JPS63290256A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS63290256A JPS63290256A JP12420787A JP12420787A JPS63290256A JP S63290256 A JPS63290256 A JP S63290256A JP 12420787 A JP12420787 A JP 12420787A JP 12420787 A JP12420787 A JP 12420787A JP S63290256 A JPS63290256 A JP S63290256A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- thin film
- partial pressure
- substrate
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、反応性スパッタリング法を用いた薄11漠の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
従来の技術
放電ガス中に反応性ガスを混入させる反応性スパッタリ
ング法によシ金属酸化物を形成させたり、さらに反応性
ガスの分圧を制御することにより化合物の組成比を適当
に制御して好ましい物性を引き出す方法が一般に行なわ
れている。
ング法によシ金属酸化物を形成させたり、さらに反応性
ガスの分圧を制御することにより化合物の組成比を適当
に制御して好ましい物性を引き出す方法が一般に行なわ
れている。
以下第3図を参照しながら上述した方法による薄膜の製
造方法について説明する。第3図は反応性スパッタリン
グ装置の断面図である。図において、15は内部が排気
可能なチャンバー、16はチャンバー15内に配置され
薄膜が形成される基板、17は基板16を保持し、かつ
自転ないしは公転させる基板ホルダ、18は基板16と
対向して配置された金属ターゲット、19はターゲット
18を保持するバッキングプレートである。また20は
Arガス、21は02ガス、22.23はガス流量を一
定に保つパルプ、24は基板16へのターゲット18か
らのスパッタ粒子の飛着を制御するシャッタである。
造方法について説明する。第3図は反応性スパッタリン
グ装置の断面図である。図において、15は内部が排気
可能なチャンバー、16はチャンバー15内に配置され
薄膜が形成される基板、17は基板16を保持し、かつ
自転ないしは公転させる基板ホルダ、18は基板16と
対向して配置された金属ターゲット、19はターゲット
18を保持するバッキングプレートである。また20は
Arガス、21は02ガス、22.23はガス流量を一
定に保つパルプ、24は基板16へのターゲット18か
らのスパッタ粒子の飛着を制御するシャッタである。
次に上記装置の動作を説明する。まず陰極となるターゲ
ット18及びバッキングプレート19に高電圧を印加さ
せ、グロー放【Eを発生させる。この際、ターゲット1
8表面ではアルゴンイオンあるいは酸素イオンによる表
面原子層のスノくツタリングによる除去とターゲット原
子の酸化反応による表面酸化物層の成長が競合する。こ
のとき相対的に酸化反応がスパッタリングより優勢なと
きには、ターゲット18表面が酸化物層でおおわれる割
合が大きいが、逆にスパッタリングの方が酸化反応より
優勢なときには、ターゲット18表面は金属状態のま゛
まである。すなわち、0□ガスの分圧を変化させ酸化速
度を制御することにより、スパッタリングで基板16上
に形成される薄膜を、はぼ酸化物に近い状態から金属に
近い状態まで変化させることが可能となる。また酸素分
圧を適当に制御することによりITO(スズをドープし
た酸化インジウム: Indium Tin 0xid
e)膜の比抵抗及び光学特性を透明電導膜として適した
ものにすることができる。
ット18及びバッキングプレート19に高電圧を印加さ
せ、グロー放【Eを発生させる。この際、ターゲット1
8表面ではアルゴンイオンあるいは酸素イオンによる表
面原子層のスノくツタリングによる除去とターゲット原
子の酸化反応による表面酸化物層の成長が競合する。こ
のとき相対的に酸化反応がスパッタリングより優勢なと
きには、ターゲット18表面が酸化物層でおおわれる割
合が大きいが、逆にスパッタリングの方が酸化反応より
優勢なときには、ターゲット18表面は金属状態のま゛
まである。すなわち、0□ガスの分圧を変化させ酸化速
度を制御することにより、スパッタリングで基板16上
に形成される薄膜を、はぼ酸化物に近い状態から金属に
近い状態まで変化させることが可能となる。また酸素分
圧を適当に制御することによりITO(スズをドープし
た酸化インジウム: Indium Tin 0xid
e)膜の比抵抗及び光学特性を透明電導膜として適した
ものにすることができる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、Toのように酸化
しやすい金属をターゲット材料として用いた場合、Te
ターゲットが徐々に酸化し、その結果、薄膜の化学組成
および構成が変化する。この現象はターゲットとして焼
結ターゲットを用いた場合顕著である。
しやすい金属をターゲット材料として用いた場合、Te
ターゲットが徐々に酸化し、その結果、薄膜の化学組成
および構成が変化する。この現象はターゲットとして焼
結ターゲットを用いた場合顕著である。
一般にTeax(0<x<2)などの低酸化′+70薄
膜は、相変化を利用した光記録膜として用いられるが、
上記の酸化反応によりX値が高めに変化することにより
、記録感度が低下し光記録膜として適さなくなる。
膜は、相変化を利用した光記録膜として用いられるが、
上記の酸化反応によりX値が高めに変化することにより
、記録感度が低下し光記録膜として適さなくなる。
酸素分圧及び放電電力を一定にし酸化速度及びスパッタ
リング速度を一定にした場合に形成される薄膜の膜厚の
組成分析結果を第4図に示す。これはオージヱ分析を用
いたものである。図において25はToの組成比、26
は0の組成比、27は基板材料のCの組成比である。こ
の図に示されるように、基板との界面付近でO/T e
比すなわちI値が減少するという現象がみられた。これ
は、シャッタ24を開放して成膜を開始した隙に、ター
ゲット表面の酸化速度とスパッタリング速度のバランス
が一時的にくずれて、酸素が欠乏した膜が初期に形成さ
れ、その後、もとの状態に復帰したためか、あるいは、
基板表面が放電にさらされて形成された薄膜中の酸化物
が分解されたためなどの原因が考えられる。このように
、基板界面から約100人種度の厚さのところまで所定
の組成からのズレが生じた場合、光記録膜の反射率が1
〜3%程度変化し、これも光記録膜として適さなくなる
。
リング速度を一定にした場合に形成される薄膜の膜厚の
組成分析結果を第4図に示す。これはオージヱ分析を用
いたものである。図において25はToの組成比、26
は0の組成比、27は基板材料のCの組成比である。こ
の図に示されるように、基板との界面付近でO/T e
比すなわちI値が減少するという現象がみられた。これ
は、シャッタ24を開放して成膜を開始した隙に、ター
ゲット表面の酸化速度とスパッタリング速度のバランス
が一時的にくずれて、酸素が欠乏した膜が初期に形成さ
れ、その後、もとの状態に復帰したためか、あるいは、
基板表面が放電にさらされて形成された薄膜中の酸化物
が分解されたためなどの原因が考えられる。このように
、基板界面から約100人種度の厚さのところまで所定
の組成からのズレが生じた場合、光記録膜の反射率が1
〜3%程度変化し、これも光記録膜として適さなくなる
。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の薄膜製造方法は、
反応性ガスの分圧を上げて(ブリスパッタ)を行い、タ
ーゲット上に過剰に表面反応層をを形成させてから成膜
を開始するものである。
反応性ガスの分圧を上げて(ブリスパッタ)を行い、タ
ーゲット上に過剰に表面反応層をを形成させてから成膜
を開始するものである。
作 用
上記の方法により、反応ガスの分圧を上げてあらかじめ
ブリスパッタを行ない、ターゲット表面に過剰な反応物
を形成して成膜中の薄膜組成の変動を補償し形成薄膜の
組成を二定にする。
ブリスパッタを行ない、ターゲット表面に過剰な反応物
を形成して成膜中の薄膜組成の変動を補償し形成薄膜の
組成を二定にする。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。第1図は反応性スパッタリング装置の断面図である
。1は内部が排気可能なチャンバー、2はチャンバー1
内に配置され薄膜が形成される基板、3は基板2を保持
しかつ自転ないしは公転させるホルダ、4は基板2と対
向して配置された金属ターゲット、5はターゲット4を
保持するバンキングプレート、6はバッキングプレート
6を冷却する冷却水である。また7はArガス、8は0
2ガス、9,10はガス流量を制御するコントロールパ
ルプ、11は基板2へのターゲット4からのスパッタ粒
子の飛着を制御するシャッタである。
る。第1図は反応性スパッタリング装置の断面図である
。1は内部が排気可能なチャンバー、2はチャンバー1
内に配置され薄膜が形成される基板、3は基板2を保持
しかつ自転ないしは公転させるホルダ、4は基板2と対
向して配置された金属ターゲット、5はターゲット4を
保持するバンキングプレート、6はバッキングプレート
6を冷却する冷却水である。また7はArガス、8は0
2ガス、9,10はガス流量を制御するコントロールパ
ルプ、11は基板2へのターゲット4からのスパッタ粒
子の飛着を制御するシャッタである。
次に動作を説明する。まず、陰極となるターゲット4及
びバッキングプレート6に高電圧を印加し、グロー放電
を発生させる。このときターゲット4表面ではアルゴン
イオンあるいは酸素イオンによる表面原子層のスパッタ
リングによる除去とターゲット原子の酸化反応による狭
面酸化物層の成長が同時に起こる。この際、スパッタリ
ング速度及び酸化速度を変えることによシスノ・:ノタ
リングで形成される薄膜をほぼ酸化物に近い状態から金
属に近い状態まで変化させることが可能となる。
びバッキングプレート6に高電圧を印加し、グロー放電
を発生させる。このときターゲット4表面ではアルゴン
イオンあるいは酸素イオンによる表面原子層のスパッタ
リングによる除去とターゲット原子の酸化反応による狭
面酸化物層の成長が同時に起こる。この際、スパッタリ
ング速度及び酸化速度を変えることによシスノ・:ノタ
リングで形成される薄膜をほぼ酸化物に近い状態から金
属に近い状態まで変化させることが可能となる。
スパッタリング速度を制御する手段として投入電力制御
がまた、酸化速度を変える手段としでへガス分圧すなわ
ちQ2ガス流量制御が用いられる。
がまた、酸化速度を変える手段としでへガス分圧すなわ
ちQ2ガス流量制御が用いられる。
これらを適当に制御することにより形成薄膜の組成及び
特性を変えることができる。ターゲット4材料としてT
eを用いた場合、形成薄膜としてToo (0<!<
2)薄膜が形成される。この薄膜を相変化型の光記録膜
として用いる場合、Teと酸素の比がおおよそ1:1の
ときが最も感度が高くかつ安定であることが報告されて
いる(第28回応用物理学関係連合溝演会子稿集31p
−R−7〜12(1981))。したがって投入電力及
び02ガス流量を適当に制御してToo工膜のX値を1
にする。
特性を変えることができる。ターゲット4材料としてT
eを用いた場合、形成薄膜としてToo (0<!<
2)薄膜が形成される。この薄膜を相変化型の光記録膜
として用いる場合、Teと酸素の比がおおよそ1:1の
ときが最も感度が高くかつ安定であることが報告されて
いる(第28回応用物理学関係連合溝演会子稿集31p
−R−7〜12(1981))。したがって投入電力及
び02ガス流量を適当に制御してToo工膜のX値を1
にする。
このときの投入電力は400W、02ガス流量は20S
CCMだった。
CCMだった。
投入電力を一定にしたま−まo2ガス流量を26SCC
Mにしてブリスパッタを行うとターゲット4表面上に過
剰な酸化物層が形成される。この状態でシャッタ11を
開放して成膜を開始すると、シャッタ移動にともなうタ
ーゲット表面の放電プラズマ状態の変化や、基板へのタ
ーゲット4からの2次電子等の流入により1女化物の分
解が起こり、脱離した酸素はチャンバ1から排気される
。。したがってターゲット表面の過剰な酸化物層は急速
に分解され、成膜開始直後から形成されるTeOx膜は
X値が1と理想的な膜となる。その後、o2ガス流量を
20SCCMに戻してスパッタを続けると、ターゲット
4表面の酸化物層の分解とターゲット自体の酸化が平衡
するため、成膜の全期間を通して一定した組成の薄膜が
安定して得られる。
Mにしてブリスパッタを行うとターゲット4表面上に過
剰な酸化物層が形成される。この状態でシャッタ11を
開放して成膜を開始すると、シャッタ移動にともなうタ
ーゲット表面の放電プラズマ状態の変化や、基板へのタ
ーゲット4からの2次電子等の流入により1女化物の分
解が起こり、脱離した酸素はチャンバ1から排気される
。。したがってターゲット表面の過剰な酸化物層は急速
に分解され、成膜開始直後から形成されるTeOx膜は
X値が1と理想的な膜となる。その後、o2ガス流量を
20SCCMに戻してスパッタを続けると、ターゲット
4表面の酸化物層の分解とターゲット自体の酸化が平衡
するため、成膜の全期間を通して一定した組成の薄膜が
安定して得られる。
このときの膜厚方向の組成分析結果を第2図に示す。こ
れはオージェ分析をしたものである。横軸は薄膜の深さ
方向(人)で、縦軸は組成比である。12はToの組成
比、13は0の組成比、14は基板材料のCの組成比で
ある。
れはオージェ分析をしたものである。横軸は薄膜の深さ
方向(人)で、縦軸は組成比である。12はToの組成
比、13は0の組成比、14は基板材料のCの組成比で
ある。
第2図から明らかなように本芙施例によれば、従来みら
れた基板との界面付近での薄膜の酸素欠乏はみられず、
薄膜の厚さ方向の全域でToo工のX値が約1と光記録
膜として適した膜の製造が可能となった。
れた基板との界面付近での薄膜の酸素欠乏はみられず、
薄膜の厚さ方向の全域でToo工のX値が約1と光記録
膜として適した膜の製造が可能となった。
発明の効果
以上のように本発明の薄膜の製造方法は、反応性ガスの
分圧を上げてブリスパッタを行ない、ターゲット上に過
剰に表面反応物層を形成させてから成膜を開始するもの
であり、本発明の方法により成膜中の薄膜組成の変動を
補償して形成薄膜の組成を一定にすることができる。ま
たこのことにより反応性スパッタ法において安定した組
成および特性の薄膜の製造が可能となり、品質の向上お
よび生産性の向上に大いに役立つものである。
分圧を上げてブリスパッタを行ない、ターゲット上に過
剰に表面反応物層を形成させてから成膜を開始するもの
であり、本発明の方法により成膜中の薄膜組成の変動を
補償して形成薄膜の組成を一定にすることができる。ま
たこのことにより反応性スパッタ法において安定した組
成および特性の薄膜の製造が可能となり、品質の向上お
よび生産性の向上に大いに役立つものである。
第1図は本発明の一実施例に用いたスパッタリング装置
の断面図、第2図は本発明の方法を用いて形成した薄膜
の厚さ方向の組成分析結果を示したグラフ、第3図は従
来の方法に用いたスパッタリング装置の断面図、第4図
は従来の方法を用いて形成した薄膜の厚さ方向の組成分
析結果を示したグラフである。 2・・・・・・基板、4・・・・・・ターゲット、9.
10・・・・・・コントロールパルフ、11・・・・・
・シャッタ、12・・・・・・Toの組成比、13・・
・・・・0の組成比。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第
2 図 膜表面から9深さくlノ 第4図 膜表面D1うの深さ <A)
の断面図、第2図は本発明の方法を用いて形成した薄膜
の厚さ方向の組成分析結果を示したグラフ、第3図は従
来の方法に用いたスパッタリング装置の断面図、第4図
は従来の方法を用いて形成した薄膜の厚さ方向の組成分
析結果を示したグラフである。 2・・・・・・基板、4・・・・・・ターゲット、9.
10・・・・・・コントロールパルフ、11・・・・・
・シャッタ、12・・・・・・Toの組成比、13・・
・・・・0の組成比。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第
2 図 膜表面から9深さくlノ 第4図 膜表面D1うの深さ <A)
Claims (2)
- (1)反応性ガスの分圧を上げて予備放電を行ないター
ゲット上に過剰に表面反応物層を形成させ、その後、反
応性スパッタリング法による成膜を開始する薄膜の製造
方法。 - (2)酸素ガスの分圧を20%以上増加させてターゲッ
ト上に過剰に表面酸化物層を形成させ、しかる後、反応
性スパッタリング法による成膜を開始し、その後、酸素
ガス分圧を下げて再び反応性スパッタリング法で薄膜を
形成する特許請求の範囲第1項記載の薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12420787A JPH0768615B2 (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12420787A JPH0768615B2 (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63290256A true JPS63290256A (ja) | 1988-11-28 |
JPH0768615B2 JPH0768615B2 (ja) | 1995-07-26 |
Family
ID=14879641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12420787A Expired - Lifetime JPH0768615B2 (ja) | 1987-05-21 | 1987-05-21 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0768615B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04160144A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-03 | Nec Corp | 誘電体膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP2019138971A (ja) * | 2018-02-07 | 2019-08-22 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
-
1987
- 1987-05-21 JP JP12420787A patent/JPH0768615B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04160144A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-03 | Nec Corp | 誘電体膜の製造方法 |
JP2581300B2 (ja) * | 1990-10-24 | 1997-02-12 | 日本電気株式会社 | 誘電体膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP2019138971A (ja) * | 2018-02-07 | 2019-08-22 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0768615B2 (ja) | 1995-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6217719B1 (en) | Process for thin film formation by sputtering | |
JP2511503B2 (ja) | タングステン膜の形成方法 | |
JP2829221B2 (ja) | 熱プラズマ蒸発法による金属基板上への酸化物の成膜方法 | |
JP4164068B2 (ja) | スパッタ堆積におけるセレン化銀膜の化学量論及び形態の制御 | |
JPS63290256A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
US4738907A (en) | Process for manufacturing a photomask | |
KR100189218B1 (ko) | Ito 투명도전막의 제작방법 | |
JPS61292817A (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
JP3727693B2 (ja) | TiN膜製造方法 | |
JPS628408A (ja) | 改良されたスパツタリング法 | |
JPH01309962A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
JPH0314906B2 (ja) | ||
JPH10168558A (ja) | Ito透明導電膜の作製方法 | |
JPH0756070B2 (ja) | スパッタ成膜方法 | |
JPH05279846A (ja) | スパッタ用ターゲット及びスパッタTiON膜成膜方法 | |
JPH11286777A (ja) | スパッタリング装置及びそれを用いた薄膜形成法 | |
JPS59170266A (ja) | 酸化反応性スパツタ方法 | |
JPH05259108A (ja) | 酸素添加窒化チタン膜及びその製造方法 | |
JP2524179B2 (ja) | スパッタ成膜法 | |
JPH06212403A (ja) | 酸化In−Sn系透明導電膜の製造方法 | |
JPH05230636A (ja) | 金属酸化物薄膜の成膜方法 | |
JPH05294618A (ja) | 酸化物薄膜の製造方法 | |
EP1148148A1 (en) | Laminate structure and production method therefor | |
JP2830000B2 (ja) | スパッタリング方法及びその装置 | |
JP2688999B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 |