JPWO2010092714A1 - Tftアレイ基板、及び、液晶表示パネル - Google Patents
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Abstract
Description
つぎに、TFTアレイ基板の概略構成について説明する。
つぎに、図13に基づいて、周辺領域24を具体的に説明する。
つぎに、配線を形成する金属材料などについて説明する。
従来、このコンタクトホールの構成としては、例えば特許文献1に記載の構成がある。
具体的には、接続導体102とクロック配線72とが平面視において重なり合う部分で、接続導体102とクロック配線72とは、幹配線ビア110を介して電気的に接続されている。また、接続導体102と枝配線74とは、接続導体102と枝配線74とが平面視において重なり合う部分で、枝配線ビア112を介して電気的に接続されている。
そして、幹配線ビア110と枝配線ビア112とは、接続導体102で接続されている。
つぎに、TFTアレイ基板20と対向基板とをはり合わせるためのシール90について説明する。
ここで、従来の液晶表示パネル10では、シール90が設けられた近傍において、セル厚が不均一になりやすい。
このセル厚の不均一は、Y方向に延伸した方向で見た場合にコンタクトホール100が設けられている領域とそうでない領域とがあることによる。つまりこの2つの領域でシール90の厚さが不均一になることに起因する。これは、幹配線ビア110及び枝配線ビア112における2個の凹部が設けられていることに加えて、コンタクトホール100周辺のY方向にて凹部が形成されやすい。そして、このコンタクトホール100周辺のY方向凹部が、セル厚の不均一を招きやすい。
そして、セル厚の不均一は表示品位の低下を生じやすい。
さらに、近年の表示パネルの外形サイズ縮小化の流れの中で、TFTアレイ基板20の周辺領域24の面積を縮小する場合に、低電位側電源配線70、クロック配線72などの配線間距離を小さくすることが考えられる。この際には、このようなはみ出し部が設けられた構造が障害となる。つまり、隣接配線間の距離を縮小する際に、はみ出し部の隣接配線上への配置や距離を縮小すると、配線負荷が増加し、駆動回路の出力特性の低下となる。
本発明の一実施の形態について図1及び図2に基づいて説明すると以下の通りである。
以上のように、接続導体102が平面視においてクロック配線72からはみ出すことなく設けられているので、セル厚の不均一を抑制することができる。
また、本実施の形態のTFTアレイ基板20では、シール90を確実に硬化させることが容易になる。
また、上記の構成では、接続導体102に、はみ出し部104が設けられていない。そのためコンタクトホール100が占める領域を縮小することができる。したがって、配線領域を狭くすることができ、液晶表示パネルの狭額縁化が容易になる。
本発明の他の実施の形態について、図3及び図4に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図3は、本実施の形態のTFTアレイ基板20の概略構成を示す図である。また、図4は、図3のB−B線断面図である。
つぎに、図5に基づいて、本実施の形態のTFTアレイ基板20の変形例について説明する。図5は、本実施の形態の変形例のTFTアレイ基板20の概略構成を示す図である。
本発明の他の実施の形態について、図6及び図7に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図6及び図7は、本実施の形態のTFTアレイ基板20の概略構成を示す図である。
本発明の他の実施の形態について、図8に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図8は、本実施の形態のTFTアレイ基板20の概略構成を示す図である。
また、狭幅部84に重なり合うように半導体層86を設けることもできる。この半導体層86を設けることにより、枝配線の断線及び信号配線とのリークを抑制することができる。
本発明の他の実施の形態について、図9及び図10に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図9及び図10は、本実施の形態のTFTアレイ基板20の概略構成を示す図である。
まず、駆動回路60について説明する。
つぎに、シール90について説明する。
本発明の他の実施の形態について、図11に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図11は、本実施の形態のTFTアレイ基板20の概略構成を示す図である。
16 絶縁基板
20 TFTアレイ基板
22 表示領域
24 周辺領域
26 基板端辺
