JPWO2007046144A1 - 抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
Description
12…抵抗記憶素子
14…セル選択トランジスタ
20…シリコン基板
22…素子分離膜
24…ゲート電極
26,28…ソース/ドレイン領域
30,48…層間絶縁膜
32,34,50…コンタクトプラグ
36…配線
38,44…電極
40…ソース線
42…抵抗記憶層
46…抵抗記憶素子
52…ビット線
80…基板
82,84…電極
86…抵抗記憶層
本発明の不揮発性半導体記憶装置に用いる抵抗記憶素子の基本動作について図1乃至図9を用いて説明する。
本発明の第1実施形態による不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法について図10乃至図14を用いて説明する。
本発明の第2実施形態による不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法について図15乃至図19を用いて説明する。なお、図10乃至図14に示す第1実施形態による不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第3実施形態による不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法について図20乃至図23を用いて説明する。なお、図10乃至図19に示す第1及び第2実施形態による不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
Claims (13)
- メモリ領域に高抵抗状態又は低抵抗状態を記憶し、電圧の印加によって前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを切り換える抵抗記憶素子であって、
抵抗記憶材料よりなる抵抗記憶層と、前記抵抗記憶層を挟むように配置された第1の電極及び第2の電極とを有し、
前記第1の電極及び前記第2の電極は、同一面上に形成されている
ことを特徴とする抵抗記憶素子。 - メモリ領域に高抵抗状態又は低抵抗状態を記憶し、電圧の印加によって前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを切り換える抵抗記憶素子であって、
抵抗記憶材料よりなる抵抗記憶層と、前記抵抗記憶層を挟むように配置された第1の電極及び第2の電極とを有し、
前記第1の電極は、前記抵抗記憶層の下面側に形成されており、
前記第2の電極は、前記第1の電極が形成された領域とは異なる領域の前記抵抗記憶層の上面側に形成されている
ことを特徴とする抵抗記憶素子。 - メモリ領域に高抵抗状態又は低抵抗状態を記憶し、電圧の印加によって前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを切り換える抵抗記憶素子であって、
抵抗記憶材料よりなる抵抗記憶層と、前記抵抗記憶層を挟むように配置された第1の電極及び第2の電極とを有し、
前記第1の電極は、前記抵抗記憶層の第1の領域に形成された開口部内に埋め込み形成されており、
前記第2の電極は、前記第1の領域とは異なる第2の領域の前記抵抗記憶層上に形成されている
ことを特徴とする抵抗記憶素子。 - メモリ領域に高抵抗状態又は低抵抗状態を記憶し、電圧の印加によって前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを切り換える抵抗記憶素子であって、
抵抗記憶材料よりなる抵抗記憶層と、前記抵抗記憶層を挟むように配置された第1の電極及び第2の電極とを有し、
前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを切り換える際に、前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記抵抗記憶層内に、前記抵抗記憶層の層方向又は前記抵抗記憶層の層厚方向に対して傾斜した方向に沿って前記メモリ領域を含む電流パスが形成される
ことを特徴とする抵抗記憶素子。 - メモリ領域に高抵抗状態又は低抵抗状態を記憶し、電圧の印加によって前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを切り換える抵抗記憶素子であって、抵抗記憶材料よりなる抵抗記憶層と、前記抵抗記憶層を挟むように配置された第1の電極及び第2の電極とを有し、前記第1の電極と前記第2の電極とが同一面上に形成された抵抗記憶素子と、
前記抵抗記憶素子の第1の電極に接続された選択トランジスタと、
前記抵抗記憶素子の前記第2の電極に接続された信号線と
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求の範囲第5項に記載の抵抗記憶素子において、
前記第2の電極は、前記信号線と一体形成されている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - メモリ領域に高抵抗状態又は低抵抗状態を記憶し、電圧の印加によって前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを切り換える抵抗記憶素子であって、抵抗記憶材料よりなる抵抗記憶層と、前記抵抗記憶層を挟むように配置された第1の電極及び第2の電極とを有し、前記第1の電極が前記抵抗記憶層の下面側に形成され、前記第2の電極が前記第1の電極が形成された領域とは異なる領域の前記抵抗記憶層の上面側に形成された抵抗記憶素子と、
前記抵抗記憶素子の第1の電極に接続された選択トランジスタと、
前記抵抗記憶素子の前記第2の電極に接続された信号線と
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - メモリ領域に高抵抗状態又は低抵抗状態を記憶し、電圧の印加によって前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを切り換える抵抗記憶素子であって、抵抗記憶材料よりなる抵抗記憶層と、前記抵抗記憶層を挟むように配置された第1の電極及び第2の電極とを有し、前記第1の電極が前記抵抗記憶層の第1の領域に形成された開口部内に埋め込み形成され、前記第2の電極が前記第1の領域とは異なる第2の領域の前記抵抗記憶層上に形成された抵抗記憶素子と、
前記抵抗記憶素子の第1の電極に接続された選択トランジスタと、
前記抵抗記憶素子の前記第2の電極に接続された信号線と
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求の範囲第8項に記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1の電極は、前記選択トランジスタに接続されたコンタクトプラグである
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求の範囲第5項乃至第9項のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを切り換える際に、前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記抵抗記憶層内に、前記抵抗記憶層の層方向又は前記抵抗記憶層の層厚方向に対して傾斜した方向に沿って前記メモリ領域を含む電流パスが形成される
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 高抵抗状態と低抵抗状態とを記憶し、一対の電極間に電圧を印加することによって前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを切り換える抵抗記憶素子の製造方法であって、
基板上に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングし、第1の領域に形成された第1の電極と、前記第1の領域とは異なる第2の領域に形成された第2の電極とを形成する工程と、
前記第1の電極及び前記第2の電極が形成された前記基板上に、抵抗記憶層を形成する工程と
を有することを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。 - 高抵抗状態と低抵抗状態とを記憶し、一対の電極間に電圧を印加することによって前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを切り換える抵抗記憶素子の製造方法であって、
基板の第1の領域上に第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極が形成された前記基板上に、抵抗記憶層を形成する工程と、
前記第1の領域とは異なる第2の領域の前記抵抗記憶層上に、第2の電極を形成する工程と
を有することを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。 - 高抵抗状態と低抵抗状態とを記憶し、一対の電極間に電圧を印加することによって前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とを切り換える抵抗記憶素子の製造方法であって、
基板上に、抵抗記憶層を形成する工程と、
前記抵抗記憶層の第1の領域に開口部を形成する工程と、
前記開口部内に、第1の電極を形成する工程と、
前記抵抗記憶層の前記第1の領域とは異なる第2の領域上に、第2の電極を形成する工程と
を有することを特徴とする抵抗記憶素子の製造方法。
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