JPS63128642A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63128642A JPS63128642A JP61274764A JP27476486A JPS63128642A JP S63128642 A JPS63128642 A JP S63128642A JP 61274764 A JP61274764 A JP 61274764A JP 27476486 A JP27476486 A JP 27476486A JP S63128642 A JPS63128642 A JP S63128642A
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- JP
- Japan
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- oxide film
- groove
- well
- mask
- semiconductor substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
従来の半導体装置、特に第1導電型半導体基板力に第2
導電型ウエルを形成する半導体装置の製造方法は、公知
の如く、ウェル分離のための溝を形成した後に、ウェル
を形成していた。
導電型ウエルを形成する半導体装置の製造方法は、公知
の如く、ウェル分離のための溝を形成した後に、ウェル
を形成していた。
しかし、前生の従来技術ではレジストパターンをマスク
にイオン注入しウェルを形成するため、マスク合わせの
余裕を見込んで、分離のための溝の幅はある程度広くし
なければならず、そのことが素子の高度な微細化を妨げ
る要因となっていた。
にイオン注入しウェルを形成するため、マスク合わせの
余裕を見込んで、分離のための溝の幅はある程度広くし
なければならず、そのことが素子の高度な微細化を妨げ
る要因となっていた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とすることは、ウェル形成後セル7アラインでウ
ェル分離用溝を形成することで、溝幅を縮少し、素子の
高度な微細化を容易にする半導体装置の裂遣方法t−提
供することにある。
の目的とすることは、ウェル形成後セル7アラインでウ
ェル分離用溝を形成することで、溝幅を縮少し、素子の
高度な微細化を容易にする半導体装置の裂遣方法t−提
供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、第1導電型半導体基
板内に第2導電型ウエルを形成する半導体装置において
、ウェルに対してセル7アラインでウェル分離用溝を形
成すること’t%倣とする。
板内に第2導電型ウエルを形成する半導体装置において
、ウェルに対してセル7アラインでウェル分離用溝を形
成すること’t%倣とする。
以下第1図(a)〜(1))により詳細に実施例を説明
する。
する。
工程1・・・第1図(a)
P型半導体基板101上に第1の酸化膜102を500
0〜7000に化学的気相成長法で形成し、レジストパ
ターンをマスクに前記第1の酸化膜の一部をエツチング
によシ除去する。次に窒化膜を3000〜6000A化
学的気相成長法で形成し之後に、リアクティブイオンで
全面エツチングすることで前記第1の酸化膜102の側
壁に窒化膜103を形成する。次に前記第1の酸化膜1
02、窒化g103をマスクにN型不純物104をイオ
ン住人する。
0〜7000に化学的気相成長法で形成し、レジストパ
ターンをマスクに前記第1の酸化膜の一部をエツチング
によシ除去する。次に窒化膜を3000〜6000A化
学的気相成長法で形成し之後に、リアクティブイオンで
全面エツチングすることで前記第1の酸化膜102の側
壁に窒化膜103を形成する。次に前記第1の酸化膜1
02、窒化g103をマスクにN型不純物104をイオ
ン住人する。
工程2・・・第1図(1))
前記@1の酸化膜102、窒化膜103をマスクに前記
半導体基板の一部に熱酸化法で選択的に第2の酸化膜1
05t−3000〜5000A形成(尚、この時第1の
酸化膜102も1000〜2000X膜厚は増加する。
半導体基板の一部に熱酸化法で選択的に第2の酸化膜1
05t−3000〜5000A形成(尚、この時第1の
酸化膜102も1000〜2000X膜厚は増加する。
)
工程3・・・第1図(C)
I!iI記窒化膜103を熱リン酸で除去した後、前記
第1の酸化膜102、第2の酸化[105を、マスクに
前記半導体基板101の一部をリアクティブイオンでエ
ツチングしウェル分離用溝1o6t″2〜4μ形成する
。
第1の酸化膜102、第2の酸化[105を、マスクに
前記半導体基板101の一部をリアクティブイオンでエ
ツチングしウェル分離用溝1o6t″2〜4μ形成する
。
工程4・・・第1図(d)
熱酸化法によシ前記11111o6内部に200〜30
0Aの第3の酸化膜107を形成した後、全面に多結晶
シリコン108t−化学的気相成長法で3〜5μ形成し
、エッチパックにょシ溝106外部の多結晶シリコン1
08を除去する。
0Aの第3の酸化膜107を形成した後、全面に多結晶
シリコン108t−化学的気相成長法で3〜5μ形成し
、エッチパックにょシ溝106外部の多結晶シリコン1
08を除去する。
工程5・・・第1図(θ)
1000C〜l100Cでドライブインすることにより
1〜3μの深さのNウェル109′lk形成する。
1〜3μの深さのNウェル109′lk形成する。
以上述べたように発明によれば、ウェルに対してセル7
アラインでウェル分離用溝が形成できるため、溝幅を縮
少することができる。これにょシ高度の微細化を容易に
行なえるという効果を有する。
アラインでウェル分離用溝が形成できるため、溝幅を縮
少することができる。これにょシ高度の微細化を容易に
行なえるという効果を有する。
aIJ1図(a)〜(6)は本発明の半導体装置の製造
工程を表わす主要断面図。 101・・・・・・P型半導体基板 102・・・・・・第1の酸化膜 103・・・・・・窒化膜 104・・・・・・N型不純物 105・・・・・・第2の酸化膜 106・・・・・・(ウェル分離用)溝107・・・・
・・第3の酸化膜 108・・・・・・多結晶シリコン 109・・・・・・Nウェル 以 上
工程を表わす主要断面図。 101・・・・・・P型半導体基板 102・・・・・・第1の酸化膜 103・・・・・・窒化膜 104・・・・・・N型不純物 105・・・・・・第2の酸化膜 106・・・・・・(ウェル分離用)溝107・・・・
・・第3の酸化膜 108・・・・・・多結晶シリコン 109・・・・・・Nウェル 以 上
Claims (1)
- 第1導電型半導体基板内に第2導電型ウェルを形成す
る半導体装置において、前記ウェルに対してセルフアラ
インでウェル分離用溝を形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61274764A JPS63128642A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61274764A JPS63128642A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63128642A true JPS63128642A (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=17546249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61274764A Pending JPS63128642A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63128642A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0323649A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
KR970053410A (ko) * | 1995-12-22 | 1997-07-31 | 김주용 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
-
1986
- 1986-11-18 JP JP61274764A patent/JPS63128642A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0323649A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
KR970053410A (ko) * | 1995-12-22 | 1997-07-31 | 김주용 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
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