JPS6396904A - 実効パルス透磁率に優れたアモルフアス磁心およびその製造方法 - Google Patents
実効パルス透磁率に優れたアモルフアス磁心およびその製造方法Info
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- JPS6396904A JPS6396904A JP61243489A JP24348986A JPS6396904A JP S6396904 A JPS6396904 A JP S6396904A JP 61243489 A JP61243489 A JP 61243489A JP 24348986 A JP24348986 A JP 24348986A JP S6396904 A JPS6396904 A JP S6396904A
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フィルターチ嘗−りや高周波トランス等に好
適な実効パルス透磁率に優れたアモルファス磁心および
その製造方法に関するものである。
適な実効パルス透磁率に優れたアモルファス磁心および
その製造方法に関するものである。
Ｃｏ基のアモルファス合金は優れた軟磁気特性を示し、
高い実効透磁率が得られることが知られている。高い実
効透磁率を得るためには、通常、キューリー温度以上、
結晶化温度以下の温度に保持後、室温まで急冷する熱処
理が行なわれている。
高い実効透磁率が得られることが知られている。高い実
効透磁率を得るためには、通常、キューリー温度以上、
結晶化温度以下の温度に保持後、室温まで急冷する熱処
理が行なわれている。
この様な熱処理は特公昭５９−４２０６９等に記載され
ている。
ている。
しかし、インバータやフォワード型のスイッチング電源
のトランス等に用いられる磁心は方形波でしかも大振幅
で片側励磁されるため、正弦波で対称励磁して小振幅励
磁で測定された実効透磁率は重要でない。むしろ、単極
性パルスで励磁して大振幅の励磁条件まで測定する実効
パルス透磁率が重要となる。
のトランス等に用いられる磁心は方形波でしかも大振幅
で片側励磁されるため、正弦波で対称励磁して小振幅励
磁で測定された実効透磁率は重要でない。むしろ、単極
性パルスで励磁して大振幅の励磁条件まで測定する実効
パルス透磁率が重要となる。
しかし、上記のキューリー温度以上、結晶化温度に保持
後、室温まで急冷する熱処理を行りたものは、動作磁束
密度が大きくなると急激に実効パルス透磁率が低下する
ため動作磁束密度を大きく設計できないという問題点が
ある。また、磁心が飽和しやすく、最悪の場合は回路が
破壊するおそれがある。
後、室温まで急冷する熱処理を行りたものは、動作磁束
密度が大きくなると急激に実効パルス透磁率が低下する
ため動作磁束密度を大きく設計できないという問題点が
ある。また、磁心が飽和しやすく、最悪の場合は回路が
破壊するおそれがある。
本発明の目的は、実効パルス透磁率に優れたアモルファ
ス磁心およびその製造方法を提供することである。
ス磁心およびその製造方法を提供することである。
本発明は、
Ｃｒ ｅＷｔＮｉ ｔＭｏから選ばれる少なくとも１種
の元素、ＭはＣｕ ｅ Ａｇ ｅ Ａｕから選ばれる少
なくとも１種の元素であシ、 ０≦ａ≦０．０５．．０．０１≦ｂ≦０．０８゜０．１
≦ｘ≦５ 、０．１≦ｃ≦２，７≦ｙ≦１８゜７≦２≦
１６．２２≦１＋、≦２８ ノ関係を有するアモルファス合金からなり、角形比２０
％以下、応力緩和度９０％以上であることを特徴とする
実効パルス透磁率に優れたアモルファス磁心およびその
製造方法である。
の元素、ＭはＣｕ ｅ Ａｇ ｅ Ａｕから選ばれる少
なくとも１種の元素であシ、 ０≦ａ≦０．０５．．０．０１≦ｂ≦０．０８゜０．１
≦ｘ≦５ 、０．１≦ｃ≦２，７≦ｙ≦１８゜７≦２≦
