JP3509762B2 - 非可逆回路素子及び通信装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非可逆回路素子及
び通信装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、非可逆回路素子、例えば、集中
定数型アイソレータは、信号を伝送方向にのみ通過さ
せ、逆方向への伝送を阻止する機能を有している。この
種のアイソレータとしては、図１３及び図１４に示すよ
うに、永久磁石２０９と、永久磁石２０９により直流磁
束が印加されるフェライト２１０と、フェライト２１０
に配置された複数の中心電極２２０と、中心電極２２０
の一端に接続される整合用コンデンサ素子Ｃと、永久磁
石２０９とフェライト２１０と中心電極２２０と整合用
コンデンサ素子Ｃ等を収容する磁性体金属からなる上側
ケース２０８と下側ケース２０４を有している。上側ケ
ース２０８及び下側ケース２０４の厚みｔは同じ寸法
（代表値：０．２ｍｍ）に設定されている。

【０００３】そして、アイソレータ２００は、図１５及
び図１６に示すように、永久磁石２０９、フェライト２
１０、上側ケース２０８及び下側ケース２０４は、磁気
回路を構成する。フェライト２１０は、永久磁石２０９
から直流磁束が均一に印加されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このようなアイソレー
タ２００は、携帯電話等の移動用の通信装置に採用され
ているが、さらなる小型化及び低背化が求められてい
る。

【０００５】そこで、本発明の目的は、小型化及び低背
化された非可逆回路素子及び通信装置を提供することに
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段及び作用】前記目的を達成
するため、本発明に係る非可逆回路素子は、（ａ）永久
磁石と、（ｂ）前記永久磁石により直流磁束が印加され
るフェライトと、（ｃ）前記フェライトに配置された複
数の中心電極と、（ｄ）前記永久磁石と前記フェライト
と前記中心電極とを収容した金属ケースとを備え、
（ｅ）前記鉄を主体とする金属からなる金属ケースが、
第１ケースと第２ケースにて構成されており、前記第１
ケースと前記永久磁石が磁気的に接し、前記第２ケース
の厚みが前記第１ケースの厚みの５０％以上１００％未
満の範囲内であること、を特徴とする。

【０００７】以上の構成により、永久磁石に磁気的に接
している第１ケースには、永久磁石の殆ど全ての直流磁
束が流れる。ここに、「磁気的に接している」とは、永
久磁石が第１ケースに直接接触している場合の他に、永
久磁石が接着剤（非磁性体材料）等を介して第１ケース
に貼着している場合も含む意味である。一方、永久磁石
に磁気的に接していない第２ケースには、永久磁石の直
流磁束の一部しか流れない。漏れ磁束が生じているから
である。従って、流れる磁束の少ない第２ケースの厚み
を第１ケースの厚みの５０％以上１００％未満の範囲内
で薄くしても、第２ケース内に流れる直流磁束は飽和し
ない。

【０００８】また、第２ケースに二つの対向する第２ケ
ース側壁を設け、この第２ケース側壁に第１ケースの端
部を突き合わせて接合することにより、接合部分が重な
り合わないので、非可逆回路素子の横幅方向が狭くな
る。

【０００９】また、第１ケースに二つの対向する第１ケ
ース側壁を設け、かつ、第２ケースに二つの対向する第
２ケース側壁を設け、第１ケース側壁と第２ケース側壁
を重ね合わせて接合することにより、非可逆回路素子の
組み立てが容易になり、かつ、組み立て後の第１ケース
と第２ケースの位置関係が安定する。

【００１０】また、金属ケースに組み込まれ、かつ、フ
ェライトと中心電極を収容する樹脂ケースをさらに備
え、この樹脂ケースから延在した接触防止部が、金属ケ
ースの側壁内面と永久磁石の外周面との間に配置されて
いるので、金属ケースの側壁内面と永久磁石の外周面と
の接触が防止され、フェライトに印加する直流磁束が安
定する。

【００１１】また、樹脂ケースと第２ケースを一体に形
成することによって、第２ケースに対して樹脂ケースの
位置精度がよくなる。

【００１２】また、第１ケースと第２ケースを溶接接合
することにより、接合部分の磁気抵抗は小さくなる。従
って、金属ケースに形成される磁気回路の効率が向上す
る。

【００１３】また、第１ケースと第２ケースの表面に、
ニッケルめっき又は銅めっきが施され、その表面に、銀
めっきが施されていることが好ましい。ニッケルめっき
や銅めっきは、銀めっきと第１及び第２ケースとの固着
強度を向上させる。銀めっきは、導電率が高いため、金
属ケースに流れる高周波電流の損失を抑える。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る非可逆回路
素子及び通信装置の実施の形態について添付の図面を参
照して説明する。なお、各実施形態において、同一部品
及び同一部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略
する。

