JPWO2014157262A1 - マーク形成方法、マーク検出方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1(A)は、本実施形態のパターン形成システムの要部を示し、図1(B)は、図1(A)中のスキャニングステッパー(スキャナー)よりなる走査型の露光装置(投影露光装置)100の概略構成を示す。図1(A)において、パターン形成システムは、感光材料が塗布されたウエハ(半導体ウエハ)を露光する露光装置100、ウエハに対する感光材料としてのフォトレジスト(レジスト)の塗布及び現像を行うコータ・デベロッパ200、薄膜形成装置300、ウエハに対するドライ又はウエットのエッチングを行うエッチング装置400、後述のブロック共重合体(Block Co-Polymer:BCP)を含むポリマ(Polymer)(重合体)の処理を行うポリマ処理装置500、アニール装置600、これらの装置間でウエハの搬送を行う搬送系700、及びホストコンピュータ(不図示)等を含んでいる。
一例として、波長λaを600nm、開口数NAを0.9とすると、周期p1,p1Aはそれぞれ670nm程度以上であればよい。本実施形態では、デバイス用パターンDP1の形成時にライン状のドメインが形成される指向性自己組織化が適用されるため、ウエハマーク44X,44X1等の形成に際しても、ブロック共重合体の指向性自己組織化によってライン状のドメインが形成されることを考慮しておく必要がある。
その後、ウエハWのデバイス層DL1上に第2のデバイス層を形成する場合には、ウエハWのデバイス層DL1上に薄膜を形成し、レジストをコーティングする(ステップ120)。そして、露光装置100のレチクルステージRSTにレチクルR2をロードし、ウエハWをウエハステージWSTにロードする(ステップ122)。さらに、露光装置100のウエハアライメント系ALSによって、ウエハWの全部のショット領域SAのうちから選択された複数のショット領域(いわゆるアライメントショット)に付設された複数対のウエハマークWM1,WM2(図2(B)参照)の位置を検出する(ステップ124)。ウエハWに例えば100個程度のショット領域SAが形成されている場合、一例として20個程度のアライメントショットが選択される。これらのアライメントショットに付設された複数対のウエハマークWM1,WM2には、ウエハWの中心から半径方向に互いに異なる距離にある複数のスクライブライン領域SLに形成された複数対のウエハマークWM1,WM2が含まれている。
本発明者は、ウエハマーク用のレジストパターンにガイドパターンを形成しない状態で、かつポリマ層56の厚さを変えて、上記のマーク形成方法で直径300mmのウエハの表面にウエハマークを形成し、形成されたウエハマークのラインパターン領域の幅(以下、線幅CD(critical dimension)という)を走査型電子顕微鏡(SEM)で計測してみた。その線幅CDの設計値はほぼ1μm程度である。
ウエハアライメント系ALSの演算部では、撮像信号DSXの特徴量として、一例として以下の量(a1)〜(a11)を検出する。以下の説明において、ウエハマーク44X(又は44X1)のうちのラインパターン領域44Xa及びスペースパターン領域44Xbによって形成される周期p1(又は周期p1A)の部分をマーク単位と呼ぶものとする。なお、Y軸のウエハマーク44YA,44YBに関しても同様に特徴量が検出される。
(a2)その間隔pm1〜pm3のうちの最大値<pmmax>及び最小値<pmmin>。
(a4)その間隔pm1〜pm3の最大値<pmmax>と最小値<pmmin>との差分δpm2及びウエハマーク44X等の領域内での撮像信号のコントラスト(振幅/平均値)。
(a6)ウエハマーク44X等の複数のマーク単位の像内の撮像信号の最大値(矢印A1〜A4で示す位置の値)imax1等の平均値<imax>。
(a7)ウエハマーク44X等の複数のマーク単位の像内の撮像信号の最小値imin1等の平均値<imin>。
(a9)複数のマーク単位の像内の撮像信号の傾斜量(X方向の位置の変化に対する撮像信号の変化量)の最大値の平均値。
この値を求めるためには、図11(C)に示すように、撮像信号DSXの微分信号dDSX/dxを求め、各マーク単位(ラインパターン領域44Xa及びスペースパターン領域44Xb)の像に関して、その微分信号の正の値の最大値の絶対値SLL1、及び負の値の最大値の絶対値SLR1を求め、これらの内の大きい方の値(マーク単位内での最大値)の平均値を計算すればよい。
(a11)複数のマーク単位の像内の撮像信号の正の傾斜量の絶対値SLL1等と、負の傾斜量の絶対値SLR1等との差の平均値。
そして、その演算部では、計測された複数対のウエハマークWM1,WM2に関して求められた上記の(a1)〜(a11)の特徴量毎に、この特徴量と所定の目標値(例えばブロック共重合体を含むポリマを塗布しない状態で形成されたウエハマークに関して求められた特徴量の平均値)との差分を求め、これらの差分が特徴量毎に定められている基準値を超えた場合に、当該ウエハマークの検出信号を不良であると判定する。なお、それらの差分のうちのある割合(例えば50%以上の割合)の差分が対応する基準値を超えた場合に、当該ウエハマークの検出信号を不良であると判定してもよい。また、(a1)〜(a11)の特徴量のうち、少なくとも一部の特徴量を検出するだけでもよい。
このように本実施形態のパターン形成方法によれば、ブロック共重合体を含むポリマ層の指向性自己組織化を用いて、ウエハWの各ショット領域SAに液浸リソグラフィの解像限界よりも微細な構造を持つL&Sパターン40X,40Yを形成するとともに、スクライブライン領域SLには、ウエハアライメント系ALSで検出できる構造を持つウエハマークWM1,WM2を形成できる。このため、次の工程でウエハWのアライメントを高精度に行うことができる。また、ウエハマークWM1,WM2のうちの一方の検出信号が良好でない場合には、検出信号が良好な他方のウエハマークを使用することによって、より高精度にアライメントを行うことができる。
このマーク検出方法によれば、仮にウエハマークWM1,WM2のうちの一方のマークの検出信号が、ブロック共重合体を含むポリマ層56の自己組織化の程度等に応じて目標とする状態と異なっていても、他方のマークの検出信号を用いて、高精度にウエハWの位置決め(アライメント)を行うことができる。
