JP5392413B2 - 複合電子モジュール - Google Patents

Description

本発明は、非可逆回路素子が基板に実装された複合電子モジュールに関する。

従来より、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送する特性を利用して、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子が携帯電話や無線ＬＡＮ機器などの通信端末の送信回路部の電力増幅モジュールなどの複合電子モジュールに使用されている。このような複合電子モジュールを形成する基板に実装される非可逆回路素子５００は、例えば、図７に示すように、主面５０２に互いに電気的に絶縁された中心電極５０３，５０４が形成された一対の直方体形状の永久磁石５０１の間にフェライト５０５が挟み込まれて形成される（例えば特許文献１〜３参照）。

また、フェライト５０５は直方体形状を有し、上端面および下端面には永久磁石５０１に形成された中心電極５０３，５０４をそれぞれ電気的に接続するための中継用電極５０６が形成されている。このように非可逆回路素子５００を形成することで、中心電極として銅線を巻き回したフェライトを一対の永久磁石の間に配置した従来の非可逆回路素子の構成と比較すると、製造が容易であると共に素子の小型化を図ることができる。そして、永久磁石５０１による磁界がマザー基板に実装される他の電子部品に影響を及ぼすのを抑制するために、非可逆回路素子５００は、電磁シールドとして機能する金属製のヨークと共に基板に実装されて各種複合電子モジュールが形成される。なお、図７は従来の非可逆回路素子５００の一例を示す図であって、（ａ）は非可逆回路素子５００の分解斜視図であり、（ｂ）は非可逆回路素子５００の斜視図である。

特開２００６−３１１４５５号公報（段落［００１９］〜［００３３］、図１，２など） 特開２００７−２０８９４３号公報（段落［００１６］〜［００３７］、図１，２など） 特開２００９−４９８７９号公報（段落［００１３］〜［００３２］、図１，２など）

ところで、近年、通信端末の小型化および薄型化に伴い、通信端末に実装される各種複合電子モジュールの小型化および低背化が要求されている。そこで、複合電子モジュールの小型化および低背化を図るために、ヨークを省いて非可逆電子素子５００を基板に実装することにより複合電子モジュールを形成することが考えられる。このようにすれば、ヨークを実装するスペースを基板上に確保しなくともよいため、複合電子モジュールの小型化および低背化を図ることができる。

ところが、この場合、電磁シールドとして機能するヨークが基板に実装されていないため、複合電子モジュールを形成する基板の外側に漏洩する永久磁石５０１による磁力線の数が増大する。したがって、複合電子モジュールの基板の外側における永久磁石５０１の磁界の影響が大きくなるため、例えば、このようにヨークが省略された複合電子モジュールをマザー基板などに実装する際に、マザー基板上の複合電子モジュールの周辺に実装される他の電子部品が永久磁石５０１の磁力により移動して所望の位置からずれるおそれがあり、位置ずれ防止の対策が求められている。

この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、複合電子モジュールの小型化および低背化を図ると共に、周辺に配置される電子部品に対する永久磁石による磁界の影響を抑制することができる複合電子モジュールを提供することを目的とする。

上記した目的を達成するために、本発明の複合電子モジュールは、永久磁石、フェライトおよび電極パターンから成る非可逆回路素子と、磁性体を含む電子部品と、前記非可逆回路素子および前記電子部品が実装される基板とを備え、前記非可逆回路素子の前記永久磁石による磁力線が前記非可逆回路素子側に集中するように前記電子部品が前記基板に実装されていることを特徴としている（請求項１）。

また、前記非可逆回路素子は、一対の前記永久磁石を有し、一方の前記永久磁石の一の磁極と他方の前記永久磁石の反対の磁極との間に前記フェライトが配置されて形成されているとよい（請求項２）。

また、前記電子部品と前記非可逆回路素子とが、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向に並設されているのが望ましい（請求項３）。

また、前記電子部品と前記非可逆回路素子とが、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に並設されているとよい（請求項４）。

また、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向における前記磁極の近傍に配置された電子部品と前記永久磁石との間隔は、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に配置された電子部品と永久磁石との間隔よりも狭いとよい（請求項５）。

また、前記電子部品の長手方向と前記永久磁石による磁力線の経路とが略平行になるように前記電子部品が配置されているとよい（請求項６）。

また、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向における、前記非可逆回路素子と前記基板端縁との距離が１．２ｍｍ以上であるとよく（請求項７）、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向における、前記非可逆回路素子と前記基板端縁との距離が０．８ｍｍ以上であるとよい（請求項８）。

