JPH0472710A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH0472710A JPH0472710A JP2186056A JP18605690A JPH0472710A JP H0472710 A JPH0472710 A JP H0472710A JP 2186056 A JP2186056 A JP 2186056A JP 18605690 A JP18605690 A JP 18605690A JP H0472710 A JPH0472710 A JP H0472710A
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- infrared
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 16
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路の製造工程に用いられる露
光装置に関するものである。
光装置に関するものである。
〔従来の技術]
第4図は従来の露光装置を説明するための断面図である
。
。
第4図において、1は水銀ランプ、2はレンズ、3ば水
銀ランプ1により照射する紫外線、4はシャッタ、6は
半導体基板、7は半導体基板6上にレジストを塗布する
ことにより形成されたレジスト膜、12はレクチル、1
3はシャッタ4の開閉を制御するシャッタ開閉装置であ
る。またaは非露光領域、bは露光領域を示す。
銀ランプ1により照射する紫外線、4はシャッタ、6は
半導体基板、7は半導体基板6上にレジストを塗布する
ことにより形成されたレジスト膜、12はレクチル、1
3はシャッタ4の開閉を制御するシャッタ開閉装置であ
る。またaは非露光領域、bは露光領域を示す。
このように構成された従来の露光装置について、以下説
明する。
明する。
半導体基板6上のレジスト膜7を露光する場合、シャッ
タ開閉装置13によりシャ、り4を開け、水銀ランプ1
により紫外線3をレンズ2およびレクチル12を介して
レジスト膜7の露光領域すに照射することにより、露光
を行う。
タ開閉装置13によりシャ、り4を開け、水銀ランプ1
により紫外線3をレンズ2およびレクチル12を介して
レジスト膜7の露光領域すに照射することにより、露光
を行う。
この際、レジスト膜7の露光時間は、予めツヤツタ開閉
装置13に設定されており、露光時間に達するとシャッ
タ開閉装置13によりシャンク4を閉しることによって
露光が終了される。
装置13に設定されており、露光時間に達するとシャッ
タ開閉装置13によりシャンク4を閉しることによって
露光が終了される。
このように従来の露光装置では、予め露光時間をシャッ
タ開閉装置13に設定することによりレジスト膜7の露
光時間を制御しており、半導体基板6上のレジスト11
17に対して連続して露光が行われる。
タ開閉装置13に設定することによりレジスト膜7の露
光時間を制御しており、半導体基板6上のレジスト11
17に対して連続して露光が行われる。
〔発明が解決しようとする諜B]
しかしながら、このように従来の露光装置では、予め設
定された同一の露光時間により半導体基板6上のレジス
ト膜7に対する露光時間が制御されるため、異なる半導
体基板6ごとのレジスト膜7の厚みの相違または同一半
導体基板6上のレジスト膜の厚みの不均一により、レジ
スト膜7がオーバ露光されたり、またはアンダー露光さ
れたりするという問題があった。このように不均一な露
光を行ったレジスト膜を現像した場合、所望の寸法を有
するレジストパターンを得ることができない。
定された同一の露光時間により半導体基板6上のレジス
ト膜7に対する露光時間が制御されるため、異なる半導
体基板6ごとのレジスト膜7の厚みの相違または同一半
導体基板6上のレジスト膜の厚みの不均一により、レジ
スト膜7がオーバ露光されたり、またはアンダー露光さ
れたりするという問題があった。このように不均一な露
光を行ったレジスト膜を現像した場合、所望の寸法を有
するレジストパターンを得ることができない。
この発明の目的は上記問題点に鑑み、寸法制御の精度を
向上させたレジストパターンを得ることのできる露光装
置を提供することである。
向上させたレジストパターンを得ることのできる露光装
置を提供することである。
〔課題を解決するための手段]
この発明の露光装置は、赤外線照射装置と赤外線強度検
出装置とシャフタ開閉装置とを備えたものである。赤外
線照射装置は、露光前および露光中にレジスト膜に赤外
線を照射する。赤外線強度検出装置は、露光前および露
光中にレジスト膜に照射した赤外線の反射光の強度を検
出する。シャ、り開閉装置は、赤外線強度検出装置の露
光中の検出出力が露光前の検出出力に対して一定の比に
