JPS6341050A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6341050A JPS6341050A JP61185545A JP18554586A JPS6341050A JP S6341050 A JPS6341050 A JP S6341050A JP 61185545 A JP61185545 A JP 61185545A JP 18554586 A JP18554586 A JP 18554586A JP S6341050 A JPS6341050 A JP S6341050A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 13
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009331 sowing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体チッ
プの外部接続用電極としての突起型電極の製造方法に関
する。
プの外部接続用電極としての突起型電極の製造方法に関
する。
従来、突起型電極(以下バンプという)を有する半導体
装置においては、半導体チップ上の配線層のアルミニウ
ムパッド上に金(Au)等の金属材でバンプを形成した
構成となっており、このバンプとアルミニウムパッドの
接着性を高める一方、バンプとアルミニウムパッド間で
の拡散を防ぐために両者間に接着層や障壁層を介挿させ
ている。
装置においては、半導体チップ上の配線層のアルミニウ
ムパッド上に金(Au)等の金属材でバンプを形成した
構成となっており、このバンプとアルミニウムパッドの
接着性を高める一方、バンプとアルミニウムパッド間で
の拡散を防ぐために両者間に接着層や障壁層を介挿させ
ている。
以下その製造方法を第2図(a)〜(d)を用いて説明
する。
する。
まず第2図(a)に示すようにシリコン基板1上に形成
された酸化シリコン膜等の絶縁膜2上に電極形成用のア
ルミニウム膜をたとえば1.0μm程度の厚さで被着せ
しめ、パッド部及び内部配線部を残し、その他の部分を
選択的に除去する。
された酸化シリコン膜等の絶縁膜2上に電極形成用のア
ルミニウム膜をたとえば1.0μm程度の厚さで被着せ
しめ、パッド部及び内部配線部を残し、その他の部分を
選択的に除去する。
しかる後CVD法で形成した酸化シリコン膜等の保護絶
縁膜4を全面に被着し、パッド部上に開口部5を形成し
てアルミニウムパッド3を形成する。
縁膜4を全面に被着し、パッド部上に開口部5を形成し
てアルミニウムパッド3を形成する。
次に第2図(b)に示すように、Ti膜6及びA u
膜7をスパッタ法等により全面に形成する。
膜7をスパッタ法等により全面に形成する。
この接着層及び障壁層としての多層膜はTi−AUの他
に、Cr−Cu、Ni−Cu、Cr−Cu−Au、Ti
−Pt等を用いることができる。
に、Cr−Cu、Ni−Cu、Cr−Cu−Au、Ti
−Pt等を用いることができる。
次に第2図(c)に示すようにTi膜膜上上ホトレジス
ト層を形成したのち、アルミニウムパッド3上の一部を
選択的に開口したマスク8を形成する。続いてTi膜6
及びAu膜7を給電電極とする電解めっき法によりAu
を厚さ20μm程度にめっきしアルミニウムパッド3上
にAuバンブ10を形成する。Auの代りにC+1やは
んだ等も用いられる。
ト層を形成したのち、アルミニウムパッド3上の一部を
選択的に開口したマスク8を形成する。続いてTi膜6
及びAu膜7を給電電極とする電解めっき法によりAu
を厚さ20μm程度にめっきしアルミニウムパッド3上
にAuバンブ10を形成する。Auの代りにC+1やは
んだ等も用いられる。
次に第2図(d)に示すように、マスク8を除去したの
ちA IJバンブ10をマスクとして不要のAu膜7及
びTi膜6をエツチングし除去することによりAuバン
ブ10を有する半導体装置が完成する。
ちA IJバンブ10をマスクとして不要のAu膜7及
びTi膜6をエツチングし除去することによりAuバン
ブ10を有する半導体装置が完成する。
上述した従来の半導体装置の製造方法ではAuバンブ1
0の形成後にA 11バンブをマスクとして多層膜を構
成する金属層をそれぞれエンチングすることになる。
0の形成後にA 11バンブをマスクとして多層膜を構
成する金属層をそれぞれエンチングすることになる。
バンプの金属としてはA uが主に用いられる。
又、多層膜の金属として最上層にAuを用いることが多
いが、この場合薄いAu層7をAuバンブ10をマスク
としてエツチングすることになる。
いが、この場合薄いAu層7をAuバンブ10をマスク
としてエツチングすることになる。
このような場合は、エツチング後の表面状態をよくする
ために適度のオーバーエツチングを行うが、この時Au
バンブ10の側面がエツチングされ、保護絶縁膜4上に
Auバンプ1oが残らない形状となる。この状態で下層
の金属膜であるTi膜6をエツチングすると、Ti膜6
のエツチングに伴なって、アルミニウムパッド3までが
エツチングされて電気的に不良となり半導体装置の信頼
性を低下させるという問題点があった。
ために適度のオーバーエツチングを行うが、この時Au
バンブ10の側面がエツチングされ、保護絶縁膜4上に
Auバンプ1oが残らない形状となる。この状態で下層
