JPH0376190A - 薄膜回路基板 - Google Patents
薄膜回路基板Info
- Publication number
- JPH0376190A JPH0376190A JP21142989A JP21142989A JPH0376190A JP H0376190 A JPH0376190 A JP H0376190A JP 21142989 A JP21142989 A JP 21142989A JP 21142989 A JP21142989 A JP 21142989A JP H0376190 A JPH0376190 A JP H0376190A
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- JP
- Japan
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- film
- tan
- circuit board
- constitution
- film circuit
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置、さらに特定すれば薄膜回路基板に関し、
薄膜回路基板の膜構成を簡素にすることを目的とし、
基板上に順次重ねたTaN膜、厚みが少なくとも10.
1/IIのCu膜、およびCr膜のみからなる膜構成を
有し、かつこの膜構成からCr膜を除去した部分に、他
の金属を付着していない電気的接合パッドを有するよう
に構成する。
1/IIのCu膜、およびCr膜のみからなる膜構成を
有し、かつこの膜構成からCr膜を除去した部分に、他
の金属を付着していない電気的接合パッドを有するよう
に構成する。
本発明は、高精度、高安定度を要求される計測機器、交
換機器などに広く使用される薄膜ハイブリッドIC@路
基板に関する。
換機器などに広く使用される薄膜ハイブリッドIC@路
基板に関する。
〔従来の技術]
従来の薄膜回路基板の膜構成は、たとえば、TaNを抵
抗体、CuまたはAuを導体とし、TaN/Cr/Cu
/Cr、 TaN/Ti/Pd/Au/NiCrまた
はTaN/NiCr/Au/NiCrの膜構成を有する
。
抗体、CuまたはAuを導体とし、TaN/Cr/Cu
/Cr、 TaN/Ti/Pd/Au/NiCrまた
はTaN/NiCr/Au/NiCrの膜構成を有する
。
これらのうち、TaN/Cr/Cu/Cr膜構成を有す
る薄膜回路基板を、第2図に示す。基板1の上の膜構成
は、厚み約500人のTaN 、厚み約500大のCr
、厚み約l〜3pmのCu、さらに厚み約2000人の
Crである。上層のCrは局部的に除去し、露出したC
uの上にNi/Auをめっきして電気的接合パッド2を
形成する。TaNは抵抗体3を形成するため、下層のC
rはCuとTaNとを密着させるため、Cuは導体を形
成するため、上層のCrははんだの流れを防止するため
のものである。
る薄膜回路基板を、第2図に示す。基板1の上の膜構成
は、厚み約500人のTaN 、厚み約500大のCr
、厚み約l〜3pmのCu、さらに厚み約2000人の
Crである。上層のCrは局部的に除去し、露出したC
uの上にNi/Auをめっきして電気的接合パッド2を
形成する。TaNは抵抗体3を形成するため、下層のC
rはCuとTaNとを密着させるため、Cuは導体を形
成するため、上層のCrははんだの流れを防止するため
のものである。
この膜構成は4層からなり、成膜および工・ンチングの
工程が複雑であって、手間がかかる欠点を有する。
工程が複雑であって、手間がかかる欠点を有する。
本発明の目的は、薄膜回路基板の膜構成を簡素にして、
上記欠点を解決することである。
上記欠点を解決することである。
上記課題は、Cuを主導体とし、TaNを抵抗体とする
薄膜回路基板であって、基板上に順次重ねたTaN膜、
厚みが少なくとも10ハのCu膜、およびCr膜のみか
らなる膜構成を有し、かつこの膜構成からCr1iを除
去した部分に、他の金属を付着していない電気的接合パ
ッドを有することを特徴とする薄膜回路基板によって解
決することができる。
薄膜回路基板であって、基板上に順次重ねたTaN膜、
厚みが少なくとも10ハのCu膜、およびCr膜のみか
らなる膜構成を有し、かつこの膜構成からCr1iを除
去した部分に、他の金属を付着していない電気的接合パ
ッドを有することを特徴とする薄膜回路基板によって解
決することができる。
〔作 用〕
下層にCrがなくてもTaNとCuの密着が良好なこと
が判り、また、Cuを10μ以上にすることによりはん
だくわれに対し使用上問題ないことが判明した。
が判り、また、Cuを10μ以上にすることによりはん
だくわれに対し使用上問題ないことが判明した。
第1図は、チップ素子を搭載した本発明の薄膜回収基板
の要部を示す断面図である。
の要部を示す断面図である。
ガラスセラくツクス基板1の上に、膜厚約500ÅのT
aN 、この上に膜厚10InaのCu、さらにこの上
に膜厚2000人のCrの膜構成を有する。この膜構成
を配線2とし、CrおよびCuを局部的に除去して抵抗
体3を形威し、Crのみを局部的に除去して電気的接合
パッド4を形威し、ここにはんだ5を流してチップ素子
6を搭載する。
aN 、この上に膜厚10InaのCu、さらにこの上
に膜厚2000人のCrの膜構成を有する。この膜構成
を配線2とし、CrおよびCuを局部的に除去して抵抗
体3を形威し、Crのみを局部的に除去して電気的接合
パッド4を形威し、ここにはんだ5を流してチップ素子
6を搭載する。
これに−65〜+125°Cの熱衝撃サイクルを500
