JPS63140653U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63140653U JPS63140653U JP3202087U JP3202087U JPS63140653U JP S63140653 U JPS63140653 U JP S63140653U JP 3202087 U JP3202087 U JP 3202087U JP 3202087 U JP3202087 U JP 3202087U JP S63140653 U JPS63140653 U JP S63140653U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor region
- photo sensor
- conductivity type
- type semiconductor
- intrinsic semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Description
第1図は本考案フオトセンサの第1の実施例を
示す断面図、第2図は本考案フオトセンサの第2
の実施例を示す断面図、第3図はフオトセンサの
従来例を示す断面図、第4図は考案が解決しよう
とする問題点を説明するポテンシヤル分布図であ
る。 符号の説明1……絶縁基板、2……第1導電型
半導体領域、3……第2導電型半導体領域、4…
…真性半導体領域、5,6……真性半導体領域に
その膜厚方向と垂直な方向に光を入射させる手段
。
示す断面図、第2図は本考案フオトセンサの第2
の実施例を示す断面図、第3図はフオトセンサの
従来例を示す断面図、第4図は考案が解決しよう
とする問題点を説明するポテンシヤル分布図であ
る。 符号の説明1……絶縁基板、2……第1導電型
半導体領域、3……第2導電型半導体領域、4…
…真性半導体領域、5,6……真性半導体領域に
その膜厚方向と垂直な方向に光を入射させる手段
。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 絶縁基板上に第1導電型半導体領域と第2導電
型半導体領域を離間して形成し、上記半導体領域
間上に真性半導体領域を形成したフオトセンサで
あつて、 上記真性半導体領域へその膜厚方向と垂直な方
向に光を入射させる手段を備えてなる ことを特徴とするフオトセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3202087U JPS63140653U (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3202087U JPS63140653U (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63140653U true JPS63140653U (ja) | 1988-09-16 |
Family
ID=30838293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3202087U Pending JPS63140653U (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63140653U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007096118A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 半導体素子用電極の製造方法、トランジスタの製造方法、pinダイオードの製造方法、回路基板、電気光学装置、電子機器 |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP3202087U patent/JPS63140653U/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007096118A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 半導体素子用電極の製造方法、トランジスタの製造方法、pinダイオードの製造方法、回路基板、電気光学装置、電子機器 |
JP4761199B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2011-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体素子用電極の製造方法、トランジスタの製造方法、およびpinダイオードの製造方法 |