JPWO2010098186A1 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、図13に示すように、半導体層52が設けられた基板50内部にレーザ照射による改質部51を複数段形成し、更にレーザ照射によって連続した溝部53を基板50の表面に形成することにより、複数段の改質部51及び溝部53に沿った分離面から各半導体発光素子を分離する方法も提案されている(特開2008−98465号公報及び特開2007−324326号公報参照)。
亀裂は前記基板の内部において隣接する前記加工部を繋ぐ。
加工部は頭部と足部とを有し、前記亀裂は隣接する前記加工部の頭部及び足部を繋ぐ。
パルスレーザ光の集光位置と前記基板の表面との距離は、前記パルスレーザ光の加工スポット径の半分以上、25μm以下である。
パルスレーザ光の集光位置と前記基板の表面との距離は、5μm以上、25μm以下である。
加工部間の距離は、前記パルスレーザ光の加工スポット径以上である。
加工部と前記亀裂は、前記基板の厚みの10%以上、80%以下の範囲内に形成する。
分割予定線は第1分割予定線であり、前記亀裂は第1亀裂であり、
レーザ照射工程において、更に、前記第1分割予定線と略垂直な第2分割予定線に沿って前記基板の内部にパルスレーザ光を集光して、前記基板の内部に離間した複数の加工部を分割予定線に沿って形成すると共に、前記加工部から少なくとも前記基板の表面まで走り、隣接する前記加工部を繋ぐ第2亀裂を発生させ、
ウエハ分割工程において、更に、前記第2分割予定線に沿って前記ウエハを分割する。
第1亀裂は隣接する前記加工部間を迂回して走り、前記第2亀裂は、前記第2分割予定線に沿って走る。
前記第1分割予定線に沿って形成される前記加工部の間隔は、前記第2分割予定線に沿って形成される前記加工部の間隔よりも小さい。
前記基板は第1の主面と第2の主面とを有し、前記第1の主面に半導体層が設けられており、前記レーザ照射工程において、前記第2の主面側から前記パルスレーザ光を照射する。
前記パルスレーザ光の集光位置と前記半導体層との距離は、30μmより大きい。
加工部は多光子吸収による加工部である。
基板はサファイア基板である。
第2の主面はA面と異なる面であり、前記第1分割予定線は前記基板のa軸と交差する線である。
図1及び図2は、本実施形態の半導体素子の製造方法として主要な工程の一部を説明する平面模式図である。
基板10を有し、分割後に半導体素子となるウエハ1に対して、まず、図1に示す分割予定線11に沿ってレーザ照射を行う。基板10の内部にパルスレーザ光を集光させることで、図2に示すように互いに離間した加工部12を複数形成することができる。また、同時に、加工部12から少なくとも基板10の表面まで走り、隣接する加工部12を繋ぐ亀裂13を発生させることができる。なお、図示しないが、基板表面において、加工部間を繋ぐ亀裂以外にも他の方向に伸びる亀裂が生じる場合がある。少なくとも隣接する加工部を繋ぐ亀裂を発生させることで、ウエハを精度良く分割することができる。ここでは、全ての加工部12から基板10の表面へ走る亀裂を生じさせることが好ましいが、少なくとも複数の加工部で、基板の表面に走る亀裂を生じさせればよい。また、全ての隣接する加工部を繋ぐように亀裂を生じさせることが好ましいが、少なくとも複数個所で隣接する加工部を繋ぐ亀裂が生じさせればよい。さらに、1つの加工部に対して基板の表面まで走る亀裂と、隣接する加工部に及ぶ亀裂とを発生させることが好ましいが、基板の表面まで走る亀裂と、隣接する加工部間を繋ぐ亀裂とが、異なる加工部に形成されていてもよい。
このように、加工部を形成する場合に、後述するように、加工部を形成するための手段(例えば、パルスレーザを用いる)、そのエネルギー、周波数、パルス幅、加工部のスポット径又は形状、基板内部における加工部の位置(例えば、基板又は半導体層からの加工部の深さ、加工部間の間隔など)の1以上、最も好ましくは全てを厳密に制御することによって、加工部と亀裂とを適切に形成することができる。
スポット径(φμm)=(4・λ・f)/π・D
図6に示すように、加工部12や亀裂13からクラック15を第1の主面10a側へと走らせ、分割予定線に沿ってウエハを分割する。分割は、例えば、ウエハの分割予定線に沿ってブレイキング刃を押し当て、外力を加えて押し割るなど、公知の方法を利用して行うことができる。
