JP5590829B2 - 面発光レーザ、面発光レーザアレイ及び画像形成装置 - Google Patents
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Description
面発光レーザは、縦モード特性として安定した単一モードが得られ、また端面発光レーザに比べて低しきい値、2次元アレイ化が容易、などの優れた特性を有するレーザである。そのため、面発光レーザは、光通信、光伝送用の光源、また電子写真の光源として応用が期待されている。
そのため、従来においては、特許文献1に開示されているように、面発光レーザでは素子内部に選択酸化による電流狭窄構造を設けることにより活性層の発光領域を制限し、また同時に選択酸化部分で導波構造を形成することにより、単一横モード化を図っている。
そのため、活性層の電流分布は、図6(b)の実線で示すように、電流狭窄領域内の周辺部に対応する付近にピークを有する。
このような電流分布により、活性層の利得も電流狭窄領域内の周辺部に対応する周辺部で増大するため、必然的に高次横モードの利得が増大し、高次横モードが強く励起される。
したがって、高い光出力を得るために注入電流を増大すると、高次横モードの発振が生じ易くなる。
本発明の面発光レーザは、
基板の上に設けられた下部DBR層と、
前記下部DBR層の上に設けられたn型の下部クラッド層と、
前記下部クラッド層の上に設けられた活性層と、
前記活性層の上に設けられた、前記活性層に注入される電流を狭窄するための電流狭窄層と、
前記電流狭窄層と前記活性層との間に設けられた、ホールキャリヤの電界印加方向への移動を抑制する障壁構造と、
前記障壁構造と前記活性層との間、および、前記電流狭窄層と前記障壁構造との間に設けられたp型の上部クラッド層と、
前記電流狭窄層の上に設けられた上部DBR層と、を有し、
前記活性層は、量子井戸層と障壁層からなる量子構造と、前記量子構造を挟むスペーサ層とで構成され、
前記下部クラッド層と前記上部クラッド層それぞれの価電子帯エネルギーは、前記スペーサ層の価電子帯エネルギーよりも低く、
前記障壁構造が、前記上部クラッド層の価電子帯エネルギーと異なる価電子帯エネルギーを有する層で構成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザアレイは、上記した面発光レーザが、一次元または二次元に配列されていることを特徴とする。
また、本発明の画像形成装置は、上記した面発光レーザアレイを光源として構成されていることを特徴とする。
すなわち、図6(b)の実線で示された電流分布を、点線で示された電流分布の形状に変化させるために、電流狭窄構造と活性層との間にキャリヤに対する障壁構造を設ける。
具体的には、電流狭窄部を通過した多数キャリヤの電界印加方向への移動を抑制する障壁構造を設け、多数キャリヤの面内方向への拡散を増大する構造とする。
これにより、電流狭窄部の周辺部に集中した電流分布をなだらかな形状に変化させることができ、高次横モードに対する利得を低減させることが可能となる。
このような構造とすることによって、高次横モードが抑制できるので、より高い電流注入レベルでも基本モード発振を維持できるので、単一モード発振を実現できる。
更に、前記電流狭窄構造をP型領域に設け、多数キャリヤをホールキャリヤとすることで、移動度が小さいホールキャリヤの面内拡散の増大を低いエネルギーの障壁構造で実現できる。
これは、上記した障壁層の導入による面発光レーザの駆動電圧の増加を抑えるのにも有効である。
更に、電流狭窄構造と活性層との間における上部クラッド層に上記障壁構造を挿入することで、キャリヤの面内方向への拡散を増大することができる。
活性層11のp導電性側に、周辺から酸化することで形成される電流狭窄部15a、p側の上部第2クラッド層14、本発明によるp−障壁構造13、p側の上部第1クラッド層12が設けられる。
そして、p側から注入された多数キャリヤであるホールキャリヤを、p−障壁構造13によって面内方向への拡散を増大させる。
これにより、電流狭窄部15aの周辺部に集中したホールキャリヤが、活性層ではそのピークを低減させることができる。
更に、上記本発明の多数キャリヤの拡散を増大する構造を、面発光レーザの光放射面を、光放射面の中心部と周辺部で反射率が異なる構造とすることで、基本モードと高次モードの光放射面における共振器の反射損失を制御して、単一モード発振を実現する構造に適用することで、単一基本横モード発振が更に容易に実現できる。
また、高次モードの利得ピークが抑圧できるので、高次モードの抑圧に必要な反射損失レベルの低減が可能となり、単一モード発振の注入電流範囲を広くすることができる。
また、高次モードの利得ピークの抑圧により、単一基本横モードの光出力を維持しつつ、電流非狭窄径を小さくした構造とすることが可能になり、面発光レーザのしきい電流、駆動電流の低減も可能になる。
図3において、6はn−金属電極、7はGaAs基板、8はn−GaAsバッファ層、9はn側の下部DBR層、10はn側の下部クラッド層である。
