JP2581300B2 - 誘電体膜の製造方法 - Google Patents
誘電体膜の製造方法Info
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- JP2581300B2 JP2581300B2 JP2286152A JP28615290A JP2581300B2 JP 2581300 B2 JP2581300 B2 JP 2581300B2 JP 2286152 A JP2286152 A JP 2286152A JP 28615290 A JP28615290 A JP 28615290A JP 2581300 B2 JP2581300 B2 JP 2581300B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、Taの酸化物から成る誘電体層（以下、Ta酸
化膜層と略称する）の製法に関するものである。
化膜層と略称する）の製法に関するものである。
Ta酸化膜層は、従来より、種々のデバイスの保護膜層
として用いられているが、近年、樹脂基板との密着性が
高いことから光ディスクの保護層や干渉層として注目さ
れている。
として用いられているが、近年、樹脂基板との密着性が
高いことから光ディスクの保護層や干渉層として注目さ
れている。
Ta酸化膜層の製法としては、Taターゲットに対して、
アルゴンArと酸素O2の混合ガスをスパッタガスとし、電
源として高周波RF電源を用いた、RF反応性スパッタが知
られている。そして、スパッタ放電を安定にするため、
基板上への本スパッタに先立ち、通常は、ターゲットと
基板の間にシャッタを介在させた状態で、本スパッタと
ほぼ同一のスパッタガス及びRF投入パワー条件でプリス
パッタを行う。
アルゴンArと酸素O2の混合ガスをスパッタガスとし、電
源として高周波RF電源を用いた、RF反応性スパッタが知
られている。そして、スパッタ放電を安定にするため、
基板上への本スパッタに先立ち、通常は、ターゲットと
基板の間にシャッタを介在させた状態で、本スパッタと
ほぼ同一のスパッタガス及びRF投入パワー条件でプリス
パッタを行う。
しかし、発明者等の実験によれば、プリスパッタとし
て、いきなり、アルゴンArと酸素O2の混合ガスをスパッ
タガスとした反応性スパッタをしようとすると、RF電源
を投入した初期に於て、異常放電が発生することがあ
る。この異常放電は、Taターゲットを大気に曝した直後
や、また、スパッタ放電を、長時間停止後再開しようと
した時に著しい。このため、スパッタ放電が停止した
り、RF電源を損傷したり、またTa酸化膜層の膜質に再現
性がなく、ばらつくと言った問題があった。
て、いきなり、アルゴンArと酸素O2の混合ガスをスパッ
タガスとした反応性スパッタをしようとすると、RF電源
を投入した初期に於て、異常放電が発生することがあ
る。この異常放電は、Taターゲットを大気に曝した直後
や、また、スパッタ放電を、長時間停止後再開しようと
した時に著しい。このため、スパッタ放電が停止した
り、RF電源を損傷したり、またTa酸化膜層の膜質に再現
性がなく、ばらつくと言った問題があった。
本発明の目的は、この異常放電をなくし、Taの酸化物
から成る誘電体層の安定な製造方法を提供することにあ
る。
から成る誘電体層の安定な製造方法を提供することにあ
る。
本発明のTaの酸化物から成る誘電体層の製造方法は、
Taターゲットに対して、ArとO2の混合ガスをスパッタガ
スとした反応性スパッタにより、基板上に成膜されるTa
の酸化物から成る誘電体層の製法に於いて、本スパッタ
前に行うプリスパッタが、２段階から成り、第１のプリ
スパッタとして、Arのみをスパッタガスとしたスパッタ
を行い、第２のプリスパッタとして、ArとO2の混合ガス
をスパッタガスとした反応性スパッタを行う事を特徴と
する。
Taターゲットに対して、ArとO2の混合ガスをスパッタガ
スとした反応性スパッタにより、基板上に成膜されるTa
の酸化物から成る誘電体層の製法に於いて、本スパッタ
前に行うプリスパッタが、２段階から成り、第１のプリ
スパッタとして、Arのみをスパッタガスとしたスパッタ
を行い、第２のプリスパッタとして、ArとO2の混合ガス
をスパッタガスとした反応性スパッタを行う事を特徴と
する。
第１図及び第２図は、本発明に係るTa酸化膜層の成膜
手順及び従来のTa酸化物層の成膜手順を、それぞれ、時
間経過に対して、模式的に示した図である。
手順及び従来のTa酸化物層の成膜手順を、それぞれ、時
間経過に対して、模式的に示した図である。
第１図によれば、プリスパッタが２段階から成る。ま
ず、第１プリスパッタとして、時刻t0に於て、スパッタ
室内に、Arガスだけを導入すると同時に、RFパワーを投
入し、t1迄、Arのみをスパッタガスとしたスパッタを行
う。次に、第２プリスパッタとして、t1に於て、Arガス
に加えO2ガスも導入し、t2迄、ArとO2の混合ガスをスパ
ッタガスとした反応性スパッタを行う。そして、t2に於
て、シャッタを開き、t3迄、本スパッタを行う。この成
膜手順の特徴は、第２図に示した従来の成膜手順に比べ
て、Arのみをスパッタガスとした第１のプリスパッタ
が、ArとO2の混合ガスをスパッタガスとした反応性スパ
ッタから成る従来のプリスパッタの前に設けられている
ことである。
ず、第１プリスパッタとして、時刻t0に於て、スパッタ
室内に、Arガスだけを導入すると同時に、RFパワーを投
入し、t1迄、Arのみをスパッタガスとしたスパッタを行
う。次に、第２プリスパッタとして、t1に於て、Arガス
に加えO2ガスも導入し、t2迄、ArとO2の混合ガスをスパ
ッタガスとした反応性スパッタを行う。そして、t2に於
て、シャッタを開き、t3迄、本スパッタを行う。この成
膜手順の特徴は、第２図に示した従来の成膜手順に比べ
て、Arのみをスパッタガスとした第１のプリスパッタ
が、ArとO2の混合ガスをスパッタガスとした反応性スパ
ッタから成る従来のプリスパッタの前に設けられている
ことである。
実施例として、マグネトロンカソードに装着した、直
径８インチのTaターゲットを用い、ポリカーボネイト基
板上に、次の条件で、スパッタを、数回行い、その時の
異常放電の有無、及び得られるTa酸化膜層の膜質の再現
性を調べた。
径８インチのTaターゲットを用い、ポリカーボネイト基
板上に、次の条件で、スパッタを、数回行い、その時の
異常放電の有無、及び得られるTa酸化膜層の膜質の再現
性を調べた。
RF投入パワー 3 KW Arガス流量 70 SCCM O2ガス流量 30 SCCM スパッタガス圧 0.25Pa ターゲット・基板間距離 150 mm 第１プリスパッタ時間 30 sec 第２プリスパッタ時間 60 sec 本スパッタ時間 120 sec その結果、従来のような異常放電が発生する事なく、