達したときシャッタを閉しる。
出装置とシャフタ開閉装置とを備えたものである。赤外
線照射装置は、露光前および露光中にレジスト膜に赤外
線を照射する。赤外線強度検出装置は、露光前および露
光中にレジスト膜に照射した赤外線の反射光の強度を検
出する。シャ、り開閉装置は、赤外線強度検出装置の露
光中の検出出力が露光前の検出出力に対して一定の比に
達したときシャッタを閉しる。
[作用]
この発明の構成によれば、露光前および露光中に、赤外
線照射装置によりレジスト膜に照射した赤外線の反射光
の強度を赤外線強度検出装置で検出し、この赤外線強度
検出装置の露光中の検出出力が露光前の検出出力に対し
て一定の比に達したときシャンク開閉装置によりシャン
クを閉し、露光を終了することによって、レジスト膜の
露光時間を制御する。すなわち、従来のように同一の露
光時間を予めシャッタ開閉装置に設定することなく、露
光に伴う赤外線の反射光の強度の変化を検出することに
より、レジスト膜の露光時間を制御する。したがって、
レジスト膜の厚みの不均一または相違に左右されること
なく、常にレジスト膜の露光状態を最適化することがで
きる。
線照射装置によりレジスト膜に照射した赤外線の反射光
の強度を赤外線強度検出装置で検出し、この赤外線強度
検出装置の露光中の検出出力が露光前の検出出力に対し
て一定の比に達したときシャンク開閉装置によりシャン
クを閉し、露光を終了することによって、レジスト膜の
露光時間を制御する。すなわち、従来のように同一の露
光時間を予めシャッタ開閉装置に設定することなく、露
光に伴う赤外線の反射光の強度の変化を検出することに
より、レジスト膜の露光時間を制御する。したがって、
レジスト膜の厚みの不均一または相違に左右されること
なく、常にレジスト膜の露光状態を最適化することがで
きる。
[実施例〕
この発明の一実施例を第1図ないし第3図に基づいて説
明する。
明する。
第1図はこの発明の一実施例の露光装置を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
第1図において、1は水銀ランプ、2はレンズ、3は水
銀ランプ1より曜射する紫外線、4はシャッタ、5はシ
ャッタ4の開閉を制御するシャッタ開閉装置、6は半導
体基板、7は半導体基板6上にレジストを塗布すること
により形成したレジスト膜、8は赤外線照射装置、9は
赤外線照射装置8により照射する赤外線、10は半導体
基板6により反射した赤外線反射光、11は赤外線反射
光の強度を検出する赤外線強度検出装置、12はレクチ
ルである。またaはレジスト膜7の非露光頭載、bはレ
ジスト膜7の露光領域を示す。
銀ランプ1より曜射する紫外線、4はシャッタ、5はシ
ャッタ4の開閉を制御するシャッタ開閉装置、6は半導
体基板、7は半導体基板6上にレジストを塗布すること
により形成したレジスト膜、8は赤外線照射装置、9は
赤外線照射装置8により照射する赤外線、10は半導体
基板6により反射した赤外線反射光、11は赤外線反射
光の強度を検出する赤外線強度検出装置、12はレクチ
ルである。またaはレジスト膜7の非露光頭載、bはレ
ジスト膜7の露光領域を示す。
第2図(a)、 (b)は実施例のレジスト膜7の化学
組成を示す図である。
組成を示す図である。
レジストとして、第2図(a)に示すような現在−般に
広く利用されているネガ型レジストの一つであるポリ桂
皮酸ビニル系のレジストを用い、このレジストを半導体
基板6上に塗布することによりレジスト膜7を形成した
。
広く利用されているネガ型レジストの一つであるポリ桂
皮酸ビニル系のレジストを用い、このレジストを半導体
基板6上に塗布することによりレジスト膜7を形成した
。
このように構成した露光装置について、以下説明する。
半導体基板6上にレジスト膜7を形成した後、露光前す
なわちシャッタ4を閉じた状態で、赤外線照射装置8に
より波長5.95Cμm]〜6.161μm〕の赤外線
9をレジスト膜7の露光領域すおよび半導体基板6上に
照射し、さらに半導体基板6により反射した赤外線反射
光10の強度を赤外線強度検出装置11で検出する。こ
の赤外線強度検出装置11の露光前の検出出力赤外線反
射光強度■。とする。
なわちシャッタ4を閉じた状態で、赤外線照射装置8に
より波長5.95Cμm]〜6.161μm〕の赤外線
9をレジスト膜7の露光領域すおよび半導体基板6上に
照射し、さらに半導体基板6により反射した赤外線反射
光10の強度を赤外線強度検出装置11で検出する。こ
の赤外線強度検出装置11の露光前の検出出力赤外線反
射光強度■。とする。
そして、シャッタ4を開け、水銀ランプ1より紫外13
をレンズ2およびレクチル10を介してレジスト膜7の
露光領域すに照射することにより、露光を行う、この際
にも、露光領域すには赤外線照射装置8により波長5.
95Cμm〕〜6,16〔μm]赤外線9を照射し、赤
外線強度検出装置11により露光中の赤外線反射光10
の強度を検出する。この赤外線強度検出装置11の露光
中の検出出力を赤外線反射光強度■とする。
をレンズ2およびレクチル10を介してレジスト膜7の
露光領域すに照射することにより、露光を行う、この際
にも、露光領域すには赤外線照射装置8により波長5.
95Cμm〕〜6,16〔μm]赤外線9を照射し、赤
外線強度検出装置11により露光中の赤外線反射光10
の強度を検出する。この赤外線強度検出装置11の露光
中の検出出力を赤外線反射光強度■とする。
またこの際、レジス)117の露光領域すは紫外vA3
で露光されることにより、ポリ桂皮酸ビニル分子中から
−CH=CH−結合が消失する(第2図(a)、由)参
照)。
で露光されることにより、ポリ桂皮酸ビニル分子中から
−CH=CH−結合が消失する(第2図(a)、由)参
照)。
この−CH=CH−結合は赤外線9(波長5.95〔μ
m〕〜6.16Cμm))を吸収する特性がある。した
がって、レジスト膜7の露光が進行することにより膜中
の−CH=CH−結合が減少すると、レジスト膜7に吸
収される赤外線7が減少する。その結果、露光が進行す
るにつれて、赤外線反射光強度Iは、露光前の赤外線反
射光強度I0の比較して、徐々に増加する。したがって
、第3図に示すように、レジスト膜7の露光の進行につ
れて、すなわち露光時間が長くなるにつれて、露光前の
赤外線反射光強度1.に対する露光中の赤外線反射強度
Iの比(■。/I)は小さくなる。
m〕〜6.16Cμm))を吸収する特性がある。した
がって、レジスト膜7の露光が進行することにより膜中
の−CH=CH−結合が減少すると、レジスト膜7に吸
収される赤外線7が減少する。その結果、露光が進行す
るにつれて、赤外線反射光強度Iは、露光前の赤外線反
射光強度I0の比較して、徐々に増加する。したがって
、第3図に示すように、レジスト膜7の露光の進行につ
れて、すなわち露光時間が長くなるにつれて、露光前の
赤外線反射光強度1.に対する露光中の赤外線反射強度
Iの比(■。/I)は小さくなる。
そこで、予め決定しておいた最適のレジストパターンが
得られるレジスト膜7の露光状態における■。/■の値
kに達したとき(露光時間tiに、シャッタ開閉装置5
によりシャッタ4を閉じるこさにより、レジスト膜4の
露光を終了する。
得られるレジスト膜7の露光状態における■。/■の値
kに達したとき(露光時間tiに、シャッタ開閉装置5
によりシャッタ4を閉じるこさにより、レジスト膜4の
露光を終了する。
このように露光中に、赤外線強度検出装置11によりレ
ジスト膜7の露光領域すの赤外線反射光強度■を検出し
、露光前の赤外線反射光強度■。
ジスト膜7の露光領域すの赤外線反射光強度■を検出し
、露光前の赤外線反射光強度■。
と比較し、露光状態を最適にできるI0/Iの値に達し
たときに、シャッタ開閉装置5によりシャッタ4を閉じ
、露光を終了することにより、レジスト膜7の露光時間
を制御する。すなわち露光中のレジスト膜7の分子構造
により露光時間を制御するため、レジスト膜7の厚みの
不均一または相違に左右されることなく、常にレジスト
膜7の露光状態を最適にすることができる。その結果、
このレジスト膜7を現像することによって、寸法精度の
高いレジストパターンを得ることができる。
たときに、シャッタ開閉装置5によりシャッタ4を閉じ
、露光を終了することにより、レジスト膜7の露光時間
を制御する。すなわち露光中のレジスト膜7の分子構造
により露光時間を制御するため、レジスト膜7の厚みの
不均一または相違に左右されることなく、常にレジスト
膜7の露光状態を最適にすることができる。その結果、
このレジスト膜7を現像することによって、寸法精度の
高いレジストパターンを得ることができる。
なお実施例は、レジスト膜7のレジストとしてネガ型フ
ォトレジストを用いたが、例えばポジ型フォトレジスト
、X線レジスト、1を子線レジストおよびDeep−U
V(遠赤外線)レジスト等を用いることもできる。すな
わちこの発明は、赤外線に対して感光することなく、か
つ露光することにより分子構造の変化する全てのレジス
トを用いることができる。
ォトレジストを用いたが、例えばポジ型フォトレジスト
、X線レジスト、1を子線レジストおよびDeep−U
V(遠赤外線)レジスト等を用いることもできる。すな
わちこの発明は、赤外線に対して感光することなく、か
つ露光することにより分子構造の変化する全てのレジス
トを用いることができる。
〔発明の効果〕
この発明の露光装置によれば、レジスト膜に赤外線を照
射する赤外線照射装置と、レジスト膜に照射した赤外線
の反射光の強度を検出する赤外線強度検出装置と、この
赤外線強度検出装置の露光中の検出出力が露光前の検出
出力に対して一定の比に達したときシャッタを閉じるシ
ャッタ開閉装置とを備えることにより、露光に伴う赤外
線の反射光の強度の変化を検出することにより、レジス
ト膜の露光時間を制御する。したがって、レジスト膜の
厚みの不均一または相違に左右されることなく、常にレ
ジスト膜の露光状態を最適化することができる。その結
果、レジスト膜を現像することによって、寸法制御の精
度を向上させたレジストパターンを得ることができる。
射する赤外線照射装置と、レジスト膜に照射した赤外線
の反射光の強度を検出する赤外線強度検出装置と、この
赤外線強度検出装置の露光中の検出出力が露光前の検出
出力に対して一定の比に達したときシャッタを閉じるシ
ャッタ開閉装置とを備えることにより、露光に伴う赤外
線の反射光の強度の変化を検出することにより、レジス
ト膜の露光時間を制御する。したがって、レジスト膜の
厚みの不均一または相違に左右されることなく、常にレ
ジスト膜の露光状態を最適化することができる。その結
果、レジスト膜を現像することによって、寸法制御の精
度を向上させたレジストパターンを得ることができる。
第1図はこの発明の一実施例の露光装置を説明するため
の断面図、第2図(a)、(ト))は実施例のレジスト
膜7の化学組成を示す図、第3図は露光前の赤外線反射
光強度I0に対する露光中の赤外線反射光強度Iの比(
1,/T)と露光時間りとの関係を示す図、第4図は従
来の露光装置を説明するための断面図である。 4・・・シャッタ、5・・・シャッタ開閉装置、6・・
・レジスト膜、8・・・赤外線照射装置、11・・・赤
外線強度検出装置 第 図 第 図 (a) (b) \′
の断面図、第2図(a)、(ト))は実施例のレジスト
膜7の化学組成を示す図、第3図は露光前の赤外線反射
光強度I0に対する露光中の赤外線反射光強度Iの比(
1,/T)と露光時間りとの関係を示す図、第4図は従
来の露光装置を説明するための断面図である。 4・・・シャッタ、5・・・シャッタ開閉装置、6・・
・レジスト膜、8・・・赤外線照射装置、11・・・赤
外線強度検出装置 第 図 第 図 (a) (b) \′
Claims (1)
- レジスト膜に赤外線を照射する赤外線照射装置と、前
記レジスト膜に照射した赤外線の反射光の強度を検出す
る赤外線強度検出装置と、この赤外線強度検出装置の露
光中の検出出力が露光前の検出出力に対して一定の比に
達したときシャッタを閉じるシャッタ開閉装置とを備え
た露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2186056A JPH0472710A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2186056A JPH0472710A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0472710A true JPH0472710A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16181625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2186056A Pending JPH0472710A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0472710A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129912A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
CN111273522A (zh) * | 2020-04-11 | 2020-06-12 | 苏州源卓光电科技有限公司 | 一种基板的曝光方法及加工方法 |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2186056A patent/JPH0472710A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129912A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
CN111273522A (zh) * | 2020-04-11 | 2020-06-12 | 苏州源卓光电科技有限公司 | 一种基板的曝光方法及加工方法 |
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