上記の実施形態では、ウエハマークWM1,WM2用のレジストマークRPX,RPX1のライン領域RPXa,RPXa1には複数のガイドパターン54B,54B1が形成され、これらのガイドパターン54B,54B1の間の凹部70A等において、ポリマ層56の指向性自己組織化が行われていた。しかしながら、ウエハマークWM1,WM2の少なくとも一方のマーク用のライン領域(凹部)の幅を広くして、そのライン領域ではポリマ層56の指向性自己組織化が実質的に行われないようにしてもよい。
また、上記の実施形態においては、ウエハマークWM1,WM2よりなる2種類のマークを用いたが、ウエハマークとして、ウエハの各ショットに付設するように、3種類又はそれ以上の種類のマークを形成してもよい。
また、上記の実施形態において、ウエハマークの検出方法は画像処理方式であるが、ウエハマークの検出方法は任意である。例えばウエハマークに照射されるレーザ光によってウエハマークから発生する回折光を検出して、そのウエハマークの位置を検出するLSA(Laser Step A1ignment)系等も使用可能である。
次に、上記の実施形態のパターン形成方法を用いてSRAM等の半導体デバイス(電子デバイス)を製造する場合、半導体デバイスは、図14に示すように、半導体デバイスの機能・性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ222、半導体デバイス用の基板(又はウエハの基材)を製造するステップ223、基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)225、及び検査ステップ226等を経て製造される。また、その基板処理ステップ224は、上記の実施形態のパターン形成方法を含み、そのパターン形成方法は、露光装置でレチクルのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、並びに現像した基板の加熱(キュア)及びエッチングを行う工程などを含んでいる。
このデバイスの製造方法によれば、露光装置の解像限界よりも微細な回路パターンを含む半導体デバイスを、露光装置を用いて高精度に製造できる。
また、上記の実施形態において、露光装置としては、液浸型でないドライ型の露光装置を使用してもよい。また、紫外光を露光光とする露光装置以外に、露光光として波長が数nm〜数10nm程度のEUV光(Extreme Ultraviolet Light)を用いるEUV露光装置、又は電子ビームを露光光とする電子ビーム露光装置等を用いてもよい。
また、ブロック共重合体を含むポリマ層の塗布は、このポリマ層を溶媒に溶かした液体を塗布した後で例えば溶媒を揮発させる溶媒キャスティング法で行うことも可能である。この場合に使用できる溶媒は、ブロック共重合体の成分、及び仮に使用する場合には種々の添加物の溶解度条件により変化する。これらの成分及び添加物に対する例示的なキャスティング溶媒には、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、エトキシエチルプロピオナート、アニソール、乳酸エチル、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、酢酸アミル、γ−ブチロラクトン(GBL)、トルエンなどが含まれる。
Claims (16)
- 第1間隔を有する一対の第1パターンと、前記第1間隔と異なる第2間隔を有する一対の第2パターンとを、基板上に形成することと、
前記第1パターン及び前記第2パターンが形成された後、前記基板上にブロック共重合体を塗布することと、
前記塗布された前記ブロック共重合体に自己組織化処理を行うことと、
前記自己組織化処理の後、前記一対の第1パターンの間と前記一対の第2パターンの間の少なくとも1つにマークを形成することと、
を含むマーク形成方法。 - 前記一対の第1パターンの間の前記ブロック共重合体、および前記一対の第2パターンの間の前記ブロック共重合体の少なくとも1つを用いて前記基板上に前記マークが形成される請求項1に記載のマーク形成方法。
- 第1間隔を有する一対の第1パターンと、前記第1間隔と異なる第2間隔を有する一対の第2パターンとを、基板上に形成することと、
前記第1パターン及び前記第2パターンが形成された後、前記基板上にブロック共重合体を塗布することと、
前記塗布された前記ブロック共重合体に自己組織化処理を行うことと、
前記自己組織化処理の後、前記一対の第1パターンの間および前記一対の第2パターンの間にそれぞれマークを形成することと、
を含むマーク形成方法。 - 前記一対の第1パターンの間および前記一対の第2パターンの間の前記ブロック共重合体の一部を除去することをさらに有し、
除去されずに残留した前記ブロック共重合体を用いて前記マークが前記基板上に形成される請求項1〜3のいずれか一項に記載のマーク形成方法。 - 前期マークは前記基板のスクライブラインに形成される請求項1〜4のいずれか一項に記載のマーク形成方法。
- 基板のマーク形成領域を含む領域にマスク像を露光し、前記マスク像の第1部分に基づいて、前記マーク形成領域に互いに形状が異なる第1マーク及び第2マークを形成することと、
前記マーク形成領域を含む領域にブロック共重合体を含むポリマ層を塗布することと、
塗布された前記ポリマ層の少なくとも一部に自己組織化領域を形成させることと、
形成される前記自己組織化領域の一部を選択的に除去することと、
前記第1マーク及び第2マークを用いて前記基板の前記マーク形成領域にそれぞれ第1の位置決め用のマーク及び第2の位置決め用のマークを形成することと、
を含むマーク形成方法。 - 前記第1マークは、第1の凹部中に第1方向に周期的に形成された複数の第1のラインパターンを含み、
前記第2マークは、第2の凹部中に前記第1方向に周期的に形成された複数の第2のラインパターンを含み、
前記第1のラインパターン及び前記第2のラインパターンの配列周期及び高さの少なくとも一方が異なるとともに、
前記第1マークの複数の前記第1のラインパターンの間の領域、及び前記第2マークの複数の前記第2のラインパターンの間の領域に、それぞれ前記ポリマ層の自己組織化領域が形成され、形成された該自己組織化領域の一部が選択的に除去される請求項6に記載のマーク形成方法。 - 前記第1マーク及び前記第2マークは、それぞれ前記ブロック共重合体を含む前記ポリマ層に自己組織化領域が実質的に形成されない形状を有する請求項6に記載のマーク形成方法。