１６．２２≦１＋、≦２８ ノ関係を有するアモルファス合金からなり、角形比２０
％以下、応力緩和度９０％以上であることを特徴とする
実効パルス透磁率に優れたアモルファス磁心およびその
製造方法である。
本発明において、アモルファス合金は、単ロール法等の
液体急冷法によシ作製され、通常トロイダル状に巻かれ
磁心となる０ トロイダル状に巻かれたアモルファス磁心は窒素ガス等
の不活性ガス中で熱処理される０熱処理部度は最低３５
０℃の温度で少なくとも２０分実施され応力緩和度を９
０−以上とする。
液体急冷法によシ作製され、通常トロイダル状に巻かれ
磁心となる０ トロイダル状に巻かれたアモルファス磁心は窒素ガス等
の不活性ガス中で熱処理される０熱処理部度は最低３５
０℃の温度で少なくとも２０分実施され応力緩和度を９
０−以上とする。
本発明において応力緩和度とは、次のように定義する。
アモルファス合金の薄帯を巻回して形成された巻磁心の
最も外側の薄帯の曲率半径をＴＯとし、該最外層の薄帯
をはがして自由状態においた場合の曲率半径をγとした
とき、両者の比γｏ／ｒを応力緩和度とする。
最も外側の薄帯の曲率半径をＴＯとし、該最外層の薄帯
をはがして自由状態においた場合の曲率半径をγとした
とき、両者の比γｏ／ｒを応力緩和度とする。
応力緩和度を９０チ以上とする熱処理を行った後、交流
あるいは直流の磁場を使用する際の磁心の磁路方向と直
角方向く印加する工程を含むことによシ、角形比２０％
以下の低角形比の磁心を得ることが可能となる。
あるいは直流の磁場を使用する際の磁心の磁路方向と直
角方向く印加する工程を含むことによシ、角形比２０％
以下の低角形比の磁心を得ることが可能となる。
実効パルス透磁率を改善するためには、上記アモルファ
ス合金からなる磁心を結晶化温度以下でかつ３５０℃以
上の温度で熱処理の後、交流あるいは直流の磁場を使用
する際の磁心の磁路方向と直角方向に加えながら５０℃
九以下の平均冷却速度で２００℃以下の温度まで冷却す
る、あるいは、結晶化温度以下でかつ３５０℃以上の熱
処理の後２００℃以下の温度まで５０℃九以上の平均冷
却速度で冷却した後、交流あるいは直流の磁場を使用す
る際の磁心の磁路方向と直角方向に加えながらキ為−リ
一温度以下、１５０℃以上の温度に少なくとも２０分保
持後室温付近まで冷却する、あるいは結晶化温度以下の
温度でかつ６５０℃以上の温度で熱処理を実施し応力緩
和度を９０％以上とした後、交流あるいは直流の磁場を
磁心の磁路方向と直角方向に加えながら５０℃九以下の
平均冷却速度で磁心材料のキューリ一温度以下、１５０
℃以上に冷却し、少なくとも２０分ｉｔぼ一定温度に保
持後室温まで冷却する等の方法をとる。
ス合金からなる磁心を結晶化温度以下でかつ３５０℃以
上の温度で熱処理の後、交流あるいは直流の磁場を使用
する際の磁心の磁路方向と直角方向に加えながら５０℃
九以下の平均冷却速度で２００℃以下の温度まで冷却す
る、あるいは、結晶化温度以下でかつ３５０℃以上の熱
処理の後２００℃以下の温度まで５０℃九以上の平均冷
却速度で冷却した後、交流あるいは直流の磁場を使用す
る際の磁心の磁路方向と直角方向に加えながらキ為−リ
一温度以下、１５０℃以上の温度に少なくとも２０分保
持後室温付近まで冷却する、あるいは結晶化温度以下の
温度でかつ６５０℃以上の温度で熱処理を実施し応力緩
和度を９０％以上とした後、交流あるいは直流の磁場を
磁心の磁路方向と直角方向に加えながら５０℃九以下の
平均冷却速度で磁心材料のキューリ一温度以下、１５０
℃以上に冷却し、少なくとも２０分ｉｔぼ一定温度に保
持後室温まで冷却する等の方法をとる。
はじめの熱処理を結晶化温度以下でかつ最低６５０℃の
温度で少なくとも２０分の熱処理を行ない、応力緩和度
を９０チ以上としたのは、この範囲をはずれるとこの後
に磁場中熱処理を行っても実効パルス透磁率μｐの値が
あまり改善されないためと、経時変化が大きいためであ
