JPWO2006093039A1 - 非可逆回路素子及び通信装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記フェライトの主面には複数の前記中心電極が互いに絶縁された状態で交差して形成されており、
前記フェライト及び前記永久磁石は、それぞれの主面が対向した状態でかつ前記回路基板上にそれぞれの主面が回路基板の表面と直交する方向に並置されており、
前記磁性体ヨークは前記回路基板の表面に垂直な面で前記フェライト及び永久磁石の周囲を囲む環状をなし、
前記フェライト及び永久磁石の直上には前記磁性体ヨークの開口部を覆う非磁性体金属の導体材料からなるシールド導体が配置されていること、
を特徴とする。
以下に、本発明に係る非可逆回路素子の実施例について説明する。図1は本発明の一実施例である2ポート型アイソレータ1の分解斜視図である。この2ポート型アイソレータ1は、集中定数型アイソレータであり、概略、磁性体ヨーク10と、電磁シールド板15と、回路基板20と、フェライト32を含む中心電極組立体31と、フェライト32に直流磁界を印加するための永久磁石41,41とで形成されている。
次に、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明する。図13は携帯電話220のRF部分の電気回路ブロック図であり、222はアンテナ素子、223はデュプレクサ、231は送信側アイソレータ、232は送信側増幅器、233は送信側段間用帯域通過フィルタ、234は送信側ミキサ、235は受信側増幅器、236は受信側段間用帯域通過フィルタ、237は受信側ミキサ、238は電圧制御発振器(VCO)、239はローカル用帯域通過フィルタである。
なお、本発明に係る非可逆回路素子及び通信装置は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
Claims (14)
- 永久磁石と、該永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、該フェライトに配置された複数の中心電極と、回路基板と、磁性体ヨークとを備えた非可逆回路素子において、
前記フェライトの主面には複数の前記中心電極が互いに絶縁された状態で交差して形成されており、
前記フェライト及び前記永久磁石は、それぞれの主面が対向した状態でかつ前記回路基板上にそれぞれの主面が回路基板の表面と直交する方向に並置されており、
前記磁性体ヨークは前記回路基板の表面に垂直な面で前記フェライト及び永久磁石の周囲を囲む環状をなし、
前記フェライト及び永久磁石の直上には前記磁性体ヨークの開口部を覆う非磁性体金属の導体材料からなるシールド導体が配置されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。 - 前記中心電極は、一端が第1入出力ポートに電気的に接続され、他端が第2入出力ポートに電気的に接続された第1中心電極と、該第1中心電極と電気的絶縁状態で交差して一端が第2入出力ポートに電気的に接続され、他端が接地用第3ポートに電気的に接続された第2中心電極とから構成され、
第1の整合容量が第1中心電極と並列に接続されるとともに第2の整合容量が第2中心電極と並列に接続され、かつ、終端抵抗が第1中心電極と並列に接続されており、
前記フェライトは、略直方体形状をなし、第2中心電極が該フェライトの長辺と平行な軸を2回以上周回するように巻回されていること、
を特徴とする請求の範囲第1項に記載の非可逆回路素子。 - 前記シールド導体は非接地であることを特徴とする請求の範囲第1項又は第2項に記載の非可逆回路素子。
- 前記シールド導体は誘電体基板上に非磁性体金属の導体膜にて形成されたものであることを特徴とする請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の非可逆回路素子。
- 前記シールド導体は前記誘電体基板上に設けた銅箔からなることを特徴とする請求の範囲第4項に記載の非可逆回路素子。
- 前記銅箔上にはNi及びAuがめっきされていることを特徴とする請求の範囲第5項に記載の非可逆回路素子。
- 前記中心電極は前記フェライトの主面に導体膜によって形成されていることを特徴とする請求の範囲第1項ないし第6項のいずれかに記載の非可逆回路素子。
- 前記シールド導体には前記フェライトの少なくともいずれか一方の短辺部分に対向する位置に開口領域が形成されていることを特徴とする請求の範囲第1項ないし第7項のいずれかに記載の非可逆回路素子。
- 前記開口領域は複数のスリットからなることを特徴とする請求の範囲第8項に記載の非可逆回路素子。
- 前記開口領域は十字形状をなしていることを特徴とする請求の範囲第8項に記載の非可逆回路素子。
- 前記開口領域は円形状をなしていることを特徴とする請求の範囲第8項に記載の非可逆回路素子。
- 前記開口領域の面積和が前記フェライトの平面投影面積の5〜20%であることを特徴とする請求の範囲第8項ないし第11項のいずれかに記載の非可逆回路素子。
- 前記シールド導体と前記フェライトの最上部との間隔がフェライトの高さ寸法の10%以上であることを特徴とする請求の範囲第8項ないし第11項のいずれかに記載の非可逆回路素子。
- 請求の範囲第1項ないし第13項に記載の非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信装置。
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