JP2008135586A - 露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 原版11からの光を基板22に投影する投影光学系2〜7の少なくとも一部を囲む空間18を包囲するチャンバと、該空間を排気する排気手段31〜34と、該空間に気体を供給する供給手段41とを有し、該原版および前記投影光学系を介して該基板を露光する露光装置において、前記供給手段により該空間に供給される気体の流量を0.05〜50Pa・m3/sの範囲内に制御する制御手段42を設ける。
【選択図】 図1
Description
原版チャックに保持された原版やウエハチャックに保持されたウエハは原版ステージ及びウエハステージに搭載された微動機構によって高精度に位置決めが行われる。
露光装置内におけるアウトガス分圧を下げるには真空ポンプなど排気系の能力を高める措置も有効である。しかし、搬送されたウエハに付着した水分、レジストやステージの機構部から発生した炭化水素は拡散により、光学素子が設置されている空間に漂うことは免れないため、スループットの向上は難しい。
本発明は、上述の背景を考慮してなされたもので、露光雰囲気の汚染を軽減することを例示的目的とする。
前記制御手段は、該基板を含む空間の圧力に対し前記投影光学系の少なくとも一部を囲む空間内の圧力が陽圧となる範囲内で、該気体の流量を制御する。
前記気体は、例えば、ヘリウムやアルゴン等の希ガスおよび水素のいずれかである。
また、前記基板を露光する光は極端紫外光である場合に本発明は特に有効である。
以下に、本発明に係る実施の形態について添付図面に示す実施例を参照して詳細に説明する。
図1において、8は不図示のEUV光源から発し、不図示の照明光学系により導かれたEUV光であり、このEUV光8は、原版照明ミラー1を介して原版11に照射される。2は投影系第1ミラー、3は投影系第2ミラー、4は投影系第3ミラー、5は投影系第4ミラー、6は投影系第5ミラー、7は投影系第6ミラーである。また、12は原版保持装置、15は原版ステージ、16は原版アライメント光学系、17は原版ステージ15を囲む原版ステージ空間を示している。さらに、22はウエハ(基板)、24はウエハ保持装置、21はウエハステージ、25はウエハアライメント光学系、26はフォーカス位置検出機構、27はウエハステージ21を囲むウエハステージ空間を示している。ウエハステージ空間27は、ウエハ(基板)を含む空間である。31〜34は排気手段であるターボ分子ポンプ、41は気体供給部、42は気体流量制御部、61〜66は圧力センサ、72は開口部、74、75は気体成分検出部である。
原版11は原版ステージ15上の原版保持装置12に保持される。また、ウエハ22はウエハステージ21上のウエハ保持装置24に保持される。原版ステージ15及びウエハステージ21はそれぞれ微動機構を持ち、原版11またはウエハ22の位置決めが可能である。
また、フォーカス位置検出機構26は投影光学系の結像位置をウエハ22面上に保つためにウエハ22面上における垂直方向のフォーカス位置を検出する。
一回の露光が終わるとウエハステージ21はX、Y方向にステップ移動して次の走査露光開始位置に移動し、再び露光を行う。
本実施例の露光装置は上記の問題を解決し、露光性能及びスループットの低下を防ぐものである。
投影光学系空間18内とウエハステージ空間27とはEUV光8を遮らない、連通した開口部72を有する。この開口部72は、EUV光8とレジストの反応によって発生したアウトガスやウエハステージ空間27内で発生したアウトガスが投影光学系空間18内へ進入する経路となる。この経路から進入するアウトガスを極力抑え、投影光学系空間18内のアウトガス分圧を低下させることで、投影光学系ミラー2〜7の反射率低下を防ぐことが可能となる。
本実施例は、先の実施例1において、EUV露光装置90のランニングコストを削減する構成を説明する。図5は、本発明の実施例2に係る露光装置に構成を示す。図1のものに対し、流路断面積制御部48及び流路面積可変部49を付加したものである。
図1及び図5に示される様に、投影光学系空間18内の気体成分を定期的もしくは連続して、管理するために、投影光学系空間18内に気体成分検出部74、75を設置する。この気体成分検出部74、75により、投影光学系空間18内の特定のアウトガス(水、炭化水素等、予め定められたガス)の分圧(量)を正確に計測することが可能となる。
図7は半導体デバイスの製造のフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクを設置した露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程である。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
Claims (11)
- 投影光学系の少なくとも一部を囲む空間を減圧及び換気し、原版および該投影光学系を介して基板を露光する露光方法であって、
該空間に供給される気体の流量を0.05〜50Pa・m3/sの範囲内とすることを特徴とする露光方法。 - 原版からの光を基板に投影する投影光学系と、前記投影光学系の少なくとも一部を囲む空間を包囲するチャンバと、該空間を排気する排気手段と、該空間に気体を供給する供給手段とを有し、該原版および前記投影光学系を介して該基板を露光する露光装置であって、
前記供給手段により該空間に供給される気体の流量を0.05〜50Pa・m3/sの範囲内に制御する制御手段を有することを特徴とする露光装置。 - 該空間を複数の空間に分離する隔壁を備え、前記供給手段は、該複数の空間のうち該基板を含む空間に隣接する空間に対し該気体を供給することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
- 前記制御手段は、前記供給手段を制御することを特徴とする請求項2または3に記載の露光装置。
- 前記制御手段は、前記排気手段を制御することを特徴とする請求項2または3に記載の露光装置。
- 前記制御手段は、前記投影光学系の少なくとも一部を囲む空間内のコンダクタンスを変える手段を有することを特徴とする請求項2または3に記載の露光装置。
- 前記投影光学系の少なくとも一部を囲む空間内の予め定められたガスの量を検出する検出手段を有し、前記制御手段は、前記検出手段からの信号に基づき、該気体の流量を制御することを特徴とする請求項2乃至6のいずれかに記載の露光装置。
- 前記制御手段は、該基板を含む空間の圧力に対し前記投影光学系の少なくとも一部を囲む空間内の圧力が陽圧となる範囲内で、該気体の流量を制御することを特徴とする請求項項2乃至7のいずれかに記載の露光装置。
- 該気体は希ガスおよび水素のいずれかであることを特徴とする請求項2乃至8のいずれかに記載の露光装置。
- 該基板を露光する光は極端紫外光であることを特徴とする請求項2乃至9のいずれかに記載の露光装置。
- 請求項2乃至10のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、該露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006321042A JP2008135586A (ja) | 2006-11-29 | 2006-11-29 | 露光装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015511769A (ja) * | 2012-03-14 | 2015-04-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
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2006
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