42 ゲートバスライン
44 ソースバスライン
48 画素電極
60 駆動回路
70 低電位側電源配線 (幹配線)
72 クロック配線 (幹配線)
74 枝配線 (枝配線)
76 欠落部
80 接続部分
82 交差部分
84 狭幅部
88 枝配線延伸部
90 シール
102 接続導体
110 幹配線ビア
112 枝配線ビア
114 単一ビア
Claims (23)
- 絶縁基板上にTFT素子と、当該TFT素子に接続された画素電極とがマトリクス状に設けられてなるTFTアレイ基板であって、
上記絶縁基板上に、上記TFT素子に接続されたゲートバスラインが第1金属材料で形成されており、
上記絶縁基板上に、上記TFT素子に接続されたソースバスラインが第2金属材料で形成されており、
上記画素電極は、第3金属材料で形成されており、
上記絶縁基板において、上記画素電極がマトリクス状に配置された領域が表示領域であり、
上記表示領域の周辺の領域が周辺領域であり、
上記周辺領域には、上記TFT素子を駆動するための駆動回路が設けられており、
上記周辺領域には、上記駆動回路に接続される枝配線と、上記枝配線に接続される幹配線とが設けられており、
上記枝配線は、上記第1金属材料又は上記第2金属材料のいずれか一方で形成されており、
上記幹配線は、上記第1金属材料及び上記第2金属材料のうちの、上記枝配線とは異なる方の金属材料で形成されており、
上記周辺領域に、上記幹配線と上記枝配線とが電気的に接続される接続部分が設けられており、
上記接続部分において、上記幹配線と上記枝配線とが接続導体で接続されており、
上記接続導体は、上記第3金属材料で形成されており、
上記接続部分には、上記接続導体を介して、上記枝配線を露出する枝配線ビアが設けられており、
少なくとも1箇所の上記接続部分において、上記枝配線ビアの少なくとも一部が、平面視において、上記幹配線と重なっていることを特徴とするTFTアレイ基板。 - 絶縁基板上にTFT素子と、当該TFT素子に接続された画素電極とがマトリクス状に設けられてなるTFTアレイ基板であって、
上記絶縁基板上に、上記TFT素子に接続されたゲートバスラインが第1金属材料で形成されており、
上記絶縁基板上に、上記TFT素子に接続されたソースバスラインが第2金属材料で形成されており、
上記画素電極は、第3金属材料で形成されており、
上記絶縁基板において、上記画素電極がマトリクス状に配置された領域が表示領域であり、
上記表示領域の周辺の領域が周辺領域であり、
上記周辺領域には、上記TFT素子を駆動するための周辺TFT素子が設けられており、
上記周辺領域には、上記周辺TFT素子に接続される枝配線と、上記枝配線に接続される幹配線とが設けられており、
上記枝配線は、上記第1金属材料又は上記第2金属材料のいずれか一方で形成されており、
上記幹配線は、上記第1金属材料及び上記第2金属材料のうちの、上記枝配線とは異なる方の金属材料で形成されており、
上記周辺領域に、上記幹配線と上記枝配線とが電気的に接続される接続部分が設けられており、
上記接続部分において、上記幹配線と上記枝配線とが接続導体で接続されており、
上記接続導体は、上記第3金属材料で形成されており、
上記接続部分には、上記接続導体を介して、上記枝配線を露出する枝配線ビアが設けられており、
少なくとも1箇所の上記接続部分において、上記枝配線ビアの少なくとも一部が、平面視において、上記幹配線と重なっていることを特徴とするTFTアレイ基板。 - 上記幹配線が上記第1金属材料で形成されており、
上記枝配線が上記第2金属材料で形成されており、
上記接続部分の少なくとも1箇所において、上記枝配線ビアの全部が、平面視において、上記幹配線と重なっていることを特徴とする請求項1又は2に記載のTFTアレイ基板。 - 上記周辺領域には、上記幹配線が複数本設けられており、
上記幹配線のうちで、上記絶縁基板の基板端辺に最も近い幹配線を除いた残る幹配線は、その配線幅が同じであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のTFTアレイ基板。 - 上記幹配線のうちで、上記絶縁基板の基板端辺に最も近い幹配線は、上記絶縁基板の基板端辺に最も近い幹配線を除いた残る幹配線よりも、その配線幅が大きいことを特徴とする請求項4に記載のTFTアレイ基板。
- 上記幹配線のうちで、上記絶縁基板の基板端辺に最も近い幹配線は、低電位側電源配線であることを特徴とする請求項4に記載のTFTアレイ基板。
- 上記幹配線のうちで、上記絶縁基板の基板端辺に最も近い幹配線には、欠落部が設けられていることを特徴とする請求項4に記載のTFTアレイ基板。
- 上記周辺領域には、上記幹配線が複数本設けられており、