る。
温度で少なくとも２０分の熱処理を行ない、応力緩和度
を９０チ以上としたのは、この範囲をはずれるとこの後
に磁場中熱処理を行っても実効パルス透磁率μｐの値が
あまり改善されないためと、経時変化が大きいためであ
る。
磁場中熱処理や磁場中冷却はμｐを改善するために行な
うものであり、磁場は磁路方向と直角方向に磁心が飽和
する程度の大きさで印加する。この磁場の大きさは磁心
の寸法比により異なる。通常は数１００００ｅ印加すれ
ば十分である。
うものであり、磁場は磁路方向と直角方向に磁心が飽和
する程度の大きさで印加する。この磁場の大きさは磁心
の寸法比により異なる。通常は数１００００ｅ印加すれ
ば十分である。
磁場、中冷却を行逢う場合の平均冷却速度は５０℃／ｒ
以下が望ましい。この理由は５０℃／ヨを越えるとμｐ
のΔＢ依存性が大きくなり、好ましくないためである。
以下が望ましい。この理由は５０℃／ヨを越えるとμｐ
のΔＢ依存性が大きくなり、好ましくないためである。
無磁場中で冷却する際は５０℃／１以上の平均冷却速度
で冷却する必要がある。５０℃／ｍｍ未満ではこの工程
の後、磁場中熱処理を行っても十分μｐが改善されない
ためである。
で冷却する必要がある。５０℃／ｍｍ未満ではこの工程
の後、磁場中熱処理を行っても十分μｐが改善されない
ためである。
本発明において、Ｍｎ 、 Ｍ 、 Ｍ’は必須の元素
であμｐ改善に著しい効果があシ、特にＭ′はパルス幅
が小さくなってもμｐが低下しにくい効果がある。
であμｐ改善に著しい効果があシ、特にＭ′はパルス幅
が小さくなってもμｐが低下しにくい効果がある。
５ｔｐＢはアモルファス形成に必要な元素であシ、７≦
ｙ≦１８，７≦２≦１６．２２≦ｙ＋ｚ≦２８の範囲に
おいてアモルファス形成能、熱安定性に優れた特性が得
られる。
ｙ≦１８，７≦２≦１６．２２≦ｙ＋ｚ≦２８の範囲に
おいてアモルファス形成能、熱安定性に優れた特性が得
られる。
Ｍ Ｉｋ ｘが０．１％未満では添加によるμｐ改善の
効果はほとんどなく５チを越えるとアモルファス合金が
脆化しやすくなり飽和磁束密度も下がり実用的でなくな
る。このため０．１≦ｘ≦５が望ましい。
効果はほとんどなく５チを越えるとアモルファス合金が
脆化しやすくなり飽和磁束密度も下がり実用的でなくな
る。このため０．１≦ｘ≦５が望ましい。
Ｍ量Ｃが０．１％未満では同様に添加によるμｐ改善の
効果はｔｌとんどなく２チを越えるとμｐが急激に低下
する。このため０．１≦ｃ≦２が望ましい。
効果はｔｌとんどなく２チを越えるとμｐが急激に低下
する。このため０．１≦ｃ≦２が望ましい。
以下本発明を実施例に従って説明する。
実施例１゜
単ロール法により第１表に示す組成の幅５ｍ＋。
厚さ１８μｍのアモルファス合金リボンを炸裂した。
次にこのアモルファスリボンを内径１５■、外径１９ｍ
に巻回し、４１０℃に１時間保持後約５０００℃／ｍｍ
の冷却速度で室温まで冷却し、次に磁路と直角方向に３
００００ｅの磁場を印加し２００℃に１２ｈ保持した後
室温まで冷却し、動作磁束密度ΔＢＯ０２Ｔ、パルス幅
ｔｄ１０μｓ、３０μｓにおける実効パルス透磁率μｐ
、 Ｉ ＫＨｚにおける実効透磁率μ８角形比Ｂｒ／
Ｂｓ ＋応力緩和度γ０／γを測定した。比較のため本
発明以外の組成の合金に本製造方法を適用した場合、本
製造方法を適用しなかった場合についても示す。μｐの
測定はＪＩＳの方法によった。
に巻回し、４１０℃に１時間保持後約５０００℃／ｍｍ
の冷却速度で室温まで冷却し、次に磁路と直角方向に３
００００ｅの磁場を印加し２００℃に１２ｈ保持した後
室温まで冷却し、動作磁束密度ΔＢＯ０２Ｔ、パルス幅
ｔｄ１０μｓ、３０μｓにおける実効パルス透磁率μｐ
、 Ｉ ＫＨｚにおける実効透磁率μ８角形比Ｂｒ／
Ｂｓ ＋応力緩和度γ０／γを測定した。比較のため本
発明以外の組成の合金に本製造方法を適用した場合、本
製造方法を適用しなかった場合についても示す。μｐの
測定はＪＩＳの方法によった。
なおμｐ測測定際のパルスの繰返し周期は１ｍＩ！Ｉと
した０第 １ 表 表かられかるように本発明の磁心は、実効透磁率μｅｘ
ｋは従来のＣｏ基アモルファス磁心とは埋同等であるが
、実効パルス透磁率μｐは従来のＣｏ基アモルファス磁
心より著しく優れていることがわかる。従来の製造方法
によシ製造した磁心は、角形比が中程度あシ、実効透磁
率μｅ１には大きいものの単極性のパルスで測定される
実効パルス透磁率μｐは低く、インバータや、フォワー
ド型のスイッチング電源のトランス等には適していない
０実施例２ 単ロール法によυ幅１６■、板厚１６ｐｍの（Ｃｏｏ、
５ｓＦｅｏ、ｏ鵞ＲＩＩｎｏ、ａｍ ） ｙｓ、ｓ Ｍ
ｏｚ、ｓ Ｃｕｏ、＊ Ｓｉ ｔｓ Ｂｅアそルファス
合金薄帯を作製し、内径１５ｍ、外径３５ｍ＋のトロイ
ダル磁心を作製した。次に窒素ガス雰囲気中４３０℃に
１時間保持後水中に冷却した。応力緩和度は９９％であ
る０ 次にとの磁心をエチルアルコールにつけ取シ出し乾燥さ
せた後、２００℃で磁路と直角方向に３０００００の磁
場を印加しながら熱処理し室温まで冷却した。
した０第 １ 表 表かられかるように本発明の磁心は、実効透磁率μｅｘ
ｋは従来のＣｏ基アモルファス磁心とは埋同等であるが
、実効パルス透磁率μｐは従来のＣｏ基アモルファス磁
心より著しく優れていることがわかる。従来の製造方法
によシ製造した磁心は、角形比が中程度あシ、実効透磁
率μｅ１には大きいものの単極性のパルスで測定される
実効パルス透磁率μｐは低く、インバータや、フォワー
ド型のスイッチング電源のトランス等には適していない
０実施例２ 単ロール法によυ幅１６■、板厚１６ｐｍの（Ｃｏｏ、
５ｓＦｅｏ、ｏ鵞ＲＩＩｎｏ、ａｍ ） ｙｓ、ｓ Ｍ
ｏｚ、ｓ Ｃｕｏ、＊ Ｓｉ ｔｓ Ｂｅアそルファス
合金薄帯を作製し、内径１５ｍ、外径３５ｍ＋のトロイ
ダル磁心を作製した。次に窒素ガス雰囲気中４３０℃に
１時間保持後水中に冷却した。応力緩和度は９９％であ
る０ 次にとの磁心をエチルアルコールにつけ取シ出し乾燥さ
せた後、２００℃で磁路と直角方向に３０００００の磁
場を印加しながら熱処理し室温まで冷却した。
冷却速度Ｒが５０℃ルを越えるとμｐのΔＢ依存性が大
きくなシ、低いΔＢからμｐが低下するため、冷却速度
Ｒは５０℃以下が望ましい。
きくなシ、低いΔＢからμｐが低下するため、冷却速度
Ｒは５０℃以下が望ましい。
実施例４
単ロール法により幅５ｍｍ、厚さ１８μｍの（Ｃｏｏ、
５ｓＦｅｏ、ｏｓ Ｍｎｏ、ａｍ ） ｔ４−ｃＮｂｘ
ＣｕｃＳｉ ｓｓ Ｂｅアモルファス合金を作製した
。
５ｓＦｅｏ、ｏｓ Ｍｎｏ、ａｍ ） ｔ４−ｃＮｂｘ
ＣｕｃＳｉ ｓｓ Ｂｅアモルファス合金を作製した
。
次に外径１９鱈、内径１５６に巻きトロイダル磁心を作
製した。次に窒素ガス雰囲気中４６０℃で１時間保持し
、磁路と直角方向に３００００ｅの磁場を印加しなから
４０℃／ｍｍの冷却速度で１９０℃まで冷却後、１９０
℃に１２時間保持し室温まで冷却し、Δ１３−０−２
Ｔ ｅ ｔｄ ＝ １０４ｓ ＊ Ｔ ＝ １ ｍ ｓ
のｔｉｐを測定した。μｐとＣｕｊｌＣの関係を第３図
に示す。
製した。次に窒素ガス雰囲気中４６０℃で１時間保持し
、磁路と直角方向に３００００ｅの磁場を印加しなから
４０℃／ｍｍの冷却速度で１９０℃まで冷却後、１９０
℃に１２時間保持し室温まで冷却し、Δ１３−０−２
Ｔ ｅ ｔｄ ＝ １０４ｓ ＊ Ｔ ＝ １ ｍ ｓ
のｔｉｐを測定した。μｐとＣｕｊｌＣの関係を第３図
に示す。
Ｃが０．１未満ではμｐ改善の効果はほとんどなく、Ｃ
が２％を越えると急激にμｐが低下する。
が２％を越えると急激にμｐが低下する。
したがって、Ｃｕ量Ｃの好ましい範囲は０．１≦ｃ≦０
．２であることがわかる。
．２であることがわかる。
