JPS6379075A - 導通検査装置 - Google Patents

導通検査装置

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JPS6379075A
JPS6379075A JP61224027A JP22402786A JPS6379075A JP S6379075 A JPS6379075 A JP S6379075A JP 61224027 A JP61224027 A JP 61224027A JP 22402786 A JP22402786 A JP 22402786A JP S6379075 A JPS6379075 A JP S6379075A
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JP
Japan
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circuit
land
value
probe
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Application number
JP61224027A
Other languages
English (en)
Inventor
Sueyoshi Fukazawa
深澤 季喜
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NSK Ltd
Original Assignee
NSK Ltd
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Publication date
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  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、例えば高密度化されたプリント配線板の配
線異常を検査する導通検査装置に関する。
〔従来の技術] 一般に、プリント配線板は、パターンの高密度化によっ
てパターン線幅が狭くなると共に、線間の間隔もますま
す狭くなってきており、しかもパターン層を何層にも重
ねた多層基板も多くなってきている。
このようなプリント配線板においては、電子部品等を実
装する前に、配線パターンの検査を行い不良基板への電
子部品等の実装を避ける必要があり、特に、多層基板で
は、不良を発見出来ずに積層すると、全体が不良となる
ので、これを廃棄処分としなければならず、歩留まりの
低下につながると共に、生産コストの増大を招く。しか
も、高密度化されたプリント配線板は、コストが高いの
で、検査によって不良個所が発見された場合には、その
不良状態が修正可能であるときに、これを修正してコス
トの低減を図ることが望まれている。
このため、従来、プリント配線板上に形成された銅箔等
の配線パターンの断線或いは短絡を検査する場合に光学
的検査方式、容量測定方式等が採用されている。
ここで、光学的検査方式は、プリント配線板上に光線を
照射し、その反射光又は透過光を読み取って配線パター
ンに断線或いは短絡等の不良が生じているか否かを検査
ものであり、実際の導通状態を測定するものではなく、
分解能の点で細かな破断或いは短絡を検出することがで
きないと共に、プリント配線板の表面にレジストが塗ら
れていたり付着物があるときには正確な検査を行うこと
ができない問題点がある。
また、容量測定方式は、上下パターンの容量を計測する
ようにしており、断線、短絡等の不良個所を特定するこ
とができず、不良個所の特定には、人が視覚によって行
わなければならず、高密度化されたプリント配線板にあ
っては視覚による不良個所の特定が困難である問題点が
あった。
これらの問題点を解決するために、従来、多ビン式の導
通検査方式が提案されている。この導通検査方式は、例
えば特開昭47−21082号公報に開示されているよ
うに、プリント配線板のソケットピンにアダプタを介し
て第1及び第2の測定点選択部を接続し、これら測定点
選択部で選択した2つの測定点間の導通抵抗を抵抗判定
