JPWO2019098011A1 - 樹脂多層基板、電子部品およびその実装構造 - Google Patents
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Abstract
Description
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向から視て前記信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記開口は、前記積層方向に垂直な方向で、前記信号線に近い領域に比べて遠い領域で開口率が高い、
ことを特徴とする。
前記グランド導体は、前記積層方向で前記複数の信号線の間に位置する内層グランド導体と、前記複数の信号線より表層側に位置する表層グランド導体とを含み、前記内層グランド導体および前記表層グランド導体には前記開口が設けられており、前記表層グランド導体に形成されている開口の開口率は、前記内層グランド導体に形成されている開口の開口率より高い、ことが好ましい。
外部の回路に接続される第1接続部および第2接続部と、前記第1接続部と前記第2接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備え、
前記第1接続部、前記第2接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向から視て前記信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記開口は、前記積層方向に垂直な方向で、前記信号線に近い領域に比べて遠い領域で開口率が高い、
ことを特徴とする。
回路基板へ表面実装される電子部品の実装構造であって、
前記電子部品は、
外部の回路に接続される第1接続部および第2接続部と、前記第1接続部と前記第2接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備え、
前記第1接続部、前記第2接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向から視て前記信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記開口は、前記積層方向に垂直な方向で、前記信号線に近い領域に比べて遠い領域で開口率が高い、
ことを特徴とする。
図1(A)は第1の実施形態に係る樹脂多層基板101の外観斜視図である。図1(B)は、樹脂多層基板101の実装構造を示す断面図である。図1(B)に示す例では、この樹脂多層基板101は、他の回路基板201と或る部品301との間を接続するケーブルとして用いられる電子部品である。この樹脂多層基板101は本発明に係る「電子部品」の例でもある。樹脂多層基板101は、第1接続部CN1と、第2接続部CN2と、伝送線路部TLとを備える。第1接続部CN1は、図1(A)に示す上面に接続用電極が露出していて、第2接続部CN2は、図1(A)に示す下面に接続用電極が露出している。伝送線路部TLには第1接続部CN1と第2接続部CN2との間を繋ぐストリップライン型の高周波伝送線路が形成されている。この伝送線路部TLは、必要に応じて屈曲される。また、第1接続部CN1、第2接続部CN2には必要に応じてコネクタが設けられる。
第2の実施形態では、層間接続導体付近の開口率を高めた例を示す。
第3の実施形態では、層間接続導体がグランド導体に形成された開口を介して絶縁樹脂基材層に接触している例を示す。
第4の実施形態では、複数の信号線を含む樹脂多層基板104の例を示す。
第5の実施形態では、めっき膜による層間接続導体を有する樹脂多層基板105について示す。
第6の実施形態では、電子部品の実装構造について示す。
以上に示した各実施形態では、グランド導体に円形に開口を形成した例を示したが、開口は円形に限らない。矩形、角丸の矩形、長円形、楕円形などであってもよい。また、層間接続導体の横断面形状についても同様である。
A1…小径開口
A2…大径開口
CN1…第1接続部
CN2…第2接続部
CN11,CN12…回路基板側接続部
L1〜L6…絶縁樹脂基材層
MP1,MP2…めっき膜
RF…レジスト膜
TL…伝送線路部
V1,V2,V3…層間接続導体
V11,V12,V13…層間接続導体
ZF…信号線離間領域
ZN…信号線近接領域
11,12…信号線
20…層間接続用導体パターン
21,22…表層グランド導体
23…内層グランド導体
51,52…コネクタ
101〜106…樹脂多層基板
111,112,113…電子部品
160…電子部品
201…回路基板
211,212…層間接続用導体パターン
301…部品
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向から視て前記信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記開口は、前記積層方向に垂直な方向で、前記信号線に近い第1領域と前記第1領域に比べて前記信号線から遠い第2領域とに形成され、前記第1領域に比べて前記第2領域で開口率が高い、
ことを特徴とする。
前記グランド導体は、前記積層方向で前記複数の信号線の間に位置する内層グランド導体と、前記複数の信号線より表層側に位置する表層グランド導体とを含み、前記内層グランド導体および前記表層グランド導体には前記開口が設けられており、前記表層グランド導体に形成されている開口の開口率は、前記内層グランド導体に形成されている開口の開口率より高い、ことが好ましい。
一般に、外部から熱が加わりやすく温度上昇しやすい表層においては相対的にガス発生量が多い。また、多層基板の内部で発生したガスは内部から表層方向へ誘導される傾向がある。上記構造によれば、表層から効率良くガスが抜ける。
(14)前記第2領域に形成された開口の数は、前記第1領域に形成された開口の数より多くてもよい。
外部の回路に接続される第1接続部および第2接続部と、前記第1接続部と前記第2接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備え、
前記第1接続部、前記第2接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向から視て前記信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記開口は、前記積層方向に垂直な方向で、前記信号線に近い第1領域と前記第1領域に比べて前記信号線から遠い第2領域とに形成され、前記第1領域に比べて前記第2領域で開口率が高い、
ことを特徴とする。
回路基板へ表面実装される電子部品の実装構造であって、
前記電子部品は、
外部の回路に接続される第1接続部および第2接続部と、前記第1接続部と前記第2接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備え、
前記第1接続部、前記第2接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向から視て前記信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記開口は、前記積層方向に垂直な方向で、前記信号線に近い第1領域と前記第1領域に比べて前記信号線から遠い第2領域とに形成され、前記第1領域に比べて前記第2領域で開口率が高い、
ことを特徴とする。
Claims (14)
- 複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向から視て前記信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記開口は、前記積層方向に垂直な方向で前記信号線に近い領域に比べて遠い領域で開口率が高い、
ことを特徴とする、樹脂多層基板。 - 前記開口は、前記積層方向から視て、前記信号線と重ならない位置にのみ形成されている、請求項1に記載の樹脂多層基板。
- 前記開口の直径または幅は、前記信号線の線幅より小さい、請求項1または2に記載の樹脂多層基板。
- 前記グランド導体は、前記信号線を前記積層方向で挟み込む複数のグランド導体で構成され、
異なる層に形成された前記グランド導体同士を互いに接続する層間接続導体を有する、
請求項1または2に記載の樹脂多層基板。 - 前記開口の直径または幅は、前記層間接続導体の直径または幅より小さい、請求項4に記載の樹脂多層基板。
- 前記層間接続導体は樹脂成分を有する、
請求項4または5に記載の樹脂多層基板。 - 前記開口は、前記積層方向に垂直な方向で、前記層間接続導体から離間した領域に比べて前記層間接続導体に近い領域で開口率が高い、
請求項4から6のいずれかに記載の樹脂多層基板。 - 前記層間接続導体は前記開口を介して前記絶縁樹脂基材層に接触している、
請求項4から7のいずれかに記載の樹脂多層基板。 - 前記層間接続導体は、前記積層方向の両側で前記開口を介して前記絶縁樹脂基材層に接触している、
請求項8に記載の樹脂多層基板。 - 前記層間接続導体は、前記複数の絶縁樹脂基材層に亘って形成されており、且つ前記積層方向にジグザグ状に配置された部分を有する、
請求項8または9に記載の樹脂多層基板。 - 前記グランド導体は、前記信号線を前記積層方向で挟み込む複数のグランド導体で構成され、
異なる層に形成された前記グランド導体同士を互いに接続するめっき膜が形成された、
請求項1から3のいずれかに記載の樹脂多層基板。 - 前記信号線は、互いに異なる前記絶縁樹脂基材層に形成された複数の信号線で構成され、
前記グランド導体は、前記積層方向で前記複数の信号線の間に位置する内層グランド導体と、前記複数の信号線より表層側に位置する表層グランド導体とを含み、
前記内層グランド導体および前記表層グランド導体には前記開口が設けられており、
前記表層グランド導体に形成されている開口の開口率は、前記内層グランド導体に形成されている開口の開口率より高い、
請求項1から11のいずれかに記載の樹脂多層基板。 - 外部の回路に接続される第1接続部および第2接続部と、前記第1接続部と前記第2接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備える電子部品であって、
前記第1接続部、前記第2接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向から視て前記信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記開口は、前記積層方向に垂直な方向で、前記信号線に近い領域に比べて遠い領域で開口率が高い、
ことを特徴とする、電子部品。 - 回路基板へ表面実装される電子部品の実装構造であって、
前記電子部品は、
外部の回路に接続される第1接続部および第2接続部と、前記第1接続部と前記第2接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備え、
前記第1接続部、前記第2接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、信号線と、前記複数の絶縁樹脂基材層の積層方向から視て前記信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記開口は、前記積層方向に垂直な方向で、前記信号線に近い領域に比べて遠い領域で開口率が高い、
ことを特徴とする、電子部品の実装構造。
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