11は活性層、12はp側の上部第1クラッド層、13はp−障壁層、14はp側の上部第2クラッド層、15aは電流狭窄部、15bは周辺酸化部である。
16はp側の上部第3クラッド層、17はp側の上部DBR層、18はp型コンタクト層、19は絶縁層、20は埋め込み層、21はp−金属電極である。
この電流分布がほぼ維持されて、活性層11の利得分布となるため、高次モードを強く励起し、高次モードの発振が生じ易くなる。
そこで、図2の活性層付近のエネルギーバンド図に示すように、活性層11のp側にp−障壁構造13を挿入すると、ホールキャリヤは、p−障壁構造13によって電界印加方向への進路を阻害されるため、電界印加方向とは垂直の面内方向への拡散が増大する。
これにより、活性層11における電流分布は、図6(b)の点線に示されるように、ピークレベルが低減され、活性層11の利得分布のピークもなだらかになり、高次モードの励起も低下する。
図4には、本実施形態の面発光レーザにおいて、p側の上部第2クラッド層14をAl 0.6 Ga 0.4 As層とし、p−障壁構造13をAl 0.12 Ga 0.38 In 0.5 Pとして構成した際の、基本モード光出力の電流依存性が示されている。
また、参照のために、p−障壁構造13を挿入していない構成の基本モード光出力の電流依存性も示されている。
この図から、p−障壁構造13の挿入により、高い注入電流領域で高次モード光出力が抑圧され、基本モード光出力が増大されていることが分かる。
図5には、p−障壁構造13のAl組成に対する面発光レーザの基本モード光出力に対する高次モード光出力の割合、および、面発光レーザ素子の電圧の依存性について示されている。
p−障壁構造13のAl組成を増加させることは、p−障壁構造13のホールキャリヤに対するエネルギー障壁を高くすることになる。
同図において、Al組成0.35付近から素子電圧の増大が生じており、更に、Al組成0.4付近で基本モード光出力に対する高次モード光出力の割合が、p−障壁構造を挿入しない構成と同等になっている。
このようなことから、p−障壁構造のAl組成は0.35以下が望ましい。
なお、図8に示すように、p−障壁構造13の効果は価電子帯エネルギーの井戸構造でも得られる。すなわち、p−障壁構造13を、上部クラッド層の価電子帯エネルギーより高い価電子帯エネルギーを有する層で構成しても同様の結果が得られる。
これは、p側の上部第2クラッド層からp−障壁構造13の価電子帯エネルギーの井戸に落ちたホールキャリヤにとって、p側の上部第1クラッド層の価電子帯エネルギーが障壁となることによる。
図7(a)〜(d)は、本実施例における面発光レーザの概略製造工程を説明するための図であり、図1と同一機能を備えた層には同じ符号が付されている。
本実施例における面発光レーザは、図7(a)に示す層構成を備えており、これらはつぎのように各層を順次成長させて構成される。
すなわち、GaAs基板7上に公知の技術であるMOCVD法により、n型GaAsバッファ層8、n−DBR層9、n−クラッド層10、活性層11を成長させる。
そして、更にこの活性層11上に、p−第1クラッド層12、p−障壁構造13、p−第2クラッド層14、電流狭窄部15a、p−第3クラッド層16、p−DBR層17、およびp型コンタクト層18を順次成長させる。
n側の下部クラッド層10は、n型のAl 0.6 Ga 0.4 As層で構成される。
また、n側の下部DBR層は、Al 0.25 Ga 0.75 AsとAlAsとを各層の膜厚がλ/4nr(ただし、λはレ−ザの発振波長、nrは構成する媒質の屈折率)となるように交互に29周期積層した積層体で構成される。
活性層11は、アンドープのGaAsよりなる量子井戸層と、アンドープのAl 0.25 Ga 0.75 Asよりなる障壁層と、これらの量子構造を挟むアンドープのAl 0.25 Ga 0.75 Asよりなるスペーサ層で構成される。
また、障壁構造13はAlGaInP層で構成され、GaAs層で構成されている基板と格子整合している。
具体的には、p−障壁構造13は、p型のAl 0.12 Ga 0.38 In 0.5 P層で構成され、p−第1クラッド層、p−第2クラッド層を構成するAl 0.6 Ga 0.4 As層との間で、価電子帯にエネルギー障壁を形成する。
一方、伝導帯側ではエネルギーの井戸構造となる。
電流狭窄部15aは、Al 0.98 Ga 0.02 As層で構成されており、周辺酸化部15bは、Al 0.98 Ga 0.02 As層を酸化することで形成される。
p側の上部DBR層17は、Al 0.25 Ga 0.75 AsとAlAsとを各層の膜厚がλ/4nr(ただし、λはレ−ザの発振波長、nrは構成する媒質の屈折率)となるように交互に20周期積層した積層体である。
p−コンタクト層18は、p−側金属電極19を形成する際に、低抵抗のオーミックコンタクトを得るため、高キャリヤ濃度GaAs層で構成される。