回反復して加えたが、CuがTaNから剥離することが
なく、またはんだ付けも何ら異状が認められなかった。
回反復して加えたが、CuがTaNから剥離することが
なく、またはんだ付けも何ら異状が認められなかった。
本発明によって、従来の膜構成から下層のCuおよび、
電気的接合41トのNi−Auめっきを省くことができ
、従って、その製造工程は従来工程の1/2〜2/3と
なり、価格の低減に寄与するところが大きい。
電気的接合41トのNi−Auめっきを省くことができ
、従って、その製造工程は従来工程の1/2〜2/3と
なり、価格の低減に寄与するところが大きい。
第1図は本発明の薄膜回路基板の膜構成を示す断面図で
あり、 第2図は従来の薄膜回路基板の膜構成を示す断面図であ
る。 1・・・基板、 2・・・配線、3・・・抵抗
体、 4・・・電気的接合パッド、5・・・は
んだ、 6・・・チップ素子。 本発明の薄膜回路基板の断面図 第2図 6・・・チップ素子
あり、 第2図は従来の薄膜回路基板の膜構成を示す断面図であ
る。 1・・・基板、 2・・・配線、3・・・抵抗
体、 4・・・電気的接合パッド、5・・・は
んだ、 6・・・チップ素子。 本発明の薄膜回路基板の断面図 第2図 6・・・チップ素子
Claims (1)
- 1.Cuを主導体とし、TaNを抵抗体とする薄膜回路
基板であって、基板上に順次重ねたTaN膜、厚みが少
なくとも10μmのCu膜、およびCr膜のみからなる
膜構成を有し、かつこの膜構成からCr膜を除去した部
分に、他の金属を付着していない電気的接合パッドを有
することを特徴とする薄膜回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21142989A JPH0376190A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 薄膜回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21142989A JPH0376190A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 薄膜回路基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0376190A true JPH0376190A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16605806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21142989A Pending JPH0376190A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 薄膜回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0376190A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007035586A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Bridgestone Corp | マットスイッチ |
CN111511120A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-08-07 | 胜宏科技(惠州)股份有限公司 | 一种Raised Pad制作方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57157594A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-29 | Siemens Ag | Method of producing thin film conductor path including no noble metal |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP21142989A patent/JPH0376190A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57157594A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-29 | Siemens Ag | Method of producing thin film conductor path including no noble metal |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007035586A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Bridgestone Corp | マットスイッチ |
CN111511120A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-08-07 | 胜宏科技(惠州)股份有限公司 | 一种Raised Pad制作方法 |
CN111511120B (zh) * | 2020-06-09 | 2021-05-25 | 胜宏科技(惠州)股份有限公司 | 一种Raised Pad制作方法 |
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