- 前記第1マークは、前記ブロック共重合体を含む前記ポリマ層に自己組織化領域が実質的に形成されない幅を持つ第1の凹部を有し、
前記第2マークは、前記第1の凹部の幅よりも広い幅を持つ第2の凹部を有する請求項8に記載のマーク形成方法。 - 前記基板の中心から半径方向に互いに異なる距離にある複数のマーク形成領域にそれぞれ前記第1及び第2の位置決め用のマークが形成される請求項6〜9のいずれか一項に記載のマーク形成方法。
- 前記基板の前記マーク形成領域を含む領域に前記マスク像を露光することは、前記基板の前記マーク形成領域に隣接するデバイスパターン形成領域に前記マスク像を露光することを含み、
前記基板の前記マーク形成領域に前記第1マーク及び前記第2マークを形成することと並行して、前記マスク像の前記第1部分と異なる第2部分に基づいて、前記デバイスパターン形成領域に、前記ブロック共重合体を含む前記ポリマ層に自己組織化領域が形成される第1パターンを形成し、
前記第1マーク及び前記第2マークを用いて前記基板の前記マーク形成領域に前記第1及び第2の位置決め用のマークを形成することと並行して、一部が選択的に除去された前記自己組織化領域を用いて前記基板の前記デバイスパターン形成領域に第2パターンを形成する請求項6〜10のいずれか一項に記載のマーク形成方法。 - 前記第1パターンは、前記ブロック共重合体を含む前記ポリマ層に自己組織化領域が形成可能な幅を持つ凹部を有する請求項11に記載のマーク形成方法。
- 請求項6〜12のいずれか一項に記載のマーク形成方法によって基板のマーク形成領域に形成された前記第1及び第2の位置決め用のマークの検出方法であって、
前記第1及び第2の位置決め用のマークの検出信号を生成することと、
前記生成された検出信号を評価することと、
前記評価の結果に基づいて、前記第1及び第2の位置決め用のマークのうちで前記基板の位置決めのために使用するマークを選択することと、
を含むマーク検出方法。 - 前記第1及び第2の位置決め用のマークの前記検出信号は、前記第1及び第2の位置決め用のマークの像のそれぞれの第1及び第2の撮像信号を含み、
前記生成された検出信号を評価することは、
前記第1及び第2の撮像信号のそれぞれの信号特徴量を抽出することと、
抽出された前記第1及び第2の撮像信号のそれぞれの信号特徴量を基準値と比較することと、
を含む請求項13に記載のマーク検出方法。 - 前記抽出される信号特徴量は、画素単位の撮像信号のコントラスト、前記撮像信号のうち周期的な部分間の距離、前記撮像信号の計測領域内での最大値及び最小値、並びに前記撮像信号の傾斜量の大きさのうち少なくとも一つを含む請求項14に記載のマーク検出方法。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載のマーク形成方法を用いて基板に位置合わせ用のマークを形成することと、
前記位置合わせ用のマークを用いて位置合わせを行って、前記基板を露光することと、
を含むデバイス製造方法。
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CN108899288B (zh) * | 2018-07-20 | 2020-11-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法 |
KR102498631B1 (ko) * | 2018-08-16 | 2023-02-10 | 주식회사 엘지화학 | 패턴화 기판의 제조 방법 |
JP2020041859A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | キオクシア株式会社 | 位置計測方法、位置計測装置および半導体装置の製造方法 |
KR102629290B1 (ko) | 2018-12-13 | 2024-01-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 제조 방법 |
TW202027189A (zh) * | 2019-01-07 | 2020-07-16 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 晶粒的標記方法、晶圓及晶粒 |
TWI699580B (zh) * | 2019-03-07 | 2020-07-21 | 友達光電股份有限公司 | 陣列基板 |
CN113130340B (zh) * | 2020-02-27 | 2024-02-20 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 叠对误差测量方法及叠对误差测量结构 |
CN111314391B (zh) * | 2020-03-31 | 2022-03-08 | 四川九强通信科技有限公司 | 基于区块链的卫星网络安全路由方法 |
TWI736317B (zh) * | 2020-06-12 | 2021-08-11 | 華邦電子股份有限公司 | 用於黃光製程的辨識方法與半導體元件 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001126981A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-05-11 | Nikon Corp | マーク検出方法及びマーク検出装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス |
JP2006114859A (ja) * | 2004-01-21 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | アライメント方法、薄膜形成基板の製造方法、半導体装置の製造方法、及び電子機器の製造方法 |
JP2006216796A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Nikon Corp | 基準パターン情報の作成方法、位置計測方法、位置計測装置、露光方法、及び露光装置 |