請求項１の発明によれば、本発明の複合電子モジュールは、永久磁石、フェライトおよび電極パターンから成る非可逆回路素子の永久磁石による磁力線が非可逆回路素子側に集中するように、磁性体を含む電子部品が基板に実装されているため、例えば金属製のヨークを省略しても、基板の外側に漏洩する永久磁石による磁力線の数を抑制することができるので、基板の周辺に複合電子モジュールに並設して配置される電子部品に対する永久磁石による磁界の影響を抑制することができる。

また、金属製のヨークなどを基板に実装しなくても、基板の外側における永久磁石の磁界の影響を抑制することができるため、ヨークなどの電磁シールドとして機能する部材を実装するためのスペースを基板上に確保しなくてもよいので、複合電子モジュールの小型化および低背化を図ることができる。

請求項２の発明よれば、一方の永久磁石の一の磁極と他方の永久磁石の反対の磁極との間にフェライトが配置されて非可逆回路素子が形成されることにより、実用的な構成で非可逆回路素子を形成することができる。

請求項３の発明によれば、電子部品と非可逆回路素子とが、永久磁石の各磁極の並ぶ方向に並設されて、強い磁界が形成される永久磁石の磁極付近に磁性体を含む電子部品が配置されることにより、電子部品が磁路の一部となって永久磁石の磁極付近の磁力線が非可逆回路素子側に集中するため、効果的に基板の外側に漏洩する永久磁石による磁力線の数を抑制することができるので、より効果的に基板の周辺に配置される電子部品に対する永久磁石による磁界の影響を抑制することができる。

請求項４の発明によれば、電子部品と非可逆回路素子とが、永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に並設されることにより、磁性体を含む電子部品が磁路の一部となって永久磁石の一の磁極から反対の磁極へと向かう磁力線が非可逆回路素子側に集中するため、効果的に基板の外側に漏洩する永久磁石による磁力線の数を抑制することができるので、より効果的に基板の周辺に配置される電子部品に対する永久磁石による磁界の影響を抑制することができる。

請求項５の発明によれば、永久磁石の各磁極の並ぶ方向における磁極の近傍に配置された電子部品と永久磁石との間隔が、永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に配置された電子部品と永久磁石との間隔よりも狭く、最も磁力線が集中して磁界強度が強くなる永久磁石の各磁極の並ぶ方向における磁極の近傍に電子部品が近接して配置されているので、磁界の広がりをより効果的に抑制することができ、非可逆回路素子側に磁界を集中させることができる。

また、電子部品の長手方向と永久磁石による磁力線の経路とが略平行になるように電子部品が配置されており、電子部品の長手方向と磁力線の経路とを平行にすることで、磁力線を電子部品により一層集中させることができ、非可逆回路素子側に磁力線を集中させることができる。

請求項７，８の発明によれば、永久磁石の各磁極の並ぶ方向における、非可逆回路素子と基板端縁との距離を１．２ｍｍ以上とし、永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向における、非可逆回路素子と基板端縁との距離を０．８ｍｍ以上とすることにより、より効果的に基板の周辺に配置される電子部品に対する永久磁石による磁界の影響を抑制することができる。

本発明の複合電子モジュールの一実施形態を示す図である。 電子部品が基板上に適切に配置されることにより永久磁石の磁力線が非可逆回路素子側に集中することを説明するための図である。 電子部品の配置位置による永久磁石の磁界の影響を調べた実験結果の一例を示す図である。 電子部品の配置位置による永久磁石の磁界の影響を調べた実験結果の一例を示す図である。 複合電子モジュールの回路ブロック図である。 複合電子モジュールの回路ブロック図である。 従来の非可逆回路素子の一例を示す図である。

本発明の複合電子モジュールの一実施形態について、図１〜図４を参照して説明する。図１は本発明の複合電子モジュール１の一実施形態を示す図であって、（ａ）は配置状態を示す図、（ｂ）は回路ブロック図である。図２は電子部品が基板上に適切に配置されることにより永久磁石の磁力線が非可逆回路素子に近い部分に集中することを説明するための図である。図３および図４は電子部品の配置位置による永久磁石の磁界の影響を調べた実験結果の一例を示す図である。

（構成）
図１に示す複合電子モジュール１は、樹脂やセラミックなどにより形成された基板２に、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送する特性を有するアイソレータにより形成される非可逆回路素子３、送信信号を増幅するパワーアンプ４、各種電子部品５ａ〜５ｇなどが実装されて形成される電力増幅モジュールであって、無線ＬＡＮ規格やＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）規格の無線通信機器、携帯電話などの通信端末の送信回路部において使用される。

基板２は、所定の電極パターンが形成された複数枚のセラミックグリーンシートの積層体が焼成された積層基板や積層樹脂基板などが目的に応じて選択されて使用される。また、複合電子モジュール１の使用目的に応じて、コンデンサやコイルなどの電子部品が内蔵された基板２を採用してもよい。

非可逆回路素子３は、一対の永久磁石３ａ，３ｂと、フェライト３ｃとを有し、一方の永久磁石３ａの一の磁極と他方の永久磁石３ｂの反対の磁極との間にフェライト３ｃが配置されて形成されている。具体的には、永久磁石３ａ，３ｂおよびフェライト３ｃは直方体状に形成されており、永久磁石３ａ，３ｂの磁界が、フェライト３ｃの主面に対してほぼ垂直方向に印加されるように、永久磁石３ａ，３ｂおよびフェライト３ｃが接合される。また、一方の永久磁石３ａの一の磁極側の主面と、他方の永久磁石３ｂの反対の磁極側の主面と、フェライト３ｃの上端面および下端面とには、中心電極としての電極パターン３ｄが形成される。永久磁石３ａ，３ｂおよびフェライト３ｃが接合されたとき、電極パターン３ｄはフェライト３ｃに巻回し、その巻回状態を適宜調整することで、非可逆回路素子３の入力インピーダンスや挿入損失などの電気的特性を調整することができる。

なお、永久磁石３ａ，３ｂの主面に形成される電極パターン３ｄは、銀、銅、金やその合金からなる電極膜材料、金や銀などの導体粉とエポキシ樹脂などからなる導体複合材料（ペーストまたは接着剤）などの電極膜材料により、印刷や転写により薄膜として形成される。また、これらの電極膜材料と感光物質とを混合してフォトリソグラフ、エッチングなどの加工技術を用いて、永久磁石３ａ，３ｂの主面に電極パターン３ｄを所定の形状に形成してもよい。

また、フェライト３ｃの上端面および下端面に形成される電極パターン３ｄは、永久磁石３ａ，３ｂの主面に形成された電極パターン３ｄを中継するための中継電極および基板２に非可逆回路素子３を接続するための接続用電極として使用されるものであって、銀、銅、金やその合金からなる電極膜材料、金や銀などの導体粉とエポキシ樹脂などからなる導体複合材料（ペーストまたは接着剤）などの電極膜材料により、印刷や転写により厚膜として形成される。また、これらの電極膜材料と感光物質とを混合してフォトリソグラフ、エッチングなどの加工技術を用いて、フェライト３ｃの上端面および下端面に電極パターン３ｄを所定の形状に形成してもよい。

また、永久磁石３ａ，３ｃの材質としては、残留磁束密度、保磁力といった磁気特性に優れ、高周波帯における絶縁性（低損失性）にも優れているストロンチウム系フェライトマグネットや、残留磁束密度、保磁力といった磁気特性に優れており、小型化に適し、高周波帯における絶縁性を考慮しても使用可能なランタン・コバルト系フェライトマグネットなど、どのような材質のものを採用してもよい。

また、非可逆回路素子３は、図１に示すように、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向において、基板２の端縁からの距離Ｘが１．２ｍｍ以上となる位置に基板２に配置されており、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向において、基板２の端縁からの距離Ｙが０．８ｍｍ以上となる位置に基板２に配置されている。

パワーアンプ４は、送信信号を増幅する機能を有し、複合電子モジュール１の使用目的に応じて、高周波帯域の送信信号を増幅する機能を有するものなど、適宜、種々の回路構成でパワーアンプ４を形成すればよい。

電子部品５ａ〜５ｇは、整合回路など、複合電子モジュール１を形成するのに必要な種々の回路を形成するために、チップコンデンサやチップコイル、チップ抵抗などが適宜選択されて基板２上に実装されたものである。なお、この実施形態では、外部電極や内部の電極パターンなどにＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの磁性体を含む電子部品５ａ〜５ｆが、非可逆回路素子３の永久磁石３ａ，３ｂによる磁力線ＭＦが非可逆回路素子３側に集中するように基板２に実装されている。

具体的には、電子部品５ａ，５ｃ，５ｄは、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向に非可逆回路素子３に並設されて、電子部品５ｂ，５ｅ，５ｆは、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向である非可逆回路素子３のフェライト３ｃの側面が露出する辺側に並設されて、基板２に実装されている。

また、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向における磁極の近傍に配置された電子部品５ａ，５ｄと永久磁石３ａ，３ｂとの間隔が、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に配置された電子部品５ｂ，５ｅ，５ｆと永久磁石３ａ，３ｂとの間隔よりも狭くなるように、各電子部品５ａ，５ｂ，５ｄ〜５ｆは基板２に配置されている。

また、電子部品５ｂ，５ｅ，５ｆの長手方向と永久磁石３ａ，３ｂによる磁力線ＭＦの経路とが略平行になるように電子部品５ｂ，５ｅ，５ｆが配置されている。すなわち、図２に示すように、永久磁石３ａ，３ｂによる磁力線ＭＦは、非可逆回路素子３の短辺付近において、該短辺とほぼ平行に分布するため、電子部品５ｂ，５ｅ，５ｆは、その長手方向が永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向と略平行になるように配置されている。

そして、この実施形態では、図１（ｂ）に示すように、入力ポートＰｉｎを介して入力された送信信号がパワーアンプ４により増幅され、増幅された送信信号が非可逆回路素子３を介して出力ポートＰｏｕｔから出力される複合電子モジュール１が形成されている。なお、図１（ｂ）では、複合電子モジュール１の機能のみを示し、整合回路などの回路構成は図示省略している。

（非可逆回路素子３の周囲に配置された磁性体を含む電子部品の効果）
図２中の点線矢印で示すように、基板２に非可逆回路素子３が実装されたときに、一方の永久磁石３ａの磁極から他方の永久磁石３ｂの磁極まで、基板２の外側に大量に漏洩した状態で永久磁石３ａ，３ｂによる磁力線ＭＦが形成される。ところが、磁性体を含む電子部品５ａ〜５ｆは磁力線ＭＦの磁路の一部となるため、同図中に実線矢印で示すように、非可逆回路素子３の周囲に磁性体を含む電子部品５ａ〜５ｆが配置されることで、電子部品５ａ〜５ｆが磁力線ＭＦの磁路の一部となって永久磁石３ａ，３ｂの磁力線ＭＦが非可逆回路素子３側に近い領域に集中するため、複合電子モジュール１の基板２の外側に漏洩する永久磁石３ａ，３ｂによる磁力線ＭＦの数が効果的に抑制される。

（非可逆回路素子３を形成する永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の影響について）
図３は永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向において非可逆回路素子３から距離Ｘの位置に、外部電極などにＮｉなどの上記した磁性体を含むチップコンデンサやチップコイル、チップ抵抗などの電子部品を５回繰り返して配置した場合に、永久磁石３ａ，３ｂにより形成される磁界による磁気力により当該電子部品が移動したり、傾いたり、回転したりした回数を示すものである。

図３に示すように、非可逆回路素子３からの距離Ｘが１．１ｍｍ以下の位置に電子部品が配置されれば、ほぼすべての電子部品が永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の影響を受けて、移動したり、傾いたり、回転したりするものと考えられる。一方、非可逆回路素子３からの距離Ｘが１．３ｍｍ以上の位置に電子部品が配置されれば、すべての電子部品が永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の影響を受けにくく、移動したり、傾いたり、回転したりしないものと考えられる。

図４は永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の配置方向とほぼ直交する方向において非可逆回路素子３から距離Ｙの位置に、外部電極などにＮｉなどの上記した磁性体を含むチップコンデンサやチップコイル、チップ抵抗などの電子部品を５回繰り返して配置した場合に、永久磁石３ａ，３ｂにより形成された磁界による磁気力により当該電子部品が移動したり、傾いたり、回転したりした回数を示すものである。

図４に示すように、非可逆回路素子３からの距離Ｘが０．７ｍｍ以下の位置に電子部品が配置されれば、ほぼすべての電子部品が永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の影響を受けやすく、移動したり、傾いたり、回転したりするものと考えられる。一方、非可逆回路素子３からの距離Ｙが０．９ｍｍ以上の位置に電子部品が配置されれば、すべての電子部品が永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の影響を受けにくく、移動したり、傾いたり、回転したりしないものと考えられる。