スパッタ装置の安定稼働が実現出来た。また、Ta酸化膜
層として、厚さ300A、屈折率が、2.07〜2.1の透明な膜
が、再現性良く得られた。
スパッタ装置の安定稼働が実現出来た。また、Ta酸化膜
層として、厚さ300A、屈折率が、2.07〜2.1の透明な膜
が、再現性良く得られた。
第３図は、本発明に係るTa酸化膜層の成膜手段の第２
の実施例を示す図である。第３図では、第１の実施例と
比べて、第１と第２とプリスパッタの間（t1〜t2）にス
パッタ休止時間が設けられている点が異なる。これは、
例えば、予め、第１プリスパッタだけを実施した後、数
分間スパッタを休止して、本番用基板をセットし、第２
プリスパッタから始める様な場合に用いられる。この場
合も、第一の実施例と同様、異常放電を生じる事なく、
良好なTa酸化層膜を得る事が出来る。
の実施例を示す図である。第３図では、第１の実施例と
比べて、第１と第２とプリスパッタの間（t1〜t2）にス
パッタ休止時間が設けられている点が異なる。これは、
例えば、予め、第１プリスパッタだけを実施した後、数
分間スパッタを休止して、本番用基板をセットし、第２
プリスパッタから始める様な場合に用いられる。この場
合も、第一の実施例と同様、異常放電を生じる事なく、
良好なTa酸化層膜を得る事が出来る。
以上述べたように、本発明によれば、従来のような異
常放電が発生する事なく、スパッタ装置の安定稼働が実
現でき、良好なTa酸化膜層を再現性良く、得る事が出来
る。
常放電が発生する事なく、スパッタ装置の安定稼働が実
現でき、良好なTa酸化膜層を再現性良く、得る事が出来
る。
第１図及び第３図は、本発明の実施例を示す図であり、
Ta酸化膜層の成膜手順を、時間経過に対して、模式的に
示したものである。第２図は、従来例を示す図である。
Ta酸化膜層の成膜手順を、時間経過に対して、模式的に
示したものである。第２図は、従来例を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】Taターゲットに対して、ArとO2の混合ガス
をスパッタガスとした反応性スパッタにより、基板上に
成膜されるTaの酸化物から成る誘電体層の製法に於て、
本スパッタ前に行うプリスパッタが、２段階から成り、
第１のプリスパッタとして、Arのみをスパッタガスとし
たスパッタを行い、第２のプリスパッタとして、ArとO2
の混合ガスをスパッタガスとした反応性スパッタを行う
ことを特徴とする誘電体層の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2286152A JP2581300B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 誘電体膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2286152A JP2581300B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 誘電体膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04160144A JPH04160144A (ja) | 1992-06-03 |
| JP2581300B2 true JP2581300B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=17700612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2286152A Expired - Fee Related JP2581300B2 (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 誘電体膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2581300B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3430036B2 (ja) * | 1998-10-29 | 2003-07-28 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜の形成方法及び半導体発光素子の製造方法 |
| JP5861203B2 (ja) * | 2012-03-02 | 2016-02-16 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 金属化合物層の製造方法とその製造装置 |
| JP6310678B2 (ja) * | 2013-11-11 | 2018-04-11 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法 |
| CN107488828B (zh) | 2016-06-12 | 2020-01-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 形成薄膜的方法以及形成氮化铝薄膜的方法 |
| EP3765652A4 (en) * | 2018-03-16 | 2021-12-08 | The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy | AMORPHIC ALUMINUM OXIDE ST &X152; CHIOM &XC9; TRIQUE PULV &XC9; RIS &XC9; &XC0; HIGH TEMP &XC9; RATURE |
| CN110408905B (zh) * | 2018-04-28 | 2021-01-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 溅射方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63290256A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の製造方法 |
-
1990
- 1990-10-24 JP JP2286152A patent/JP2581300B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63290256A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04160144A (ja) | 1992-06-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |