JPH09186077A - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
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- JPH09186077A JPH09186077A JP8017169A JP1716996A JPH09186077A JP H09186077 A JPH09186077 A JP H09186077A JP 8017169 A JP8017169 A JP 8017169A JP 1716996 A JP1716996 A JP 1716996A JP H09186077 A JPH09186077 A JP H09186077A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エキシマレ−ザ−を用いる半導体露光装置の
ように不活性ガスを用いる装置において、オペレ−タ−
やサ−ビスマンの作業ミス、作業モレがあっても自動で
人身への危険を回避すること、及び光学系の性能低下さ
せる現象を未然に防ぎ、装置の稼働率を上げること。 【解決手段】 エキシマレ−ザ−を用いた半導体露光装
置において、該露光装置のエキシマレ−ザ−光路中に不
活性ガスを充填し、該充填した光路中に前記不活性ガス
の充填度を測定するセンサ−と、不活性ガスを充填した
光路のカバ−の開閉状態を確認するセンサ−、不活性ガ
スの流入を制御する電磁開閉弁を備え、前記カバ−のセ
ンサ−の開閉状態に応じて前記電磁開閉弁の制御状態を
変更することを特徴とする半導体露光装置。
ように不活性ガスを用いる装置において、オペレ−タ−
やサ−ビスマンの作業ミス、作業モレがあっても自動で
人身への危険を回避すること、及び光学系の性能低下さ
せる現象を未然に防ぎ、装置の稼働率を上げること。 【解決手段】 エキシマレ−ザ−を用いた半導体露光装
置において、該露光装置のエキシマレ−ザ−光路中に不
活性ガスを充填し、該充填した光路中に前記不活性ガス
の充填度を測定するセンサ−と、不活性ガスを充填した
光路のカバ−の開閉状態を確認するセンサ−、不活性ガ
スの流入を制御する電磁開閉弁を備え、前記カバ−のセ
ンサ−の開閉状態に応じて前記電磁開閉弁の制御状態を
変更することを特徴とする半導体露光装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体露光装置、特
にエキシマレ−ザを用いた半導体素子を製造する際に好
適なものである。
にエキシマレ−ザを用いた半導体素子を製造する際に好
適なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の微細化の進展に対応して半
導体露光装置では使用する光源をより波長の短い光を放
射する光源を用いるようになってきている。従来、半導
体素子製造用の露光装置では超高圧水銀灯のｇ線からｉ
線を用いて短波長化を進めてきたが、現在では更に短い
遠紫外の KrFエキシマレ−ザ等の波長域を使用する状況
に至っている。
導体露光装置では使用する光源をより波長の短い光を放
射する光源を用いるようになってきている。従来、半導
体素子製造用の露光装置では超高圧水銀灯のｇ線からｉ
線を用いて短波長化を進めてきたが、現在では更に短い
遠紫外の KrFエキシマレ−ザ等の波長域を使用する状況
に至っている。
【０００３】KrF 等の遠紫外域の光はフォトンのエネル
ギ−が高いため、光路上の微細な塵が空気内の酸素と反
応して不純物として光学系に付着したり、光学系のレン
ズコ−ティング材と空気中の酸素が反応して光学系（レ
ンズ面やメミラー面）が曇るという問題が発生する。こ
うした不純物の付着や光学系の曇を防止するため、従来
はKrF レ−ザ−等の遠紫外線光の通る光路上を不活性ガ
スで充填し、塵と空気あるいはレンズコ−ティング材と
空気が反応しないようにする対策が取られている。
ギ−が高いため、光路上の微細な塵が空気内の酸素と反
応して不純物として光学系に付着したり、光学系のレン
ズコ−ティング材と空気中の酸素が反応して光学系（レ
ンズ面やメミラー面）が曇るという問題が発生する。こ
うした不純物の付着や光学系の曇を防止するため、従来
はKrF レ−ザ−等の遠紫外線光の通る光路上を不活性ガ
スで充填し、塵と空気あるいはレンズコ−ティング材と
空気が反応しないようにする対策が取られている。
【０００４】しかしながら従来の半導体露光装置では不
活性ガスの停止機能が装備されていなかった。従ってサ
−ビスマン、オペレ−タ−等が前記不活性ガスの充填部
について作業を行う場合、不活性ガスによる窒息を避け
るため最初に装置背面の不活性ガスのボンベの元栓を閉
め、不活性ガスが装置内の不活性ガス充填部に流入しな
いことを確認し、その後、ある一定時間装置を放置した
後、不活性ガス充填部のカバ−を開いていた。
活性ガスの停止機能が装備されていなかった。従ってサ
−ビスマン、オペレ−タ−等が前記不活性ガスの充填部
について作業を行う場合、不活性ガスによる窒息を避け
るため最初に装置背面の不活性ガスのボンベの元栓を閉
め、不活性ガスが装置内の不活性ガス充填部に流入しな
いことを確認し、その後、ある一定時間装置を放置した
後、不活性ガス充填部のカバ−を開いていた。
【０００５】また上記作業が終了した後に装置の立ち上
げ、再起動を行う場合も、不活性ガス充填部のカバ−を
閉じた後、装置背面の不活性ガスボンベの元栓を開け、
その後、ある一定時間装置を放置して不活性ガス充填部
に該不活性ガスが充填されるのを待つという手順を踏ん
でいた。
げ、再起動を行う場合も、不活性ガス充填部のカバ−を
閉じた後、装置背面の不活性ガスボンベの元栓を開け、
その後、ある一定時間装置を放置して不活性ガス充填部
に該不活性ガスが充填されるのを待つという手順を踏ん
でいた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のや
り方はオペレ−タ−が装置背面の不活性ガスの元栓を閉
め、不活性ガスが装置内の不活性ガス充填部に流入しな
いことを確認し、その後、ある一定時間装置を放置した
後、不活性ガス充填部のカバ−を開くという工程数の多
い、且つ、時間のかかる作業を必要としている。このた
め、オペレ−タ−の作業ミス、作業モレ等により例えば
元栓を閉めることなく不活性ガス充填部のカバ−を開け
てしまった場合は、不活性ガスにオペレ−タ−の人身が
さらされ、人身に危険が及ぶという問題が発生する。
り方はオペレ−タ−が装置背面の不活性ガスの元栓を閉
め、不活性ガスが装置内の不活性ガス充填部に流入しな
いことを確認し、その後、ある一定時間装置を放置した
後、不活性ガス充填部のカバ−を開くという工程数の多
い、且つ、時間のかかる作業を必要としている。このた
め、オペレ−タ−の作業ミス、作業モレ等により例えば
元栓を閉めることなく不活性ガス充填部のカバ−を開け
てしまった場合は、不活性ガスにオペレ−タ−の人身が
さらされ、人身に危険が及ぶという問題が発生する。
【０００７】また、前記元栓を閉じても未だ不活性ガス
の濃度が高い状態でカバ−を開くと、同様に不活性ガス
にオペレ−タ−の人身がさらされ、危険が及ぶという問
題が発生する。これが第１の問題点である。
の濃度が高い状態でカバ−を開くと、同様に不活性ガス
にオペレ−タ−の人身がさらされ、危険が及ぶという問
題が発生する。これが第１の問題点である。
【０００８】一方、作業が終了した後の装置の立ち上
げ、再起動でも、不活性ガス充填部のカバ−を閉じた
後、装置背面の不活性ガスボンベの元栓を開け、その
後、ある一定時間装置を放置して不活性ガス充填部に該
不活性ガスが充填されるのを待つという工程数の多い、
且つ時間のかかる作業が必要である。オペレ−タ−の作
業ミス、作業モレがあれば不活性ガス充填部のカバ−を
閉じた後、元栓を開ける工程が欠落したり、あるいはた
とえ元栓を開けたとしても不活性ガスが充填される前の
状態でエキシマレ−ザ−を発光させることがありうる。
不活性ガスが充填されていない、あるいは充填が不十分
な状態での発光は空気との反応を引き起こし、光路上の
微細な塵の不純物としての光学系への付着や、光学系の
レンズコ−ティング材の曇り現象が起きて、光学性能を
低下させる。このような付着不純物や曇りが起こった場
合、影響を受けた光学素子を前記光学系から除去して取
り換え、再び光学系に十分な性能を発揮させるには、装
置のメンテナンスに大きな作業量が必要とされ、装置の
稼働率を低下させる。この稼働率の低下が第２の問題点
である。
げ、再起動でも、不活性ガス充填部のカバ−を閉じた
後、装置背面の不活性ガスボンベの元栓を開け、その
後、ある一定時間装置を放置して不活性ガス充填部に該
不活性ガスが充填されるのを待つという工程数の多い、
且つ時間のかかる作業が必要である。オペレ−タ−の作
業ミス、作業モレがあれば不活性ガス充填部のカバ−を
閉じた後、元栓を開ける工程が欠落したり、あるいはた
とえ元栓を開けたとしても不活性ガスが充填される前の
状態でエキシマレ−ザ−を発光させることがありうる。
不活性ガスが充填されていない、あるいは充填が不十分
な状態での発光は空気との反応を引き起こし、光路上の
微細な塵の不純物としての光学系への付着や、光学系の
レンズコ−ティング材の曇り現象が起きて、光学性能を
低下させる。このような付着不純物や曇りが起こった場
合、影響を受けた光学素子を前記光学系から除去して取
り換え、再び光学系に十分な性能を発揮させるには、装
置のメンテナンスに大きな作業量が必要とされ、装置の
稼働率を低下させる。この稼働率の低下が第２の問題点
である。
【０００９】本発明の目的は上記２つの問題点に対処し
たもので、オペレ−タ−やサ−ビスマンの作業ミス、作
業モレがあっても自動で人身への危険を回避すること
と、光学系の性能低下させる現象を未然に防ぎ、装置の
稼働率を上げることのできる半導体露光装置の提供を目
的としたものである。
たもので、オペレ−タ−やサ−ビスマンの作業ミス、作
業モレがあっても自動で人身への危険を回避すること
と、光学系の性能低下させる現象を未然に防ぎ、装置の
稼働率を上げることのできる半導体露光装置の提供を目
的としたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体露光装置は該筐体内の不活性ガスの
充填路中に不活性ガスの充填度を測定するガスセンサ−
を配置し該ガスセンサ−の出力を核として該装置を制御
することを特徴としている。より具体的には該装置に前
記不活性ガス検知用のガスセンサ−に加え、不活性ガス
充填路のカバ−の開閉状態を確認するカバーセンサ−
と、不活性ガスの流入を制御する電磁開閉弁を構成する
ことを特徴としている。更に該装置を使いやすくするた
め、該電磁開閉弁の状態を装置上に表示する表示部、及
び不活性ガス充填路の不活性ガス充填度を装置上に表示
する表示する表示部を構成することを特徴としている。
め、本発明の半導体露光装置は該筐体内の不活性ガスの
充填路中に不活性ガスの充填度を測定するガスセンサ−
を配置し該ガスセンサ−の出力を核として該装置を制御
することを特徴としている。より具体的には該装置に前
記不活性ガス検知用のガスセンサ−に加え、不活性ガス
充填路のカバ−の開閉状態を確認するカバーセンサ−
と、不活性ガスの流入を制御する電磁開閉弁を構成する
ことを特徴としている。更に該装置を使いやすくするた
め、該電磁開閉弁の状態を装置上に表示する表示部、及
び不活性ガス充填路の不活性ガス充填度を装置上に表示
する表示する表示部を構成することを特徴としている。
【００１１】また本発明の半導体露光装置は不活性ガス
の充填度を測定する前記ガスセンサ−と不活性ガス充填
路のカバ−の開閉状態を確認する前記ガスセンサ−の信
号により、エキシマレ−ザ−への発光／停止指令の出力
や不活性ガスの電磁開閉弁の開閉指令の出力を行う制御
部を持つことを特徴としている。
の充填度を測定する前記ガスセンサ−と不活性ガス充填
路のカバ−の開閉状態を確認する前記ガスセンサ−の信
号により、エキシマレ−ザ−への発光／停止指令の出力
や不活性ガスの電磁開閉弁の開閉指令の出力を行う制御
部を持つことを特徴としている。
【００１２】上記の構成を持つ半導体露光装置で不活性
ガスの充填路のカバ−を開くと、カバ−の上の開閉状態
確認用のカバーセンサ−が制御部にカバ−が開状態であ
ることを知らせる。制御部はカバ−が開状態であること
を検知すると不活性ガスの電磁開閉弁に閉指令を出して
不活性ガスを停止させ、装置上の表示部に不活性ガスが
停止したことを表示して装置のサ−ビスマン、オペレ−
タ−に知らせる。更に、制御部は不活性ガスの充填度が
規定値以下となるまで作業が不可能であることを前記表
示部に表示し、ガスの濃度が規定値以下になるまで、不
活性ガスの充填度の確認を行う。
ガスの充填路のカバ−を開くと、カバ−の上の開閉状態
確認用のカバーセンサ−が制御部にカバ−が開状態であ
ることを知らせる。制御部はカバ−が開状態であること
を検知すると不活性ガスの電磁開閉弁に閉指令を出して
不活性ガスを停止させ、装置上の表示部に不活性ガスが
停止したことを表示して装置のサ−ビスマン、オペレ−
タ−に知らせる。更に、制御部は不活性ガスの充填度が
規定値以下となるまで作業が不可能であることを前記表
示部に表示し、ガスの濃度が規定値以下になるまで、不
活性ガスの充填度の確認を行う。
【００１３】ガスの濃度が規定値以下になると制御部は
装置のサ−ビスマン、オペレ−タ−に作業が可能となっ
た旨、表示部に表示する。このような検定を行うことに
よって装置のサ−ビスマン、オペレ−タ−の保護を行う
ことが可能としている。
装置のサ−ビスマン、オペレ−タ−に作業が可能となっ
た旨、表示部に表示する。このような検定を行うことに
よって装置のサ−ビスマン、オペレ−タ−の保護を行う
ことが可能としている。
【００１４】また装置の再起動時には、不活性ガス充填
部の不活性ガス充填度測定用のガスセンサ−がエキシマ
レ−ザ−を発光させてもよい不活性ガスの充填度になっ
ていないことを検知すると、制御部はエキシマレ−ザ−
に対して発光停止指令を出し、装置の表示部に不活性ガ
スの充填度が低いことを表示する。このため不活性ガス
の充填度が不十分な状態での発光が行われないため、光
学系のレンズの曇りや、不純物の付着を防ぐことができ
る。
部の不活性ガス充填度測定用のガスセンサ−がエキシマ
レ−ザ−を発光させてもよい不活性ガスの充填度になっ
ていないことを検知すると、制御部はエキシマレ−ザ−
に対して発光停止指令を出し、装置の表示部に不活性ガ
スの充填度が低いことを表示する。このため不活性ガス
の充填度が不十分な状態での発光が行われないため、光
学系のレンズの曇りや、不純物の付着を防ぐことができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態１の半導
体露光装置の構成を示すものである。本半導体露光装置
は光源としてKrF のエキシマレ−ザ−ヘッド１を採用し
ている。エキシマレ−ザ−ヘッド１のエキシマレ−ザ−
射出口９から放出された筐体１０１内に導光しレ−ザ−
光１２はレ−ザ−引き回し光学系５の内部のレ−ザ−光
路１２Ａ、１２Ｂを通り、レチクル１１に導かれる。引
き回し光学系５は垂直部５Ａと水平部５Ｂから構成され
る。レチクル１１上には半導体回路素子のパタ−ンが描
画されており、該パタ−ンが投影レンズ６の作用によっ
てウエハ−１０上に焼き付けられる。ウエハ−１０はＸ
Ｙ方向に自由に駆動できるＸＹステ−ジ７上に載せられ
て、露光とステップを繰り返しながら回路素子パタ−ン
がウエハ−上に転写される。
体露光装置の構成を示すものである。本半導体露光装置
は光源としてKrF のエキシマレ−ザ−ヘッド１を採用し
ている。エキシマレ−ザ−ヘッド１のエキシマレ−ザ−
射出口９から放出された筐体１０１内に導光しレ−ザ−
光１２はレ−ザ−引き回し光学系５の内部のレ−ザ−光
路１２Ａ、１２Ｂを通り、レチクル１１に導かれる。引
き回し光学系５は垂直部５Ａと水平部５Ｂから構成され
る。レチクル１１上には半導体回路素子のパタ−ンが描
画されており、該パタ−ンが投影レンズ６の作用によっ
てウエハ−１０上に焼き付けられる。ウエハ−１０はＸ
Ｙ方向に自由に駆動できるＸＹステ−ジ７上に載せられ
て、露光とステップを繰り返しながら回路素子パタ−ン
がウエハ−上に転写される。
【００１６】引き回し光学系５は垂直部５Ａ、水平部５
Ｂの各々にメンテナンス、作業を行うためにカバ−に取
り付けられた扉を持つ。垂直部５Ａの扉５Ｃを開けると
垂直部５Ａ上の扉開閉確認センサ−（カバーセンサー）
４Ａが扉５Ｃが開状態になったことを検知し、また水平
部５Ｂの扉５Ｄを開けると水平部５Ｂの扉開閉確認セン
サ−（カバーセンサー）４Ｂが扉５Ｄが開状態になった
ことを検知する。垂直部５Ａ、水平部５Ｂの各扉開閉セ
ンサ−４Ａ、４Ｂの付近には不活性ガスの充填度を検知
するガス濃度センサ−（ガスセンサー）１４Ａ、１４Ｂ
が取り付けられている。
Ｂの各々にメンテナンス、作業を行うためにカバ−に取
り付けられた扉を持つ。垂直部５Ａの扉５Ｃを開けると
垂直部５Ａ上の扉開閉確認センサ−（カバーセンサー）
４Ａが扉５Ｃが開状態になったことを検知し、また水平
部５Ｂの扉５Ｄを開けると水平部５Ｂの扉開閉確認セン
サ−（カバーセンサー）４Ｂが扉５Ｄが開状態になった
ことを検知する。垂直部５Ａ、水平部５Ｂの各扉開閉セ
ンサ−４Ａ、４Ｂの付近には不活性ガスの充填度を検知
するガス濃度センサ−（ガスセンサー）１４Ａ、１４Ｂ
が取り付けられている。
【００１７】引き回し光学系５には不活性ガス充填用の
不活性ガス供給タンク２が配管で接続され、更に該配管
には不活性ガスの放出を制御する電磁開閉弁３が取り付
けられている。前記扉開閉センサ−４Ａ、４Ｂと不活性
ガス濃度センサ−１４Ａ、１４Ｂ、及び電磁開閉弁３、
エキシマレ−ザ−ヘッド１は制御部８に接続される。制
御部８は前記扉開閉センサ−４Ａ、４Ｂと不活性ガス濃
度センサ−１４Ａ、１４Ｂの信号に応じて電磁開閉弁３
とエキシマレ−ザ−ヘッド１の発光状態を制御する。
不活性ガス供給タンク２が配管で接続され、更に該配管
には不活性ガスの放出を制御する電磁開閉弁３が取り付
けられている。前記扉開閉センサ−４Ａ、４Ｂと不活性
ガス濃度センサ−１４Ａ、１４Ｂ、及び電磁開閉弁３、
エキシマレ−ザ−ヘッド１は制御部８に接続される。制
御部８は前記扉開閉センサ−４Ａ、４Ｂと不活性ガス濃
度センサ−１４Ａ、１４Ｂの信号に応じて電磁開閉弁３
とエキシマレ−ザ−ヘッド１の発光状態を制御する。
【００１８】次に制御部８の働きによる装置の動作につ
いて詳細に説明する。図２は装置サ−ビスマン、オペレ
−タ−が引き回し光学系５のメンテナンスを行うために
前記引き回し光学系の扉を開けた状態を示したものであ
る。ここでは先ず垂直部のメンテナンスを行う場合を考
える。
いて詳細に説明する。図２は装置サ−ビスマン、オペレ
−タ−が引き回し光学系５のメンテナンスを行うために
前記引き回し光学系の扉を開けた状態を示したものであ
る。ここでは先ず垂直部のメンテナンスを行う場合を考
える。
【００１９】引き回し光学系５の垂直部５Ａのメンテナ
ンスを行う場合、最初にエキシマレ−ザ−ヘッド１のレ
−ザ−発光を停止させた後、対象となる扉５Ｃが開かれ
る。扉開閉確認センサ−４Ａは扉５Ｃが開状態になった
ことを検知し、電気信号を制御部８に向け出力する。こ
の間のフロ−を示したのが図３−１で、扉の開閉の確認
はステップ１に相当する。
ンスを行う場合、最初にエキシマレ−ザ−ヘッド１のレ
−ザ−発光を停止させた後、対象となる扉５Ｃが開かれ
る。扉開閉確認センサ−４Ａは扉５Ｃが開状態になった
ことを検知し、電気信号を制御部８に向け出力する。こ
の間のフロ−を示したのが図３−１で、扉の開閉の確認
はステップ１に相当する。
【００２０】制御部８は前記扉開閉センサ−４Ａから出
力された信号をもとに扉５Ｃが閉状態から開状態に変化
したと判断し、不活性ガスの配管部に取り付けてある電
磁開閉弁３を閉じると共に、エキシマレ−ザ−ヘッド１
にレ−ザ−光発光停止指令を出力しビ−ムをシャットす
る。レ−ザ−にビ−ムシャッタ−が付属している場合に
は該ビ−ムシャッタが閉じられる。本動作は図３のフロ
−チャ−トのステップ２の動作に対応する。図５は扉開
閉センサ−と不活性ガス濃度センサ−の出力に応じた装
置の状態を１から４までに分類した表で、上記説明した
装置状態の変化は「状態１」から「状態２」への移行に
相当する。
力された信号をもとに扉５Ｃが閉状態から開状態に変化
したと判断し、不活性ガスの配管部に取り付けてある電
磁開閉弁３を閉じると共に、エキシマレ−ザ−ヘッド１
にレ−ザ−光発光停止指令を出力しビ−ムをシャットす
る。レ−ザ−にビ−ムシャッタ−が付属している場合に
は該ビ−ムシャッタが閉じられる。本動作は図３のフロ
−チャ−トのステップ２の動作に対応する。図５は扉開
閉センサ−と不活性ガス濃度センサ−の出力に応じた装
置の状態を１から４までに分類した表で、上記説明した
装置状態の変化は「状態１」から「状態２」への移行に
相当する。
【００２１】上記一連の動作に従い、制御部８は引き回
し光学系垂直部５Ａ内に放出されていた不活性ガスの供
給が停止したことを制御部８上のモニタ−に表示する。
これが図３のフロ−のステップ３である。
し光学系垂直部５Ａ内に放出されていた不活性ガスの供
給が停止したことを制御部８上のモニタ−に表示する。
これが図３のフロ−のステップ３である。
【００２２】続いて制御部８は不活性ガス濃度センサ−
１４Ａで５Ａ内の不活性ガスの充填度を確認する。不活
性ガスの充填度が規定値以下になったことが１４Ａによ
り検知されると制御部８は５Ａの不活性ガスの充填度／
濃度が安全なレベルに変化したことを制御部８上のモニ
タ−に表示する。本動作は図３のフロ−チャ−トのステ
ップ４に相当し、装置の状態が図５の「状態２」から
「状態３」へと変化したことを示す。
１４Ａで５Ａ内の不活性ガスの充填度を確認する。不活
性ガスの充填度が規定値以下になったことが１４Ａによ
り検知されると制御部８は５Ａの不活性ガスの充填度／
濃度が安全なレベルに変化したことを制御部８上のモニ
タ−に表示する。本動作は図３のフロ−チャ−トのステ
ップ４に相当し、装置の状態が図５の「状態２」から
「状態３」へと変化したことを示す。
【００２３】以上の手順により制御系８で安全性が確認
されたことが表示されると、装置のサ−ビスマン、オペ
レ−タ−は引き回し光学系５のメンテナンス作業を開始
することができる。
されたことが表示されると、装置のサ−ビスマン、オペ
レ−タ−は引き回し光学系５のメンテナンス作業を開始
することができる。
【００２４】この間の事情は引き回し光学系５の水平部
のメンテナンスを行う場合も同様である。即ち引き回し
光学系５の内部のメンテナンスを行う場合、最初にエキ
シマレ−ザ−ヘッド１のレ−ザ−発光を停止させた後、
筐体１０１の水平部５Ｂの扉５Ｄが開かれる。扉開閉確
認センサ−４Ｂは扉５Ｄが開状態になったことを検知
し、電気信号を制御部８に向け出力する。これがステッ
プ１である。
のメンテナンスを行う場合も同様である。即ち引き回し
光学系５の内部のメンテナンスを行う場合、最初にエキ
シマレ−ザ−ヘッド１のレ−ザ−発光を停止させた後、
筐体１０１の水平部５Ｂの扉５Ｄが開かれる。扉開閉確
認センサ−４Ｂは扉５Ｄが開状態になったことを検知
し、電気信号を制御部８に向け出力する。これがステッ
プ１である。
【００２５】制御部８は前記扉開閉センサ−４Ｂからの
出力信号をもとに扉５Ｄが閉状態から開いた状態に変化
したと判断し、不活性ガスの配管部に取り付けた電磁開
閉弁３を閉じると共に、エキシマレ−ザ−ヘッド１にレ
−ザ−光発光停止指令を出力しビ−ムをシャットする。
レ−ザ−にビ−ムシャッタ−が付属している場合には該
ビ−ムシャッタを閉じる。本動作がステップ２である。
勿論、垂直部の扉５Ｃの開動作が同時に行われ、既に電
磁弁３の閉動作とエキシマレ−ザ−ヘッド１への発光停
止指令が出ている場合は、制御部８からの停止指令は省
