JPH06163235A - トランス - Google Patents
トランスInfo
- Publication number
- JPH06163235A JPH06163235A JP3190515A JP19051591A JPH06163235A JP H06163235 A JPH06163235 A JP H06163235A JP 3190515 A JP3190515 A JP 3190515A JP 19051591 A JP19051591 A JP 19051591A JP H06163235 A JPH06163235 A JP H06163235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transformer
- amorphous alloy
- power supply
- shows
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁性材料の高周波域（〜MHz 域）における高
透磁率化および低鉄損化を図り、これによって例えば電
源の高周波化に対応させることを可能にしたトランスを
提供する。 【構成】 一般式：（Co1-a Aa ）100-b X b （式中、A はFe、Mn、Ti、V 、Cr、Ni、Cu、Zr、Nb、M
o、Hf、Ta、W および白金族元素から選ばれる少なくと
も 1種の元素を、X はSi、B 、P およびC から選ばれる
少なくとも 1種の元素を示し、a は AがFeを含む場合に
は 0≦a ≦ 1、 AがFeを含まない場合には 0≦a ≦ 0.2
を、 bは10at% ≦b ≦35at% を満足する数を示す）で実
質的に表されるアモルファス合金からなり、かつピンホ
―ル等が少ない良好な状態を維持した上で、板厚を10μ
m 以下と薄くした軟磁性合金薄帯の巻回体または積層体
を具備するトランスである。
透磁率化および低鉄損化を図り、これによって例えば電
源の高周波化に対応させることを可能にしたトランスを
提供する。 【構成】 一般式：（Co1-a Aa ）100-b X b （式中、A はFe、Mn、Ti、V 、Cr、Ni、Cu、Zr、Nb、M
o、Hf、Ta、W および白金族元素から選ばれる少なくと
も 1種の元素を、X はSi、B 、P およびC から選ばれる
少なくとも 1種の元素を示し、a は AがFeを含む場合に
は 0≦a ≦ 1、 AがFeを含まない場合には 0≦a ≦ 0.2
を、 bは10at% ≦b ≦35at% を満足する数を示す）で実
質的に表されるアモルファス合金からなり、かつピンホ
―ル等が少ない良好な状態を維持した上で、板厚を10μ
m 以下と薄くした軟磁性合金薄帯の巻回体または積層体
を具備するトランスである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波域で高透磁率、
低損失が要求されるトランスに関する。
低損失が要求されるトランスに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器に対する小型軽量化、高
性能化の要求に伴って、重要な機能部分として用いられ
ている磁性部品にも高性能化が必要となってきている。
したがって、これら磁性部品に用いられる磁性材料に
も、優れた磁気特性が要求されている。
性能化の要求に伴って、重要な機能部分として用いられ
ている磁性部品にも高性能化が必要となってきている。
したがって、これら磁性部品に用いられる磁性材料に
も、優れた磁気特性が要求されている。
【０００３】例えば、電子機器の安定化電源として、近
年、スイッチング電源が幅広く用いられているが、電源
に対する小型軽量化の要求が強まるにつれて、スイッチ
ング周波数の高周波化が求められている。しかし、例え
ば磁気増幅器を組み込んだスイッチング電源の場合、金
属材料の中で高周波特性の良好なアモルファス合金を用
いたとしても、実用的には200kHz〜500kHzが限界となっ
ており、一層の高周波化が望まれていた。
年、スイッチング電源が幅広く用いられているが、電源
に対する小型軽量化の要求が強まるにつれて、スイッチ
ング周波数の高周波化が求められている。しかし、例え
ば磁気増幅器を組み込んだスイッチング電源の場合、金
属材料の中で高周波特性の良好なアモルファス合金を用
いたとしても、実用的には200kHz〜500kHzが限界となっ
ており、一層の高周波化が望まれていた。
【０００４】これと同様に、電源用のトランスについて
も、高周波化に対応させることが要求されている。ここ
で、現在トランスに用いられている材料は、フェライト
がそのほとんどを占めている。しかし、フェライトを用
いたトランスでは、そのような要求を十分に満足するこ
とができないという問題があった。そこで、トランスに
おいても、アモルファス合金を使用することが検討され
ているが、高周波域で低鉄損、高角形比が得られるアモ
ルファス合金を用いたとしても、 MHz域では鉄損が増大
するため、実用的には500kHz程度に限られてしまう。
も、高周波化に対応させることが要求されている。ここ
で、現在トランスに用いられている材料は、フェライト
がそのほとんどを占めている。しかし、フェライトを用
いたトランスでは、そのような要求を十分に満足するこ