【００１５】［第１実施形態、図１〜図７］本発明に係
る非可逆回路素子の一実施形態の構成を示す分解斜視図
を図１に示す。図２は図１に示した非可逆回路素子１の
組立完成後の外観斜視図をそれぞれ示す。該非可逆回路
素子１は、集中定数型アイソレータである。

【００１６】図１に示すように、集中定数型アイソレー
タ１は、概略、上側ケース８と、下側ケース４と、樹脂
ケース３と、中心電極組立体１３と、永久磁石９と、抵
抗素子Ｒと、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３と、樹脂
部材３０等を備えている。アイソレータ１は、従来のア
イソレータ２００の下側ケース２０４の厚みｔ（図１３
及び図１４参照）を薄くしたものと同様のものである。

【００１７】永久磁石９は、平面形状が略矩形状を有
し、フェライトに着磁したものである。フェライトに着
磁してなる永久磁石９は、１００ＭＨｚ〜３ＧＨｚの周
波数帯において、誘電体損失、磁性体損失が小さく、か
つ、この周波数帯で動作するアイソレータ１に十分な磁
力を与えることができるからである。この永久磁石９
は、上側ケース８の天囲面に直接に接触している。

【００１８】中心電極組立体１３は、平面形状が略矩形
状を有するマイクロ波フェライト２０の上面に中心電極
２１〜２３を絶縁シート（図示せず）を介在させて略１
２０度ごとに交差するように配置している。フェライト
２０の上面中央部に、中心電極２１〜２３と絶縁シート
が積層されている。中心電極２１〜２３は、各々の一端
側のポート部Ｐ１〜Ｐ３を水平に導出するとともに、他
端側の中心電極２１〜２３の共通のアース電極２５をフ
ェライト２０の下面に当接させている。共通のアース電
極２５は、フェライト２０の下面を略覆っている。中心
電極２１〜２３とアース電極２５は、導電性材料からな
り、金属薄板を打ち抜き加工や、エッチング加工するこ
とによって一体に形成される。

【００１９】整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３は、誘電
体セラミック基板の上面に位置するホット側端子電極２
７と、下面に位置するコールド側（アース側）端子電極
２８を有している。

【００２０】抵抗素子Ｒは、絶縁性基板の両端部にアー
ス側端子電極１８及びホット側端子電極１９を形成し、
その間に抵抗体を配設している。

【００２１】下側ケース４は、底壁４ｂに二つの対向す
る側壁４ａを有している。下側ケース４の底壁４ｂの対
向する一対の辺からは、それぞれ２本のアース端子１６
が延在している。すなわち、下側ケース４の底壁４ｂと
アース端子１６は一体になっている。また、上側ケース
８は、平面視矩形状であり、上壁８ａに二つの対向する
側壁８ｂを有している。つまり、側面視略コの字形状を
有している。下側ケース４は、後述する樹脂ケース３、
入力端子１４及び出力端子１５とともに、インサートモ
ールド法によって一体的に形成されている。これによ
り、下側ケース４に対して樹脂ケース３の位置精度がよ
くなり、アイソレータ１の組み立て作業性も向上させる
ことができる。

【００２２】下側ケース４と上側ケース８は、ＳＰＣＣ
の板材をそれぞれ打ち抜き、曲げ加工した後、表面処理
を施したものである。ＳＰＣＣのような鉄を主体とする
金属は、飽和磁束密度が高く、ケース４，８に形成され
る磁気回路の効率を向上させるので、ケース４，８を小
型化するのに適している。ここに、下側ケース４の厚み
ｔ４は、永久磁石９に直接に接触している上側ケース８
の厚みｔ８の５０％以上１００％未満の範囲内に設定さ
れる。

【００２３】このケース４，８の表面処理は、その表面
にニッケルめっきや銅めっき（代表めっき厚み：１μ
ｍ）を施し、さらにその表面に銀めっき（代表めっき厚
み：４μｍ）を施したものである。銀めっきは、導電率
が高く、アイソレータ１の挿入損失を小さくする作用効
果を有するとともに、防錆の作用効果も有するからであ
る。また、ニッケルめっきや銅めっきは、銀めっきとケ
ース４，８の母材の鉄との固着強度を強くする作用効果
を有しているからである。ただし、ニッケルは磁性体で
あるので、銅に比べて飽和磁束密度が高く、ケース４，
８に形成される磁気回路の効率を向上させ、ケース４，
８を小型化することができる。

【００２４】樹脂ケース３は、矩形枡状の底壁３ａと側
壁３ｂを有している。底壁３ａの中央部には中心電極組
立体１３を収容する挿通孔３ｃが形成されており、挿通
孔３ｃの周縁にはそれぞれ整合用コンデンサ素子Ｃ１〜
Ｃ３や抵抗素子Ｒをそれぞれ収納するための挿通孔３ｄ
が形成されている。挿通孔３ｃ，３ｄには下側ケース４
の底壁４ｂが露出している。入力端子１４及び出力端子
１５は、それぞれ一端が樹脂ケース３の外側面に露出
し、他端が樹脂ケース３の底壁３ａに露出し、入力引出
電極１４ａ、出力引出電極１５ａとされる。

【００２５】樹脂ケース３の側壁３ｂの先端部からは、
接触防止部３ｅが延在している。接触防止部３ｅの厚み
は上側ケース８の厚みｔ８より厚く、接触防止部３ｅの
高さは、樹脂ケース３内に永久磁石９を組み込んだとき
の底面９ｂの位置が接触防止部３ｅの上面より低くなる
高さにすることが好ましい（図３参照）。永久磁石９の
外周面９ａと上側ケース８の側壁８ｂとが接触すると、
その部分で磁気回路がショート状態になり、マイクロ波
フェライト２０に印加されている永久磁石９の直流磁束
の分布が乱れたり、弱まったりするという不都合が生じ
るので、これを避けるためである。

【００２６】樹脂部材３０は平面形状が略矩形状を有
し、下面３０ｂには、アイソレータ１の低背化のため
に、中心電極組立体１３を収容する凹部３２が設けられ
ると共に、その凹部３２の中央部に、積層された中心電
極２１〜２３等を収容する貫通穴３１が形成されてい
る。樹脂部材３０や樹脂ケース３の材料としては、液晶
ポリマー又はポリフェニレンサルファイド樹脂等が好ま
しい。液晶ポリマーやポリフェニレンサルファイド樹脂
は、耐熱性と低損失に優れているからである。

【００２７】以上の構成部品は、以下のようにして組み
立てられる。下側ケース４と一体的に形成されている樹
脂ケース３のそれぞれの挿通孔３ｃ，３ｄ内に、整合用
コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３や抵抗素子Ｒや中心電極組立
体１３を収容する。

【００２８】中心電極組立体１３は、挿通孔３ｃに露出
している下側ケース４の底壁４ｂにはんだ付け等の方法
により接続され、接地される。中心電極２１のポート部
Ｐ１は入力引出電極１４ａに、中心電極２２のポート部
Ｐ２は、出力引出電極１５ａに、それぞれはんだ付けさ
れる。抵抗素子Ｒのホット側端子電極１９はポート部Ｐ
３にはんだ付けされ、アース側端子電極１８は樹脂ケー
ス３の挿通孔３ｄに露出している下側ケース４の底壁４
ｂにはんだ付けされる。整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ
３のホット側端子電極２７はポート部Ｐ１〜Ｐ３に電気
的に接続され、コールド側端子電極２８は樹脂ケース３
の挿通孔３ｄに露出している下側ケース４の底壁４ｂに
それぞれはんだ付けされる。つまり、整合用コンデンサ
素子Ｃ３と抵抗素子Ｒとは、中心電極２３のポート部Ｐ
３とアース端子１６との間に電気的に並列に接続される
（図４参照）。

【００２９】さらに、その上に樹脂部材３０を樹脂ケー
ス３内に収容し、永久磁石９を樹脂部材３０の上面３０
ａの上に配置した後、上側ケース８を装着する。永久磁
石９と上側ケース８の上壁８ａは直接に接触しており、
磁気的に接している。このとき、接触防止部３ｅは、永
久磁石９の外周面９ａと下側ケース４の側壁４ａとの間
に配置され、永久磁石９と側壁８ｂの接触を防止する
（図３参照）。そして、永久磁石９は中心電極組立体１
３に直流磁束を印加する（図６参照）。下側ケース４と
上側ケース８は、接合して金属ケースとなり、磁気回路
を構成しており、ヨークとしても機能するとともに、ア
ース端子１６に電気的に接続しているので、アース電位
を有し、電磁波の漏れを防ぐシールドとしても機能す
る。