上記幹配線の配線幅が同じであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のTFTアレイ基板。 - 上記接続導体は、上記接続部分で、平面視において、幹配線の上層領域にのみ設けられていることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載のTFTアレイ基板。
- 上記接続部分には、上記接続導体を介して、上記幹配線を露出する幹配線ビアが設けられており、
上記枝配線ビアで、上記枝配線と上記接続導体とが電気的に接続されており、
上記幹配線ビアで、上記幹配線と上記接続導体とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載のTFTアレイ基板。 - 上記枝配線ビアでは、上記枝配線と共に幹配線が、上記接続導体を介して露出しており、
上記枝配線ビアで、上記幹配線と上記枝配線とが、上記接続導体を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載のTFTアレイ基板。 - 上記周辺領域において、上記幹配線及び上記枝配線の少なくとも一方の配線に、金属材料が存在しない部分である欠落部が設けられていることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載のTFTアレイ基板。
- 上記周辺領域に、上記幹配線と、上記枝配線とが、電気的に接続されることなく交差する交差部分が設けられており、
上記交差部分において、上記幹配線及び上記枝配線の少なくとも一方の配線に、配線の幅が狭められた狭幅部が設けられていることを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載のTFTアレイ基板。 - 上記周辺領域には、上記枝配線が複数本設けられており、
上記枝配線には、上記幹配線の上層領域において、上記幹配線に沿って延伸されている枝配線延伸部が設けられており、
上記枝配線延伸部は、複数本の上記枝配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載のTFTアレイ基板。 - 上記周辺領域には、上記枝配線が複数本設けられており、
上記枝配線には、上記幹配線の上層領域において、上記幹配線に沿って延伸されている枝配線延伸部が設けられており、
上記枝配線延伸部が複数本の上記枝配線と電気的に接続されていることで、上層領域に上記枝配線延伸部が設けられている当該幹配線に設けられている上記接続部分の個数が、複数本設けられている上記枝配線の本数よりも少ないことを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載のTFTアレイ基板。 - 上記接続導体に、上層領域に上記枝配線延伸部が設けられている上記幹配線の上層領域において、上記幹配線に沿って延伸されている接続導体延伸部が設けられていることを特徴とする請求項14又は15に記載のTFTアレイ基板。
- 上記周辺領域において、上記接続部分と、上記絶縁基板の基板端辺との間に、上記駆動回路の少なくとも一部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のTFTアレイ基板。
- 上記周辺領域において、上記接続部分と、上記絶縁基板の基板端辺との間に、上記駆動回路の一部が設けられており、
上記駆動回路の一部と、上記駆動回路の他の部分との間に幹配線が配置されていると共に、当該幹配線がクロック配線であることを特徴とする請求項17に記載のTFTアレイ基板。 - 上記周辺領域において、上記接続部分と、上記絶縁基板の基板端辺との間に、上記周辺TFT素子の少なくとも一部が設けられていることを特徴とする請求項2に記載のTFTアレイ基板。
- 上記周辺領域において、上記接続部分と、上記絶縁基板の基板端辺との間に、上記周辺TFT素子の一部が設けられており、
上記周辺TFT素子の一部と、上記周辺TFT素子の他の部分との間に幹配線が配置されていると共に、当該幹配線がクロック配線であることを特徴とする請求項19に記載のTFTアレイ基板。 - 請求項1から20のいずれか1項に記載のTFTアレイ基板と、対向基板とがシールを介してはり合わされてなる液晶表示パネルであって、
上記シールが、上記周辺領域に設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。 - 上記接続部分が、上記シールの下層領域に設けられていることを特徴とする請求項21に記載の液晶表示パネル。
- 上記シールは、UV光により硬化されることを特徴とする請求項21又は22に記載の液晶表示パネル。
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