とができないという問題があった。そこで、トランスに
おいても、アモルファス合金を使用することが検討され
ているが、高周波域で低鉄損、高角形比が得られるアモ
ルファス合金を用いたとしても、 MHz域では鉄損が増大
するため、実用的には500kHz程度に限られてしまう。
【０００５】これに対して、一般に金属材料では板厚を
薄くすることにより鉄損を抑え、高周波特性を改善でき
ることが知られており、アモルファス合金においても厚
さを低減することが検討されている。ここで、アモルフ
ァス合金薄帯は、一般に単ロ―ル法等を用いた液体急冷
法により作製されているが、通常の液体急冷法では十分
に板厚を薄くすることができないという問題があった。
しかも、通常の液体急冷法で板厚の低減を図ったアモル
ファス合金薄帯には、気泡の巻込み等に起因するピンホ
―ルが比較的多く存在しており、高周波化を含めた実用
性の面で問題があった。
薄くすることにより鉄損を抑え、高周波特性を改善でき
ることが知られており、アモルファス合金においても厚
さを低減することが検討されている。ここで、アモルフ
ァス合金薄帯は、一般に単ロ―ル法等を用いた液体急冷
法により作製されているが、通常の液体急冷法では十分
に板厚を薄くすることができないという問題があった。
しかも、通常の液体急冷法で板厚の低減を図ったアモル
ファス合金薄帯には、気泡の巻込み等に起因するピンホ
―ルが比較的多く存在しており、高周波化を含めた実用
性の面で問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、各種
磁心用の磁性材料には、高透磁率、低鉄損が高周波域
（〜 MHz域）まで要求されており、これらは機器の高効
率化、小形軽量化、また磁心の小形化、高性能化等につ
ながる。そこで、電源用のトランスにおいても、電源の
高周波化に対応させると共に、それ自体の高効率化、小
形軽量化を図るために、高周波域で低鉄損化すること等
が強く望まれていた。
磁心用の磁性材料には、高透磁率、低鉄損が高周波域
（〜 MHz域）まで要求されており、これらは機器の高効
率化、小形軽量化、また磁心の小形化、高性能化等につ
ながる。そこで、電源用のトランスにおいても、電源の
高周波化に対応させると共に、それ自体の高効率化、小
形軽量化を図るために、高周波域で低鉄損化すること等
が強く望まれていた。
【０００７】本発明は、上述したような課題に対処する
ためになされたもので、磁性材料の高周波域（〜 MHz
域）における高透磁率化および低鉄損化を図り、これに
よって電源の高周波化に対応させることを可能にしたト
ランスを提供することを目的としている。
ためになされたもので、磁性材料の高周波域（〜 MHz
域）における高透磁率化および低鉄損化を図り、これに
よって電源の高周波化に対応させることを可能にしたト
ランスを提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段と作用】本発明のトランス
は、 一般式：（Co1-a Aa ）100-b X b ………(1) （式中、A はFe、Mn、Ti、V 、Cr、Ni、Cu、Zr、Nb、M
o、Hf、Ta、W および白金族元素から選ばれる少なくと
も 1種の元素を、X はSi、B 、P およびC から選ばれる
少なくとも 1種の元素を示し、a は AがFeを含む場合に
は 0≦a ≦ 1、 AがFeを含まない場合には 0≦a ≦ 0.2
を、 bは10at% ≦b ≦35at% を満足する数を示す。以下
同じ）で実質的に表されるアモルファス合金からなり、
かつ板厚が10μm 以下の軟磁性合金薄帯の巻回体または
積層体を具備することを特徴としている。
は、 一般式：（Co1-a Aa ）100-b X b ………(1) （式中、A はFe、Mn、Ti、V 、Cr、Ni、Cu、Zr、Nb、M
o、Hf、Ta、W および白金族元素から選ばれる少なくと
も 1種の元素を、X はSi、B 、P およびC から選ばれる
少なくとも 1種の元素を示し、a は AがFeを含む場合に
は 0≦a ≦ 1、 AがFeを含まない場合には 0≦a ≦ 0.2
を、 bは10at% ≦b ≦35at% を満足する数を示す。以下
同じ）で実質的に表されるアモルファス合金からなり、
かつ板厚が10μm 以下の軟磁性合金薄帯の巻回体または
積層体を具備することを特徴としている。
【０００９】すなわち、本発明のトランスは、ピンホ―
ル等が少ない、良好な状態を維持した上で、板厚を10μ
m 以下と薄くしたアモルファス合金薄帯を用いることに
よって、電源の高周波化に対応させることを可能にした
ものである。つまり、板厚が10μm 以下のアモルファス
合金薄帯を用いたトランスは、高周波域（〜MHz 域）に
おいても損失を極力抑制することが可能となるため、電
源の高周波化に対応することができると共に、それ自体
の小型軽量化等を図ることもできる。
ル等が少ない、良好な状態を維持した上で、板厚を10μ
m 以下と薄くしたアモルファス合金薄帯を用いることに
よって、電源の高周波化に対応させることを可能にした
ものである。つまり、板厚が10μm 以下のアモルファス
合金薄帯を用いたトランスは、高周波域（〜MHz 域）に
おいても損失を極力抑制することが可能となるため、電
