JPS63164343A - フリツプチツプｉｃ装置 - Google Patents
フリツプチツプｉｃ装置Info
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- JPS63164343A JPS63164343A JP61312102A JP31210286A JPS63164343A JP S63164343 A JPS63164343 A JP S63164343A JP 61312102 A JP61312102 A JP 61312102A JP 31210286 A JP31210286 A JP 31210286A JP S63164343 A JPS63164343 A JP S63164343A
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- JP
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- film
- solder
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- aluminum electrode
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はフリップチップＩＣ装置に関するものである。
従来の技術
従来のフリップチップＩＣ装置においで、その−面に半
田からなる山形のバンプ接点を形成する際には、第２図
に示すように、ＩＣチップ１１のアルミニウム電極１２
には半［１１が付かないため、ＩＣチップ１１のアルミ
ニウム電極１２を配置された一面］二に、真空蒸着やス
パッタリングによりて、アルミニウム電極１２との接着
性の良好なりローム薄膜１３を形成し、次にその上に銅
薄膜１４を形成し、さらにその上に金またはニッケルの
薄膜１５を形成し、次にこれらの薄膜上にレノスト膜を
形成するとともに、フォトリングラフィによってアルミ
ニウム電極１２上のレジスト膜を除去し、前記薄膜１３
．１４．１５を共通電極として半田メッキを行うことに
より半田からなる山形のバンプ接、α１６を形成し、そ
の後前記レノスト膜を除去するとと６に、前記バンプ接
点１６上にレジスト膜を形成し、バンプ接、−居１６以
外の部分の前記各薄膜１３．１４．１５を除去しでいた
。
田からなる山形のバンプ接点を形成する際には、第２図
に示すように、ＩＣチップ１１のアルミニウム電極１２
には半［１１が付かないため、ＩＣチップ１１のアルミ
ニウム電極１２を配置された一面］二に、真空蒸着やス
パッタリングによりて、アルミニウム電極１２との接着
性の良好なりローム薄膜１３を形成し、次にその上に銅
薄膜１４を形成し、さらにその上に金またはニッケルの
薄膜１５を形成し、次にこれらの薄膜上にレノスト膜を
形成するとともに、フォトリングラフィによってアルミ
ニウム電極１２上のレジスト膜を除去し、前記薄膜１３
．１４．１５を共通電極として半田メッキを行うことに
より半田からなる山形のバンプ接、α１６を形成し、そ
の後前記レノスト膜を除去するとと６に、前記バンプ接
点１６上にレジスト膜を形成し、バンプ接、−居１６以
外の部分の前記各薄膜１３．１４．１５を除去しでいた
。
また、上記と同様にＩＣチップｌの一面上にクローム薄
膜１３と銅薄膜１４を形成した後、ｍ薄ｆｆ５！１４上
にレジスト膜を形成するとともに、７オトリソグラフイ
によってアルミニウム１庵１２上のレジスト膜のみを残
して除去し、次にアルミニウム電１１３１−以外の前記
薄膜１３．１４を除去した後、銅薄膜１４−ヒのレノス
ト膜も除去することにより、前記アルミニウム電極１２
上にのみ薄ｖ１３．１４を形成し、その後メタルマスク
を用いて前記アルミニウム電極１２上の銅薄膜１４上に
のみ半田を真空蒸着して山形のバンプ接点１６を形成す
る方法も採用されていた。尚、第２図において、１７は
ＩＣチップ１の一面上のパシベーション膜である。
膜１３と銅薄膜１４を形成した後、ｍ薄ｆｆ５！１４上
にレジスト膜を形成するとともに、７オトリソグラフイ
によってアルミニウム１庵１２上のレジスト膜のみを残
して除去し、次にアルミニウム電１１３１−以外の前記
薄膜１３．１４を除去した後、銅薄膜１４−ヒのレノス
ト膜も除去することにより、前記アルミニウム電極１２
上にのみ薄ｖ１３．１４を形成し、その後メタルマスク
を用いて前記アルミニウム電極１２上の銅薄膜１４上に
のみ半田を真空蒸着して山形のバンプ接点１６を形成す
る方法も採用されていた。尚、第２図において、１７は
ＩＣチップ１の一面上のパシベーション膜である。
発明が解決しようとする問題点
ところが、上記のように山形のバンブ接点を形成するの
に、３／ｉｉｊまたは２層の金Ｅ４薄膜を形成した後、
エツチングを行い、さらに真空蒸着や電気メッキを行う
という複雑な工程が必要であり、しかも７オトリソグラ
フイに１±マスクが必要であるためコスト高となるとい
う問題があった。
に、３／ｉｉｊまたは２層の金Ｅ４薄膜を形成した後、
エツチングを行い、さらに真空蒸着や電気メッキを行う
という複雑な工程が必要であり、しかも７オトリソグラ
フイに１±マスクが必要であるためコスト高となるとい
う問題があった。
本発明は従来のこの上うな間り代に鑑み、簡略な工程に
より低コストで山形のバンプ接点を形成できるフリップ
チップＩＣ装置の提供を目的とする。
より低コストで山形のバンプ接点を形成できるフリップ
チップＩＣ装置の提供を目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明のフリップチップＩＣ装置は、上記目的を達成す
るため、ＩＣチップの一面に形成されたアルミニウム電
極上に半田に対して接着性の良い金属膜を無電解メッキ
にて形成し、この金！ＸＩＫの上に半田ディツプにて山
形のバンブ接点を形成したことを特徴とする。
るため、ＩＣチップの一面に形成されたアルミニウム電
極上に半田に対して接着性の良い金属膜を無電解メッキ
にて形成し、この金！ＸＩＫの上に半田ディツプにて山
形のバンブ接点を形成したことを特徴とする。
作用
本発明は上記構成を有するので、無電解メッキを行う際
に、ＩＣチップの一面のアルミニウム電極を除（はぼ全
面に形成されているバシベーシ５ン膜をレノスト膜とし
て利用することができ、ＩＣチップを無電解メッキする
ことによりマスク無しで半田に対して付着性の良い金属
膜を形成でき、この金属膜に半田ディツプにて容易に山
形のバンブ接点を形成することがで島る。
に、ＩＣチップの一面のアルミニウム電極を除（はぼ全
面に形成されているバシベーシ５ン膜をレノスト膜とし
て利用することができ、ＩＣチップを無電解メッキする
ことによりマスク無しで半田に対して付着性の良い金属
膜を形成でき、この金属膜に半田ディツプにて容易に山
形のバンブ接点を形成することがで島る。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図を参照しながら説明す
る。
る。
１はＩＣチップであって、その−面には略８０００Ａ程
度の厚さのアルミニウム電極２が形成されでおり、かつ
このＩＣチップ１の一面には、アルミニウム電極２を除
いて略全面にパシベーシタン１１ｉ３が形成されている
。このパシベーション膜３をレノスト膜としてＭ′ＩＩ
ｌ解メッキセメツキアルミニウム電極２」−に半田に対
して接着性の良い金属からなる金属膜４が形成されでい
る。この金属Ｆ！４の材質としてはニッケルが最適であ
り、又この金属膜４は１〜１０μｍ程度の厚さに形成す
ればよい。そして、この金属膜４上に半田ディツプにて
山形のバンプ接点５が形成されている。
度の厚さのアルミニウム電極２が形成されでおり、かつ
このＩＣチップ１の一面には、アルミニウム電極２を除
いて略全面にパシベーシタン１１ｉ３が形成されている
。このパシベーション膜３をレノスト膜としてＭ′ＩＩ
ｌ解メッキセメツキアルミニウム電極２」−に半田に対
して接着性の良い金属からなる金属膜４が形成されでい
る。この金属Ｆ！４の材質としてはニッケルが最適であ
り、又この金属膜４は１〜１０μｍ程度の厚さに形成す
ればよい。そして、この金属膜４上に半田ディツプにて
山形のバンプ接点５が形成されている。
このように、パシベーション膜３をレジスト膜として利
用することによってマスクが不要となり、また金の薄膜
も不要となり、簡単な工程によって低コストで半田から
なるバンブ接点５を形成することができる。
用することによってマスクが不要となり、また金の薄膜
も不要となり、簡単な工程によって低コストで半田から
なるバンブ接点５を形成することができる。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、例えば
金属膜としてニッケルからなるものを例示したが、無電
解メッキが可能でかつ半田に対する接着性の良好な他の
金属、例えば銅や鉛にて構成しても良いことは言うまで
もない。
金属膜としてニッケルからなるものを例示したが、無電
解メッキが可能でかつ半田に対する接着性の良好な他の
金属、例えば銅や鉛にて構成しても良いことは言うまで
もない。
発明の効果
本発明のフリップチップＩＣ装置によれば、以上のよう
に、ＩＣチップの一面に形成されているパシベーション
膜をレノスト膜として利用することによって、マスク無
しで半田に対して接着性の良い金属膜をアルミニウム電
極上に無電解メッキにて形成でき、この金属膜に半田デ
ィツプにで容易に山形のバンブ接点を形成することがで
きる。
に、ＩＣチップの一面に形成されているパシベーション
膜をレノスト膜として利用することによって、マスク無
しで半田に対して接着性の良い金属膜をアルミニウム電
極上に無電解メッキにて形成でき、この金属膜に半田デ
ィツプにで容易に山形のバンブ接点を形成することがで
きる。
したがって、簡略な工程により低コストで半田からなる
山形のバンプ接、αを有するフリップチップＩＣ装置を
製造で終るという効果がある。
山形のバンプ接、αを有するフリップチップＩＣ装置を
製造で終るという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来例の
断面図である。 １・・・・・・・・・ＩＣチップ ２・・・・・・・・・アルミニウム電極３・・・・・・
・・・パンベーン１ン膜４・・・・・・・・・金ｊＡ膜
断面図である。 １・・・・・・・・・ＩＣチップ ２・・・・・・・・・アルミニウム電極３・・・・・・
・・・パンベーン１ン膜４・・・・・・・・・金ｊＡ膜
Claims (1)
- ＩＣチップの一面に形成されたアルミニウム電極上に半
田に対して接着性の良い金属膜を無電解メッキにて形成
し、この金属膜の上に半田ディップにて山形のバンプ接
点を形成したことを特徴とするフリップチップＩＣ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312102A JPS63164343A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | フリツプチツプｉｃ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312102A JPS63164343A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | フリツプチツプｉｃ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164343A true JPS63164343A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18025262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61312102A Pending JPS63164343A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | フリツプチツプｉｃ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164343A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478007A (en) * | 1993-04-14 | 1995-12-26 | Amkor Electronics, Inc. | Method for interconnection of integrated circuit chip and substrate |
| US5795818A (en) * | 1996-12-06 | 1998-08-18 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit chip to substrate interconnection and method |
| US6908311B2 (en) | 2002-04-26 | 2005-06-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Connection terminal and a semiconductor device including at least one connection terminal |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61312102A patent/JPS63164343A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478007A (en) * | 1993-04-14 | 1995-12-26 | Amkor Electronics, Inc. | Method for interconnection of integrated circuit chip and substrate |
| US5795818A (en) * | 1996-12-06 | 1998-08-18 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit chip to substrate interconnection and method |
| US6163463A (en) * | 1996-12-06 | 2000-12-19 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit chip to substrate interconnection |
| US6908311B2 (en) | 2002-04-26 | 2005-06-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Connection terminal and a semiconductor device including at least one connection terminal |
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