【００３０】下側ケース４と上側ケース８は、それそれ
の側壁４ａ，８ｂを重ね合わせて接合している。これに
より、アイソレータ１の組み立てが容易になり、かつ、
組み立て後の下側ケース４と上側ケース８の位置関係が
安定する。側壁４ａ，８ｂの接合には、抵抗溶接、レー
ザ溶接、アーク溶接、あるいは、はんだや接着用樹脂な
どが用いられる。はんだや接着用樹脂を用いて接合した
場合には、はんだや接着用樹脂による磁気回路ギャップ
が接合部に生じる。これに対して、側壁４ａ，８ｂを溶
接で接合した場合には、接合部で磁気回路ギャップは生
じない。この結果、アイソレータ１は、ケース４，８の
接合部の磁気抵抗を小さくすることができるので、磁気
回路の効率を向上させ、永久磁石９を低背化することが
できる。

【００３１】こうして、図２〜図４に示すアイソレータ
１が得られる。図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面、図４
はアイソレータ１の電気等価回路図である。

【００３２】このアイソレータ１を、２ＧＨｚの周波数
帯で使用したときの挿入損失の測定結果を表１に示す。
表１には、上側ケース８の厚みｔ８を一定（０．２０ｍ
ｍ）にし、下側ケース４の厚みｔ４を種々変えた場合の
測定結果が示されている。表１において、ケース厚み比
とは、上側ケース８の厚みｔ８に対して下側ケース４の
厚みｔ４の割合、すなわち、厚みｔ４／厚みｔ８の値の
百分率を示す。体積比とは、従来例のアイソレータ２０
０の体積、すなわち、横幅ｗ１（＝４．００ｍｍ）×縦
幅ｗ２（＝４．００ｍｍ）×高さｈ（＝１．９ｍｍ）に
対するそれぞれのアイソレータの体積の割合（それぞれ
のアイソレータの体積／従来のアイソレータの体積）の
百分率を示す。また、図５に表１に示したケース厚み比
と挿入損失の関係を表したグラフを示す。

【００３３】

【表１】

【００３４】表１及び図５からわかるように、ケース厚
み比が５０％以上１００％未満の範囲において、アイソ
レータ１の挿入損失は従来例のアイソレータ２００と殆
ど同じであるが、高さｈ及び体積比は従来のアイソレー
タ２００より小さくなっている。ケース厚み比が５０％
未満になると、アイソレータの挿入損失は大きくなる。
従って、ケース厚み比が５０％以上１００％未満の範囲
であれば、挿入損失を劣化させないで、アイソレータを
小型化及び低背化することができる。

【００３５】以下に、ケース厚み比が５０％以上１００
％未満の範囲であればアイソレータの挿入損失が劣化し
ない理由を説明する。図６は、表１に示すケース厚み比
が５０％である実施例２のアイソレータ１の磁束の流れ
を示す。図７に、表１に示すケース厚み比が２５％であ
る比較例１のアイソレータの磁束の流れを示す。なお、
図１５及び図１６は、表１に示すケース厚み比が１００
％の従来のアイソレータ２００の磁束の流れを示すもの
である。

【００３６】従来のアイソレータ２００は、図１５及び
図１６に示すように、永久磁石２０９に直接に接触して
いる上側ケース２０８には、永久磁石２０９の殆ど全て
の磁束が流れる。一方、永久磁石２０９に直接に接触し
ていない下側ケース２０４には、永久磁石２０９の一部
の磁束しか流れない。漏れ磁束φ９が生じているからで
ある。従って、下側ケース２０４を流れる磁束の密度が
飽和磁束密度になるまで、下側ケース２０４の厚みｔを
薄くすることができる。

【００３７】そこで、実施例２のアイソレータのよう
に、下側ケース４の厚みｔ４を０．１ｍｍまで薄くし、
ケース厚み比を５０％にした。この場合でも、図６に示
すように、下側ケース４に流れる磁束の密度が飽和磁束
密度に達していないので、永久磁石９が形成する磁場分
布は、従来のアイソレータ２００（図１５参照）と同じ
磁場分布が形成されている。従って、表１の従来のアイ
ソレータ２００と実施例２のアイソレータ１は同じ挿入
損失を有する。