実施例５゜
単ロール法により幅１０ｍ、厚さ２０μｍの（Ｃｏｏ、
５ｓＦｅ ｏ、ａｍ Ｍｎｏ、ａｍ ）？！、Ｉ Ｃｒ
４Ｃｕｅ、ｓ Ｓｔ １４ Ｂ−アモルファス合金を作
製した。
５ｓＦｅ ｏ、ａｍ Ｍｎｏ、ａｍ ）？！、Ｉ Ｃｒ
４Ｃｕｅ、ｓ Ｓｔ １４ Ｂ−アモルファス合金を作
製した。
次に外径２５ｗ、内径１８ｍに巻きトロイダル磁心を作
製し、真空中３９０℃で保持時間をかえ熱処理後磁路と
直角方向に磁場をかけながら１０℃んの冷却速度で２０
０℃まで冷却し８時間保持後、室温まで冷却した。
製し、真空中３９０℃で保持時間をかえ熱処理後磁路と
直角方向に磁場をかけながら１０℃んの冷却速度で２０
０℃まで冷却し８時間保持後、室温まで冷却した。
作製した磁心の応力緩和度Ｔｏ／ｒとｔｄ−１０μｓ。
ΔＢ＝０．２Ｔ、Ｔ：１ｍ３の場合のμｐの関係を第４
図に示す。
図に示す。
応力緩和度ｒｏ／ｒが９０％を越えるとμｐの改善が著
しく好ましい結果が得られることがわかる。
しく好ましい結果が得られることがわかる。
実施例＆
単ロール法によシ幅１２ｍ、厚さ１７μ調の（Ｃｏ。、
＊１−ｂＦｅｏ讃Ｍｎｂ） ｔｓ、４ＭＯ２，Ｉ Ｃｕ
ｏ、ｓ Ｓｉ ｔ＠Ｂ−アモルファス合金を作製した
。
＊１−ｂＦｅｏ讃Ｍｎｂ） ｔｓ、４ＭＯ２，Ｉ Ｃｕ
ｏ、ｓ Ｓｉ ｔ＠Ｂ−アモルファス合金を作製した
。
次に、外径２５ ｍ 、内径１９ｓｌｌのトロイダル磁
心を作製し、窒素ガス雰囲気中４３０℃で１時間保持後
、磁路と直角方向に２００００ｅの磁場を印加しなから
５℃／ｍｍの冷却速度で２００℃まで冷却し２４ｈ保持
後室温まで冷却し、ｔｄ＝１０μｓ、ΔＢ＝０．２Ｔ＊
Ｔ＝１ｍｓの場合のμｐを測定した。
心を作製し、窒素ガス雰囲気中４３０℃で１時間保持後
、磁路と直角方向に２００００ｅの磁場を印加しなから
５℃／ｍｍの冷却速度で２００℃まで冷却し２４ｈ保持
後室温まで冷却し、ｔｄ＝１０μｓ、ΔＢ＝０．２Ｔ＊
Ｔ＝１ｍｓの場合のμｐを測定した。
作製した磁心のμｐと動量すの関係を第５図に示す。
図から明らかなようＫ Ｍｎ ｔ ｂは、０．０１≦ｂ
≦０．０８の範囲がμｐが高いため好ましいことがわが
るＯ 〔発明の効果〕 本発明によれば、従来不充分であった実効パルス透磁率
を改善したアモルファス磁心を得ることができるためそ
の効果は著しいものがある。
≦０．０８の範囲がμｐが高いため好ましいことがわが
るＯ 〔発明の効果〕 本発明によれば、従来不充分であった実効パルス透磁率
を改善したアモルファス磁心を得ることができるためそ
の効果は著しいものがある。
第１図は（Ｃｏｏ、＠ｓ Ｆｅｏ、ｓ Ｍｎａ、ｏｓ
）ｔ ｓ、ｓ Ｍｏ２．ｓ Ｃｕｏ、ｚ Ｓｌ ｔｓＢ
−アモルファス磁心の実効パルス透磁率μｐと磁場中熱
処理時間ｔの関係を示した図、第２図は冷却速度Ｒの異
なる（Ｃｏｏ、ｓｒｓ Ｆｅｏ、ｏｏｓ Ｍｎｏ、ｏｔ
）ｔｓ、ｙ Ｎｂｏ、ｍ５ｉｔｓＢ、アモルファス巻磁
心のμｐとΔＢの関係を示した図、第３図は（Ｃｏｏ、
ｏｓ Ｆｅｏ、ｏｚ Ｍｎｏ、ｏｓ ）７４−（２Ｎｂ
ｘ Ｃｕ（Ｈ８ｉ ｔｓＢ９アモルファス磁心のμｐと
Ｃ量の関係を示した図、第４図は（Ｃｏｏ、ｓｉ Ｆｅ
ｅ、ｏｍＭｎｏ、ａｓ）ｔｚ、ｓ Ｃｒ４Ｃｕｏ、５ｓ
ｉｔａ Ｂｅアモルファス磁心の応力緩和度γ０／γと
μｐの関係を示した図、第５図は（Ｃｏｏ、５ｓ−ｂＦ
ｅｅ、ｏｘ Ｍｎ１） ） ７３．４Ｍｏｎ、ｓ Ｃｕ
ｏ、ｓ ５ｆｔｓ Ｂｅアモルファス磁心のμｐと当量
すの関係を示した図である。 第 ２ 図 第 ３ 面 ０ ／ ２
Ｊ第 ４ 図 ｒｏ７つ−（う≦） 〃 昭和６１年 特許願 第２４３４８９号発明の名称 実効パルス透磁率に優れたアモルファス磁心およびその
製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号名称 （５