源の高周波化に対応することができると共に、それ自体
の小型軽量化等を図ることもできる。
【００１０】本発明に用いられるアモルファス合金は、
基本的には上記 (1)式で表される組成を有するものであ
る。上記 (1)式中における A元素は、熱安定性向上、磁
気特性の改善に有効な元素である。ここで、 A元素とし
てFeを含む場合には、 aの値は 0〜 1の範囲となる。つ
まり、本発明に用いられるアモルファス合金は、Co基ア
モルファス合金に加えて、Fe基アモルファス合金をも含
むものである。ただし、特性の点でCo基アモルファス合
金を用いることが好ましい。また、 Xはアモルファス化
に必須な元素であり、この Xの量(bの値）が10原子％未
満あるいは35原子％を超えると、アモルファス化がし難
くなる。
基本的には上記 (1)式で表される組成を有するものであ
る。上記 (1)式中における A元素は、熱安定性向上、磁
気特性の改善に有効な元素である。ここで、 A元素とし
てFeを含む場合には、 aの値は 0〜 1の範囲となる。つ
まり、本発明に用いられるアモルファス合金は、Co基ア
モルファス合金に加えて、Fe基アモルファス合金をも含
むものである。ただし、特性の点でCo基アモルファス合
金を用いることが好ましい。また、 Xはアモルファス化
に必須な元素であり、この Xの量(bの値）が10原子％未
満あるいは35原子％を超えると、アモルファス化がし難
くなる。
【００１１】また、本発明に用いられるアモルファス合
金のうち、Co基アモルファス合金としては、下記の (2)
式で実質的に組成が表されるものが好ましい。
金のうち、Co基アモルファス合金としては、下記の (2)
式で実質的に組成が表されるものが好ましい。
【００１２】 一般式：（Co1-c Mc ）100-b X b ………(2) （式中、 MはTi、V 、Cr、Fe、Mn、Ni、Cu、Zr、Nb、M
o、Hf、Ta、W および白金族元素から選ばれる少なくと
も 1種の元素を、X はSi、B 、P およびC から選ばれる
少なくとも 1種の元素を示し、c は 0≦c ≦ 0.5（ただ
し、 MとしてFe、Niを除く場合には 0≦c ≦ 0.2）を満
足する数を示す。以下同じ） 上記 (2)式において、 M元素は熱安定性向上、磁気特性
の改善に有効な元素であり、Ti、V 、Cr、Cu、Zr、Nb、
Mo、Hf、Ta、W および白金族元素から選ばれる場合に
は、この M元素による置換量を表す cの値は 0.2以下と
することが好ましい。 cの値が 0.2を超えると、キュリ
ー温度が低下し実用的ではない。また、Fe、Niの場合の
cの値は 0.5以下とすることが好ましい。この際の cの
値が 0.5を超えると、磁気特性の改善効果が逆に低下す
る。
o、Hf、Ta、W および白金族元素から選ばれる少なくと
も 1種の元素を、X はSi、B 、P およびC から選ばれる
少なくとも 1種の元素を示し、c は 0≦c ≦ 0.5（ただ
し、 MとしてFe、Niを除く場合には 0≦c ≦ 0.2）を満
足する数を示す。以下同じ） 上記 (2)式において、 M元素は熱安定性向上、磁気特性
の改善に有効な元素であり、Ti、V 、Cr、Cu、Zr、Nb、
Mo、Hf、Ta、W および白金族元素から選ばれる場合に
は、この M元素による置換量を表す cの値は 0.2以下と
することが好ましい。 cの値が 0.2を超えると、キュリ
ー温度が低下し実用的ではない。また、Fe、Niの場合の
cの値は 0.5以下とすることが好ましい。この際の cの
値が 0.5を超えると、磁気特性の改善効果が逆に低下す
る。
【００１３】さらに、特に優れた高周波特性を要求され
る場合には、 一般式：（Co1-d-e M'd M"e ）100-g （Si1-f Bf ）g ………(3) （式中、M'はFeおよびMnから選ばれる少なくとも 1種の
元素を、M"はTi、V 、Cr、Ni、Cu、Zr、Nb、Mo、Hf、T
a、W および白金族元素から選ばれる少なくとも1種の元
素を示し、 dは0.03≦d ≦0.15を、 eは 0≦e ≦0.10
を、 fは 0.2≦f≦ 1.0を、 gは 10at%≦g ≦ 35at%を
満足する数をそれぞれ示す。以下同じ）で実質的に表さ
れるCo基アモルファス合金を使用することが好ましい。
上記(3)式で表される組成において、磁気特性の熱安定
性を考慮すると、 gの値は20at%〜 35at%の範囲が、ま
た fの値は 0.3〜 0.8の範囲がより好ましい。
る場合には、 一般式：（Co1-d-e M'd M"e ）100-g （Si1-f Bf ）g ………(3) （式中、M'はFeおよびMnから選ばれる少なくとも 1種の
元素を、M"はTi、V 、Cr、Ni、Cu、Zr、Nb、Mo、Hf、T
a、W および白金族元素から選ばれる少なくとも1種の元
素を示し、 dは0.03≦d ≦0.15を、 eは 0≦e ≦0.10
を、 fは 0.2≦f≦ 1.0を、 gは 10at%≦g ≦ 35at%を
満足する数をそれぞれ示す。以下同じ）で実質的に表さ
れるCo基アモルファス合金を使用することが好ましい。
上記(3)式で表される組成において、磁気特性の熱安定
性を考慮すると、 gの値は20at%〜 35at%の範囲が、ま
た fの値は 0.3〜 0.8の範囲がより好ましい。
