JPWO2017043343A1 - 固体撮像装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
PD部は、Tr側Si/SiO2界面をp型にして、埋め込みPDとなっている。PDは、n型で、光電変換と電荷を溜める。TGは、PDに溜めた電荷をFDに転送する。Ampは、FDと繋がっている。RSTは、RD(Reset Drain)と繋がり、FDをリセットする。FDGは、変換効率切り替え用スイッチである。FCは、FDGと繋がっているMOS容量(ゲート電極)である。SELは、信号を出力する画素を選択する。本開示は、例えば、カメラなどの撮像装置に用いられるCMOS固体撮像装置に適用することができる。
Description
1.第1の実施の形態
2.第2の実施の形態 (イメージセンサの使用例)
3.第3の実施の形態 (電子機器の例)
<固体撮像装置の概略構成例>
図1は、本技術の各実施の形態に適用されるCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)固体撮像装置の一例の概略構成例を示している。
図2は、本技術の画素の構成例を表している。図2の例においては、変換効率切り替え用の容量として、PD上にp型のMOS容量を付けたPD部の断面図が示されている。裏面照射型であるので、図中下から光が入ってくる。
図8は、本技術の画素の他の構成例を表している。図8の例においては、変換効率切り替え用の容量として、PD上にn型のMOS容量を付けたPD部の断面図が示されている。
さらに、本技術の画素の他の構成例について説明していく。図13の例においては、変換効率切り替え用の容量として、PDを深く埋め込み、上にp型のMOS容量を付けたPD部の断面図が示されている。
図32は、上述の固体撮像装置を使用する使用例を示す図である。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
<電子機器の構成例>
(1) フォトダイオードと、
前記フォトダイオード上に形成される容量と
を備える固体撮像装置。
(2) 前記容量は、polyを形成するMOS容量である
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(3) 前記容量は、ホール蓄積層上のn+電極である
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(4) 前記容量は、変換効率切り換え用である
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(5) 露光期間の殆どにおいて電極の電位を、実際に前記容量を使う際の電位よりも低い電位に保つ
前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(6) 露光開始時に、リセットドレイン電位をふり、リセットトランジスタ経由で、前記容量であるMOSゲートまたはn+電極を低電位にし、その後、リセットドレイン容量間に接続するトランジスタをoffにすることにより、前記MOSゲートまたは前記n+電極を低電位に保持する
前記(5)に記載の固体撮像装置。
(7) 前記フォトダイオードは、基板の深いところに埋め込まれており、前記容量として使う部分を、深さ方向に距離を取り分離する
前記(1)乃至(6)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(8) 前記フォトダイオードを複数で共有する画素共有の場合、各フォトダイオード上が、容量、トランジスタ、またはwellコンタクトに割り振られている
前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(9) 前記MOS容量の場合、MOSゲート下のSi側を高濃度のp型もしくはn型にして、CV特性でリニアリティのよい領域を用いる
前記(1)乃至(8)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(10) Si側がp型の場合、ゲート電極として、p+polySi、PtSi、またはNiSiを用いる
前記(9)に記載の固体撮像装置。
(11) Si側がp型の場合、ゲート絶縁膜として、HfO2、またはAl2O3を用いる
前記(9)または(10)に記載の固体撮像装置。
(12) Si側がn型の場合、ゲート電極として、n+polySi、TaN、またはTiNを用いる
前記(9)に記載の固体撮像装置。
(13) Si側がn型の場合、ゲート絶縁膜として、Y2O3、またはLa2O3を用いる
前記(9)または(12)に記載の固体撮像装置。
(14) 前記リニアリティを評価し、曲がった部分は、後段において補正が行われる
前記(9)に記載の固体撮像装置。
(15) 前記補正のための前記リニアリティの情報は、記録される
前記(9)または(14)に記載の固体撮像装置。
(16) 裏面照射型である
前記(1)乃至(15)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(17) フォトダイオードと、
前記フォトダイオード上に形成される容量と
を備える固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
入射光を前記固体撮像装置に入射する光学系と
を有する電子機器。
Claims (17)
- フォトダイオードと、
前記フォトダイオード上に形成される容量と
を備える固体撮像装置。 - 前記容量は、polyを形成するMOS容量である
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記容量は、ホール蓄積層上のn+電極である
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記容量は、変換効率切り換え用である
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 露光期間の殆どにおいて電極の電位を、実際に前記容量を使う際の電位よりも低い電位に保つ
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 露光開始時に、リセットドレイン電位をふり、リセットトランジスタ経由で、前記容量であるMOSゲートまたはn+電極を低電位にし、その後、リセットドレイン容量間に接続するトランジスタをoffにすることにより、前記MOSゲートまたは前記n+電極を低電位に保持する
請求項5に記載の固体撮像装置。 - 前記フォトダイオードは、基板の深いところに埋め込まれており、前記容量として使う部分を、深さ方向に距離を取り分離する
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記フォトダイオードを複数で共有する画素共有の場合、各フォトダイオード上が、容量、トランジスタ、またはwellコンタクトに割り振られている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記MOS容量の場合、MOSゲート下のSi側を高濃度のp型もしくはn型にして、CV特性でリニアリティのよい領域を用いる
請求項1に記載の固体撮像装置。 - Si側がp型の場合、ゲート電極として、p+polySi、PtSi、またはNiSiを用いる
請求項9に記載の固体撮像装置。 - Si側がp型の場合、ゲート絶縁膜として、HfO2、またはAl2O3を用いる
請求項9に記載の固体撮像装置。 - Si側がn型の場合、ゲート電極として、n+polySi、TaN、またはTiNを用いる
請求項9に記載の固体撮像装置。 - Si側がn型の場合、ゲート絶縁膜として、Y2O3、またはLa2O3を用いる
請求項9に記載の固体撮像装置。 - 前記リニアリティを評価し、曲がった部分は、後段において補正が行われる
請求項9に記載の固体撮像装置。 - 前記補正のための前記リニアリティの情報は、記録される
請求項14に記載の固体撮像装置。 - 裏面照射型である
請求項1に記載の固体撮像装置。 - フォトダイオードと、
前記フォトダイオード上に形成される容量と
を備える固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
入射光を前記固体撮像装置に入射する光学系と
を有する電子機器。
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