０８）日立金属株式会社 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 補正の内容 別紙の通り 補正の内容 明ｍ書の第月頁と第１２頁の間に、下記の文章を挿入す
る。 記 「 第１図にΔＢが０，２Ｔ 、パルス幅ｔｄが１０μ
ｓ。 繰返し周期Ｔが１１ＩＳの場合のμρの磁場中熱処理時
間を依存性を示す。比較のため応力緩和されていない試
料Ｂについても示した。 ２０分を越えるとμｐの改善効果が著しくなり、２４０
分付近で極大を示した後、はぼ一定値に漸近しでいくが
その値は磁場中熱処理前よりは著しく改善されている。 応力緩和されていないＢの場合は、磁場中熱処理を行っ
ても、あまりμｐは改善されない。 以上の結果より、応力緩和を行い２０分以上のｆｔｉ＠
中熱処理を行うのがμｐ改善に有効であることがわかる
。 実施例３ 単ロール法により、幅１６Ｉｌ置、板厚１１μ層の（Ｃ
ｏ Ｆ ｅ Ｍｎｏ、ｏ７）ｔｒ、ｔＮｂ
ｏ、ｓ Ｓ’ｔｔｏ、’＋ｎ ｏ、ｏｏｓ Ｂ！アモルファス合金薄帯を作製し、内径１５＋＋ｎ。 外径３５ＩＩＩのトロイダル磁心を作製した。 次に、水素ガス雰囲気中３９０℃に１時間保持後、磁路
方向と直角方向に３００００ｅの磁場をかけながら冷却
速度Ｒを変え室温まで冷却した。応力緩和度は９８％で
あった。 作製した磁心のｔｄｆ １０μｓ、Ｔ＝１ｍｓの場合の
μｐとΔＢの関係を第２図に示す。Ｊ以上
）ｔ ｓ、ｓ Ｍｏ２．ｓ Ｃｕｏ、ｚ Ｓｌ ｔｓＢ
−アモルファス磁心の実効パルス透磁率μｐと磁場中熱
処理時間ｔの関係を示した図、第２図は冷却速度Ｒの異
なる（Ｃｏｏ、ｓｒｓ Ｆｅｏ、ｏｏｓ Ｍｎｏ、ｏｔ
）ｔｓ、ｙ Ｎｂｏ、ｍ５ｉｔｓＢ、アモルファス巻磁
心のμｐとΔＢの関係を示した図、第３図は（Ｃｏｏ、
ｏｓ Ｆｅｏ、ｏｚ Ｍｎｏ、ｏｓ ）７４−（２Ｎｂ
ｘ Ｃｕ（Ｈ８ｉ ｔｓＢ９アモルファス磁心のμｐと
Ｃ量の関係を示した図、第４図は（Ｃｏｏ、ｓｉ Ｆｅ
ｅ、ｏｍＭｎｏ、ａｓ）ｔｚ、ｓ Ｃｒ４Ｃｕｏ、５ｓ
ｉｔａ Ｂｅアモルファス磁心の応力緩和度γ０／γと
μｐの関係を示した図、第５図は（Ｃｏｏ、５ｓ−ｂＦ
ｅｅ、ｏｘ Ｍｎ１） ） ７３．４Ｍｏｎ、ｓ Ｃｕ
ｏ、ｓ ５ｆｔｓ Ｂｅアモルファス磁心のμｐと当量
すの関係を示した図である。 第 ２ 図 第 ３ 面 ０ ／ ２
Ｊ第 ４ 図 ｒｏ７つ−（う≦） 〃 昭和６１年 特許願 第２４３４８９号発明の名称 実効パルス透磁率に優れたアモルファス磁心およびその
製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号名称 （５
０８）日立金属株式会社 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 補正の内容 別紙の通り 補正の内容 明ｍ書の第月頁と第１２頁の間に、下記の文章を挿入す
る。 記 「 第１図にΔＢが０，２Ｔ 、パルス幅ｔｄが１０μ
ｓ。 繰返し周期Ｔが１１ＩＳの場合のμρの磁場中熱処理時
間を依存性を示す。比較のため応力緩和されていない試
料Ｂについても示した。 ２０分を越えるとμｐの改善効果が著しくなり、２４０
分付近で極大を示した後、はぼ一定値に漸近しでいくが
その値は磁場中熱処理前よりは著しく改善されている。 応力緩和されていないＢの場合は、磁場中熱処理を行っ
ても、あまりμｐは改善されない。 以上の結果より、応力緩和を行い２０分以上のｆｔｉ＠
中熱処理を行うのがμｐ改善に有効であることがわかる
。 実施例３ 単ロール法により、幅１６Ｉｌ置、板厚１１μ層の（Ｃ
ｏ Ｆ ｅ Ｍｎｏ、ｏ７）ｔｒ、ｔＮｂ
ｏ、ｓ Ｓ’ｔｔｏ、’＋ｎ ｏ、ｏｏｓ Ｂ！アモルファス合金薄帯を作製し、内径１５＋＋ｎ。 外径３５ＩＩＩのトロイダル磁心を作製した。 次に、水素ガス雰囲気中３９０℃に１時間保持後、磁路
方向と直角方向に３００００ｅの磁場をかけながら冷却
