JPWO2011115213A1 - ニッケルナノ粒子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記錯化反応液をマイクロ波で加熱してニッケルナノ粒子スラリーを得る第二の工程と、
を有している。
第1の実施の形態のニッケルナノ粒子の製造方法は、COOH基を除く部分の炭素数が1〜12のカルボン酸ニッケル(カルボン酸ニッケル塩)および1級アミンを含有する混合物を加熱してニッケル錯体を生成させた錯化反応液を得る第一の工程と、該錯化反応液をマイクロ波で加熱してニッケルナノ粒子スラリーを得る第二の工程とを、有する。本実施の形態では、第一の工程において、105℃以上175℃以下の範囲内の温度で加熱を行うことができる。また、上記第二の工程において、マイクロ波を照射して、180℃以上、好ましくは200℃以上の温度で加熱することができる。
第一の工程では、カルボン酸ニッケルおよび1級アミンを含有する混合物を加熱して錯化反応液を得る。
COOH基を除く部分の炭素数が1〜12のカルボン酸ニッケル(カルボン酸のニッケル塩)は、カルボン酸の種類を限定するものではなく、例えば、カルボキシ基が1つのモノカルボン酸であってもよく、また、カルボキシ基が2つ以上のカルボン酸であってもよい。また、非環式カルボン酸であってもよく、環式カルボン酸であってもよい。カルボン酸ニッケルのCOOH基を除く部分の炭素数が1より小さい場合(例えばギ酸ニッケル)は、粒子形状が不均一であり、逆に、炭素数が12を超えると、粒子形状が不均一となり好ましくない。カルボン酸ニッケルのCOOH基を除く部分の炭素数は、1〜8であることが好ましい。このようなカルボン酸ニッケルとして、酢酸ニッケルを用いることがより好ましい。カルボン酸ニッケルは、無水物であってもよく、また水和物であってもよい。なお、カルボン酸ニッケルに代えて、塩化ニッケル、硝酸ニッケル、硫酸ニッケル、炭酸ニッケル、水酸化ニッケル等の無機塩を用いることも考えられるが、無機塩の場合、解離(分解)が高温であるため、還元過程で高温での加熱が必要であり好ましくない。また、Ni(acac)2(β−ジケトナト錯体)、ステアリン酸イオン等の有機配位子により構成されるニッケル塩を用いることも考えられるが、これらのニッケル塩を用いると、原料コストが高くなり好ましくない。
1級アミンは、ニッケルイオンとの錯体を形成することができ、ニッケル錯体(又はニッケルイオン)に対する還元能を効果的に発揮する。一方、2級アミンは立体障害が大きいため、ニッケル錯体の良好な形成を阻害するおそれがあり、3級アミンはニッケルイオンの還元能を有しないため、いずれも使用できない。
錯化反応液とは、カルボン酸ニッケルと1級アミンの反応によって生成する反応生成液(反応生成物)をいう。錯形成反応は室温においても進行させることができるが、反応を確実かつより効率的に行うために、100℃以上の温度で加熱を行う。この加熱は、カルボン酸ニッケルとして、例えば酢酸ニッケル4水和物のようなカルボン酸ニッケルの水和物を用いた場合に特に有利である。加熱温度は、好ましくは100℃を超える温度とし、より好ましくは105℃以上の温度とする。これにより、カルボン酸ニッケルに配位した配位水と1級アミンとの配位子置換反応が効率よく行われ、この錯体配位子としての水分子を解離させることができ、更にその水を系外に出すことができるので効率よく錯体を形成させることができる。例えば、酢酸ニッケル4水和物は、室温では2個の配位水と2座配位子である2個の酢酸イオン、外圏に2つの水分子が存在した錯体構造をとっているため、この2つの配位水と1級アミンの配位子置換により効率よく錯形成させるには、100℃より高い温度で加熱することでこの錯体配位子としての水分子を解離させることが好ましい。また、加熱温度は、後に続くニッケル錯体(又はニッケルイオン)のマイクロ波照射による加熱還元の過程と確実に分離し、前記の錯形成反応を完結させるという観点から、175℃以下が好ましく、105〜175℃の範囲内がより好ましく、125〜160℃の範囲内が望ましい。
均一溶液での反応をより効率的に進行させるために、1級アミンとは別の有機溶媒を新たに添加してもよい。有機溶媒を用いる場合、有機溶媒をカルボン酸ニッケル及び1級アミンと同時に混合してもよいが、カルボン酸ニッケル及び1級アミンをまず混合し錯形成した後に有機溶媒を加えると、1級アミンが効率的にニッケルイオンに配位するので、より好ましい。使用できる有機溶媒としては、1級アミンとニッケルイオンとの錯形成を阻害しないものであれば、特に限定するものではなく、例えば炭素数4〜30のエーテル系有機溶媒、炭素数7〜30の飽和又は不飽和の炭化水素系有機溶媒、炭素数8〜18のアルコール系有機溶媒等を使用することができる。また、マイクロ波照射による加熱条件下でも使用を可能とする観点から、使用する有機溶媒は、沸点が170℃以上のものを選択することが好ましく、より好ましくは200〜300℃の範囲内にあるものを選択することがよい。このような有機溶媒の具体例としては、例えばテトラエチレングリコール、n−オクチルエーテル等が挙げられる。
本工程では、錯化反応液をマイクロ波で180℃以上、好ましくは200℃以上の温度で加熱することにより、ニッケル錯体(又はニッケルイオン)を金属ニッケルに還元してニッケルナノ粒子を生成させる。加熱温度が180℃を下回るとニッケル錯体の還元反応が良好に行われないおそれがある。マイクロ波で錯化反応液を加熱することにより、マイクロ波が錯化反応液内に浸透するため、均一加熱が行われ、かつ、エネルギーを媒体に直接与えることができるため、急速加熱を行うことができる。これにより、錯化反応液全体を所望の均一な温度にすることができ、ニッケル錯体(又はニッケルイオン)の還元、核生成、核成長各々の過程を溶液全体において同時に生じさせ、粒径分布の狭い単分散な粒子を短時間で容易に製造することができる。
本実施の形態に係るニッケルナノ粒子の製造方法において、ニッケルナノ粒子の粒径を制御すること、且つ、ニッケルナノ粒子の分散性を向上させることを目的として表面修飾剤を添加することができる。例えばポリビニルピロリドン(PVP)、ポリエチレンイミン、ポリアクリルアミド等の高分子樹脂、ミリスチン酸、オレイン酸等の長鎖カルボン酸又はカルボン酸塩等を添加することができる。但し、得られるニッケルナノ粒子の表面修飾量が多いと、ニッケル電極用の導電性ペーストに用いる場合、ニッケルナノ粒子をペーストにして高温で焼成すると充填密度の減少を招き、層間剥離やクラックを生じる可能性があるため、得られるニッケルナノ粒子を洗浄した後の表面修飾量は可能な限り少ない方が好ましい。従って、表面修飾剤の添加量は、金属換算のニッケル100質量部に対して0.1以上100質量部以下の範囲内とすることが好ましい。表面修飾剤は、第一の工程におけるカルボン酸ニッケル及び1級アミンの混合物の段階で添加してもよく、第一の工程で得られる錯化反応液に添加してもよいが、好ましくは、添加タイミングは錯化反応後か、ニッケルナノ粒子の生成後がよい。
本実施の形態に係るニッケルナノ粒子の製造方法は、得られたニッケルナノ粒子を1級アミン中に投入し、該1級アミンとともに、再加熱することにより、炭化ニッケルナノ粒子を得る工程を含むことができる。ここで、1級アミンとしては、上記と同様のものを用いることができる。再加熱の温度は、例えば240℃以上、好ましくは260〜320℃の範囲内の温度とすることができる。また、再加熱の時間は、例えば20分間以上とすることが好ましく、20〜60分間程度とすることがより好ましい。再加熱を行う場合の加熱方法は、特に制限されず、例えばマントルヒーターやオイルバスによる加熱であってもよいし、マイクロ波照射による加熱であってもよい。このようにして得られる炭化ニッケルナノ粒子は、非磁性であるため、ニッケルナノ粒子(磁性)に比べて分散性を向上させることができる。また、1級アミン(脂肪族アミン)の再加熱によって、ニッケルナノ粒子の表面を被覆する1級アミン(脂肪族アミン)を減少させることができる。例えば、ニッケルナノ粒子を積層セラミックコンデンサ用途の導電ペーストとして利用する場合、ニッケルナノ粒子の表面に有機物(脂肪族アミンのような1級アミン)が多く存在すると、他の分散剤を加える余地がなくなったり、又は分散剤の効果が低下したりする場合がある。高温での加熱処理によって、1級アミン(脂肪族アミン)を炭化させることが可能になり、ニッケルナノ粒子の表面を被覆する1級アミン(脂肪族アミン)を減少させることができる。
以上説明した本実施の形態に係るニッケルナノ粒子の製造方法により、平均粒径が例えば150nm以下、好ましくは10〜150nm程度でかつ均一であって、また、特に、分散性が高いニッケルナノ粒子を得ることができる。なお、本明細書において、平均粒径は、SEM(走査電子顕微鏡)により粉末の写真を撮影して、そのなかから無作為に200個を抽出したものの面積平均粒径である。
本発明の第2の実施の形態に係るニッケルナノ粒子の製造方法について説明する。ニッケルナノ粒子を、例えばインクジェット方式で吐出して用いる導電性ペーストに配合する場合、その粒径をさらに小さくすることが求められ、例えば粒径を50nm以下に制御することが好ましいと考えられる。本実施の形態のニッケルナノ粒子の製造方法は、COOH基を除く部分の炭素数が1〜12(好ましくはCOOH基を除く部分の炭素数が1又は2)のカルボン酸ニッケルおよび1級アミンを含有する混合物を加熱してニッケル錯体を生成させた錯化反応液を得る第一の工程と、錯化反応液をマイクロ波で加熱してニッケルナノ粒子スラリーを得る第二の工程と、を有する。そして、第一の工程と第二の工程との間に、錯化反応液にパラジウム塩、銀塩、白金塩および金塩からなる群より選択される1または2以上の金属塩を添加する工程(金属塩添加工程)を有する。以下、第1の実施の形態との相違点を中心に説明し、第1の実施の形態と同じ構成については説明を省略する。
(カルボン酸ニッケル)
本実施の形態では、カルボン酸ニッケルとして、第1の実施の形態と同様のものを用いることができるが、COOH基を除く部分の炭素数が、1又は2の直鎖カルボン酸ニッケルを用いることが好ましい。具体的には、酢酸ニッケル又はプロピオン酸ニッケルを挙げることができる。これらのカルボン酸ニッケルは、無水物であってもよく、また水和物であってもよい。
本実施の形態における1級アミンは、第1の実施の形態と同様のものを用いることができる。
本実施の形態における錯化反応液は、カルボン酸ニッケルとしてCOOH基を除く部分の炭素数が1又は2の直鎖カルボン酸ニッケルを用いることが好ましい点以外は、第1の実施の形態と同様である。
本工程では、錯化反応液に、パラジウム塩、銀塩、白金塩および金塩からなる群より選択される1または2以上の金属塩を添加する。金属塩の添加によって、次のニッケルナノ粒子生成工程でニッケルナノ粒子の生成起点となる核を多量に生じさせることが可能になり、目的とするニッケルナノ粒子の粒子径を小さくすることができる。金属塩は、いずれも塩の種類を特に限定するものではない。塩を構成する酸(酸基)として、例えば塩酸、硝酸、硫酸および酢酸を用いることは好適な実施の形態である。白金塩および金塩については、例えば塩化白金酸や塩化金酸を用いることも好適な実施の形態である。
本工程では、金属塩が添加された錯化反応液をマイクロ波で加熱することにより、ニッケル錯体(又はニッケルイオン)を金属ニッケルに還元してニッケルナノ粒子を生成させる。このとき、錯化反応液中に添加された金属塩により、ニッケルとの酸化還元電位の違いによって、先にパラジウム、銀、白金又は金の金属微粒子が多数生成する。そして、これらの金属微粒子を核として、その周囲に金属ニッケルが形成されることにより、50nm以下の粒径のニッケルナノ粒子の形成が容易になるものと考えられる。本実施の形態の第二の工程(ニッケルナノ粒子生成工程)は、金属塩が添加された錯化反応液を用いる点以外は、第1の実施の形態の第二の工程(ニッケルナノ粒子生成工程)と同様に実施できる。
以上説明した本実施の形態に係るニッケルナノ粒子の製造方法により、平均粒径が50nm以下、好ましくは10〜45nmの範囲内、より好ましくは、20〜40nmの範囲内のニッケルナノ粒子を得ることができる。このようなニッケルナノ粒子は、例えばインクジェット方式で吐出して用いる導電性ペーストや、高表面積の触媒、低融点を利用した金属バインダー、ブラックマトリックスなどの顔料等の用途に好適に用いることができる。また、例えば積層セラミックコンデンサの内部電極をはじめ、電子部品の電極等の形成に利用できる。
本発明の第3の実施の形態は、COOH基を除く部分の炭素数が1〜12のカルボン酸ニッケルおよび1級アミンを含有する混合物を加熱してニッケル錯体を生成させた錯化反応液を得る第一の工程と、錯化反応液をマイクロ波で加熱してニッケルナノ粒子スラリーを得る第二の工程と、を有する。そして、第二の工程において、錯化反応液中に、価数が3以上の多価カルボン酸を存在させた状態で加熱を行う。以下、第1の実施の形態との相違点を中心に説明し、第1の実施の形態と同じ構成については説明を省略する。
本実施の形態のニッケルナノ粒子の製造方法で使用する価数が3以上の多価カルボン酸について説明する。価数(1分子中のカルボキシ基の数)が3以上の多価カルボン酸(本明細書では、単に「多価カルボン酸」ということがある。)は、分散剤として機能する。多価カルボン酸は、錯化反応液を加熱してニッケルナノ粒子を得る際に凝集を防ぐことができ、また、得られるニッケルナノ粒子を所望の用途に用いる際にニッケルナノ粒子の凝集を防ぐことができる高い分散性を発現する。多価カルボン酸は、特に限定するものではなく、非環式カルボン酸であってもよく、環式カルボン酸であってもよい。これらのなかで、非環式カルボン酸を好適に用いることができる。多価カルボン酸の価数が2以下では良好な分散が得られないおそれがある。価数の上限は特にないが、多価になるにつれて分子量が高くなり、沸点が高くなるので、8以下が好ましい。
(カルボン酸ニッケル)
本実施の形態におけるカルボン酸ニッケルは、第1の実施の形態と同様のものを用いることができる。
本実施の形態における1級アミンは、第1の実施の形態と同様のものを用いることができる。
本実施の形態における錯化反応液は、多価カルボン酸が添加されている場合がある点以外は、第1の実施の形態と同様である。すなわち、本実施の形態では、錯化反応液は、カルボン酸ニッケルおよび1級アミンとともに、多価カルボン酸を含有していてもよい。
本実施の形態における第二の工程は、多価カルボン酸が存在する状態で錯化反応液をマイクロ波により加熱する点以外は、第1の実施の形態と同様に実施できる。
以上説明した本実施の形態に係るニッケルナノ粒子の製造方法により、平均粒径が例えば10〜150nm程度でかつ均一であって、また、特に、分散性が高いニッケルナノ粒子を得ることができる。このようなニッケルナノ粒子は、例えば積層セラミックコンデンサの内部電極材料をはじめ、電子部品の電極等の形成に利用できる。
本発明の第4の実施の形態のニッケルナノ粒子の製造方法は、ニッケル以上の融点を持つ高融点金属(単に、「高融点金属」と記すことがある)を含有する金属複合ニッケルナノ粒子を製造する。本実施の形態のニッケルナノ粒子の製造方法は、COOH基を除く部分の炭素数が1〜12のカルボン酸ニッケルおよび1級アミンを含有する混合物を加熱してニッケル錯体を生成させた錯化反応液を得る第一の工程と、錯化反応液にマイクロ波を照射して加熱することにより、ニッケルナノ粒子を生成させる第二の工程とを備えている。そして、遅くともマイクロ波を照射する前の、混合物を調製する段階、混合物の段階、又は錯化反応液の段階のいずれかにおいて、高融点金属の塩(以下、「高融点金属塩」と記すことがある)を配合した後、マイクロ波による加熱を行い、高融点金属を複合化させたニッケルナノ粒子を得る。以下、第1の実施の形態との相違点を中心に説明し、第1の実施の形態と同じ構成については説明を省略する。
まず、本実施の形態のニッケルナノ粒子の製造方法で使用する高融点金属塩について説明する。高融点金属とは、ニッケルの融点(1455℃)以上の融点を有する金属であり、例えばタングステン、モリブデン、バナジウム、ニオブ等の金属を挙げることができる。このような高融点金属の塩として、例えば、タングステン塩、モリブデン塩、バナジウム塩、ニオブ塩等を用いることができるが、そのなかでも、タングステン塩またはモリブデン塩を好適に用いることができ、さらにタングステン塩がより好適である。高融点金属塩としてハロゲン化物を用いることが好適であり、ハロゲン化物のなかでも塩化物を用いることがより好適である。これらの高融点金属塩はいずれか1種を単独で用いてもよく、また2種以上を併用してもよい。
本実施の形態において、第一の工程では、以下のA〜Dのいずれかの方法により錯化反応液を調整できる。
A)高融点金属塩を、カルボン酸ニッケルおよび1級アミンとともに混合して混合物を調製し、加熱して錯化反応液を得る方法:
B)高融点金属塩を配合せずに、カルボン酸ニッケルおよび1級アミンを混合して混合物を調製し、加熱して錯化反応液を得る方法:
C)高融点金属塩を配合せずに、カルボン酸ニッケルおよび1級アミンを混合して混合物を調製し、この混合物に高融点金属塩を配合した後、加熱して錯化反応液を得る方法:
D)カルボン酸ニッケル及び1級アミンの混合物、並びに、高融点金属塩及び1級アミンの混合物を、それぞれ別々に調製して加熱し、得られるそれぞれの錯化反応液を混合する方法。
本実施の形態におけるカルボン酸ニッケルは、第1の実施の形態と同様のものを用いることができる。
本実施の形態における1級アミンは、第1の実施の形態と同様のものを用いることができる。なお、高融点金属のイオンについても、第1の実施の形態で説明したニッケルイオンと類似の挙動をとり、1級アミンと錯体を形成するものと考えられる。このため、1級アミンは高融点金属のイオンに対しても過剰量存在することが好ましい。
本工程では、錯化反応液にマイクロ波を照射して200℃以上の温度で加熱することにより、前記高融点金属を含有する金属複合ニッケルナノ粒子を生成させる。なお、上記のとおり、本工程において、例えばマイクロ波で加熱する直前の錯化反応液に高融点金属塩を配合することもできる。
本実施の形態で得られる金属複合ニッケルナノ粒子は、例えば、タングステン、モリブデン、バナジウム、ニオブ等の高融点金属を含有する金属複合ニッケルナノ粒子である。この金属複合ニッケルナノ粒子は、金属換算で、ニッケル100質量部に対し高融点金属を0.05〜30質量部、好ましくは1〜30質量部の範囲内で含有する。この金属複合ニッケルナノ粒子において、高融点金属の割合が過小であると、ナノ粒子の焼結温度を十分に上げることが困難となり、一方、高融点金属の割合が過大であると、ナノ粒子の粒径が顕著に不均一となる。そのため、特に大きな粒径を有する金属複合ニッケルナノ粒子が存在すると、例えば積層セラミックコンデンサに適用する場合に、セラミック誘電体層を突き破り内部電極同士が連結してショートの原因となるおそれがある。
本発明の第5の実施の形態のニッケルナノ粒子の製造方法は、高融点金属を含有する金属複合ニッケルナノ粒子を製造する。本実施の形態のニッケルナノ粒子の製造方法は、COOH基を除く部分の炭素数が1〜12のカルボン酸ニッケルおよび1級アミンを含有する混合物を加熱してニッケル錯体を生成させた錯化反応液を得る第一の工程と、錯化反応液にマイクロ波を照射して加熱することにより、ニッケルナノ粒子を生成させる第二の工程とを備えている。そして、さらに、第二の工程のニッケルナノ粒子スラリーを得た後に、該ニッケルナノ粒子スラリーに高融点金属塩を配合し、マイクロ波を照射して加熱することにより、高融点金属を複合化させたニッケルナノ粒子を得る第三の工程を有する。以下、第1の実施の形態との相違点を中心に説明し、第1の実施の形態と同じ構成については説明を省略する。
(カルボン酸ニッケル)
本実施の形態では、カルボン酸ニッケルとして、第1の実施の形態と同様のものを用いることができるが、COOH基を除く部分の炭素数が、1又は2の直鎖カルボン酸ニッケルを用いることが好ましい。具体的には、酢酸ニッケル又はプロピオン酸ニッケルを挙げることができる。これらのカルボン酸ニッケルは、無水物であってもよく、また水和物であってもよい。
本実施の形態における1級アミンは、第1の実施の形態と同様のものを用いることができる。
本実施の形態における錯化反応液は、第1の実施の形態と同様である。
均一溶媒での反応をより効率的に進行させるために、1級アミンとは別の有機溶媒を新たに添加してもよい。本実施の形態における有機溶媒は、第1の実施の形態と同様のものを用いることができる。
本実施の形態における第二の工程は、第1の実施の形態と同様に実施できる。
(高融点金属塩)
本実施の形態における高融点金属塩は、第4の実施の形態と同様のものを用いることができる。また、高融点金属塩は、例えば、ニッケルナノ粒子スラリーに直接配合してもよく、予め高融点金属塩と1級アミンを混合して混合物を調製し、該混合物をニッケルナノ粒子スラリーに配合してもよい。高融点金属塩の反応液中での溶解性及びニッケルとの複合化反応における反応性を向上させるという理由から、予め調整した高融点金属塩と1級アミンとの混合物をニッケルナノ粒子スラリーに配合することが好適である。さらに好ましくは、予め調整した高融点金属塩と1級アミンとの混合物を加熱して錯化反応液の状態にしてからニッケルナノ粒子スラリーに配合する。なお、この場合、高融点金属塩と1級アミンとの錯化反応液の調製は、第一の工程における錯化反応液の調製と同様の条件で実施することができる。高融点金属塩は、その後のマイクロ波照射による加熱によってニッケルナノ粒子の表面で還元されて、得られるニッケルナノ粒子が金属複合粒子となり、高融点金属塩を用いないときに比べて焼結温度を上昇させることができる。なお、マイクロ波照射による加熱は、第1の実施の形態と同様に実施することができる。
本実施の形態で得られる金属複合ニッケルナノ粒子は、例えば、タングステン、モリブデン、バナジウム、ニオブ等の高融点金属を含有する金属複合ニッケルナノ粒子である。この金属複合ニッケルナノ粒子は、金属換算で、ニッケル100質量部に対し高融点金属を0.05〜30質量部、好ましくは1〜30質量部の範囲内で含有する。この金属複合ニッケルナノ粒子において、高融点金属の割合が過小であると、ナノ粒子の焼結温度を十分に上げることが困難となり、一方、高融点金属の割合が過大であると、ナノ粒子の粒径が顕著に不均一となる。そのため、特に大きな粒径を有する金属複合ニッケルナノ粒子が存在すると、例えば積層セラミックコンデンサに適用する場合に、セラミック誘電体層を突き破り内部電極同士が連結してショートの原因となるおそれがある。
オレイルアミン128.4gに酢酸ニッケル四水和物20.02gを加え、窒素フロー下、130℃で20分加熱することによって酢酸ニッケルを溶解させて錯化反応液1を得た。次いで、その錯化反応液1にオレイルアミンをさらに98.4g加え、マイクロ波を用いて250℃で5分加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリー1を得た。
実施例1−1と同様にして、錯化反応液2を得た。次いで、その錯化反応液2にテトラエチレングリコール98.4gを加え、マイクロ波を用いて250℃で5分加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリー2を得た。
実施例1−1と同様にして、錯化反応液3を得た。次いで、その錯化反応液3に1−オクタノール98.4gを加え、マイクロ波を用いて210℃で5分加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリー3を得た。
実施例1−1における酢酸ニッケル四水和物20.02gを使用したことの代わりに、安息香酸ニッケル15.30gを使用したこと以外、実施例1−1と同様にして、錯化反応液4を得た。次いで、その錯化溶液4に1−オクタノール200gを加え、マイクロ波を用いて210℃で5分加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリー4を得た。
ドデシルアミン64.87gに酢酸ニッケル四水和物8.7gを加え、窒素フロー下、120℃で15分加熱することによって酢酸ニッケルを溶解させて錯化反応液5を得た。次いで、マイクロ波を用いて240℃で10分加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリー5を得た。
オレイルアミン128.4gに酢酸ニッケル四水和物18.00g及びギ酸ニッケル二水和物1.47gを加え、窒素フロー下、130℃で20分加熱することによって酢酸ニッケルを溶解させて錯化反応液6を得た。なお、酢酸ニッケルとギ酸ニッケルの配合割合は、酢酸ニッケル:ギ酸ニッケル=9:1(モル比)とした。次いで、その錯化反応液6にオレイルアミンをさらに98.4g加え、マイクロ波を用いて200℃で20分加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリー6を得た。
ドデシルアミン55.6gに酢酸ニッケル四水和物6.71g及びギ酸ニッケル二水和物0.55gを加え、窒素フロー下、120℃で15分加熱することによって酢酸ニッケルを溶解させて錯化反応液7を得た。なお、酢酸ニッケルとギ酸ニッケルの配合割合は、酢酸ニッケル:ギ酸ニッケル=9:1(モル比)とした。次いで、マイクロ波を用いて200℃で30分加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリー7を得た。
実施例1−7における酢酸ニッケル四水和物6.71g及びギ酸ニッケル二水和物0.55gを使用したことの代わりに、酢酸ニッケル四水和物5.23g及びギ酸ニッケル二水和物1.66gを使用したこと以外、実施例1−7と同様の操作でニッケルナノ粒子8を得た。すなわち、実施例1−7と同様にして、錯化反応液8を得、次いで、その錯化反応液8をマイクロ波加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリー8を得た後、トルエンとメタノールによる洗浄、及び乾燥を行い、1.75gのニッケルナノ粒子8(収率98.5%)を得た。なお、酢酸ニッケルとギ酸ニッケルの配合割合は、酢酸ニッケル:ギ酸ニッケル=7:3(モル比)とした。
実施例1−7における酢酸ニッケル四水和物6.71g及びギ酸ニッケル二水和物0.55gを使用したことの代わりに、酢酸ニッケル四水和物7.09g及びギ酸ニッケル二水和物0.28gを使用したこと以外、実施例1−7と同様の操作でニッケルナノ粒子9を得た。すなわち、実施例1−7と同様にして、錯化反応液9を得、次いで、その錯化反応液9をマイクロ波加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリー9を得た後、トルエンとメタノールによる洗浄、及び乾燥を行い、1.73gのニッケルナノ粒子9(収率97.6%)を得た。なお、酢酸ニッケルとギ酸ニッケルの配合割合は、酢酸ニッケル:ギ酸ニッケル=9.5:0.5(モル比)とした。
実施例1−7におけるドデシルアミン55.6g、酢酸ニッケル四水和物6.71g及びギ酸ニッケル二水和物0.55gを使用したことの代わりに、ドデシルアミン81.6g、酢酸ニッケル四水和物5.47g及びギ酸ニッケル二水和物4.06gを使用したこと以外、実施例1−7と同様の操作でニッケルナノ粒子10を得た。すなわち、実施例1−7と同様にして、錯化反応液10を得、次いで、その錯化反応液10をマイクロ波加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリー10を得た後、トルエンとメタノールによる洗浄、及び乾燥を行い、2.49gのニッケルナノ粒子10(収率95.2%)を得た。なお、酢酸ニッケルとギ酸ニッケルの配合割合は、酢酸ニッケル:ギ酸ニッケル=5:5(モル比)とした。
実施例1−1と同様にして、錯化反応液11を得、次いで、その錯化反応液11をマイクロ波加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリー11を得た後、トルエンとメタノールによる洗浄、及び乾燥を行い、平均粒径100nmの球形の均一なニッケルナノ粒子11を得た。
オレイルアミン128.0gに酢酸ニッケル四水和物20.02gを加え、窒素フロー下、130℃で20分加熱することによって酢酸ニッケルを溶解させて錯化反応液12を得た。次いで、その錯化反応液12に硝酸銀0.058gを加え、オレイルアミンをさらに98.0g加え、マイクロ波を用いて250℃で5分加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリー12を得た。
実施例1−1と同様にして、錯化反応液を得、次いで、その錯化反応液をマイクロ波加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリーを得た後、トルエンとメタノールによる洗浄、及び乾燥を行い、平均粒径100nmの球形の均一なニッケルナノ粒子を得た。
オレイルアミン128.4gに酢酸ニッケル四水和物20.02gを加え、窒素フロー下、130℃で20分加熱することによって酢酸ニッケルを溶解させて錯化反応液13を得た。次いで、その錯化反応液13にオレイルアミンをさらに98.4g加え、マイクロ波を用いて300℃で30分加熱することによって、炭化ニッケルナノ粒子スラリー13を得た。
実施例1−13におけるマイクロ波を用いて300℃で30分加熱したことの代わりに、マイクロ波を用いて260℃で30分加熱したこと以外、実施例1−13と同様にして、炭化ニッケルナノ粒子スラリー14を得た後、炭化ニッケルナノ粒子14を得た。
オレイルアミン128.8gに酢酸ニッケル二水和物14.8gを加え、窒素フロー下、120℃で20分加熱することによって錯化反応液を得た。次に、錯化反応液に硝酸銀を0.069g(Ni100質量部に対してAgが1質量部)加え、さらに、1−オクタノールを98.2g加えた。その後、マイクロ波を用いて210℃で5分加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリーを得た。ニッケルナノ粒子スラリーを静置分離し、上澄み液を取り除いた後、メタノールを用いて3回洗浄した後、60℃に維持される真空乾燥機で6時間乾燥してニッケルナノ粒子を得た。
実施例2−1において、ニッケル塩および追加する金属塩の組み合わせの種類を変えるとともに、マイクロ波による加熱温度を190℃で5分間に変更した以外は、実施例2−1と同様の条件で製造して得た実施例2−2〜2−4のニッケルナノ粒子の粒径等の結果を表5に示す。表5から、ニッケル塩および追加する金属塩の組み合わせの種類を変えても良好な粒径のものができていることが確認された。なお、いずれの実施例についてもニッケルナノ粒子の分散性は良好であった。
実施例2−4において、酢酸パラジウムを使用しなかったこと以外、実施例2−4と同様にして、平均粒径100nm(CV値;0.17)のニッケルナノ粒子を得た。
実施例2−4において、マイクロ波を用いて210℃で5分加熱したことの代わりに、オイルバスを用いて210℃で5分加熱したこと以外、実施例2−4と同様にして、平均粒径55nm(CV値;0.20)のニッケルナノ粒子を得た。この結果から、通常加熱を用いると、マイクロ波加熱よりも平均粒子径はやや大きくなり、粒度分布が広がるため好ましくないことがわかった。なお、実施例2−4で得られたニッケルナノ粒子のCV値は、0.12であった。
オレイルアミン128.4gに酢酸ニッケル四水和物20.02gを加え、窒素フロー下、120℃で20分加熱することによって錯化反応液を得た。次いで、その錯化反応液に1−オクタノール98.0gと3〜5価のカルボン酸(CRODA社製、商品名KD−9)0.47gを加え、マイクロ波を用いて210℃で5分加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリーを得た。
オレイルアミン128.4gに酢酸ニッケル四水和物20.02gを加え、窒素フロー下、120℃で20分加熱することによって錯化反応液を得た。次いで、錯化反応液に5〜8価のカルボン酸(CRODA社製、商品名KD−4)0.47gと1−オクタノールを98.6g加え、マイクロ波を用いて210℃で5分加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリーを得た。
多価カルボン酸の添加量を変えたほかは実施例3−1と同様の条件で調製したニッケルナノ粒子の粒径等を表7に示す(なお、実施例3−1の結果も再掲した)。表7より、カルボン酸の添加量は金属換算のニッケル100質量部に対して3質量部以上が良好な分散性を示すことがわかった。
オレイルアミン128.4gに酢酸ニッケル四水和物20.18gと塩化タングステン0.51gを加え、窒素フロー下、120℃で20分加熱することによって錯化反応液を得た。次いで、その錯化反応液に1−オクタノールを98.4g加え、マイクロ波を用いて210℃で5分加熱することによってニッケル/タングステン複合ナノ粒子スラリーを得た。
オレイルアミン128.4gに酢酸ニッケル四水和物20.18gと塩化タングステン1.03gを加え、窒素フロー下、120℃で20分加熱することによって錯化反応液を得た。次いで、その錯化反応液に1−オクタノールを98.4g加え、マイクロ波を用いて210℃で5分加熱することによって、ニッケル/タングステン複合ナノ粒子スラリーを得た。
オレイルアミン128.4gに酢酸ニッケル四水和物20.18gと塩化タングステン2.10gを加え、窒素フロー下、120℃で20分加熱することによって錯化反応液を得た。次いで、その錯化反応液に1−オクタノールを98.4g加え、マイクロ波を用いて210℃で5分加熱することによって、ニッケル/タングステン複合ナノ粒子スラリーを得た。
オレイルアミン128.4gに酢酸ニッケル二水和物20.2gを加え、窒素フロー下、120℃で20分加熱することによって錯化反応液を得た。次に、錯化反応液に塩化モリブデンを0.75g(ニッケルに対してモリブデンが5質量%)加え、さらに1−オクタノールを200.4g加えた。その後、マイクロ波を用いて210℃で5分加熱することによって、ニッケル/モリブデン複合ナノ粒子スラリーを得た。
オレイルアミン128.4gに酢酸ニッケル二水和物20.2gを加え、窒素フロー下、120℃で20分加熱することによって錯化反応液を得た。次に、1−オクタノールを200.4g加えた。その後、マイクロ波を用いて210℃で5分加熱することによって、ニッケルナノ粒子スラリーを得た。直後に、そのニッケルナノ粒子スラリーに、予め別の反応容器で調製しておいた高融点金属塩を含む錯化反応液を加えた後、マイクロ波を用いて210℃で5分加熱することによって、ニッケル/タングステン複合ナノ粒子スラリーを得た。なお、添加した高融点金属塩を含む錯化反応液は、予め別の反応容器で塩化タングステン0.51gにオレイルアミン20gを加え、窒素フロー下、マントルヒーターで、120℃で20分加熱することによって調製した。
Claims (21)
- COOH基を除く部分の炭素数が1〜12のカルボン酸ニッケルおよび1級アミンを含む混合物を加熱してニッケル錯体を生成させた錯化反応液を得る第一の工程と、
前記錯化反応液をマイクロ波で加熱してニッケルナノ粒子スラリーを得る第二の工程と、