したがって、基板２の端縁から非可逆回路素子３までの距離を適切に設定して基板２上に非可逆回路素子３を実装することにより複合電子モジュール１を形成することで、複合電子モジュール１と他の電子部品とをマザー基板などに一緒に実装するときに、マザー基板上の複合電子モジュール１の周辺に配置された電子部品と複合電子モジュールに搭載された非可逆回路素子３との間に適切な間隔を設けることができるため、複合電子モジュール１の周辺に配置された電子部品が、はんだなどにより固定される前に非可逆回路素子３の永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の影響を受けて、移動したり、傾いたり、回転したりすることで位置ずれしたりするのを防止することができる。

以上のように、上記した実施形態によれば、永久磁石３ａ，３ｂ、フェライト３ｃおよび電極パターン３ｄから成る非可逆回路素子３の永久磁石３ａ，３ｂによる磁力線ＭＦが非可逆回路素子３側に集中するように、磁性体を含む電子部品５ａ〜５ｆが基板２に実装されているため、例えば金属製のヨークを省略しても、基板２の外側に漏洩する永久磁石３ａ，３ｂによる磁力線ＭＦの数を抑制することができるので、基板２の周辺に複合電子モジュール１に並設して配置される電子部品に対する永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の影響を抑制することができる。

また、金属製のヨークなどを基板２に実装しなくても、複合電子モジュール１の基板２の外側における永久磁石３ａ，３ｂの磁界の影響を抑制することができるため、ヨークなどの電磁シールドとして機能する部材を実装するためのスペースを基板２上に確保しなくてもよいので、複合電子モジュール１の小型化および低背化を図ることができる。

また、一方の永久磁石３ａの一の磁極と他方の永久磁石３ｂの反対の磁極との間にフェライト３ｃが配置されて非可逆回路素子３が形成されることにより、コンパクトで実用的な構成で非可逆回路素子３を形成することができる。

また、電子部品５ａ，５ｃ，５ｄと非可逆回路素子３とが、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向に並設されて、強い磁界が形成される永久磁石３ａ，３ｂの磁極付近に磁性体を含む電子部品５ａ，５ｃ，５ｄが配置されることにより、電子部品５ａ，５ｃ，５ｄが磁路の一部となって永久磁石３ａ，３ｂの磁極付近の磁力線ＭＦが非可逆回路素子３側に集中するため、効果的に基板２の外側に漏洩する永久磁石３ａ，３ｂによる磁力線ＭＦの数を抑制することができるので、基板２の周辺に配置される電子部品に対する永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の影響をより効果的に抑制することができる。

また、電子部品５ｂ，５ｅ，５ｆと非可逆回路素子３とが、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に並設されることにより、磁性体を含む電子部品５ｂ，５ｅ，５ｆが磁路の一部となって、フェライト３ｃを介して連結された永久磁石３ａ，３ｂの一の磁極と反対の磁極との間に形成される磁力線ＭＦが非可逆回路素子３側に集中するため、効果的に基板２の外側に漏洩する永久磁石３ａ，３ｂによる磁力線ＭＦの数を抑制することができ、その結果、基板２の周辺に配置されて複合電子モジュール１に並設される電子部品に対して、位置ずれの原因となっていた永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の悪影響を抑制することができる。

また、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向における磁極の近傍に配置された電子部品５ａ，５ｄと永久磁石３ａ，３ｂとの間隔が、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に配置された電子部品５ｂ，５ｅ，５ｆと永久磁石３ａ，３ｂとの間隔よりも狭く、最も磁力線ＭＦが集中して磁界強度が強くなる永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向における磁極の近傍に電子部品５ａ，５ｄが近接して配置されているので、磁界の広がりをより効果的に抑制することができ、非可逆回路素子３側に磁界を集中させることができる。

また、電子部品５ｂ，５ｅ，５ｆの長手方向と永久磁石３ａ，３ｂによる磁力線ＭＦの経路とが略平行になるように電子部品が配置されており、電子部品５ｂ，５ｅ，５ｆの長手方向と磁力線ＭＦの経路とを平行にすることで、磁力線ＭＦを電子部品５ｂ，５ｅ，５ｆにより一層集中させることができ、非可逆回路素子３側に磁力線ＭＦを集中させることができる。

また、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向における、非可逆回路素子３と基板２の端縁との距離を１．２ｍｍ以上とし、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向における、非可逆回路素子３と基板２の端縁との距離を０．８ｍｍ以上とすることにより、より効果的に基板２の周辺に配置されて複合電子モジュール１に並設される電子部品に対し、従来のような位置ずれの原因となっていた永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の悪影響を抑制することができる。

なお、この実施形態では、複合電子モジュール１を他の電子部品とマザー基板などに実装する際に、実装クリアランスとして約０．１ｍｍ、複合電子モジュールと他の電子部品との間隔を開ける必要があるため、図３および図４を参照して説明した、Ｘ方向およびＹ方向において永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の影響を受けない最短距離よりも０．１ｍｍ短くした距離で非可逆回路素子３を基板２に実装している。したがって、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向における、非可逆回路素子３と基板２の端縁との距離を１．３ｍｍ以上とし、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向における、非可逆回路素子３と基板２の端縁との距離を０．９ｍｍ以上として、非可逆回路素子３を基板２に実装してもよいのはもちろんである。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、図５に示すように、複合電子モジュール１に、段間フィルタ６（ＳＡＷフィルタ）や電力検出器７がさらに実装されていてもよいし、図６に示すように、複合電子モジュール１に、デュプレクサ８がさらに実装されていてもよい。また、複合電子モジュール１に、図示省略したスイッチ、ダイプレクサなどのマルチプレクサ、カプラなどがさらに搭載されていてもよい。なお、図５および図６は複合電子モジュールのそれぞれ異なる例の回路ブロック図である。

また、複合電子モジュール１は、非磁性体金属や磁性体金属などのカバーをさらに備えてもよいし、樹脂でモールドされてもよい。

また、非可逆回路素子３は、上記した構成を有するアイソレータに限られるものではなく、その他の構成を有する周知のアイソレータを適宜、非可逆回路素子３として採用してもよい。また、サーキュレータにより非可逆回路素子３を形成してもよい。

また、複合電子モジュール１の基板２上に配置される磁性体を含む電子部品の配置位置は上記した位置に限られるものではなく、複合電子モジュール１の基板２上に実装される非可逆回路素子３の配置位置などに応じて、永久磁石３ａ，３ｂの磁力線ＭＦが効果的に非可逆回路素子３側に集中するように電子部品の基板２上の配置位置を設定すればよい。

また、基板２上に配設される電子部品としては上記した例に限られるものではなく、複合電子モジュール１の使用目的や設計に応じて、適宜、最適な電子部品を選択すればよい。

永久磁石、フェライトおよび電極パターンから成る非可逆回路素子と、磁性体を含む電子部品と、非可逆回路素子および電子部品が実装される基板とを備える複合電子モジュールに本発明を広く適用することができる。

１ 複合電子モジュール
２ 基板
３ 非可逆回路素子
３ａ，３ｂ 永久磁石
３ｃ フェライト
３ｄ 電極パターン
５ａ〜５ｇ 電子部品
ＭＦ 磁力線

Claims (8)

1. 永久磁石、フェライトおよび電極パターンから成る非可逆回路素子と、
   磁性体を含む電子部品と、
   前記非可逆回路素子および前記電子部品が実装される基板とを備え、
   前記非可逆回路素子の前記永久磁石による磁力線が前記非可逆回路素子側に集中するように前記電子部品が前記基板に実装されている
   ことを特徴とする複合電子モジュール。
2. 前記非可逆回路素子は、一対の前記永久磁石を有し、
   一方の前記永久磁石の一の磁極と他方の前記永久磁石の反対の磁極との間に前記フェライトが配置されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の複合電子モジュール。
3. 前記電子部品と前記非可逆回路素子とが、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向に並設されている特徴とする請求項２に記載の複合電子モジュール。
4. 前記電子部品と前記非可逆回路素子とが、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に並設されていることを特徴とする請求項２または３に記載の複合電子モジュール。
5. 前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向における前記磁極の近傍に配置された電子部品と前記永久磁石との間隔は、前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向に配置された電子部品と永久磁石との間隔よりも狭いことを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の複合電子モジュール。
6. 前記電子部品の長手方向と前記永久磁石による磁力線の経路とが略平行になるように前記電子部品が配置されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の複合電子モジュール。
7. 前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向における、前記非可逆回路素子と前記基板端縁との距離が１．２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項２ないし６のいずれかに記載の複合電子モジュール。
8. 前記永久磁石の各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向における、前記非可逆回路素子と前記基板端縁との距離が０．８ｍｍ以上であることを特徴とする請求項２ないし７のいずれかに記載の複合電子モジュール。

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