【００３８】しかし、表１に示す比較例１のアイソレー
タのように、さらに下側ケース４の厚みｔ４を０．０５
ｍｍまで薄くし、ケース厚み比を２５％にすると、図７
に示すように、下側ケース４に流れる磁束が飽和する。
従って、漏れ磁束φ９が増加し、永久磁石９が形成する
磁場分布は変化する。これにより、フェライト２０の中
心部の磁束密度が高く、外周部の磁束密度が低くなり、
フェライト２０に印加される磁束密度は不均一になる。
このため、フェライト２０を介した中心電極２１〜２３
間の磁気結合が弱くなり、アイソレータの挿入損失が増
加する。

【００３９】以上の構成からなるアイソレータ１は、永
久磁石９に磁気的に接している上側ケース８には、永久
磁石９の殆ど全ての直流磁束が流れ、一方、永久磁石９
に磁気的に接していない下側ケース４には、永久磁石９
の直流磁束の一部しか流れない。漏れ磁束が生じるから
である。従って、下側ケース４に流れる磁束が飽和しな
い範囲、すなわち、下側ケース４の厚みｔ４を上側ケー
ス８の厚みｔ８の５０％以上１００％未満の範囲で薄く
することができ、小型化及び低背化されたアイソレータ
１を得ることができる。

【００４０】［第２実施形態、図８］図８に示すよう
に、第２実施形態のアイソレータ１ａは、上側ケース８
の側壁８ｂを省略したものである。つまり、上側ケース
８は、側壁のない平板形状を有している。上側ケース８
の対向する二つの端部と、下側ケース４の二つの対向す
る側壁４ａとが接合して金属ケースを形成している。

【００４１】このアイソレータ１ａは、前記第１実施形
態と同様の作用効果を奏する。さらに、上側ケース８と
下側ケース４とが重なり合わないので、二つの側壁８ｂ
の厚み分、すなわち、上側ケース８の厚みｔ８の２倍の
スペースが不要となる。従って、横幅ｗ１をそのスペー
ス分狭めることができ、小型化及び低背化されたアイソ
レータ１ａを得ることができる。

【００４２】［第３実施形態、図９］図９に示すよう
に、第３実施形態のアイソレータ１ｂは、上側ケース８
の側壁８ｂを下側ケース４の側壁４ａの外側に配置し、
側壁４ａ，８ｂを接合したものである。つまり、上側ケ
ース８の側壁８ｂは、必ずしも下側ケース４の側壁４ａ
の内側に配置される必要はない。このアイソレータ１ｂ
は、前記第１実施形態と同様の作用効果を奏する。さら
に、側壁４ａと側壁８ｂの重ね合わされた面積、つま
り、接合面積を大きくすることができる。従って、磁気
抵抗を小さくすることができ、ケース４，８に形成され
る磁気回路の効率を向上させるので、ケース４，８を小
型化することができ、小型化及び低背化されたアイソレ
ータ１ｂを得ることができる。

【００４３】また、接触防止部３ｅは、樹脂ケース３の
側壁３ｂから下側ケース４の側壁４ａと略同じ高さまで
延在して側壁４ａの内面を略覆っている。従って、接触
防止部３ｅは、上側ケース８及び下側ケース４の側壁４
ａ，８ｂの内面と永久磁石９の外周面９ａとの間に配置
されているので、側壁４ａ，８ｂの内面と永久磁石９の
外周面９ａとの接触を防止することができる。

【００４４】［第４実施形態、図１０及び図１１］図１
０に示すように、第４実施形態のアイソレータ１ｃは、
上側ケース８の側壁８ｂを上壁８ａの四つの端部に形成
し、上側ケース８の対向する二つの側壁８ｂと、下側ケ
ース４の二つの側壁４ａを接合したものである。つま
り、上側ケース８は、コの字形状や板状に限定されるも
のではない。図１１に示すように、永久磁石９が形成す
る磁束は、下側ケース４に流れても、下側ケース４内で
磁束が飽和しないので、永久磁石９からフェライト２０
に均一に直流磁束が印加される。このアイソレータ１ｃ
は、前記第１実施形態と同様の作用効果を奏する。

【００４５】［第５実施形態、図１２］第５実施形態
は、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして
説明する。

【００４６】図１２は携帯電話１２０のＲＦ部分の電気
回路ブロック図である。図１２において、１２２はアン
テナ素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信側アイ
ソレータ、１３２は送信側増幅器、１３３は送信側段間
用帯域通過フィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５は
受信側増幅器、１３６は受信側段間用帯域通過フィル
タ、１３７は受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器
（ＶＣＯ）、１３９はローカル用帯域通過フィルタであ
る。

【００４７】ここに、送信側アイソレータ１３１とし
て、前記第１実施形態〜第４実施形態の集中定数型アイ
ソレータ１，１ａ，１ｂ，１ｃを使用することができ
る。このアイソレータ１，１ａ，１ｂ，１ｃを実装する
ことにより、小型化及び低背化された携帯電話を実現す
ることができる。

【００４８】［他の実施形態］本発明は、前記実施形態
に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種
々の構成に変更することができる。下側ケース４と樹脂
ケース３は一体成形したものと説明したが、これに限定
されるものではなく、例えば、下側ケース４と樹脂ケー
ス３を別々に作り、それぞれを一体的に組み合わせたも
のでもよい。

【００４９】また、前記実施形態ではアイソレータに適
用したが、本発明は、勿論サーキュレータにも適用でき
る。また、それぞれの中心電極２１〜２３の交差角は、
１１０〜１４０度の範囲であればよい。また、フェライ
ト２０、永久磁石９及び樹脂部材３０は平面形状が略矩
形状に限定されるものではなく、例えば、円形状や、角
が丸い三角形状や変形角形状等任意である。

【００５０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、永久磁石に磁気的に接している第１ケースに
は、永久磁石の殆ど全ての直流磁束が流れ、一方、永久
磁石に磁気的に接していない第２ケースには、永久磁石
の直流磁束の一部しか流れない。漏れ磁束が生じるから
である。従って、第２ケース内に流れる直流磁束が飽和
しない範囲、すなわち、第２ケースの厚みを第１ケース
の厚みの５０％以上１００％未満の範囲内で薄くするこ
とができるので、小型化及び低背化された非可逆回路素
子及び通信装置を得ることができる。

【００５１】また、第２ケースに二つの対向する第２ケ
ース側壁を設け、この第２ケース側壁に第１ケースの端
部を突き合わせて接合することにより、接合部が重なり
合わないので、小型化及び低背化された非可逆回路素子
及び通信装置を得ることができる。

【００５２】また、第１ケースに二つの対向する第１ケ
ース側壁を設け、かつ、第２ケースに二つの対向する第
２ケース側壁を設け、第１ケース側壁と第２ケース側壁
をそれぞれ重ね合わせて接合することにより、非可逆回
路素子の組み立てが容易になり、かつ、組み立て後の第
１ケースと第２ケースの位置関係が安定し、優れた周波
数特性を有する非可逆回路素子及び通信装置を得ること
ができる。

【００５３】また、金属ケースに組み込まれ、かつ、フ
ェライトと中心電極を収容する樹脂ケースをさらに備
え、この樹脂ケースから延在した接触防止部が、金属ケ
ースの側壁内面と永久磁石の外周面との間に配置されて
いるので、金属ケースの側壁内面と永久磁石の外周面と
の接触を防止することができる。これにより、永久磁石
が形成する磁場分布が安定、すなわち、フェライトに印
加する直流磁束が安定するので、電気特性が安定した非
可逆回路素子及び通信装置を得ることができる。

【００５４】また、樹脂ケースと第２ケースを一体に形
成することによって、第２ケースに対して樹脂ケースの
位置精度がよくなり、非可逆回路素子及び通信装置の組
み立て作業性や生産性を向上させることができる。

【００５５】また、第１ケースと第２ケースが溶接接合
されて形成されているので、接合部分の磁気抵抗を小さ
くすることができる。従って、金属ケースに形成される
磁気回路の効率を向上させるので、金属ケースを小型化
することができ、小型化及び低背化された非可逆回路素
子及び通信装置を得ることができる。

【００５６】また、第１ケースと第２ケースの表面に、
ニッケルめっき又は銅めっきが施され、その表面に、銀
めっきを施したので、金属ケースを小型化するとこがで
きる。ニッケルめっきや銅めっきは銀めっきと第１及び
第２ケースとの固着強度を向上させる。銀めっきは、導
電率が高いため、金属ケースを流れる高周波電流の損失
を抑えるからである。従って、優れた周波数特性を有す
る非可逆回路素子及び通信装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る非可逆回路素子の第１実施形態の
分解斜視図。

