JPWO2018003335A1 - 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び溶接用レーザ光源システム - Google Patents
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Abstract
Description
低電圧駆動でさらなる高出力を可能とする半導体レーザ装置が要望されているが、1エミッタ当たり10W以上の高出力の半導体レーザ装置では、投入電流(注入電流)が非常に大きくなる。例えば、投入電流が1エミッタ当たり10A超と大きくなるマルチエミッタレーザにおいては、全投入電流は10A×エミッタ数(N)となり、N=20であれば全投入電流は200Aにもなる。低電圧駆動且つ高出力の半導体レーザ装置を実現するには、電力変換効率を向上させるとよいが、高い電力変換効率を実現するためには、個々の電気特性及び光学特性の改善の積み重ねが重要である。その中でも、立ち上がり電圧(閾値電圧)の低減、内部抵抗の低減、注入キャリアの利用効率の向上による低閾値化やスロープ効率の向上、及び、熱飽和レベルの引き上げについては、特に考慮すべき特性である。
まず、実施の形態1に係る半導体レーザ装置1の構成について、図1を用いて説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体レーザ装置1の断面図である。
次に、実施の形態2に係る半導体レーザ装置2について、図14を用いて説明する。図14は、実施の形態2に係る半導体レーザ装置2の平面図である。
次に、実施の形態3に係る半導体レーザ装置3について、図17を用いて説明する。図17は、実施の形態3に係る半導体レーザ装置3の断面図である。
次に、実施の形態4に係る半導体レーザモジュールについて、図20A及び図20Bを用いて説明する。図20Aは、実施の形態4に係る半導体レーザモジュール4の平面図であり、図20Bは、同半導体レーザモジュール4の側面図である。
次に、実施の形態5に係る溶接用レーザ光源システム5について、図21を用いて説明する。図21は、実施の形態5に係る溶接用レーザ光源システム5の構成を示す図である。
以上、本開示に係る半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び溶接用レーザ光源システム等について、実施の形態に基づいて説明したが、本開示は、上記の実施の形態1〜5に限定されるものではない。
1a 前端面
1b 後端面
4 半導体レーザモジュール
5 溶接用レーザ光源システム
100、100A 第1導電側半導体層
101、101A 基板
102、102A バッファ層
103、103A 第1電極
104、104A 第2電極
110、110A 第1半導体層
111 第1クラッド層
112 第2クラッド層
113 第3クラッド層
120、120A 第2半導体層
121、121A 第1光導波路層
122、122A 第2光導波路層
123、123A 第3光導波路層
124A 第4光導波路層
200、200A 第2導電側半導体層
210、210A 第1半導体層
211、211A 第1クラッド層
212、212A 第2クラッド層
213 第3クラッド層
220、220A 第2半導体層
221、221A 開口部
221a 開口幅変化領域
221b 開口幅一定領域
230、230A 第3半導体層
231 第1光導波路層
231A アンドープ光ガイド層
231Aa 第1光導波路層
231Ab 第2光導波路層
231Ac 第3光導波路層
232 第2光導波路層
232A キャリアオーバーフロー抑制層
232Aa 第1キャリアオーバーフロー抑制層
232Ab 第2キャリアオーバーフロー抑制層
232Ac 第3キャリアオーバーフロー抑制層
240 第4半導体層
250、250A 第5半導体層
300、300A 活性層
310、310A 第1障壁層
320、320A 井戸層
330、330A 第2障壁層
410 第1反射膜
420 第2反射膜
510 第1空孔拡散領域
520 第2空孔拡散領域
600 トンネル接合層
610 第1トンネル接合層
620 第2トンネル接合層
LD1 第1レーザ構造
LD2 第2レーザ構造
Claims (21)
- 第1導電側半導体層と、活性層と、第2導電側半導体層とが順に積層された積層構造体を備え、横モード多モード発振する半導体レーザ装置であって、
前記積層構造体は、レーザ光の出射端面である前端面と、前記前端面と反対側の面である後端面と、前記前端面と前記後端面とを共振器反射ミラーとした光導波路とを備え、
前記第2導電側半導体層は、前記活性層に近い側から順に第1半導体層と第2半導体層とを有し、
前記光導波路への電流注入領域の幅は、前記第2半導体層により画定され、
前記電流注入領域の共振器長方向の端部は、前記前端面及び前記後端面よりも内側に位置し、
前記電流注入領域は、幅が変化する幅変化領域を有し、
前記幅変化領域の前記前端面側の幅をS1とし、前記幅変化領域の前記後端面側の幅をS2としたとき、S1>S2である、
半導体レーザ装置。 - 前記第1半導体層の前記電流注入領域における膜厚と、前記第2半導体層の下方領域における膜厚とは同じである、
請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 前記幅変化領域の前記前端面側の幅の一端と前記幅変化領域の前記後端面側の幅の一端とを結ぶ直線と、前記共振器長方向とのなす角をθとすると、0°<θ≦0.5°である、
請求項1又は2に記載の半導体レーザ装置。 - 前記幅変化領域は、前記前端面側の幅の両端の各々と前記後端面側の幅の両端の各々とを直線で結んだテーパ形状である、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第2半導体層は、前記電流注入領域に対応する開口部を有する、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記活性層は、単一量子井戸層構造である、
請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第1導電側半導体層は、第1光ガイド層を有し、
前記半導体レーザ装置から出射するレーザ光の最大光強度は、前記第1光ガイド層に存在する、
請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第2導電側半導体層は、前記活性層と前記第1半導体層との間に第2光ガイド層を有し、
前記第1半導体層は、第2導電側のクラッド層であり、
前記第2半導体層は、電流ブロック層である、
請求項7に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第2光ガイド層は、前記活性層側にアンドープ光ガイド層を有する、
請求項8に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第1導電側半導体層は、第1導電側のクラッド層を有し、
前記第1導電側のクラッド層及び前記第2導電側のクラッド層の組成は、AlxGa1−xAs(0<x<1)である、
請求項8又は9に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第1導電側のクラッド層及び前記第2導電側のクラッド層の少なくとも一方は、Al組成が異なる2層以上の積層膜からなり、
前記2層以上の積層膜では、前記活性層から離れた側にAl濃度の低い組成の膜が配置されている、
請求項10に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第1光ガイド層の組成は、AlxGa1−xAs(0<x<1)である、
請求項7〜11のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第1光ガイド層は、Al組成の異なる2層以上の積層膜からなり、
前記第1光ガイド層における前記2層以上の積層膜では、前記活性層に近い側にAl濃度の低い組成の膜が配置されている、
請求項12に記載の半導体レーザ装置。 - 前記活性層の組成は、AlxInyGa1−x―yAs(0≦x<1、0≦y<1)である、
請求項10〜13のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第1導電側のクラッド層、前記第2導電側のクラッド層及び前記活性層の組成は、AlxGa1−x−yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1)である、
請求項10に記載の半導体レーザ装置。 - 前記積層構造体を複数備え、
複数の積層構造体は、トンネル接合によって積層されている、
請求項1〜15のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記幅変化領域の前記前端面側の幅は、前記電流注入領域の前記前端面側の幅であり、
前記幅変化領域の前記後端面側の幅は、前記電流注入領域の前記後端面側の幅である、
請求項1〜16のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記電流注入領域は、さらに、幅が一定の幅一定領域を有する、
請求項1〜16のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記幅一定領域は、前記幅変化領域の前記前端面側に位置する、
請求項18に記載の半導体レーザ装置。 - 請求項1〜19のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置を備える、
半導体レーザモジュール。 - 請求項1〜19のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置を備える、
溶接用レーザ光源システム。
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