JPS63236320A - X線露光装置 - Google Patents

X線露光装置

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JPS63236320A
JPS63236320A JP62070048A JP7004887A JPS63236320A JP S63236320 A JPS63236320 A JP S63236320A JP 62070048 A JP62070048 A JP 62070048A JP 7004887 A JP7004887 A JP 7004887A JP S63236320 A JPS63236320 A JP S63236320A
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JP
Japan
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concentration
chamber
exposure
rays
window
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Application number
JP62070048A
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English (en)
Inventor
Takeshi Naraki
剛 楢木
Hisao Izawa
伊沢 久男
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体素子等を製造する際のりソゲラフイエ程
で使用されるX線露光装置に関し、特にX線の感応基板
(ウェハ)への照射制御の技術、及び装置の安全性を確
保する技術に関する。
(従来の技術) 従来この種のX線露光装置としては、例えば特開昭58
−73116号公報に開示されているように、X線(特
に軟X線)に対して減衰の少ない気体、例えばヘリウム
を満したチャンバーを介して、マスクにX線を照射し、
このマスクでの透過X線をプロキシミティギャップで配
置されたウェハ(X線レジスト層を有する)に照射して
マスクの回路パターンをウェハ上に転写する装置が知ら
れている。この従来の装置では、X線源は高真空室内に
設けられ、ヘリウムチャンバーとの接続部にはX線に対
する透過率の高いベリリウム窓(取り出し窓)が設けら
れ、この窓によってほぼ大気圧と等しいヘリウムチャン
バー内と高真空室とを隔離している。またマスクはへリ
ウムチャンバーの下端に取り付けられ、このマスク自体
かへリウムチャンバー内と外気との隔離に使われている
そしてこの従来の装置は、マスク交換時に特別なカバー
を、マスクを下方からおおうようにヘリウムチャンバー
に取り付け、このカバー内もヘリウムと置換することに
よってマスクの変形を防止するものである。
(発明が解決しようとする問題点) 上記従来装置では、マスク交換時又は装置の起動(立上
げ)時等にヘリウムチャンバー及びマスク周辺を一度真
空にしてからHeに置換する為に装置が大がかりなもの
となる。また、上記従来装置のように、真空室を作らず
に、マスク交換を行なう場合、Heチャンバー内は大気
(空気)で満されてしまう。そのため新たなマスクがチ
ャンバーに取り付けられた後、チャンバー内の空気をヘ
リウムで置換する必要がある。この置換は、マスクのウ
ェハと対向する側が大気に解放されている場合、ヘリウ
ムのチャンバー内への供給と、チャンバー内の空気の排
気とをマスクが変形しないように圧力制御した状態で行
なう必要があるため時間がかかる。もちろん上記従来の
ように特別なカバーを設けるようにすれば、マスクの変
形は防げるが、そのカバーの取り扱いがわずられしいと
いった問題がある。またマスク交換後、チャンバー内が
ヘリウムに置換されてから本来の露光動作を行なうこと
になるが、その置換が完全に行なわれていない状態、す
なわちチャンバー内に空気中の酸素(0□) 成分が残
留していると、その状態でX線源からXtaを発生させ
ると、このX線がベリリウム(薄膜の)窓を通過したと