【図２】図１に示した非可逆回路素子の組み立て完成後
の外観斜視図。

【図３】図２に示した非可逆回路素子のＩＩＩ−ＩＩＩ
断面図。

【図４】図２に示した非可逆回路素子の電気等価回路
図。

【図５】ケース厚み比と非可逆回路素子の挿入損失の関
係を示すグラフ。

【図６】図２に示したケース厚み比が５０％の非可逆回
路素子の磁束の流れを説明するための垂直断面図。

【図７】比較するためのケース厚み比が２５％の非可逆
回路素子の磁束の流れを説明するための垂直断面図。

【図８】本発明に係る非可逆回路素子の第２実施形態の
垂直断面図。

【図９】本発明に係る非可逆回路素子の第３実施形態の
垂直断面図。

【図１０】本発明に係る非可逆回路素子の第４実施形態
の垂直断面図。

【図１１】図１０に示した非可逆回路素子の磁束の流れ
を説明するための垂直断面図。

【図１２】本発明に係る通信装置の一実施形態を示すブ
ロック図。

【図１３】従来の非可逆回路素子の垂直断面図。

【図１４】図１３に示した非可逆回路素子の別の垂直断
面図。

【図１５】図１３に示した非可逆回路素子の磁束の流れ
を説明するための垂直断面図。

【図１６】図１４に示した非可逆回路素子の磁束の流れ
を説明するための垂直断面図。

【符号の説明】

１，１ａ，１ｂ，１ｃ…集中定数型アイソレータ ３…樹脂ケース ３ｅ…接触防止部 ４…下側ケース ４ａ…下側ケースの側壁 ８…上側ケース ８ｂ…上側ケースの側壁 ９…永久磁石 ９ａ…永久磁石の外周面 １３…中心電極組立体 ２０…マイクロ波フェライト ２１〜２３…中心電極 １２０…携帯電話（通信装置） ｔ４…下側ケースの厚み ｔ８…上側ケースの厚み

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 永久磁石と、 前記永久磁石により直流磁束が印加されるフェライト
   と、 前記フェライトに配置された複数の中心電極と、 前記永久磁石と前記フェライトと前記中心電極とを収容
   した金属ケースとを備え、 前記鉄を主体とする金属からなる金属ケースが、第１ケ
   ースと第２ケースにて構成されており、前記第１ケース
   と前記永久磁石が磁気的に接し、前記第２ケースの厚み
   が前記第１ケースの厚みの５０％以上１００％未満の範
   囲内であること、 を特徴とする非可逆回路素子。
2. 【請求項２】 前記第２ケースに二つの対向する第２ケ
   ース側壁を設けたことを特徴とする請求項１に記載の非
   可逆回路素子。
3. 【請求項３】 前記第１ケースに二つの対向する第１ケ
   ース側壁を設け、かつ、前記第２ケースに二つの対向す
   る第２ケース側壁を設け、前記第１ケース側壁と前記第
   ２ケース側壁を重ね合わせて接合したことを特徴とする
   請求項１に記載の非可逆回路素子。
4. 【請求項４】 前記金属ケースに組み込まれ、かつ、前
   記フェライトと前記中心電極を収容する樹脂ケースをさ
   らに備え、前記樹脂ケースから延在した接触防止部が、
   前記金属ケースの側壁内面と前記永久磁石の外周面との
   間に配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項
   ３のいずれかに記載の非可逆回路素子。
5. 【請求項５】 前記第２ケースと前記樹脂ケースが一体
   成形されていることを特徴とする請求項４に記載の非可
   逆回路素子。
6. 【請求項６】 前記第１ケースと前記第２ケースが溶接
   接合されていることを特徴とする請求項１〜請求項５の
   いずれかに記載の非可逆回路素子。
7. 【請求項７】 前記第１ケース及び前記第２ケースの少
   なくともいずれか一方のケースに、ニッケルめっき及び
   銅めっきのいずれか一方のめっきが施され、該めっきの
   表面に銀めっきが施されていることを特徴とする請求項
   １〜請求項６のいずれかに記載の非可逆回路素子。
8. 【請求項８】 請求項１〜請求項７のいずれかに記載の
   非可逆回路素子を備えたことを特徴とする通信装置。