略しても良い。
出力信号をもとに扉５Ｄが閉状態から開いた状態に変化
したと判断し、不活性ガスの配管部に取り付けた電磁開
閉弁３を閉じると共に、エキシマレ−ザ−ヘッド１にレ
−ザ−光発光停止指令を出力しビ−ムをシャットする。
レ−ザ−にビ−ムシャッタ−が付属している場合には該
ビ−ムシャッタを閉じる。本動作がステップ２である。
勿論、垂直部の扉５Ｃの開動作が同時に行われ、既に電
磁弁３の閉動作とエキシマレ−ザ−ヘッド１への発光停
止指令が出ている場合は、制御部８からの停止指令は省
略しても良い。
【００２６】上記一連の動作に従い、制御部８は引き回
し光学系水平部５Ｂ内に放出されていた不活性ガスの供
給が停止したことをステップ３として制御部８上のモニ
タ−に表示する。
し光学系水平部５Ｂ内に放出されていた不活性ガスの供
給が停止したことをステップ３として制御部８上のモニ
タ−に表示する。
【００２７】制御部８は不活性ガス濃度センサ−１４Ｂ
で５Ｂ内の不活性ガスの充填度の測定を続行している。
不活性ガスの充填度が規定値以下になったことが１４Ｂ
により検知されると、制御部８は５Ｂの不活性ガスの充
填度／濃度が安全なレベルに変化したことを制御部８上
のモニタ−に表示する。以上の手順により制御系８で安
全性が確認されたことが表示されると装置のサ−ビスマ
ン、オペレ−タ−は引き回し光学系５のメンテナンス作
業を開始することができる。
で５Ｂ内の不活性ガスの充填度の測定を続行している。
不活性ガスの充填度が規定値以下になったことが１４Ｂ
により検知されると、制御部８は５Ｂの不活性ガスの充
填度／濃度が安全なレベルに変化したことを制御部８上
のモニタ−に表示する。以上の手順により制御系８で安
全性が確認されたことが表示されると装置のサ−ビスマ
ン、オペレ−タ−は引き回し光学系５のメンテナンス作
業を開始することができる。
【００２８】次に装置サ−ビスマン、オペレ−タ−がメ
ンテナンスを終了し、装置を復帰させる場合について説
明する。装置サ−ビスマン、オペレ−タ−はメンテナン
スを終了すると、メンテナンスを行った部分、例えば引
き回し光学系の垂直部５Ａであれば５Ａの扉５Ｃを閉じ
る。垂直部５Ｃの扉が閉じられると、扉開閉確認センサ
−４Ａは扉５Ｃが閉じたことを検知し、制御部８にその
旨電気信号として出力する。制御部８はセンサー４Ａか
らの信号を受け取ると共に他の部分の扉開閉確認センサ
−の状態も確認する。
ンテナンスを終了し、装置を復帰させる場合について説
明する。装置サ−ビスマン、オペレ−タ−はメンテナン
スを終了すると、メンテナンスを行った部分、例えば引
き回し光学系の垂直部５Ａであれば５Ａの扉５Ｃを閉じ
る。垂直部５Ｃの扉が閉じられると、扉開閉確認センサ
−４Ａは扉５Ｃが閉じたことを検知し、制御部８にその
旨電気信号として出力する。制御部８はセンサー４Ａか
らの信号を受け取ると共に他の部分の扉開閉確認センサ
−の状態も確認する。
【００２９】他の部分の扉開閉確認センサ−の状態がす
べて閉状態であれば、制御部８は不活性ガスの配管部の
電磁開閉弁３を開ける。これは図４のフロ−チャ−トの
ステップ５に相当し、装置が「状態３」から「状態４」
に移行していくことを示す。
べて閉状態であれば、制御部８は不活性ガスの配管部の
電磁開閉弁３を開ける。これは図４のフロ−チャ−トの
ステップ５に相当し、装置が「状態３」から「状態４」
に移行していくことを示す。
【００３０】制御部８はこの状態で不活性ガスの充填が
充填路に対して始まったことを制御部８上のモニタ−に
表示する。これがステップ６である。同時に制御部８は
作業を行っていた部分の引き回し光学系垂直部５Ａに取
り付けてある不活性ガス濃度センサ−の状態を確認す
る。１４Ａは充填路内の不活性ガスの濃度の測定を続け
るが、この間不活性ガスの充填度（濃度）がある規定値
以下の場合は、光路に対する不活性ガスの充填度がまだ
不十分であることを電気信号として制御部８に出力す
る。測定を続けていくうち、２からの不活性ガスの供給
が行き渡って不活性ガスの充填度がある規定値以上にな
れば、不活性ガス濃度センサ−１４Ａは不活性ガス濃度
が十分であると判断し、制御部８に十分である旨を電気
信号として出力する。制御部８は他の部分に配置された
不活性ガス濃度センサ−からの信号も同時にモニタ−し
ており、装置全体としての不活性ガスの充填状況を総合
的に把握する。他の部分の不活性ガス濃度センサ−の中
の一つでも不活性ガスの充填度が規定値以下であれば、
エキシマレ−ザ−ヘッド１に対するレ−ザ−発光停止指
令は続行される。
充填路に対して始まったことを制御部８上のモニタ−に
表示する。これがステップ６である。同時に制御部８は
作業を行っていた部分の引き回し光学系垂直部５Ａに取
り付けてある不活性ガス濃度センサ−の状態を確認す
る。１４Ａは充填路内の不活性ガスの濃度の測定を続け
るが、この間不活性ガスの充填度（濃度）がある規定値
以下の場合は、光路に対する不活性ガスの充填度がまだ
不十分であることを電気信号として制御部８に出力す
る。測定を続けていくうち、２からの不活性ガスの供給
が行き渡って不活性ガスの充填度がある規定値以上にな
れば、不活性ガス濃度センサ−１４Ａは不活性ガス濃度
が十分であると判断し、制御部８に十分である旨を電気
信号として出力する。制御部８は他の部分に配置された
不活性ガス濃度センサ−からの信号も同時にモニタ−し
ており、装置全体としての不活性ガスの充填状況を総合
的に把握する。他の部分の不活性ガス濃度センサ−の中
の一つでも不活性ガスの充填度が規定値以下であれば、
エキシマレ−ザ−ヘッド１に対するレ−ザ−発光停止指
令は続行される。
【００３１】不活性ガスの充填路に置かれたすべての不
活性ガス濃度センサ−により、不活性ガスの充填度が規
定値以上であることが確認されると、制御部８はエキシ
マレ−ザ−ヘッド１にレ−ザ−発光許可の指令を出力す
る。本動作は図４でステップ７に相当し、装置の状態は
「状態４」から「状態１」へ移行する。
活性ガス濃度センサ−により、不活性ガスの充填度が規
定値以上であることが確認されると、制御部８はエキシ
マレ−ザ−ヘッド１にレ−ザ−発光許可の指令を出力す
る。本動作は図４でステップ７に相当し、装置の状態は
「状態４」から「状態１」へ移行する。
【００３２】制御部８は同時に不活性ガスの充填度が高
くなり、エキシマレ−ザ−が発光可能な状態になったこ
とをモニタ−上に表示する。これがステップ８の動作に
相当する。
くなり、エキシマレ−ザ−が発光可能な状態になったこ
とをモニタ−上に表示する。これがステップ８の動作に
相当する。
【００３３】以上の動作により不活性ガスの充填度が確
認されたことで装置は稼働状態に復帰したことになる。
復帰後の動作開始は自動復帰でも、装置のサ−ビスマ
ン、オペレ−タ−の入力によるものでも良い。
認されたことで装置は稼働状態に復帰したことになる。
復帰後の動作開始は自動復帰でも、装置のサ−ビスマ
ン、オペレ−タ−の入力によるものでも良い。
【００３４】図６は本発明の実施形態２の要部を示すも
のである。本実施形態は引き回し光学系５の扉５Ｃ、５
Ｄ上に扉を固定するための固定機構１３Ａ、１３Ｂが取
り付いている点での実施形態１と異なる。固定機構１３
Ａ、１３Ｂは制御部８に接続され、制御部８からの指令
によって扉５Ｃ、５Ｄの固定、解放の制御を行う。
のである。本実施形態は引き回し光学系５の扉５Ｃ、５
Ｄ上に扉を固定するための固定機構１３Ａ、１３Ｂが取
り付いている点での実施形態１と異なる。固定機構１３
Ａ、１３Ｂは制御部８に接続され、制御部８からの指令
によって扉５Ｃ、５Ｄの固定、解放の制御を行う。
【００３５】装置のサ−ビスマン、オペレ−タ−が引き
回し光学系５の垂直部５Ａのメンテナンスを行う場合
は、先ず制御部８上のキ−ボ−ドよりメンテナンス開始
のコマンドを入力する。コマンドが入力されると制御部
８はエキシマレ−ザ−ヘッド１にレ−ザ−発光停止指令
を出力する。本動作と同時に制御部８は不活性ガスの配
管部に取り付けてある電磁開閉弁３を閉じる。
回し光学系５の垂直部５Ａのメンテナンスを行う場合
は、先ず制御部８上のキ−ボ−ドよりメンテナンス開始
のコマンドを入力する。コマンドが入力されると制御部
８はエキシマレ−ザ−ヘッド１にレ−ザ−発光停止指令
を出力する。本動作と同時に制御部８は不活性ガスの配
管部に取り付けてある電磁開閉弁３を閉じる。
【００３６】上記一連の動作後、制御部８は引き回し光
学系垂直部５Ａ内に放出している不活性ガスが停止した
ことを制御部８上のモニタ−に表示する。更に制御部８
はガス濃度センサ−１４Ａで充填路５Ａ内の不活性ガス
の充填度を確認する。不活性ガスの充填度が規定値以下
になると制御部８は不活性ガスの充填度／濃度が安全な
レベルになったことを制御部８のモニタ−上に表示する
と同時に、固定機構１３Ａに対して扉開放指令を出力す
る。
学系垂直部５Ａ内に放出している不活性ガスが停止した
ことを制御部８上のモニタ−に表示する。更に制御部８
はガス濃度センサ−１４Ａで充填路５Ａ内の不活性ガス
の充填度を確認する。不活性ガスの充填度が規定値以下
になると制御部８は不活性ガスの充填度／濃度が安全な
レベルになったことを制御部８のモニタ−上に表示する
と同時に、固定機構１３Ａに対して扉開放指令を出力す
る。
【００３７】固定機構１３Ａが該扉開放指令によって扉
５Ｃを解放すると、制御部８は扉５Ｃが開放状態になっ
たことを制御部８のモニタ−上に表示する。この表示に
基づいて装置サ−ビスマン、オペレ−タ−は扉５Ｃを開
けて作業を開始する。
５Ｃを解放すると、制御部８は扉５Ｃが開放状態になっ
たことを制御部８のモニタ−上に表示する。この表示に
基づいて装置サ−ビスマン、オペレ−タ−は扉５Ｃを開
けて作業を開始する。
【００３８】装置サ−ビスマン、オペレ−タ−が引き回
し光学系５の水平部５Ｂのメンテナンスを行う場合も前
述の垂直部５Ａの作業と同様である。即ち、先ず制御部
８のキ−ボ−ドからメンテナンス開始のコマンドを入力
する。コマンドが入力されると制御部８はエキシマレ−
ザ−ヘッド１にレ−ザ−発光停止指令を出力する。本動
作と同時に制御部８は不活性ガスの配管部に取り付けて
ある電磁開閉弁３を閉じる。
し光学系５の水平部５Ｂのメンテナンスを行う場合も前
述の垂直部５Ａの作業と同様である。即ち、先ず制御部
８のキ−ボ−ドからメンテナンス開始のコマンドを入力
する。コマンドが入力されると制御部８はエキシマレ−
ザ−ヘッド１にレ−ザ−発光停止指令を出力する。本動
作と同時に制御部８は不活性ガスの配管部に取り付けて
ある電磁開閉弁３を閉じる。
【００３９】上記一連の動作により、制御部８は引き回
し光学系水平部５Ｂ内に放出している不活性ガスが停止
したことを制御部８のモニタ−上に表示する。更に制御
部８はガス濃度センサ−１４Ｂで充填路５Ｂの不活性ガ
スの充填度を確認する。不活性ガスの充填度が規定値以
下になると制御部８は不活性ガスの充填度／濃度が安全
なレベルになったことを制御部８に表示し、同時に、制
御部８は固定機構１３Ｂに対し扉開放指令を出力する。
し光学系水平部５Ｂ内に放出している不活性ガスが停止
したことを制御部８のモニタ−上に表示する。更に制御
部８はガス濃度センサ−１４Ｂで充填路５Ｂの不活性ガ
スの充填度を確認する。不活性ガスの充填度が規定値以
下になると制御部８は不活性ガスの充填度／濃度が安全
なレベルになったことを制御部８に表示し、同時に、制
御部８は固定機構１３Ｂに対し扉開放指令を出力する。
【００４０】固定機構１３Ｂが該扉開放指令によって扉
５Ｄを解放すると制御部８は扉５Ｄが開放状態になった
ことを制御部８のモニタ−上に表示する。この表示に基
づいて装置サ−ビスマン、オペレ−タ−は扉５Ｄを開け
て作業を開始することができる。
５Ｄを解放すると制御部８は扉５Ｄが開放状態になった
ことを制御部８のモニタ−上に表示する。この表示に基
づいて装置サ−ビスマン、オペレ−タ−は扉５Ｄを開け
て作業を開始することができる。
【００４１】装置のサ−ビスマン、オペレ−タ−がメン
テナンスを終了し、装置を復帰させる場合の手順も実施
形態１と全く同様である。
テナンスを終了し、装置を復帰させる場合の手順も実施
形態１と全く同様である。
【００４２】また実施形態１、２では不活性ガスの濃度
をガス濃度センサ−で測定したが、該センサ−を不活性
ガス流量計に変えて判断を行うことも可能である。
をガス濃度センサ−で測定したが、該センサ−を不活性
ガス流量計に変えて判断を行うことも可能である。
【００４３】またここでは半導体露光装置の例を示した
が、半導体露光装置と同様に不活性ガスを使用する他の
半導体製造装置にも本発明は同様に適用が可能である。
が、半導体露光装置と同様に不活性ガスを使用する他の
半導体製造装置にも本発明は同様に適用が可能である。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように本発明では不活性ガ
スを装置内に充填することが必要なエキシマレ−ザ−を
用いた半導体露光装置のような装置において、該装置の
不活性ガス充填部に該不活性ガスの充填度を確認するセ
ンサ−を設け、該センサ−の出力によって装置をコント
ロ−ルするシステムを構成することにより、オペレ−タ
−やサ−ビスマンの作業ミス、作業モレによる窒息等、
充填中の不活性ガス内に人身がさらされることが無くな
り、人身に対する危険が回避できる。
スを装置内に充填することが必要なエキシマレ−ザ−を
用いた半導体露光装置のような装置において、該装置の
不活性ガス充填部に該不活性ガスの充填度を確認するセ
ンサ−を設け、該センサ−の出力によって装置をコント
ロ−ルするシステムを構成することにより、オペレ−タ
−やサ−ビスマンの作業ミス、作業モレによる窒息等、
充填中の不活性ガス内に人身がさらされることが無くな
り、人身に対する危険が回避できる。
【００４５】また更に不活性ガスの充填度が十分である
ことを自動で確認してエキシマレ−ザ−の発光指令を出
すため、装置のサ−ビスマン、オペレ−タ−の作業ミ
ス、作業モレによって不活性ガス未充填時の発光を未然
に防ぐことができ、不純物が光学系に付着したり、光学
系内のレンズの曇り現象を防ぐことができる。このため
装置のメテナンスに費やす作業量と時間が減少するた
め、装置の稼働率が高まり、装置自体の寿命も長くする
ことができる。
ことを自動で確認してエキシマレ−ザ−の発光指令を出
すため、装置のサ−ビスマン、オペレ−タ−の作業ミ
ス、作業モレによって不活性ガス未充填時の発光を未然
に防ぐことができ、不純物が光学系に付着したり、光学
系内のレンズの曇り現象を防ぐことができる。このため
装置のメテナンスに費やす作業量と時間が減少するた
め、装置の稼働率が高まり、装置自体の寿命も長くする
ことができる。
【図１】本発明の実施形態１の半導体露光装置の照明系
の斜視図
の斜視図
【図２】実施形態１のカバ−の開閉状態を示す図
【図３】本発明の半導体露光装置の不活性ガスの停止、
供給を示すフローチャ−ト図
供給を示すフローチャ−ト図
【図４】本発明の半導体露光装置の不活性ガスの停止、
供給を示すフローチャ−ト図
供給を示すフローチャ−ト図
【図５】本発明の半導体露光装置の不活性ガスの放出／
停止及びエキシマレ−ザ−の発光／停止の装置状態を示
す図
停止及びエキシマレ−ザ−の発光／停止の装置状態を示
す図
【図６】本発明の実施形態２の半導体露光装置を示す図
１ エキシマレ−ザ−ヘッド ２ 不活性ガスのタンク ３ 電磁開閉弁 ４、４Ａ、４Ｂ 扉開閉確認センサ− ５、５Ａ、５Ｂ レ−ザ−引き回し光学系 ５Ｃ、５Ｄ レ−ザ−引き回し光学系の扉 ６ 投影レンズ ７ ＸＹステ−ジ ８ 制御部 ９ エキシマレ−ザ−の出射口 １０ ウエハ− １１ レチクル １２ レ−ザ−光 １３ 扉の固定機構 １４ 不活性ガス濃度センサ− １０１ 筐体
Claims (11)
- 【請求項１】 不活性ガスを筐体内に充填して作動させ
る半導体製造装置において、前記筐体内の所定の部分の
該不活性ガスの充填状態を検出し、該検出状態に応じて
前記筐体の作動状態を制御することを特徴とする半導体
露光装置。 - 【請求項２】 エキシマレ−ザ−を用いた半導体露光装
置において、エキシマレ−ザ−光路中の筐体内に不活性
ガスを充填し、該充填した光路中に前記不活性ガスの充
填度を測定するガスセンサ−を配したことを特徴とする
半導体露光装置。 - 【請求項３】 前記ガスセンサ−と前記筐体内に不活性
ガスを充填した光路のカバ−の開閉状態を確認するカバ
ーセンサ−、不活性ガスの流入を制御する電磁開閉弁を
備え、前記カバ−センサ−の開閉状態に応じて前記電磁
開閉弁の制御状態を変更することを特徴とする請求項２
の半導体露光装置。 - 【請求項４】 前記カバ−センサ−が閉状態から開状態
になったとき前記電磁開閉弁を閉じることを特徴とする
請求項３の半導体露光装置。 - 【請求項５】 前記カバ−センサ−が閉状態から開状態
になったとき、前記電磁開閉弁を閉じたことを表示する
とともに、前記ガスセンサ−による測定値が規定値を越
えているか否かを表示することを特徴とする請求項４の
半導体露光装置。 - 【請求項６】 前記カバ−センサ−が閉状態から開状態
になったとき、前記エキシマレ−ザ−の発光を停止する
信号を発生させることを特徴とする請求項４の半導体露
光装置。 - 【請求項７】 前記カバ−センサ−が開状態から閉状態
になったとき前記電磁開閉弁を開くことを特徴とする請
求項３の半導体露光装置。 - 【請求項８】 前記カバ−センサ−が開状態から閉状態
になったとき、前記電磁開閉弁を開いたことを表示する
とともに、前記ガスセンサ−による測定値が規定値を越
えているか否かを表示することを特徴とする請求項７の
半導体露光装置。 - 【請求項９】 前記カバ−センサ−が開状態から閉状態
になったとき、前記ガスセンサ−による測定値が規定値
以下の場合、前記エキシマレ−ザ−の発光を停止するこ
とを特徴とする請求項７の半導体露光装置。 - 【請求項１０】 前記カバ−センサ−が開状態から閉状
態になったとき、前記ガスセンサ−による測定値が規定
値を越えた場合、前記エキシマレ−ザ−の発光を開始す
ることを特徴とする請求項７の半導体露光装置。 - 【請求項１１】 前記エキシマレ−ザ−の発光状態を表
示することを特徴とする請求項３の半導体露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01716996A JP4011643B2 (ja) | 1996-01-05 | 1996-01-05 | 半導体製造装置 |
| US08/774,883 US6295121B1 (en) | 1996-01-05 | 1996-12-27 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01716996A JP4011643B2 (ja) | 1996-01-05 | 1996-01-05 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186077A true JPH09186077A (ja) | 1997-07-15 |
| JP4011643B2 JP4011643B2 (ja) | 2007-11-21 |
Family
ID=11936464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01716996A Expired - Fee Related JP4011643B2 (ja) | 1996-01-05 | 1996-01-05 | 半導体製造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6295121B1 (ja) |
| JP (1) | JP4011643B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| WO1999025010A1 (fr) * | 1997-11-12 | 1999-05-20 | Nikon Corporation | Appareil d'exposition, appareil de fabrication de composants, et procede de fabrication d'appareils d'exposition |
| WO1999036950A1 (fr) * | 1998-01-19 | 1999-07-22 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition, appareil d'exposition, et dispositif revelateur du revetement |
| US6341006B1 (en) | 1995-04-07 | 2002-01-22 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
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| JP2013131746A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Asml Netherlands Bv | ポンプシステム、二酸化炭素供給システム、抽出システム、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
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| JPH10270333A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JP3976981B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-09-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置、ガス置換方法、デバイス製造方法 |
| JP4689064B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2011-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP2001326162A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Canon Inc | 半導体製造装置および半導体デバイス製造方法 |
| JP4541571B2 (ja) | 2001-01-23 | 2010-09-08 | キヤノン株式会社 | 半導体製造装置 |
| DE10302665A1 (de) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem |
| JP5700950B2 (ja) * | 2010-04-21 | 2015-04-15 | キヤノン株式会社 | 生体情報取得装置 |
| JP6099970B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-03-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
| JP6099969B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-03-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD160756A3 (de) * | 1981-04-24 | 1984-02-29 | Gudrun Dietz | Anordnung zur verbesserung fotochemischer umsetzungsprozesse in fotoresistschichten |
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