の金属膜であるTi膜6をエツチングすると、Ti膜6
のエツチングに伴なって、アルミニウムパッド3までが
エツチングされて電気的に不良となり半導体装置の信頼
性を低下させるという問題点があった。
本発明の目的は、金属パッドの不良をなくし、信頼性の
向上した半導体装置の製造方法を提供することにある。
向上した半導体装置の製造方法を提供することにある。
1′問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁
膜を介して第1の金属層を形成したのちパターニングし
第1の金属層からなるパッドを形成する工程と、全面に
保護絶縁膜を形成したのち前記パッド上に選択的に開口
部を形成する工程と、前記開口部を含む全面に第2の金
属層を形成したのちその表面を酸化し絶縁酸化膜を形成
する工程と、前記開口部を含む前記パッド上の前記絶縁
酸化膜を選択的に除去し前記第2の金属層表面を露出さ
せる工程と、無電解めっき法により露出した前記第2の
金属層表面に第3の金属層を形成する工程と、電解めっ
き法により前記第3の金属層上に第4の金属をめっきし
突起型電極を形成する工程と、前記突起型電極とマスク
とし前記絶縁酸化膜及び第2の金属層を除去する工程と
を含んで構成される。
膜を介して第1の金属層を形成したのちパターニングし
第1の金属層からなるパッドを形成する工程と、全面に
保護絶縁膜を形成したのち前記パッド上に選択的に開口
部を形成する工程と、前記開口部を含む全面に第2の金
属層を形成したのちその表面を酸化し絶縁酸化膜を形成
する工程と、前記開口部を含む前記パッド上の前記絶縁
酸化膜を選択的に除去し前記第2の金属層表面を露出さ
せる工程と、無電解めっき法により露出した前記第2の
金属層表面に第3の金属層を形成する工程と、電解めっ
き法により前記第3の金属層上に第4の金属をめっきし
突起型電極を形成する工程と、前記突起型電極とマスク
とし前記絶縁酸化膜及び第2の金属層を除去する工程と
を含んで構成される。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図(a)〜(d)は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず、第1図(a)に示すように、熱酸化等により形成
した酸化シリコン膜等の絶縁膜2を有するシリコン基板
1上に、素子間を接続するアルミニウム配線及びアルミ
ニウムパッド3を形成する。
した酸化シリコン膜等の絶縁膜2を有するシリコン基板
1上に、素子間を接続するアルミニウム配線及びアルミ
ニウムパッド3を形成する。
続いて全面にCVD法により酸化シリコン等からなる保
護絶縁膜4を形成したのち、アルミニウムパッド3上の
一部に開口部5を形成する。
護絶縁膜4を形成したのち、アルミニウムパッド3上の
一部に開口部5を形成する。
次に第1図(b)に示すように、接着層として厚さ30
00〜5000人のTi層6を形成する。
00〜5000人のTi層6を形成する。
続いてTi層6の表面を陽極酸化法などを用いて酸化し
厚さ1000人程度0酸化チタン膜11を形成する。
厚さ1000人程度0酸化チタン膜11を形成する。
次に第1図〈C〉に示すように、ホトレジストを全面に
塗布したのちフォトリソグラフィ技術を用いてアルミニ
ウムパッド3上の一部に開口部5Bを形成したマスク8
を形成する。そして、このマスク8を用いて開口部5B
に露出した酸化チタン膜11をエツチング除去する。続
いて無電解めっき法を用いてTi層6上にAuめっき層
12を約1μrnの厚さに形成する。
塗布したのちフォトリソグラフィ技術を用いてアルミニ
ウムパッド3上の一部に開口部5Bを形成したマスク8
を形成する。そして、このマスク8を用いて開口部5B
に露出した酸化チタン膜11をエツチング除去する。続
いて無電解めっき法を用いてTi層6上にAuめっき層
12を約1μrnの厚さに形成する。
次に第1図(d)に示すように、マスク8を除去したの
ち酸化チタン膜11をマスクとし、Ti層6を給電電極
とした電解め°つき法により、A Uめっき層12上に
A uを厚さ約20μmめっきし、Auバンブ10を形
成する。続いてAuバンブ10をマスクとして不要の酸
化チタン膜11及びTi層6をそれぞれエツチング除去
することによりA uバンプ10を有する半導体装置が
完成する。
ち酸化チタン膜11をマスクとし、Ti層6を給電電極
とした電解め°つき法により、A Uめっき層12上に
A uを厚さ約20μmめっきし、Auバンブ10を形
成する。続いてAuバンブ10をマスクとして不要の酸
化チタン膜11及びTi層6をそれぞれエツチング除去
することによりA uバンプ10を有する半導体装置が
完成する。
このようにして形成されたAuバンブ10は、第1図(
d)に示したように、アルミニウムバッド3上の保護絶
縁膜4上に形成された酸化チタン膜11表面に隙間なく
形成される。従って、不要の酸化チタン膜11及びTi
層6をエツチング除去する際に、マスクとしてのA 1
.1バンブ10がエツチングされたとしてらその側面の
エツチング量は少なく、そのエツチング液によりアルミ
ニウムパッド3までが工・ソチングされることはない。
d)に示したように、アルミニウムバッド3上の保護絶
縁膜4上に形成された酸化チタン膜11表面に隙間なく
形成される。従って、不要の酸化チタン膜11及びTi
層6をエツチング除去する際に、マスクとしてのA 1
.1バンブ10がエツチングされたとしてらその側面の
エツチング量は少なく、そのエツチング液によりアルミ
ニウムパッド3までが工・ソチングされることはない。
尚、上記実施例においては接着層としてTiを用いた場
合について説明したがCrであってもよく、又バンブ形
成金属としてAuを用いなが、その他Cuやはんだ等を
用いることができる。更に金属パッドとしてアルミニウ
ムを用いたが、アルミニウム合金であってもよい。
合について説明したがCrであってもよく、又バンブ形
成金属としてAuを用いなが、その他Cuやはんだ等を
用いることができる。更に金属パッドとしてアルミニウ
ムを用いたが、アルミニウム合金であってもよい。
以上説明したように本発明は、金属パッド上のめっき用
給電電極として用いる金属層の表面を酸化して絶縁酸化
膜を形成したのち、選択的に開口部を形成し、この絶縁
酸化膜をマスクとし電解めっき法により開口部の金属層
表面に突起型電極を形成することにより、突起型電極形
成後の不用の金属層及び絶縁酸化膜をエツチングする際
に、金属パッドはエツチングされることはなくなる。従
つて金属パッドの電気的不良がなくなり信頼性向上した
半導体装置の製造方法が得られる。
給電電極として用いる金属層の表面を酸化して絶縁酸化
膜を形成したのち、選択的に開口部を形成し、この絶縁
酸化膜をマスクとし電解めっき法により開口部の金属層
表面に突起型電極を形成することにより、突起型電極形
成後の不用の金属層及び絶縁酸化膜をエツチングする際
に、金属パッドはエツチングされることはなくなる。従
つて金属パッドの電気的不良がなくなり信頼性向上した
半導体装置の製造方法が得られる。
第1図(a)〜(d)は本発明の一実施例を明するため
の工程+1@に示した半導体チップの断固、第2図(a
)〜(d)は従来の半導体装置製造方法を説明するため
の工程順に示した半導チップの断面図である。 1・・・シリコン基板、2・・・絶縁膜、3・・・アル
ミラムパッド、4・・・保護絶縁膜、5,5A・・・開
口6・・・Ti膜、7・・・Au膜、8・・・マスク、
10・・・Uバンブ、11・・・酸化チタン膜、12・
・・Auめき層。
の工程+1@に示した半導体チップの断固、第2図(a
)〜(d)は従来の半導体装置製造方法を説明するため
の工程順に示した半導チップの断面図である。 1・・・シリコン基板、2・・・絶縁膜、3・・・アル
ミラムパッド、4・・・保護絶縁膜、5,5A・・・開
口6・・・Ti膜、7・・・Au膜、8・・・マスク、
10・・・Uバンブ、11・・・酸化チタン膜、12・
・・Auめき層。
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を介して第1の金属層を形成し
たのちパターニングし第1の金属層からなるパッドを形
成する工程と、全面に保護絶縁膜を形成したのち前記パ
ッド上に選択的に開口部を形成する工程と、前記開口部
を含む全面に第2の金属層を形成したのちその表面を酸
化し絶縁酸化膜を形成する工程と、前記開口部を含む前
記パッド上の前記絶縁酸化膜を選択的に除去し前記第2
の金属層表面を露出させる工程と、無電解めっき法によ
り露出した前記第2の金属層表面に第3の金属層を形成
する工程と、電解めっき法により前記第3の金属層上に
第4の金属をめっきし突起型電極を形成する工程と、前
記突起型電極をマスクとし前記絶縁酸化膜及び第2の金
属層を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61185545A JPS6341050A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61185545A JPS6341050A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6341050A true JPS6341050A (ja) | 1988-02-22 |
Family
ID=16172678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61185545A Pending JPS6341050A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6341050A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0660384A1 (en) * | 1993-12-15 | 1995-06-28 | AT&T Corp. | Method for electrodeposition of solder |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP61185545A patent/JPS6341050A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0660384A1 (en) * | 1993-12-15 | 1995-06-28 | AT&T Corp. | Method for electrodeposition of solder |
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