WO2011128120A1 (en) * | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Asml Netherlands B.V. | Method for providing an ordered layer of self-assemblable polymer for use in lithography |
WO2011151109A1 (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Self-assemblable polymer and method for use in lithography |
JP2012038794A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Nikon Corp | 検出条件最適化方法、プログラム作成方法、並びに露光装置及びマーク検出装置 |
JP2014072313A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Toshiba Corp | アライメント計測システム、重ね合わせ計測システム及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR950033689A (ko) * | 1994-03-02 | 1995-12-26 | 오노 시게오 | 노광장치 및 이를 이용한 회로패턴 형성방법 |
JP3451603B2 (ja) * | 1994-06-16 | 2003-09-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び該露光方法に使用されるマスク |
JP2638528B2 (ja) * | 1994-12-19 | 1997-08-06 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法 |
SG124257A1 (en) | 2000-02-25 | 2006-08-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2004087562A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Nikon Corp | 位置検出方法及びその装置、露光方法及びその装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2004296921A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Canon Inc | 位置検出装置 |
US7235348B2 (en) * | 2003-05-22 | 2007-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Water soluble negative tone photoresist |
US7145641B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-12-05 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
EP2966670B1 (en) | 2004-06-09 | 2017-02-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7579278B2 (en) * | 2006-03-23 | 2009-08-25 | Micron Technology, Inc. | Topography directed patterning |
JP4673266B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2011-04-20 | 日本電信電話株式会社 | パターン形成方法及びモールド |
JP2008053618A (ja) | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Canon Inc | 露光装置及び方法並びに該露光装置を用いたデバイス製造方法 |
KR101292803B1 (ko) * | 2006-12-06 | 2013-08-02 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판 합착장치의 간격유지유닛 |
US8083953B2 (en) * | 2007-03-06 | 2011-12-27 | Micron Technology, Inc. | Registered structure formation via the application of directed thermal energy to diblock copolymer films |
KR101291223B1 (ko) * | 2007-08-09 | 2013-07-31 | 한국과학기술원 | 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
CN101383268B (zh) * | 2007-09-07 | 2010-09-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种电子束对准标记的制作方法 |
KR101355167B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2014-01-28 | 삼성전자주식회사 | 적어도 세 개의 고분자 블록을 구비하는 블록 공중합체를이용한 미세 패턴 형성 방법 |
NL1036351A1 (nl) * | 2007-12-31 | 2009-07-01 | Asml Netherlands Bv | Alignment system and alignment marks for use therewith cross-reference to related applications. |