回路で測定すると共に、これを基準値と比較判定し、各
測定点選択部及び抵抗判定回路をコントローラ部で制御
すると共に、抵抗判定回路からの情報を解析することに
より、測定点間の導通を自動的に検査するように構成さ
れている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上記多ピン式の導通検査方式にあっては
、プリント配線板のソケットピンと測定点選択部との間
の接触状態を検出する機能を備えていないために、ソケ
ットピンと測定点選択部との間に接触不良が生じたとき
には、被検査パターンの導通状態を検査する場合に被検
査パターンが正常であるにもかかわらず不良であると誤
判断したり、被検査パターンの抵抗を検査する場合に接
触抵抗が変化して抵抗値を正確に検出することができず
、被検査パターンの導通或いは抵抗を高精度で検査する
ことができないという問題点があった。
そこで、この発明は、上記従来例の問題点に着目してな
されたものであり、各測定子と被検査パターンとの接触
状態を判断してから被検査パターンの導通又は抵抗値測
定を行うことにより、それらの検査精度を格段に向上さ
せることが可能な導通検査装置を提供することを目的と
している。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、この発明は、第1及び第2
の測定子を有し、各測定子を被検査パターンに接触させ
て両測定子間の導通又は抵抗を測定する導通検査装置に
おいて、前記各々の測定子は互いに近接し且つ絶縁され
た2つの接触子を有し、当該各々の測定子の各接触子の
間の接触状態を検出する接触検出手段と、該接触検出手
段の検出値に応じて前記各々の接触子が被検査パターン
に接触しているか否かを判定する接触状態判定手段とを
備えたことを特徴としている。ここで、接触検出手段は
、接触子間に通電して電流が流れるか否かを検出する場
合の外、各接触子に抵抗を介して電源を接続し、その抵
抗の端子間電圧を検出したり、接触子間の通電電流値を
検出する場合も含むものである。
〔作用〕
この発明においては、第1及び第2の測定子を、互いに
近接し且つ絶縁した2つの接触子で構成し、これらの間
の接触状態を接触検出手段で検出する。
すなわち、各測定子が被検査パターンに接触していない
状態では、接触子間が絶縁されおり、これらが被検査パ
ターンに接触すると、被検査パターンによって接触子間
が導通状態となり、この導通状態を検出することにより
、各測定子の接触子と被検査パターンとの接触状態を判
断することができる。特に、接触子間に所定抵抗値の抵
抗を介して定電圧を印加し、その抵抗の端子間電圧を検
出するようにすると、接触子と被検査パターンとの接触
状態をより正確に判断することができる。
したがって、接触検出手段の検出値を導通判定手段に供
給し、この導通判定手段で各測定子の接触状態を判断し
、その判断結果が各測定子と被検査パターンとが正常に
接触しているものであるときに、各測定子間の導通検査
又は抵抗測定を行うことにより、それらの検出を高精度
で行うことができる。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図乃至第4図はこの発明の一実施例を示す図である
第1図において、1はテーブルTに載置された測定対象
としてのプリント配線板、2a及び2bはそれぞれ第1
及び第2の測定ヘッド3a及び3bを保持してこれをX
Y方向に移動させる移動機構である。
各移動機構2a、2bは、それぞれプリント配線板1の
側縁に沿うX方向に案内される台車4を有し、これら台
車4間にコ字状枠5が橋架されてX軸方向移動部6a、
6bが形成され、このX軸方向移動部6a、6bのコ字
状枠5にY軸方向に移動可能な測定ヘッド3a、3bが
配設され、この測定ヘッド3a、3bにそれぞれZ軸方
向(図において上下方向)に移動可能される第1及び第
2の測定子としてのプローブピン7a、7bが保持され
ている。
そして、移動部6a、6bがパルスモータ、直流モータ
等の駆動機構8a、3bによって、測定へラド3a、3
bがそれぞれパルスモータ、直流モータ等の回転駆動部
とこれに連結され且つ測定ヘッド3a、3bに螺合する
ボールネジとで構成される駆動機構9a、9bによって
、プローブピン7a、7bが電磁石等の駆動機構10a
、10bによってそれぞれ駆動され、これら駆動機構8
a、8b〜10a、10bが第3図に示す制御装置11
によって駆動制御される。
各プローブピン7a及び7bは、それぞれ第2図に示す
如く、導電性材によって円柱状に形成され、その下端部
に円錐部12が形成され、その中央部に絶縁体13を介
在させることにより左右半部をそれぞれ互いに絶縁され
て独立した接触子14L14rとしている。
そして、各プローブピン?a、7bの接触子141.1
4rがそれぞれ切換スイッチSW、〜SW4を介して測
定回路15及び接触検出手段としての接触検出回路16
に選択的に接続されている。
制御装置11は、インタフェース回路、演算処理装置及
び記憶装置を少な(とも備えたマイクロコンピュータで
構成され、そのデータ入力側に測定回路15からの測定
値及び接触検出回路16の検出値が入力されると共に、
出力側に各駆動機構8a、8b、9a、9b及び10a
、10b、切換スイッチ5WI−8W4の切換制御部1
7及び後述するマルチプレクサ26が接続され、さらに
必要に応じてプリンタ或いはCRTディスプレイ等の出
力装置が接続されている。そして、制御装置11は、接
触検出回路16からの検出値と予め設定した正常接触状
態の電圧値とを比較し、両者が略一致するときに正常状
態と、両者が不一致であるときに接触不良とそれぞれ判
定し、その判定結果が正常状態であるときには、切換制
御部17に例えば論理値“1゛の制御信号を出力してこ
の切換制御部17によって切換スイッチSW、−5W4
を測定回路15側に切換えると共に、後述する導通検査
処理を実行し、判定結果が接触不良であるときには、該
当する駆動機構10a、10bを再度駆動してプローブ
ピン7a及び/又は7bを再接触させ、この再接触を数
回繰り返しても不良であるときには、測定不能と判断し
て、その結果を記憶装置に記憶すると共に、プローブピ
ン7a、7bを他の測定点に移動させる。
導通検査処理は、測定回路15からの測定値と予め設定
された測定点間の基準値とを比較して測定点間に断線、
短絡等の不良個所が存在するか否かを判定し、不良個所
が存在する場合には、何れか一方のプローブピン7a又
は7bをプリント配線板1の配線パターンlaに沿って
隣接するランドLまで移動するように駆動機構8a、8
b、9a、9b及び10a、]、Obに移動指令を出力
し、測定回路15の電圧計22からの測定値Vを定電流
電源21の定電流値I、で除して抵抗値Rを算出し、こ
の抵抗値Rの最小値又は最大値となる測定点を短絡、断
線等の近傍点として判断し、その座標情報を記憶装置の
座標情報記憶領域に記憶する。
測定回路15は、第4図に示すように、各プローブビン
7a、7bの一方の接触子141が両端に接続される定
電流電源21と、プローブビン7a、7bの他方の接触
子14rが両端に接続される電圧検出手段としての電圧
計22とを備えている。そして、定電流電源21からの
電流値I。
(例えば0.1A程度)に比較して電圧計22に流れる
電流値Ivを例えば0.02μ八程度に極めて少なくす
ることにより(Iv<Il)、プローブビン7a、7b
の各接触子14A及び14r自体の抵抗及びランドの穴
と接触子との接触抵抗をそれぞれrI+  rZ及びr
3+r4、銅箔の線路抵抗をRoとしたとき、銅箔の電
流値Iは1=IIとなり、このため、電圧計22に流れ
る電流値I、は■、=0となる。したがって、電圧計2
2の端子間電圧Eは、銅箔にかかる電圧をEoとすると
、E= E o + I v  (r 3+ r 4)
 =Eo となり、各プローブビン?a、7bの接触抵
抗及び線路抵抗は、無視することが可能となり、配線パ
ターン1aの微小抵抗値(銅箔の幅を0.4龍、厚さを
20μ、長さを10mmとしたとき20mΩ程度)に正
確に対応した測定電圧■を電圧計22から制御装置11
に出力する。
接触検出回路16は、例えば12Vの所定電圧を出力す
る直流電源25と、その正極側及び各プローブビン7a
、7bの接触子14rとの間に介挿した接触抵抗r、−
’−’r4及び線路抵抗R0に比較して血かに大きい抵
抗値の抵抗R+、Rzと、直流電源25の負極側及び各
プローブビン7a、7bの接触子141との間に介挿し
た上記抵抗R1゜R2と同抵抗値の抵抗R3,R,とを
有し、抵抗R3、R4の端子間電圧Va、Vbが制御装
置11によって制御されるアナログマルチプレクサ26
及びA/D変換器27を介して制御装置11の入力側に
供給される。
次に、上記実施例の動作を制御装置11の処理手順を示
す第6図を伴って説明する。
今、プリント配線板1上に第5図に示すようなランドL
A−wLt間及びランドL、−L1間にそれぞれ銅箔に
よる配線パターン1a1.latが正常時非導通状態と
なるように形成されているものとし、例えば多ビン式導
通検査装置で検査した結果、ランドLA及びり、間で短
絡状態が発見されたものとし、且つ配線パターン1a+
、lazによって接続される各ランドLA−LE及びL
F〜L1の位置座標と、ランドLA及びLF間が非短絡
状態である旨とがそれぞれ制御装置11の記憶装置に予
め記憶されているものとする。ここで、記憶装置への各
ランドLA、−L、及びり、−L。
の位置座標の記憶は、プリント配線板1を作成する際に
使用したCADシステムのデータを記憶するか、或いは
プリント配線板1のランドの穴位置を穴位置読取装置で
読み取り、これを記憶させるようにしてもよい。
まず、外部から検査指令を制御装置11に入力すること
により、この制御装置11で第6図に示す接触状態判定
処理が実行される。
すなわち、ステップ■で、スイッチ制御部14aに論理
値“0”の制御信号を出力して切換スイッチSW1〜S
W4を接触検出回路16側に切換え、次いでステップ■
に移行して、移動機構2a。
2bに対して移動指令を出力して、プローブビン7a、
7bをそれぞれ上昇させた状態で、これらを測定開始点
となるランド例えばLA、L、上に移動させる。次いで
、ステップ■に移行して、駆動機構lOを駆動してプロ
ーブビン7a、7bを下降させてランドLA、LFに設
けられた穴に挿入し、それらの接触子14m!、14r
をランドLA+LF位置の銅箔に接触させる。
次いで、ステップ■に移行して、マルチプレクサ26で
端子間電圧Vaを選択し、これを読み込み、次いでステ
ップ■に移行して端子間電圧Vaと接触子141.14
rがランドLに正常に接触している状態の抵抗R3,R
,の端子間電圧即ち直流電源25の電圧をEとすると%
Eで表される所定設定値■sと等しいか否かを判定する
。その判定結果がVa=Vsであるときには、プローブ
ビン7aの各接触子14L  14rがランドLに正常
に接触しているものと判断してステップ■aに移行して
後述する不一致カウンタをクリアしてからステップ■に
移行する。ここでの導通検査が非導通状態が正常である
配線パターンの短絡個所の探索であるので、接触検出回
路16の等価回路は、第7図に示すように、直流電源2
5に抵抗RI及びR2の並列回路と抵抗R,を及びR4
の並列回路とが直列関係に接続されていることになり、
各プローブビン7a及び7bの接触子141,14rが
ランドLに正常に接触している状態では、接触抵抗r、
〜r4及び線路抵抗R0を無視すると、等価回路の合成
抵抗(1fi Rtは各抵抗RI”’ Raの抵抗値を
Rとすると、RT=Rとなり、各抵抗R1及びR1の端
子間電圧Va及びvbは共に%Eとなる。
ステップ■では、マルチプレクサ26を制御して端子間
電圧vbを読込み、次いでステップ■に移行して、前記
ステップ■と同様に、端子間電圧vbが所定設定値Vs
と等しいか否かを判定し、その判定結果がVb =Vs
であるときには、プローブピン7bの各接触子L41,
14rがランドLに正常に接触しているものと判断して
ステップ■に移行する。
このステップ■では、スイッチ切換制御部14aに論理
値“1”の制御信号を出力して、切換スイッチSW、〜
SW、を測定回路15側に切換え、次いでステップ■に
移行して、導通測定処理を実行する。
一方、第7図の等価回路において、各プローブビン7a
及び7bの各接触子14j2,14bの双方又は何れか
一方同士が接触不良となって、直流電源25からの電流
が遮断される状態では、Va=vb=oとなり、プロー
ブビン?a(又は7b)の接触子14rが接触不良であ
るときには、抵抗R1(又はRz)が介挿されていない
状態となってVa =Vb =E/3となり、プローブ
ビン?a(又は7b)の接触子141が接触不良である
ときには、抵抗R3(又はR4)が介挿されていない状
態となってVa−0,Vb =2E/3(又はVa =
2E/3.Vb =O)となって、ステップ■の判定結
果がVa ≠Vs及びvb≠Vsとなるときには、ステ
ップ0に移行して、不一致回数カウンタを1”だけイン
クリメントし、次いでステップ0に移行して、不一致回
数カウンタのカウント値Cが所定値N(例えば3)に達
したか否かを判定する。その判定結果がCf=Nである
ときには、ステップ@に移行して駆動機構10aを非作
動状態としてから前記ステップ■に戻り、C=Nである
ときには、ステップ0に移行して接触不良であるか又は
ランドの穴に導電性部が形成されていない旨を記憶装置
に記憶し、且つステップ@aで不一致カウンタをクリア
してからステップ■に戻り、プルーブピン7a及び/又
は7bを次の測定点に移動させる。
同様に、ステップ■の判定結果が、vb≠Vsであると
きには、上記ステップ@1〜0に対応するステップ″■
〜Oに移行し、ステップ[相]の次に駆動機構lObを
再起動するステップ[相]に移行してからステップ■に
戻る。ここで、ステップ■〜■及び[相]〜[相]の処
理が接触状態判定手段に対応している。
このようにして、各プローブビン7a及び7bとランド
Lとの接触状態が良好であるとき即ち■a=Vsで且つ
Vb=Vsであるときに、初めてステップ■の導通測定
処理に移行する。
また、導通検査が導通状態が正常であるランド間が非導
通状態となる検査である場合には、その等価回路は第8
図に示すように、抵抗R1及びR3の直列回路と抵抗R
2及び抵抗R1の直列回路とが直流電源25に並列関係
に介挿されたことになるので、各プローブビン7a及び
7bの各接触子141及び14rが正常にランドに接触
している状態では、上記短絡状態と同様に、各抵抗R3
及びR4の端子間電圧Va及びvbは共に’A Eとな
り、ステップ■〜ステップ■を経てステップ■に移行し
て導通測定処理を実行するが、少なくとも各プローブビ
ン7a及び7bの何れか一方の接触子141及び14r
の何れか一方が接触不良状態となると、それに接続され
ている抵抗の直列回路が非導通状態となるので、Va 
=O,Vb =’AE又はVa =V2E、Vb =O
とな’)、ステラ7’ @からステップ[相]〜ステッ
プ@に移行して接触不良処理を行うか又はステップ■か
らステップ■〜ステップ[相]に移行して接触不良処理
を行う。
導通測定処理は、図示しないが、まず測定回路15の定
電流電源21から定電流11がプローブビン7a、7b
の接触子14I!を通じて配線パターン1a+1azに
供給される。このとき、配線パターン1al+1az間
が非導通状態であって抵抗値が無限大である筈であるの
に短絡状態となっているので、短絡位置を含む配線パタ
ーンの長さに応じた電圧値VAFが測定回路15の電圧
計22で検出される。
次いで、測定開始点での基準値即ち非導通状態であると
きには無限大に近い比較的大きな抵抗値R3Iをセット
し、導通状態であるときには配線パターンの長さに応じ
た比較的小さな抵抗値R1+2を七ソ]・する。このと
き、測定対象となる配線パターン1”++1azが非導
通状態である筈であるときには、基準値として抵抗値R
5Iがセットされる。
次いで、測定回路15の電圧計22の測定電圧VAFを
読込み、この測定電圧Vatを予め設定された定電流電
源21からの定電流値11で除してランドL^及びLr
間の配線パターンの抵抗値R(””RAF)を算出する
次いで、基準値として抵抗値R31がセットされている
か否かによって短絡個所を探索するか断線個所を探索す
るかを判断し、基準値として抵抗値R1l+がセントさ
れているので、短絡個所を探索するものと判断する。
次いで、算出した抵抗値R(”RAF)が基準抵抗値R
s+以上であるか否かを判定する。この判定は、プロー
ブビン?a、7bが接触しているランドLA、LP間が
正常であるか否かを判定するものであり、この場合、ラ
ンドLa、Lr間が短絡状態であるので、抵抗値RAF
が基準抵抗値R31未満となり、この抵抗値RAFを最
小値Rminとして最小値記憶領域に記憶し、且つその
ときのランドLAの座標位置を記憶装置に形成された第
1の座標位置記憶領域に記憶し、次いで切換スイッチS
W、〜SW4を中立状態として、測定ヘッド3 a +
3bの移動に先立って必要に応じて測定ヘッド3a、3
bが衝突か否かの検査等を行ってから前記ステップ■に
戻る。これにより、移動機構2aに対してプローブビン
7aを隣接する次のランドL8に移動させ、ステップ■
〜[相]の接触不良検出処理を行ってから再度導通測定
処理を行い、電圧計22の測定電圧■を読込み、これに
基づいて抵抗値Rを算出し、その後、上記と同様の動作
が繰り返され、測定回路15で、プローブビン7a、7
bが接触しているランドし、及びり、間の電圧値VII
Fが測定され、これが制御装置1工に読み込まれて、抵
抗値R8Fが算出される。
このとき、第5図の例ではランドLイとしわの近くが短
絡しているので今回の測定抵抗値RBFは、前回の測定
抵抗値RAFに比較してランドLA及びし6間の抵抗値
を差し引いた分小さな値となるので、今回の測定抵抗値
PIFが最小値Rmin+として′最小値記憶領域に更
新記憶され、且つ座標位置記憶領域にランドLBの座標
情報が更新記憶される。
このようにして、順次プローブビン7aをランドLc”
”Ltに移動させながら、抵抗値を測定して行き、抵抗
値が最小となるランドを検索する。
この場合、第5図に示すように、配線パターン1a++
1a2のランドLn  Lr間のランドLD寄り位置P
、とt、H−Lr間のランドL0寄り位置P2との間で
短絡Psが生じているので、ランドLD及びランドし2
間の抵抗値R□が最小値R51nとなり、これが最小値
記憶領域に更新記憶され、且つランドLDの座標情報が
第1の座標情報記憶領域に更新記憶される。
この状態で、次のランドL、の抵抗値REFを算出した
ときに、この抵抗値REFは前回の抵抗値RDFより大
きな値となるので、移動機構2aに対してプローブビン
7aを座標位置記憶領域に記憶されている座標情報即ち
ランドLD位置社戻す移動指令を出力し、プローブビン
7aがランドLDに接触する状態となったら、他方のプ
ローブビン7bを隣接する次のランドL、に移動させる
移動指令を移動機構2bに対して出力し、その移動が完
了すると、測定回路15からのランドL。とランドLG
の測定値■l1lGを読込んで抵抗値RDGを算出し、
次いで、最小値記憶領域に記憶されている最小値Rmi
n  (=R□)未満であるか否かを判定する。このと
き、抵抗値RUGがR8F未満となるので、抵抗値RD
Gを最小値Rminとして最小値記憶領域に更新記憶す
ると共に、そのときのランドt、eの座標情報を記憶装
置に形成された第2の座標情報記憶領域に記憶する。そ
して、上記処理を繰り返して、プローブビン7bについ
ての最小抵抗値を示すランドLHを探索し、その抵抗値
RD)1が最小値記憶領域、に記憶され、且つランドL
llの座標情報を第2の座標情報記憶領域に記憶し、次
いで、ランドL、について抵抗値RDIを算出すると、
このときの抵抗値RDIは前回の最小値Rmin(= 
Rゎ−より大きな値となるので、第1及び第2の座標情
報記憶領域に記憶されている座標情報をそれぞれ記憶装
置に形成された不良個所座標情報記憶領域に記憶してか
ら検査を継続するか否かを判定し、検査を継続する場合
には、基準値R3Iをリセットすると共に、第1〜第4
の座標情報記憶領域及び最小値記憶領域をクリアしてか
らステップ■に戻り、検査を終了する場合には不良個所
座標情報記憶領域に記憶されている座標情報即ち上側の
場合にはランドt、DI  Lllの座標情報を読出し
、これをプリンタ又はCRTディスプレイでなる出力装
置に出力することにより、短絡状態を生じている不良個
所を特定することができる。
また、被検査対象となるプリント配線板1上の配線パタ
ーン1allla2のランドLEとランド上3間がパタ
ーンP、で導通するように接続されていなければならな
いパターンであるにもががわらず、ランドLA、LF間
が非導通状態であるときには、基準抵抗値R32がセッ
トされるので、算出した抵抗値R(=RAy)が基準抵
抗値R32以下であるか否かを判定する。この判定は、
ランドLA、LP間が正常状態であるが否かを判定する
ものであり、この状態では、ランドLA、LF間に断線
が生じているので、抵抗値RAFは無限大となり、基準
抵抗値R1より大きくなるので、プローブビン7a、7
bの何れか一方例えば7aを固定したままで、プローブ
ビン7bをランドL!+に移動させてから測定回路15
の測定値■を読込んで抵抗値Rを算出し、次いで抵抗値
Rが基準値R32を越えているか否かを判定し、R5R
3,であるときには、そのときのランドLmの座標情報
を記憶装置に形成した第3の座標情報記憶領域に記憶す
る。
次いで、プローブビン7bを隣接する次のランドLCに
移動させてから上記と同様の処理を繰り返す。
そして、プローブビン7aをランドLAに固定したまま
、プローブビン7bを順次ランドL、。
L、、L、、L、と移動させて行き、これらランドとラ
ンドLAとの間の抵抗値を順次測定して行く。この場合
に、ランドLMまでは、プローブビン7bがランドLA
から雌れる毎に、配線パターンla+の抵抗値が増加す
るが、その抵抗値RAC〜RAEは基準値Ro11より
大きくなることはなく、第3の座標情報記憶領域に順次
ランドLc”=Ltの座標情報が更新されて行く。その
後、プローブビン7bがランドL、からランドL+に移
動した時点で、パターンP、は中央部P、に断線がある
ので抵抗値R□が無限大となり、そのときのランドLl
の座標情報を記憶装置に形成した第4の座標情報記憶領
域に記憶し、第3及び第4の座標情報記憶領域に記憶さ
れている座標情報をそれぞれ前記不良座標情報記憶領域
に格納し、次いで検査を終了するか否かを判定する。
そして、該当する測定ネットについて不良個所を1個所
発見したら測定を終了し、このネットについての補修を
終了した後、再度導通検査を行って確認することにより
、労力をかけることなく、不良品の補修を行うことがで
きる。
なお、上記実施例においては、接触検出回路16が1つ
の直流電源25を有する場合について説明したが、第9
図に示すように、各プローブビン7a及び7bに対して
個別に直流電源25a、25bを設けて、それらの接触
子141及び14rの接触状態を検出するようにしても
よく、また各接触子141及び14rに電流源を接続し
、その電流値を検出することにより、両者の導通状態を
判定し、接触不良の有無を判定するようにしてもよい。
また、上記実施例では、接触不良を検出したときに、プ
ローブビン7a、7bを再接触させる場合について説明
したが、これに限定されるものではなく、接触不良を検
出したときに1.警轢を発するようにしてもよい。
さらに、導通検査を4端子法で行う場合について説明し
たが、これに限定されるものではなく、通常の2端子法
で検査を行う場合にも、その導通検査に先立ち各プロー
ブビン7a、  フbの接触状態を検出することができ
る。
またさらに、導通検査に限らず配線パターンの抵抗値を
測定子を用いて測定する場合にもこの発明を適用し得る
ことは勿論である。
また、上記実施例においては、多ビン式HLi11検査
装置によって、予め導通検査を行い、その結果不良ネッ
トが存在するときにこの発明による導通検査装置を適用
する場合について説明したが、これに限定されるもので
はなく、最初からこの発明による導通検査装置を使用し
て、予め設定された所定のランド間の抵抗値を測定し、
その測定抵抗値が予め設定された基準値R@ l r 
 RM !と比較して両者が正常であるか否かを判定し
、不良状態であるときにプローブビン7a、7bの何れ
かを順次隣接するランドに移動させてランド間の抵抗値
を測定して不良個所に隣接するランドの座標情報を記憶
装置の不良個所記憶領域に記憶するようにしてもよいこ
と勿論である。
さらに、上記実施例においては、駆動機構9a。
9bとしてボールネジを適用した場合について説明した
が、これに限らず回転駆動部と測定ヘッド3a、3bに
取付けたプーリとの間に張設されたタイミングベルト又