速度Ｒを変え室温まで冷却した。応力緩和度は９８％で
あった。 作製した磁心のｔｄｆ １０μｓ、Ｔ＝１ｍｓの場合の
μｐとΔＢの関係を第２図に示す。Ｊ以上
Claims (4)
- （１）組成式（Ｃｏ＿１＿−＿ａ＿−＿ｂＦｅ＿ａＭｎ
＿ｂ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｃ＿−＿ｙ＿−＿ｚ
Ｍ＿ｘＭ＿ｃＳｉ＿ｙＢ＿ｚ（原子％）で表わされ、こ
こでＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ
、Ｎｉ、Ｍｏから選ばれる少なくとも１種の元素、Ｍは
Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選ばれる少なくとも１種の元素で
あり、０≦ａ≦０．０５、０．０１≦ｂ≦０．０８、０
．１≦ｘ≦５、０．１≦ｃ≦２、７≦ｙ≦１８、７≦ｚ
≦１６、２２≦ｙ＋ｚ≦２８の関係を有するアモルファ
ス合金からなり、角形比２０％以下、応力緩和度９０％
以上であることを特徴とする実効パルス透磁率に優れた
アモルファス磁心。 - （２）結晶化温度以下でかつ最低３５０℃の温度で少な
くとも２０分の熱処理を実施し応力緩和度を９０％以上
とした後、交流あるいは直流の磁場を使用する際の磁心
の磁路方向と直角方向に加えながら５０℃／ｍｍ以下の
平均冷却速度で２００℃以下の温度まで冷却することを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の実効パルス透
磁率に優れたアモルファス磁心の製造方法。 - （３）結晶化温度以下でかつ最低３５０℃の温度で少な
くとも２０分の熱処理を実施し、応力緩和度を９０％以
上とし２００℃以下の温度まで５０℃／ｍｍ以上の平均
冷却速度で冷却した後、交流あるいは直流の磁場を使用
する際の磁心の磁路方向と直角方向に加えながらキュー
リー温度以下、１５０℃以上の温度に少なくとも２０分
保持後室温付近まで冷却することを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の実効パルス透磁率に優れたアモル
ファス磁心の製造方法。 - （４）結晶化温度以下でかつ最低３５０℃の温度で少な
くとも２０分の熱処理を実施し、応力緩和度を９０％以
上とした後、交流あるいは直流の磁場を磁心の磁路方向
と直角方向に加えながら５０℃／ｍｍ以下の平均冷却速
度で磁心材料のキューリー温度以下１５０℃以上に冷却
し、少なくとも２０分ほぼ一定温度に保持後室温まで冷
却することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
実効パルス透磁率に優れたアモルファス磁心の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243489A JP2513645B2 (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 実効パルス透磁率に優れたアモルファス磁心およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61243489A JP2513645B2 (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 実効パルス透磁率に優れたアモルファス磁心およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6396904A true JPS6396904A (ja) | 1988-04-27 |