きに残留酸素の影響でベリリウム窓にピンホール等が生
じるといった重大な事故が発生する。また仮りに、ヘリ
ウムへの置換が一定時間後にほぼ完了することを予測し
て露光を開始するようにしてもよいが、これは先にも述
べたように待ち時間を必要とする。
さらに置換が完了していない場合は、チャンバー内での
X線の減衰率が大きくなってしまい、ウェハに対する適
正露光量(X線エネルギー量、又はx′4!Aドーズ量
)が得られないといった不都合が生じる。
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたもので、ベリ
リウム窓の保護、露光量の安定化等を計ったX線露光装
置を得ることを目的とする。
(問題点を解決する為の手段) 本発明は、チャンバー内に含有されるヘリウム等の減衰
の少ない気体の濃度に関する情報を検出する濃度検出手
段、例えば酸素濃度の検出センサーを設ける。そして、
X線を感応基板に照射する状態と非照射にする状態とを
切替えるシャッター等の手段を設け、検出された濃度の
情報に基づいてシャンク−等の切替手段の動作を制御す
るように構成した。
(作用) 本発明においては、ヘリウムチャンバー内が所定のヘリ
ウム濃度に達するまで、換言すれば酸素濃度等が所定濃
度以下になるまでは、切替手段によりX線の照射、特に
ベリリウム窓(取り出し窓)にX線が通ることが禁止さ
れる。これによってベリリウム窓の保護が行なわれる。
そしてヘリウム濃度がベリリウム窓を破損させない程度
に高まった後(酸素濃度が十分低下した後)は、ヘリウ
ム濃度に応じて露光量が補正されるように切替手段を制
御するようにした。これによってヘリウム濃度(酸素濃
度)が変化しても安定した露光制御が可能となる。
(実施例) 第1図は本発明の実施例によるX線露光装置の構成を示
す図である。
第1図において、高真空室1には、回転ターゲット2、
電子銃3等から成るX*aが配置され、電子銃3からの
電子ビーム4を回転ターゲット2に照射することにより
特性X線(軟X線)10が発生する。このX線10はタ
ーゲット2からベリリウム等のFil膜による取り出し
窓6を通ってヘリウムチャンバー7内に放射される。窓
6とX線源(ターゲット2上の電子ビーム4の照射点)
との間には、発生したX線10を通過、遮断させるため
のメカニカルなシャッター5が配置され、このシャッタ
ー5は駆動部20によって開閉される。
さて、チャンバー7内を通ったX線10はチャンバー7
の下端面に取り付けられたマスク9を照射する。このマ
スク9はチャンバー7の下端面に、その周辺で真空吸着
され、チャンバー7内を密封する機能を有する。チャン
バー7の側壁にはヘリウムガスを供給するためのパイプ
21aと、ヘリウムガス、又は空気を排気するためのバ
イ121bとが設けられ、これらパイプ21a、21b
は不図示のガス置換装置につながれている。またマスク
9の下方には露光時又はアライメント時にプロキシミテ
ィギャップで位置するウェハ11が配置される。マスク
9とウェハ11とのアライメントはチャンバー7内に進
退可能に設けられたアライメント光学系22を使って行
なわれる。アライメント光学系22はチャンバー7の側
壁を貫通して、駆動部23により水平方向に移動する。
アライメント光学系22の対物レンズ22aはマスク9
はウェハ11の各々に形成されたアライメントマークを
観察する。このようにアライメント光学系22の一部が
チャンバー7内で進退するため、外気との密封を保ため
のベローズ2[株]がチャンバー7の側壁とアライメン
ト光学系22の外壁との間に設けられる。
さて、チャンバー7内の酸素(0□)濃度は濃度センサ
ー8により検出される。この濃度センサー8は理想的に
はチャンバー7内の気体に含まれるヘリウムの割合を直
接検出ものが望ましいが、現在製品化されているセンサ
ーのうちで、ヘリウムを検出するものは極めて高価であ
ったり、又はかなり大がかりなものしかない、そのため
本実施例では、安価で小型な酸素濃度のセンサー8を用
いて、間接的にヘリウムの濃度を推定することにした。
ただし、本実施例ではヘリウム自体の濃度を求めること
が目的ではなく、どの程度ヘリウムに置換されたかがわ
かればよいので、酸素濃度の情報のみに基づいて所定の
演算、制御が行なわれる。
制御回路24は上記濃度センサー8によって検出された
酸素の濃度情報を入力して、その濃度のもとで、取り出
し窓6を破損させずに露光できるか否かを判断し、不可
能な場合は、オペレータから露光開始の指令を受けても
シャッター5が開かないように、駆動部20に対する指
令を禁止する。
もし、検出された濃度のもとで損傷を与えずに露光でき
る場合、制御回路はその濃度に応じてシャッター5の開
放時間を補正して、常に一定の露光量(適正露光it)
がウェハ11に与えられるように駆動部20に指令を出
力する。
第2図は制御回路24内の主な回路構成の具体例を示す
回路ブロック図である。この構成は制御回路24の機能
をブロック化したものであり、ハードウェアのみによる
構成以外にマイクロコンピュータ等によるソフトウェア
による構成に置きかえてもよい、第1図には示していな
いが露光量制御のためのX線強度センサー240は、シ
ャッター5を通過してきたX線10を受けて、その強度
に応じた信号を積算部241に出力する。積算部241
は露光開始時に発生されるシャッター5の閉指令信号(
パルス信号)COに応答して、ウェハ11に達するX線
量を計測していく。積算されたX線量は、比較部242
に入力して、基準値S2と比較される。比較部242は
計測されたX線量が基準値S2に達するとシャッター5
の駆動部20へ閉指令信号(パルス信号)を出力する。
その基準値S2は適正露光量に応じた値がセットされる
設定部243で作り出される。濃度判定補正部244は
濃度センサー8で検出された酸素の濃度(%)に基づい
て、禁止信号S1と補正信号S2を出力する。禁止信号
SIは駆動部20へ開指令信号COを送るか否かを切替
えるスイッチ245に切替制御信号として印加される。
一方、補正信号Stは設定部243に補正倍率の情報と
して出力され、設定部243は適正露光量に応じた値に
補正倍率をかけたものを基準値S、として出力する。こ
の補正倍率は、チャンバー7内の酸素濃度に対する補正
露光量を予め実験等によって求めて、例えばテーブルと
して判定補正部244に記憶されている。
次に本実施例の動作を第3図を参照して説明する。第3
図はマスク9を変換したときのチャンバー7内の酸素濃
度の変化特性■を表わすグラフであり、横軸は時間を表
わし縦軸は濃度(%)を表わす、第3図中、時刻t、ま
ではマスクによってチャンバー7が密封されているため
、酸素濃度は所定の値P+よりも十分小さくなっている
0時刻り、でマスク交換が開始されると、取り付られて
いたマスクがなくなるため、チャンバー7内は急激に外
気に解放され、酸素濃度は急激に上昇する。このとき最
大に上昇したときの濃度値P7は、チャンバー7内が全
て大気で満されたときであり、通常21〜22%(すな
わち自然大気中での酸素濃度)である。さて時刻L2で
マスク交換が終わり、ヘリウムへの置換が開始され、チ
ャンバー7内の酸素濃度は時間とともに低下し、時刻t
1で所定の値P2に達する。この濃度値P!は、取り出
し窓6にX線が照射されても、取り出し窓6にピンホー
ル等の損傷を発生させることがないような酸素含有量の
値に定められている。濃度値P2は判定補正部244に
予め記憶されており、検出された濃度が値P2よりも大
きい場合は、禁止信号S1が出力されスイッチ245は
開いたままになる。このためオペレータ等が露光開始を
指令しても、駆動部20には開指令信号C○は送られず
、取り出し窓6は保護される。
さて、時刻も、で濃度がP!以下であると判断されると
、判定補正部244は禁止信号S1の出力を中止し、ス
イッチ245は閉状態にされる。
このため時刻む、以降、シャッター5は開指令信号C○
に応答して解放可能となる。すなわちチャンバー7内の
酸素濃度が値pg  (%)よりも小さくなった時点で
露光動作が可能となる。一方、ガス置換装置により、チ
ャンバー7内のヘリウムガスへの置換は続行されており
、酸素濃度も時間とともに低下し続けてい(。このため
時刻む、で露光が開始されたとしても、チャンバー7内
のヘリウム濃度が変化しているので、そのままでは正確
な露光量制御が保証されない、そこで判定補正部244
は時刻t8以降の濃度変化特性Vに応じた補正倍率を求
め、その倍率に応じた補正信号S8を設定部243に出
力する。設定値243は入力した補正信号S、に基づい
て、基準値S、を算出する。この基準値S、は、酸素濃
度が値P2に近づければ適正露光量に対応した値よりも
大きくなり、濃度が値P2より低下して値P1に近づく
につれて小さくなる。濃度値P1は露光量制御の精度に
は実質的に影響を与えない程度の酸素含有量の値に定め
られ、この値P、も予め判定補正部244に記憶されて
いる。従って検出された濃度値がP、以下のとき、補正
倍率は1倍になり、基準値S、は適正露光量に応じた値
そのものになる。
さて、時刻t、以降にただちに露光動作が開始されると
、同一露光条件のもとて酸素濃度が高い(ただし22以
下)うちはシャッター5の開いている時間が長く、濃度
が値P、に近づくにつれて短(なる。こうして、時刻も
、から時刻t4の間はシャッター5の解放時間が本来の
露光時間よりも長くなるように調整されて、露光量の補
正が行なわれる。このため時刻t3以降ただちに露光を
行なっても、常に適正な露光量に制御される。
以上、本実施例では取り出し窓6の上に設けられたシャ
ッター5によって、酸素濃度が値P2より高い時はX線
が窓6を通らないように保護したが、値P2より高い時
に電子銃3からの電子ビーム4の発生を禁止するように
しても同様の効果が得られる。またX線源としてプラズ
マ励起方式、SOR(シンクロトロン軌道放射)方式等
も同様に利用できる。また酸素濃度検出センサー8は大
気中のチッ素(N2)の濃度を検出するセンサーに置き
かえてもよい。さらにチャンバー7内に充てんするX線
減衰率の小さな気体としては、取り扱いは難しいが水素
(Hl)ガスでもよい。
次に本発明の第2の実施例を第4図に参照して説明する
。第4図はへリウムチャンバー付近のみを示す断面図で
あり、第1図と異なるのは、マスク9がチャンバー7の
下端面の密封に使われていない点である。このため第2
実施例ではチャンバー7の下端面の密封をX線、又はア
ライメント用の照明光に対して透明なポリイミド又はポ
リプロピレン等の薄膜30で行なう、従って第1実施例
のように、マスク9の交換時にチャンバー7内が大気に
解放されることがないため、マスク交情後の露光動作開
始まで待ち時間を必要としない。
しかしながら、マスク9とウェハ11とのアライメント
時にはアライメント光学系22が繰り出し、露光時には
退避するため、チャンバー7内の圧力は瞬間的に太き(
変化し得る。この圧力変化によって薄膜30に大気圧と
の差圧が作用し、薄膜30がたわむことになる。このた
め、この種の常時密封型のチャンバー構造にあってもヘ
リウムガスを微小量ずつフローさせて、薄膜30のたわ
みが生じないようにしている。しかしながら、チャンバ
ー7と1111130との接合部、ベローズ23の接合
部、チャンバー7とX線源部との接合部等からは、チャ
ンバー7の内圧変化(特に瞬間的な減圧)によって外気
がリークしてくることがある。
このため、ウェハWをステップアンドリピート方式で移
動させて、マスク9のパターンをウェハ11上の異なる
領域に順次転写していく場合は、各ステッピング毎にア
ライメントを行なう必要があるので、ウェハ11の全面
を露光し終わるまでのアライメント光学系22の進運回
数は多くなり、チャンバー7内のヘリウム濃度は外気の
リークによって徐々に低下(酸素濃度の増加)すること
がある、この場合は第3図に示すように、濃度値P3を
超えるようなことはなくても、露光量の制御精度を不安
定にさせることになる。
第5図(A)はそのような状態での酸素濃度の変化特性
Vを示す、第5図(A)において酸素濃度は時刻T、ま
では値P+以下であるが、例えばアライメント光学系2
2の退避による外気のリークによって、時刻T、からT
1まで濃度はP、以上になる。同様に時刻TcからT4
の間においても酸素濃度がP、以上になっている。第5
図(B)は第5図(A)の変化特性■に対応して判定補
正部244から出力される補正倍率の変化(補正信号S
t)を示す。第5図(B)の縦軸に表わした補正倍率値
の範囲は単なる目安であって必ずしも正確ではない。第
5図(B)に示すように時刻T、〜T5の間、時刻T 
c””’ T aO間において倍率は濃度値に応じた1
以上の値をとる。これにより、時刻T1、又はTeの直
後に露光動作が行なわれても、常に正確な露光量制御が
可能となる。
もちろんこのリークによるチャンバー内ヘリウム濃度の
変化は、第1図の実施例の場合も同様に生じることであ
り、第5図(B)に示した補正倍率特性と同様に制御さ
れる。
以上、本発明の各実施例において、第2図に示した回路
ブロックは共通に使われるが、不測の事故によりマスク
9の薄膜、又は84M30が破損した場合は、酸素濃度
が上昇して禁止信号Slが出力されるので、このときも
しシャッター5が開状態であるならばただちに閉指令信
号を駆動部20へ出力するような構成を付加することが
できる。
(発明の効果) 以上のように本発明によれば、チャンバー内のヘリウム
等の気体成分の濃度が低く、酸素の濃度が高い時にX線
源とチャンバーとを隔離する取り出し窓にX線を照射し
て破損させることがないので、装置に与える重大な事故
を未然に防止できる。
さらに、チャンバー内の気体濃度の変化による露光量の
ムラも補正できるため、待ち時間も最短、もしくは皆無
上なって、スループット、装置稼動率を著しく向上させ
ることができる。
また露光中に不測の事故でチャンバー内に大気が入って
きても、濃度検出センサーによって酸素濃度が上昇(ヘ
リウム濃度が低下)し始めた時にただちに露光動作を中
止することができるので、X線源へ与える影響を皆無で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例によるX線露光装置の構
成を示す図、第2図は制御回路の具体的な構成を示す回
路ブロック図、第3図はチャンバー内の酸素濃度の変化
特性の一例を示すグラフ、第4図は第2の実施例による
X線露光装置の構成を示す図、第5図(A)、(B)は
酸素濃度の変化特性とそれに対応した露光量の補正倍率
特性とを示すグラフである。 (主要部分の符号の説明) 1・・・xvAflの高真空室

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)線源からのX線に対して減衰の少ない特定成分の
    気体を満したチャンバーを介して、該X線に感応する基
    板を露光する装置において、 前記チャンバー内の気体に含有される前記特定成分の気
    体の濃度に関連する情報を検出する濃度検出手段と; 前記線源からのX線を前記感応基板に照射する状態と非
    照射にする状態とを切替える切替手段と;前記濃度検出
    手段により検出された情報に基づいて前記切替手段の動
    作を制御する制御手段とを備えたことを特徴とするX線
    露光装置。
  2. (2)前記濃度検出手段は、前記チャンバー内の気体に
    含有される酸素の濃度を検出する酸素検出センサーを有
    し、前記制御手段は、該酸素検出センサーにより検出さ
    れた濃度が所定の第1濃度以上のときは前記X線の前記
    感応基板への到達が禁止されるように前記切替手段を制
    御するとともに該検出された濃度が前記第1濃度以下の
    ときは、その濃度に応じて前記感応基板に与えられるX
    線量が補正されるように前記切替手段を制御することを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の装置。
  3. (3)前記切替手段は、前記線源と前記チャンバーとの
    間に設けられたX線取り出し窓と前記線源との間に配置
    されて、前記線源からのX線を遮断、及び通過させるシ
    ャッターを含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項
    、又は第2項記載の装置。
JP62070048A 1987-03-24 1987-03-24 X線露光装置 Pending JPS63236320A (ja)

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