はワイヤとで構成するようにしてもよい。
またさらに、上記実施例においては、プローブビン7a
、7bが第2図に示すように構成されている場合につい
て説明したが、9これに限らず、第10図に示すように
、絶縁材で形成した円柱体30の外周面に導電性を存す
る金属31を鍍金し、その鍍金層を中心軸を通る対称位
置で除去して絶縁部32を形成することにより、互いに
絶縁された接触子141.14rを形成するようにして
もよく、さらに、各接触子141.14rを円環状の絶
縁材の内周面に所定間隙を保って保持するようにしても
よい、ここで、各接触子141.14rを円環状の絶縁
材に保持させる場合には、両接触子の長さを比較的長め
に選定し、その弾性を利用することにより、ランド以外
の平面的な配線バクーンに所定圧力で当接させて4通検
査又は抵抗測定を行うことができる。
また、本実施例では、プリント配線板1の上面側に2つ
のヘッド3a、3bを配置するようにした場合について
説明したが基板を挾んで上下に1つづつヘッドを設けて
も良い。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば、第1及び第2
の測定子を有し、各測定子を被検査パターンに接触させ
て両測定子間の導通又は抵抗を測定する導通検査装置に
おいて、前記各々の測定子は互いに近接し且つwA縁さ
れた2つの接触子を有し、当該各々の測定子の各接触子
の間の接触状態を検出する接触検出手段と、該接触検出
−手段の検出結果に応じて前記各々の接触子が被検査パ
ターンに接触しているか否かを判定する接触状態判定手
段とを備えた構成としたので、各測定子が正常状態で被
検査パターンに接触したことを確認した後に、正規の導
ii1検査又は抵抗値測定を行うことができ、各測定子
における各接触子の接触不良による導通検査又は抵抗値
測定における誤検出を確実に防止することができ、検査
装置の検査精度を格段に向上させて信鯨性を向上させる
ことができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す斜視図、第2図はこ
の発明に適用し得る測定子の一例を示す拡大断面図、第
3図はこの発明に適用し得る制御装置の一例を示すブロ
ック図、第4図はこの発明に適用し得る測定回路の一例
を示す回路図、第5図はプリント配線板の配線パターン
の一例を示す平面図、第6図はこの発明に適用し得る制
御装置の処理手順の一例を示すフローチャート、第7図
及び第8図はそれぞれ配線パターンが導通状態及び非導
通状態における接触検出回路の等価回路を示す回路図、
第9図は接触検出回路16の他の実施例を示す回路図、
第10図はこの発明に適用し得る測定子の他の実施例を
示す断面図である。 図中、1はプリント配線板、1a+、la2は配線パタ
ーン、2a、2bは移動機構、3a、3bは測定ヘッド
、7a、7bはプローブビン(測定子)、11は制御装
置、141,14rは接触子、15は測定回路、16は
接触検出回路、25は直流電源、26はアナログマルチ
プレクサ、27はA/D変換器、L、〜L1はランドで
ある。 第 1 図 第2図 第4図 RO 第5図 1フ゛リント白C+糸掌本ワ 第6図 第7図 づ5 第8図 3゜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  第1及び第2の測定子を有し、各測定子を被検査パタ
    ーンに接触させて両測定子間の導通又は抵抗を測定する
    導通検査装置において、前記各々の測定子は互いに近接
    し且つ絶縁された2つの接触子を有し、当該各々の測定
    子の各接触子の間の接触状態を検出する接触検出手段と
    、該接触検出手段の検出値に応じて前記各々の接触子が
    被検査パターンに接触しているか否かを判定する接触状
    態判定手段とを備えたことを特徴とする導通検査装置。
JP61224027A 1986-09-22 1986-09-22 導通検査装置 Pending JPS6379075A (ja)

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