| JP2513645B2 JP2513645B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=17104651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61243489A Expired - Lifetime JP2513645B2 (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 実効パルス透磁率に優れたアモルファス磁心およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513645B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0429022A2 (en) * | 1989-11-17 | 1991-05-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnetic alloy with ulrafine crystal grains and method of producing same |
| US5096513A (en) * | 1989-09-01 | 1992-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Very thin soft magnetic alloy strips and magnetic core and electromagnetic apparatus made therefrom |
| EP1237165A2 (en) * | 2001-03-01 | 2002-09-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Co-based magnetic alloy and magnetic members made of the same |
-
1986
- 1986-10-14 JP JP61243489A patent/JP2513645B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5096513A (en) * | 1989-09-01 | 1992-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Very thin soft magnetic alloy strips and magnetic core and electromagnetic apparatus made therefrom |
| EP0429022A2 (en) * | 1989-11-17 | 1991-05-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnetic alloy with ulrafine crystal grains and method of producing same |
| EP1237165A2 (en) * | 2001-03-01 | 2002-09-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Co-based magnetic alloy and magnetic members made of the same |
| EP1237165A3 (en) * | 2001-03-01 | 2004-01-02 | Hitachi Metals, Ltd. | Co-based magnetic alloy and magnetic members made of the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2513645B2 (ja) | 1996-07-03 |
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