図6は図3と同じ方向から見た断面模式図であり、本実施形態の半導体素子の製造方法として主要な工程の一部を説明する図である。亀裂13は上述したように隣接する加工部12を繋いでおり、つまり、亀裂13は基板10の第2の主面10bにおいて分割予定線に沿った線状に繋がっている。これによってクラック15も亀裂13と同様に分割予定線に沿って走らせることができ、ウエハ1を分割予定線に沿って精度良く分割することができる。なお、分割する際は亀裂の少なくとも一部に沿って分割することが好ましく、分割により得られる面を亀裂に完全に沿った面とする必要はない。分割後の基板表面や内部に亀裂の一部が残る場合もある。
図7に示すように加工部が頭部と足部を有する場合、亀裂は少なくとも隣接する頭部を繋ぐことが好ましく、隣接する足部も繋ぐことがより好ましい。頭部と反対側の足部先端側になるほど亀裂が繋がり難い傾向にある。第2の主面側に頭部が存在する加工部は、例えば、第2の主面側からレーザ光を照射することで形成できる。加工部や凹凸の大きさは、基板の厚みに応じて変更することができ、上述の数値範囲は、厚さ50〜150μm程度の基板を分割する場合に特に好ましい。加工部及び凹凸を形成する範囲は、基板の厚みの約10%以上であることが適しており、約80%以下であることが好ましく、約40%以下であることが好ましい。このような範囲とすることで、基板を効率よく分割でき、また、半導体層の損傷を防止できる。
ウェハとは、通常、原料物質をインゴットとよばれる柱状に成長させ、薄くスライスして作成した盤状の基体を意味する。本願においては、このような盤状の基体のみを後述する「基板」としてもよいし、この基板上に半導体層、誘電体層、絶縁体層、導電層等の1以上が積層された状態のものをウェハとしてもよい。
(基板10)
基板の材料は、パルスレーザ光で加工可能なものを選択する。具体的には、サファイア、Si、SiC、GaAs、GaN、AlN等を用いることができる。典型的には、基板としては、その上に半導体層を成長させることができる材料を選択する。サファイア基板は結晶方位に沿った割断面ができ難く、外力を加えて押し割ると分割予定線とは異なる方向へ割断される場合があるため、本実施形態の方法を用いることで分割精度を向上させることができる。基板の厚みは特に限定しないが、例えば50〜150μmとすることができる。このような厚みの基板に対して本実施形態の方法により加工部を形成することで、複数段のレーザ加工を必要とせずにウエハを分割することができる。
例えば、図9に示すように、ウエハ2の基板20内部に第1分割予定線に沿った第1加工部22aと第2分割予定線に沿った第2加工部22bとを形成すると、第2加工部22bを繋ぐ第2亀裂23bは第2分割線に沿って略直線状に走るが、第1加工部22aを繋ぐ第1亀裂23aは隣接する第1加工部22a間を迂回して走る。基板としてC面を主面とするサファイア基板を用いる場合は、第1分割予定線を基板のm軸と略平行な線とし、第2分割予定線を基板のa軸と略平行な線とすると、第2亀裂が略直線状に走り易く、好ましい。
本実施形態の方法は、第1分割予定線の分割にのみ用いることもでき、第2分割予定線は、例えばカッタースクライブによって分割することができる。
なお、本実施形態の方法では、第1亀裂と第2亀裂、つまり、第1分割予定線と第2分割予定線とは、いずれを先に形成してもよい。
半導体層としては、種々の半導体材料からなる半導体層を選択することができ、例えば窒化ガリウム系化合物半導体層とする。具体的には、InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表されるものが挙げられる。半導体層は、通常、サファイア基板上に、第1導電型層、発光層、第2導電型層が基板側からこの順に積層されており、第1又は第2の導電型として、n型不純物であるSi、Ge、Sn、S、O、Ti、Zr、CdなどのIV族元素、あるいはVI族元素等のいずれか1つ以上を含有するか、p型不純物であるMg、Zn、Be、Mn、Ca、Sr等を含有していてもよい。
これらの半導体層の成長方法としては、特に限定されないが、MOVPE(有機金属気相成長法)、MOCVD(有機金属化学気相成長法)、HVPE(ハイドライド気相成長法)、MBE(分子線エピタキシー法)など、半導体の成長方法として知られている全ての方法を好適に用いることができる。特に、MOCVDは結晶性良く成長させることができるので好ましい。
その後、発光層及びp型半導体層の一部を除去してn型半導体層を露出させ、n型半導体層表面にn電極、p型半導体層表面にp電極をそれぞれ形成する。
凹凸面は亀裂により形成されたと推測され、加工部間の面も同様の凹凸面であることが確認できる。加工部及び凹凸面は基板表面から15〜20μm程度の深さにまで形成されている。それよりも深い面、つまり半導体層側の面は、平坦な面もしくは平坦な面が階段状に連なった面であり、レーザ照射後に分割された面であると推測される。
レーザ照射後、サファイア基板表面を観察すると、略円形状の加工部と、加工部から伸びる亀裂が確認でき、基板表面における亀裂の少なくとも一部が加工部と加工部を繋ぐように走っていることが確認できる。ウエハ分割後、得られる半導体素子を観察すると、素子側面はサファイア基板表面に対して略垂直に分割されている。
10、20、30 基板
10a、30a 第1の主面、10b、30b 第2の主面
11 分割予定線
12、32 加工部
12a 頭部、12b 足部
13、33 亀裂
14、34 半導体層
15 クラック
16 凹凸
22a 第1加工部、22b 第2加工部
23a 第1亀裂、23b 第2亀裂
40、50 基板
41 変質領域、51 改質部、53 溝部
42、52 半導体層
Claims (15)
- ウエハを構成する基板の内部にパルスレーザ光を集光して、前記基板の内部に離間した複数の加工部を分割予定線に沿って形成すると共に、前記加工部から少なくとも前記基板の表面まで走り、隣接する前記加工部を繋ぐ亀裂を発生させるレーザ照射工程と、
前記分割予定線に沿って前記ウエハを分割するウエハ分割工程と
を有する半導体素子の製造方法。 - 前記亀裂は前記基板の内部において隣接する前記加工部を繋ぐ請求項1記載の半導体素子の製造方法。
- 前記加工部は頭部と足部とを有し、前記亀裂は隣接する前記加工部の頭部及び足部を繋ぐ請求項2記載の半導体素子の製造方法。
- 前記パルスレーザ光の集光位置と前記基板の表面との距離は、前記パルスレーザ光の加工スポット径の半分以上、25μm以下である請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記パルスレーザ光の集光位置と前記基板の表面との距離は、5μm以上、25μm以下である請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記加工部間の距離は、前記パルスレーザ光の加工スポット径以上である請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記加工部と前記亀裂は、前記基板の厚みの10%以上、80%以下の範囲内に形成する請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記分割予定線は第1分割予定線であり、前記亀裂は第1亀裂であり、
前記レーザ照射工程において、更に、前記第1分割予定線と略垂直な第2分割予定線に沿って前記基板の内部にパルスレーザ光を集光して、前記基板の内部に離間した複数の加工部を分割予定線に沿って形成すると共に、前記加工部から少なくとも前記基板の表面まで走り、隣接する前記加工部を繋ぐ第2亀裂を発生させ、
前記ウエハ分割工程において、更に、前記第2分割予定線に沿って前記ウエハを分割する請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第1亀裂は隣接する前記加工部間を迂回して走り、前記第2亀裂は、前記第2分割予定線に沿って走る請求項8記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1分割予定線に沿って形成される前記加工部の間隔は、前記第2分割予定線に沿って形成される前記加工部の間隔よりも小さい請求項8又は9記載の半導体素子の製造方法。
- 前記基板は第1の主面と第2の主面とを有し、前記第1の主面に半導体層が設けられており、前記レーザ照射工程において、前記第2の主面側から前記パルスレーザ光を照射する請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記パルスレーザ光の集光位置と前記半導体層との距離は、30μmより大きい請求項11に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記加工部は多光子吸収による加工部である請求項1〜12のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記基板はサファイア基板である請求項1〜13のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の主面はA面と異なる面であり、前記第1分割予定線は前記基板のa軸と交差する線である請求項14記載の半導体素子の製造方法。
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