そして、レジストパターンを形成し、このパターンをマスクに、公知のエッチング技術により、少なくとも電流狭窄構造となるAl 0.98 Ga 0.02 As層15が露出するまでエッチングを行って約30μm径のメサ形状を形成した後、レジストを除去する。
これを図7(c)に示すように、公知技術であるウエット酸化により、前記露出しているAl 0.98 Ga 0.02 As層をメサ形状の周囲からを選択的に酸化させる。これにより、Al 0.98 Ga 0.02 As層で構成される電流狭窄部15aとAl 0.98 Ga 0.02 Asの酸化物で構成される周辺酸化部15bが形成され、電流狭窄部15aが活性層への電流パスとなる。
なお、前記 面発光デバイスの活性層の近傍に形成される電流狭窄部の開口部径は、電流注入領域の径に応じて適宜決められる。
次に、図7(d)に示すようにSiO2膜を除去し、全面にSiN保護膜31、埋め込み絶縁層20を堆積する。
そして、光放射部を除いてリング状に内径10μm、外径15μmの窓32を開け、p型金属電極21となるTi、Auを連続堆積するとともに、GaAs基板側にn型金属電極6としてAuGe、Ni、Auを連続形成して図3の面発光レーザ構造が得られる。
これにより、活性層におけるキャリヤ分布の電流狭窄周辺部に対応するピークを低減できるので、高次モード発振を抑圧し、単一モード発振を維持することができる。
なお、上記実施例では、上部クラッド層Al 0.6 Ga 0.4 Asより低い価電子帯エネルギーを持つAlGaInP層を障壁構造13として使用したが、これに限定されるものではない。
例えば、図8に示すように、上部クラッド層Al 0.6 Ga 0.4 Asより高い価電子帯エネルギーを持つAlxGa1−xAs(0.25<x<0.6)を障壁構造13として使用することも可能である。
このように、価電子帯エネルギーに井戸構造を形成することで、ホールキャリヤの面内方向への拡散を増大させることも可能である。
7:GaAs基板
8:バッファ層
9:n−DBR層
10:n−クラッド層
11:活性層
12:p−第1クラッド層
13:障壁層
14:p−第2クラッド層
15a:電流狭窄部(電流狭窄領域)
15b:周辺酸化部
16:p−第3クラッド層
17:p−DBR層
18:コンタクト層
21:p側金属電極
Claims (10)
- 基板の上に設けられた下部DBR層と、
前記下部DBR層の上に設けられたn型の下部クラッド層と、
前記下部クラッド層の上に設けられた活性層と、
前記活性層の上に設けられた、前記活性層に注入される電流を狭窄するための電流狭窄層と、
前記電流狭窄層と前記活性層との間に設けられた、ホールキャリヤの電界印加方向への移動を抑制する障壁構造と、
前記障壁構造と前記活性層との間、および、前記電流狭窄層と前記障壁構造との間に設けられたp型の上部クラッド層と、
前記電流狭窄層の上に設けられた上部DBR層と、を有し、
前記活性層は、量子井戸層と障壁層からなる量子構造と、前記量子構造を挟むスペーサ層とで構成され、
前記下部クラッド層と前記上部クラッド層それぞれの価電子帯エネルギーは、前記スペーサ層の価電子帯エネルギーよりも低く、
前記障壁構造が、前記上部クラッド層の価電子帯エネルギーと異なる価電子帯エネルギーを有する層で構成されていることを特徴とする面発光レーザ。 - 前記障壁構造が、前記上部クラッド層の価電子帯エネルギーより低い価電子帯エネルギーを有する層で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記障壁構造が、前記上部クラッド層の価電子帯エネルギーより高い価電子帯エネルギーを有する層で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記上部クラッド層がAlGaAsで構成され、
前記障壁構造がAlGaInPで構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の面発光レーザ。 - 前記基板がGaAsで構成されており、
前記障壁構造が、前記基板と格子整合していることを特徴とする請求項4に記載の面発光レーザ。 - 前記障壁構造のAl組成が、0.35以下であることを特徴とする請求項4または5に記載の面発光レーザ。
- 前記上部クラッド層がAlGaAsで構成され、
前記障壁構造が前記上部クラッド層よりAl組成が小さいAlGaAsで構成されていることを特徴とする請求項3に記載の面発光レーザ。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の面発光レーザの光放射面が、光放射面の中心部と周辺部で反射率が異なる構造を有することを特徴とする面発光レーザ。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の面発光レーザが、一次元または二次元に配列されていることを特徴とする面発光レーザアレイ。
- 請求項9に記載の面発光レーザアレイを光源として構成されていることを特徴とする画像形成装置。
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