を有するニッケルナノ粒子の製造方法。 - 前記第一の工程において、105℃以上〜175℃以下の範囲内の温度で加熱する請求項1に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 該第二の工程において、180℃以上の温度で加熱する請求項1又は2に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記カルボン酸ニッケルのCOOH基を除く部分の炭素数が1〜8である請求項1から3のいずれか1項に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記1級アミンが脂肪族アミンである請求項1から4のいずれか1項に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記脂肪族アミンがオレイルアミン又はドデシルアミンである請求項5に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記第一の工程において、COOH基を除く部分の炭素数が1又は2の直鎖カルボン酸ニッケルを用いるとともに、前記第一の工程と前記第二の工程との間に、前記錯化反応液にパラジウム塩、銀塩、白金塩および金塩からなる群より選択される1または2以上の金属塩を添加する工程を含む請求項1に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記金属塩を添加する工程において、前記カルボン酸ニッケル中に含まれる金属換算のニッケル100質量部に対して、前記金属塩を金属換算で0.01質量部以上添加する請求項7に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記第二の工程において、前記錯化反応液中に、価数が3以上の多価カルボン酸を存在させた状態で加熱を行う請求項1に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 遅くとも前記第二の工程で加熱する前の、前記混合物を調製する段階、前記混合物の段階、又は、前記錯化反応液の段階、のいずれかにおいて、前記多価カルボン酸を配合する請求項9に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記多価カルボン酸が非環式カルボン酸である請求項10に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記多価カルボン酸を、前記カルボン酸ニッケル中に含まれる金属換算のニッケル100質量部に対して3質量部以上の比率で使用する請求項9から11のいずれか1項に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 遅くともマイクロ波を照射する前の、前記混合物を調製する段階、前記混合物の段階、又は前記錯化反応液の段階のいずれかにおいて、ニッケル以上の融点を持つ高融点金属の塩を配合した後、前記マイクロ波による加熱を行うことを特徴とする請求項1に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記第一の工程において、前記高融点金属の塩を、前記カルボン酸ニッケルおよび1級アミンとともに混合して前記混合物を調製する請求項13記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記高融点金属の塩がタングステン塩、モリブデン塩、バナジウム塩およびニオブ塩からなる群から選ばれる1つまたは2以上の混合物である請求項13又は14に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記高融点金属の塩を、金属換算で、前記カルボン酸ニッケル中のニッケル100質量部に対して高融点金属として1〜30質量部の範囲内で配合することを特徴とする請求項13から15のいずれか1項に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記第二の工程において得られた前記ニッケルナノ粒子スラリーに、ニッケル以上の融点を持つ高融点金属の塩を配合した後、マイクロ波による加熱を行い、前記ニッケルナノ粒子に前記高融点金属を複合化させる工程を、さらに有する請求項1に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記第二の工程において、マイクロ波照射による加熱温度を240℃以上にして、生成するニッケルナノ粒子の表面に存在する有機物を炭化させる請求項1に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記第二の工程において得られたニッケルナノ粒子を240℃以上に再加熱して、該ニッケルナノ粒子の表面に存在する有機物を炭化させる工程をさらに有する請求項1に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記ニッケルナノ粒子を1級アミンの存在下で再加熱する請求項19に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記COOH基を除く部分の炭素数が1〜12のカルボン酸ニッケルとともに、全カルボン酸ニッケルに対して5〜50モル%の範囲内の配合量でギ酸ニッケルを併用する請求項1に記載のニッケルナノ粒子の製造方法。
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