US20100092599A1 (en) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | Molecular Imprints, Inc. | Complementary Alignment Marks for Imprint Lithography |
JP5507875B2 (ja) * | 2009-04-14 | 2014-05-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 |
US8114306B2 (en) | 2009-05-22 | 2012-02-14 | International Business Machines Corporation | Method of forming sub-lithographic features using directed self-assembly of polymers |
US8003482B2 (en) * | 2009-11-19 | 2011-08-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing semiconductor substrates in forming scribe line alignment marks |
US8329360B2 (en) * | 2009-12-04 | 2012-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus of providing overlay |
US9011978B2 (en) * | 2010-02-26 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for treatment of self-assemblable polymer layers for use in lithography |
KR20140007797A (ko) * | 2010-10-07 | 2014-01-20 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 가이드 패턴 형성용 네거티브형 현상용 레지스트 조성물, 가이드 패턴 형성 방법, 블록 코폴리머를 포함하는 층의 패턴 형성 방법 |
US20120164389A1 (en) * | 2010-12-28 | 2012-06-28 | Yang Xiaomin | Imprint template fabrication and repair based on directed block copolymer assembly |
CN107219721B (zh) * | 2012-07-10 | 2020-08-21 | 株式会社尼康 | 标记形成方法和器件制造方法 |
US9034197B2 (en) * | 2012-09-13 | 2015-05-19 | HGST Netherlands B.V. | Method for separately processing regions on a patterned medium |
JP5768074B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2015-08-26 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
-
2014
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2016
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-
2018
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001126981A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-05-11 | Nikon Corp | マーク検出方法及びマーク検出装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス |
JP2006114859A (ja) * | 2004-01-21 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | アライメント方法、薄膜形成基板の製造方法、半導体装置の製造方法、及び電子機器の製造方法 |
JP2006216796A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Nikon Corp | 基準パターン情報の作成方法、位置計測方法、位置計測装置、露光方法、及び露光装置 |
WO2011128120A1 (en) * | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Asml Netherlands B.V. | Method for providing an ordered layer of self-assemblable polymer for use in lithography |
WO2011151109A1 (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Self-assemblable polymer and method for use in lithography |
JP2012038794A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Nikon Corp | 検出条件最適化方法、プログラム作成方法、並びに露光装置及びマーク検出装置 |
JP2014072313A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Toshiba Corp | アライメント計測システム、重ね合わせ計測システム及び半導体装置の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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