【００１４】本発明のトランスに用いられる、板厚10μ
m 以下のアモルファス合金薄帯は、以下に示す製造方法
を適用することによって、再現性よく得ることができ
る。
m 以下のアモルファス合金薄帯は、以下に示す製造方法
を適用することによって、再現性よく得ることができ
る。
【００１５】すなわち、合金溶湯をノズルより回転冷却
体の表面に噴出し、超急冷することによってアモルファ
ス合金薄帯を製造する際、ノズルから噴出される合金溶
湯が回転冷却体に接触する間の雰囲気を、60Torr未満の
不活性雰囲気または0.01Torr以下の減圧雰囲気とする。
体の表面に噴出し、超急冷することによってアモルファ
ス合金薄帯を製造する際、ノズルから噴出される合金溶
湯が回転冷却体に接触する間の雰囲気を、60Torr未満の
不活性雰囲気または0.01Torr以下の減圧雰囲気とする。
【００１６】具体的には、母合金を入れた石英ノズルま
わりを0.01Torr以下に真空排気する、またはその後不活
性ガスを60Torr以下まで置換し、Co基アモルファス合金
の場合にはFe基ロール、Fe基アモルファス合金の場合に
はFe基ロールあるいはCu基ロール（真鍮等）を用いるこ
とにより、ピンホール等の少ない良好な極薄アモルファ
ス合金薄帯を作製することができる。
わりを0.01Torr以下に真空排気する、またはその後不活
性ガスを60Torr以下まで置換し、Co基アモルファス合金
の場合にはFe基ロール、Fe基アモルファス合金の場合に
はFe基ロールあるいはCu基ロール（真鍮等）を用いるこ
とにより、ピンホール等の少ない良好な極薄アモルファ
ス合金薄帯を作製することができる。
【００１７】ここで、減圧下あるいは不活性ガス雰囲気
を、それぞれ0.01Torr以下あるいは60Torr以下としたの
は、特に 1.5mm以上の幅広薄帯を作製する際に、薄くて
表面性に優れ、ピンホール等の発生が極めて少ないもの
が得られるからであり、この範囲外では幅方向にうねり
（凸凹）が生じたり、ピンホールが多かったり、あるい
は10μm 以下の薄帯が得られなかったりする。なお、使
用する不活性ガスとしてはHeやArが好ましく、さらにHe
が最も好ましい。
を、それぞれ0.01Torr以下あるいは60Torr以下としたの
は、特に 1.5mm以上の幅広薄帯を作製する際に、薄くて
表面性に優れ、ピンホール等の発生が極めて少ないもの
が得られるからであり、この範囲外では幅方向にうねり
（凸凹）が生じたり、ピンホールが多かったり、あるい
は10μm 以下の薄帯が得られなかったりする。なお、使
用する不活性ガスとしてはHeやArが好ましく、さらにHe
が最も好ましい。
【００１８】また、ロール材質としては、上述したよう
に、Fe基アモルファス極薄薄帯を作製する場合にはFe基
合金あるいはCu基合金が好ましく、Co基アモルファス極
薄薄帯を作製する場合はFe基合金が好ましく、これらの
組合わせで使用することにより、表面性が良好で板厚の
極めて薄いものが得られる。
に、Fe基アモルファス極薄薄帯を作製する場合にはFe基
合金あるいはCu基合金が好ましく、Co基アモルファス極
薄薄帯を作製する場合はFe基合金が好ましく、これらの
組合わせで使用することにより、表面性が良好で板厚の
極めて薄いものが得られる。
【００１９】さらに、ノズル先端のスリット形状におけ
る長辺は、得られる薄帯の幅を決めるものであり、 2mm
以上の適当な値に設定できる。また、短辺は薄帯の板厚
を決める重要な値であり、 0.2mm以下が好ましく、さら
に0.15mm以下が極薄薄帯作製に対しては好ましい。ロー
ル周速は 10m/sec以上であればよく、 20m/sec以上が好
ましい。射出圧は、極薄薄帯を作製するのに 0.05kg/cm
2 以上であればよく、好ましくは0.025kg/cm2 以下であ
り、さらに好ましくは0.020kg/cm2 以下であるが、0.00
1kg/cm2 未満では溶融金属の射出がしにくくなる。
る長辺は、得られる薄帯の幅を決めるものであり、 2mm
以上の適当な値に設定できる。また、短辺は薄帯の板厚
を決める重要な値であり、 0.2mm以下が好ましく、さら
に0.15mm以下が極薄薄帯作製に対しては好ましい。ロー
ル周速は 10m/sec以上であればよく、 20m/sec以上が好
ましい。射出圧は、極薄薄帯を作製するのに 0.05kg/cm
2 以上であればよく、好ましくは0.025kg/cm2 以下であ
り、さらに好ましくは0.020kg/cm2 以下であるが、0.00
1kg/cm2 未満では溶融金属の射出がしにくくなる。
【００２０】本発明のトランスに用いられ磁心は、上述
した製造方法によって得られる極薄アモルファス合金薄
帯を巻回したり、あるいは 1層または複数層積層するこ
とによって、所望の形状に成形した後、励磁方向に対し
ておおよそ直角方向に磁場を印加しながら熱処理するこ
とによって得られる。なお、結晶化温度がキュリー温度
より高い組成の範囲においては、上記磁場熱処理の前
に、上記した巻回体や積層体に結晶化温度以下でキュリ
―温度以上の温度で歪取り熱処理を施す必要がある。こ
の磁場熱処理は具体的には、巻回した磁心については薄
帯幅方向に、また積層した磁心についてはラジアル方向
に磁場を印加しながら、熱処理を行うものである。そし
て、本発明のトランスは、上記磁心に所望の巻線を施す
ことにより得られる。
した製造方法によって得られる極薄アモルファス合金薄
帯を巻回したり、あるいは 1層または複数層積層するこ
とによって、所望の形状に成形した後、励磁方向に対し
ておおよそ直角方向に磁場を印加しながら熱処理するこ
とによって得られる。なお、結晶化温度がキュリー温度
より高い組成の範囲においては、上記磁場熱処理の前
に、上記した巻回体や積層体に結晶化温度以下でキュリ
―温度以上の温度で歪取り熱処理を施す必要がある。こ
の磁場熱処理は具体的には、巻回した磁心については薄
帯幅方向に、また積層した磁心についてはラジアル方向
に磁場を印加しながら、熱処理を行うものである。そし
て、本発明のトランスは、上記磁心に所望の巻線を施す
ことにより得られる。
【００２１】上記した磁場熱処理は、得られる磁心の励
磁方向に対しておおよそ直角方向に磁気異方性を付与す
るものであり、これによって角形比が適度に低下して、
低磁場側で磁気的に飽和することが防止できる。よっ
て、高磁場側まで平均的に良好な特性を有するトランス
を得ることが可能となる。上記磁場熱処理の際の印加磁
場強度は、 1Ｏe 以上であればよく、好ましくは10Ｏe
以上、さらに好ましくは50Ｏe 以上である。これら熱処
理における雰囲気は特に問わず、窒素、アルゴン等の不
活性雰囲気、真空中、水素等の還元性雰囲気中、大気中
等のいずれでもよい。
磁方向に対しておおよそ直角方向に磁気異方性を付与す
るものであり、これによって角形比が適度に低下して、
低磁場側で磁気的に飽和することが防止できる。よっ
て、高磁場側まで平均的に良好な特性を有するトランス
を得ることが可能となる。上記磁場熱処理の際の印加磁
場強度は、 1Ｏe 以上であればよく、好ましくは10Ｏe
以上、さらに好ましくは50Ｏe 以上である。これら熱処
理における雰囲気は特に問わず、窒素、アルゴン等の不
活性雰囲気、真空中、水素等の還元性雰囲気中、大気中
等のいずれでもよい。
【００２２】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。
【００２３】実施例１ Co70.3Fe4.7 Si15 B10なる合金組成の調合、溶解を行
い、アモルファス合金作製用母合金とした。用いたノズ
ル形状は 5mm×0.15mmのスリットを有し、アモルファス
合金の作製にあたってロール材質としてFeを用い、単ロ
ール装置をチャンバー内に入れ、 5×10-5Torrまで予備
真空排気後、Heガスを30Torrまで封入した。ロール周速
を 57m/secとし、射出ガス圧を 0.02kg/cm2 として、溶
融金属を上記不活性雰囲気中で超急冷したところ、表面
性の良好な板厚 8.4μm 、幅 4.8mmの長尺な極薄アモル
ファス合金薄帯を得た。
い、アモルファス合金作製用母合金とした。用いたノズ
ル形状は 5mm×0.15mmのスリットを有し、アモルファス
合金の作製にあたってロール材質としてFeを用い、単ロ
ール装置をチャンバー内に入れ、 5×10-5Torrまで予備
真空排気後、Heガスを30Torrまで封入した。ロール周速
を 57m/secとし、射出ガス圧を 0.02kg/cm2 として、溶
融金属を上記不活性雰囲気中で超急冷したところ、表面
性の良好な板厚 8.4μm 、幅 4.8mmの長尺な極薄アモル
ファス合金薄帯を得た。
【００２４】次に、上記極薄アモルファス合金薄帯を巻
回した後に最適熱処理（歪取り熱処理）を施し、次いで
1kＯe の磁場を薄帯の幅方向に印加しながら、 250℃×
1時間の条件で磁場熱処理を行って、目的とするトラン
ス用磁心を得た。
回した後に最適熱処理（歪取り熱処理）を施し、次いで
1kＯe の磁場を薄帯の幅方向に印加しながら、 250℃×
1時間の条件で磁場熱処理を行って、目的とするトラン
ス用磁心を得た。
【００２５】このようにして得たトランス用磁心の高周
波域における鉄損を測定したところ、1MHz、0.1Tの条件
で 1W/ccという良好な値が得られた。
波域における鉄損を測定したところ、1MHz、0.1Tの条件
で 1W/ccという良好な値が得られた。
【００２６】また、本発明との比較として、大気中で溶
融金属を超急冷する以外は同一条件で、同一組成で板厚
17μm のアモルファス合金薄帯を作製し、同一の磁心形
状に巻回して、同様の熱処理を行ったところ、同一条件
における鉄損は 5.8W/ccであった。
融金属を超急冷する以外は同一条件で、同一組成で板厚
17μm のアモルファス合金薄帯を作製し、同一の磁心形
状に巻回して、同様の熱処理を行ったところ、同一条件
における鉄損は 5.8W/ccであった。
【００２７】これら実施例および比較例によるトランス
用磁心を、1MHz動作のスイッチング電源のメイントラン
スとして組み込んで動作特性を評価したところ、実施例
によるメイントランスは電源の効率で3.0%向上し、動作
時の磁心の温度上昇で55℃の低減がみられた。
用磁心を、1MHz動作のスイッチング電源のメイントラン
スとして組み込んで動作特性を評価したところ、実施例
によるメイントランスは電源の効率で3.0%向上し、動作
時の磁心の温度上昇で55℃の低減がみられた。
【００２８】実施例２〜１５ 表１に示す各組成のCo基アモルファス合金薄帯を、ロー
ル周速を 30m/sec〜50m/secの範囲で変化させ、他の条
件を以下のように固定して作製した。すなわち、ノズル
形状は 5mm×0.15mm、ロール材質はFe、急冷雰囲気は10
-4Torrの減圧雰囲気、射出圧は 0.01kg/cm2 、ノズルと
ロール間のギャップは0.15mmとした。このようにして得
た各Co基アモルファス合金薄帯の板厚は、それぞれ表１
に示した通りであった。また、これら各Co基アモルファ
ス合金薄帯を外径12mm×内径10mmに巻回して磁心とし、
これらに歪み取り熱処理を施した後、 500Ｏe の磁場を
薄帯の幅方向に印加しながら、キュリー温度以下の温度
で 1時間の熱処理を行った。なお、実施例３、４、１０
においては歪取り熱処理を施さずに、 500Ｏeの磁場を
薄帯の幅方向に印加しながら 250℃で 1時間熱処理を行
った。その後、1MHz、0.1Tの鉄損を測定した。また、実
施例１と同様に、スイッチング電源に組み込んだときの
電源効率と動作時の磁心の温度上昇について評価した。
それらの結果を表１に併せて示す。
ル周速を 30m/sec〜50m/secの範囲で変化させ、他の条
件を以下のように固定して作製した。すなわち、ノズル
形状は 5mm×0.15mm、ロール材質はFe、急冷雰囲気は10
-4Torrの減圧雰囲気、射出圧は 0.01kg/cm2 、ノズルと
ロール間のギャップは0.15mmとした。このようにして得
た各Co基アモルファス合金薄帯の板厚は、それぞれ表１
に示した通りであった。また、これら各Co基アモルファ
ス合金薄帯を外径12mm×内径10mmに巻回して磁心とし、
これらに歪み取り熱処理を施した後、 500Ｏe の磁場を
薄帯の幅方向に印加しながら、キュリー温度以下の温度
で 1時間の熱処理を行った。なお、実施例３、４、１０
においては歪取り熱処理を施さずに、 500Ｏeの磁場を
薄帯の幅方向に印加しながら 250℃で 1時間熱処理を行
った。その後、1MHz、0.1Tの鉄損を測定した。また、実
施例１と同様に、スイッチング電源に組み込んだときの
電源効率と動作時の磁心の温度上昇について評価した。
それらの結果を表１に併せて示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】表１から明らかなように、各実施例による
メイントランスは電源の高効率化に有効であることが分
かる。なお、比較例２として、フェライトを用いたメイ
ントランスについても同様な評価を行ったが、効率低下
がみられた。
メイントランスは電源の高効率化に有効であることが分
かる。なお、比較例２として、フェライトを用いたメイ
ントランスについても同様な評価を行ったが、効率低下
がみられた。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
周波域（〜MHz 域）での鉄損の低減を図ったトランスを
安定して提供することが可能となる。よって、例えば電
源の高周波化への対応が可能となり、その工業的効果は
極めて大である。
周波域（〜MHz 域）での鉄損の低減を図ったトランスを
安定して提供することが可能となる。よって、例えば電
源の高周波化への対応が可能となり、その工業的効果は
極めて大である。
【００３２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 27/24
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式：（Co1-a Aa ）100-b X b （式中、A はFe、Mn、Ti、V 、Cr、Ni、Cu、Zr、Nb、M
o、Hf、Ta、W および白金族元素から選ばれる少なくと
も 1種の元素を、X はSi、B 、P およびC から選ばれる
少なくとも 1種の元素を示し、a は AがFeを含む場合に
は 0≦a ≦ 1、 AがFeを含まない場合には 0≦a ≦ 0.2
を、 bは10at% ≦b ≦35at% を満足する数を示す）で実
質的に表されるアモルファス合金からなり、かつ板厚が
10μm 以下の軟磁性合金薄帯の巻回体または積層体を具
備することを特徴とするトランス。 - 【請求項２】 請求項１記載のトランスにおいて、 前記アモルファス合金は、 一般式：（Co1-c Mc ）100-b X b （式中、 MはTi、V 、Cr、Fe、Mn、Ni、Cu、Zr、Nb、M
o、Hf、Ta、W および白金族元素から選ばれる少なくと
も 1種の元素を、X はSi、B 、P およびC から選ばれる
少なくとも 1種の元素を示し、c は 0≦c ≦ 0.5（ただ
し、 MとしてFe、Niを除く場合には 0≦c ≦ 0.2）を満
足する数を示す）で実質的に表されるCo基アモルファス
合金であることを特徴とするトランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3190515A JP2693059B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | トランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3190515A JP2693059B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | トランス |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62046900A Division JP2790277B2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 極薄アモルフアス合金の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163235A true JPH06163235A (ja) | 1994-06-10 |
| JP2693059B2 JP2693059B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=16259378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3190515A Expired - Lifetime JP2693059B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | トランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2693059B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5490541A (en) * | 1992-04-22 | 1996-02-13 | Toho Serofan Company Limited | Fibrous casing |
| JP2001338823A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | 磁性コアとその製造方法、およびそれを用いた磁性部品 |
| JP2006207029A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Sony Corp | 材料及びその用途 |
| CN106498310A (zh) * | 2016-10-11 | 2017-03-15 | 东南大学 | 一种低矫顽力低损耗钴基非晶软磁合金材料及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104109822B (zh) * | 2014-06-05 | 2017-01-04 | 同济大学 | 一种含Ni钴基非晶巨磁阻抗合金薄带及其制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57202709A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-11 | Hitachi Metals Ltd | Magnetic material and manufacture therefor |
| JPS59100508A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 巻鉄心の熱処理方法 |
| JPS60246604A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Hitachi Metals Ltd | 巻磁心 |
| JPS61288048A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-18 | Hitachi Metals Ltd | 低損失Ｆｅ基非晶質合金 |
| JPS61295602A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Hitachi Metals Ltd | コモンモ−ドチヨ−ク用アモルフアス磁心 |
| JPS61295601A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Hitachi Metals Ltd | コモンモ−ドチヨ−ク用アモルフアス磁心 |
| JPS6242501A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-24 | Hitachi Metals Ltd | 制御用巻磁心 |
| JPS62167840A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | 磁性材料とその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP3190515A patent/JP2693059B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57202709A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-11 | Hitachi Metals Ltd | Magnetic material and manufacture therefor |
| JPS59100508A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 巻鉄心の熱処理方法 |
| JPS60246604A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Hitachi Metals Ltd | 巻磁心 |
| JPS61288048A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-18 | Hitachi Metals Ltd | 低損失Ｆｅ基非晶質合金 |
| JPS61295602A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Hitachi Metals Ltd | コモンモ−ドチヨ−ク用アモルフアス磁心 |
| JPS61295601A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Hitachi Metals Ltd | コモンモ−ドチヨ−ク用アモルフアス磁心 |
| JPS6242501A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-24 | Hitachi Metals Ltd | 制御用巻磁心 |
| JPS62167840A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | 磁性材料とその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5490541A (en) * | 1992-04-22 | 1996-02-13 | Toho Serofan Company Limited | Fibrous casing |
| JP2001338823A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | 磁性コアとその製造方法、およびそれを用いた磁性部品 |
| JP2006207029A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Sony Corp | 材料及びその用途 |
| CN106498310A (zh) * | 2016-10-11 | 2017-03-15 | 东南大学 | 一种低矫顽力低损耗钴基非晶软磁合金材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2693059B2 (ja) | 1997-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5664934B2 (ja) | 軟磁性合金およびこれを用いた磁性部品 | |
| JP4210986B2 (ja) | 磁性合金ならびにそれを用いた磁性部品 | |
| JP2008196006A (ja) | Ｆｅ基ナノ結晶軟磁性合金、アモルファス合金薄帯およびＦｅ基ナノ結晶軟磁性合金の製造方法並びに磁性部品 | |
| JP2007270271A (ja) | 軟磁性合金、その製造方法ならびに磁性部品 | |
| JP2008231534A5 (ja) | ||
| JP2000328206A (ja) | 軟磁性合金薄帯ならびにそれを用いた磁心、装置およびその製造方法 | |
| JP2693059B2 (ja) | トランス | |
| JP2848667B2 (ja) | 極薄軟磁性合金薄帯の製造方法 | |
| JP2000119825A (ja) | Ｆｅ基アモルファス合金薄帯およびそれを用いたＦｅ基ナノ結晶軟磁性合金薄帯ならびに磁心 | |
| JP4310738B2 (ja) | 軟磁性合金並びに磁性部品 | |
| JPH02183508A (ja) | 低損失磁心 | |
| JPH08153614A (ja) | 磁 心 | |
| JP2790277B2 (ja) | 極薄アモルフアス合金の製造方法 | |
| JP3374981B2 (ja) | 短パルス特性に優れたナノ結晶軟磁性合金および磁心 | |
| JPH1046301A (ja) | Ｆｅ基磁性合金薄帯ならびに磁心 | |
| JP3233289B2 (ja) | 超微結晶合金薄帯及び粉末並びにこれを用いた磁心 | |
| JP2719978B2 (ja) | 高周波磁心用非晶質合金 | |
| JP2945122B2 (ja) | Ｆｅ基軟磁性合金およびその製造方法 | |
| JP3638291B2 (ja) | 低損失磁心 | |
| JPH0319207A (ja) | 高透磁率、低鉄損の小型矩形状巻磁心 | |
| JP2561573B2 (ja) | 非晶質薄帯可飽和磁心 | |
| KR0140788B1 (ko) | 극박형 철계 초미세 결정 합금 및 극박형 박대의 제조 방법 | |
| JP3032260B2 (ja) | Ｆｅ基軟磁性合金およびその製造方法 | |
| JP2815926B2 (ja) | 磁性コア | |
| KR19980069026A (ko) | 극박형 Fe-Al계 연자성 합금 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970729 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |