGaAsからなる
垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項4に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
前記中間層のp型ドーパントはCである
垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項5に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
前記p型ドーパントのキャリア濃度は1×1018cm3以上である
垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項1に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
前記中間層は、前記垂直共振器型面発光レーザ素子内に形成される光場の節に位置する
垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項1に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
垂直共振器型面発光レーザ素子の発振波長をλとすると、
前記中間層の厚さは、0より大きく0.25λ以下である
垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項1に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
垂直共振器型面発光レーザ素子の発振波長をλとすると、
キャビティ長は0.5λ以下である
垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項1に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
発振波長は630nm以上690nmである
垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項1に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
前記第1のクラッド層は、p型クラッド層である
垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項11に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
狭窄層をさらに具備し、
前記中間層は、前記第1のクラッド層と前記狭窄層の間に設けられている
垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項12に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
前記狭窄層と前記中間層の間に設けられた、p型クラッド層である第2のクラッド層
をさらに具備する
垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 請求項12又は13に記載の垂直共振器型面発光レーザ素子であって、
n型DBR(Distributed Bragg Reflector)層と、
p型DBR(Distributed Bragg Reflector)層と、
前記n型DBR層と前記活性層の間に設けられたn型クラッド層とをさらに具備し、
前記狭窄層は、前記p型DBR層と前記中間層の間に設けられている
垂直共振器型面発光レーザ素子。 - 活性層と、前記活性層上に設けられた第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に設けられ、電子のポテンシャルが前記第1のクラッド層の電子のポテンシャルより高く、かつ正孔のポテンシャルが前記第1のクラッド層の正孔のポテンシャルより高い中間層とを備える垂直共振器型面発光レーザ素子
を具備する電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
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