KR970053410A - 반도체소자의 소자분리막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 트렌치 구조의 소자분리막 제조방법에 있어서, 일정깊이의 트렌치를 형성한 후, 상기 트렌치가 형성된 부위의 반도체기판을 산화하여 필드산화막을 형성하므로써, 소자분리막을 용이하게 형성한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체소자의 소자분리막 제조 공정도.
Claims (7)
- 반도체기판의 상부에 패드산화막과 질화막을 형성하는 단계와, 상기 질화막의 상부에 소자분리영역을 형성하기 위한 제1감광막패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1감과막패턴의 측벽에 저온산화막으로 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 구조의 전 표면에 제2감광막패턴을 형성하는 단계와, 상기 스페이서를 제거하는 단계와, 상기 제1감광막패턴과, 제2감광막패턴을 마스크로 사용하여 질화막패턴과, 패드산화막패턴을 형성하고, 계속하여 반도체기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 제1감광막패턴과, 제2감광막패턴을 제거하는 단계와, 상기 트렌치가 형성된 부위의 반도체기판을 산화하여 필드산화막(8)을 형성하는 단계와, 상기 질화막패턴과, 패드산화막패턴을 제거하는 단계와, 상기 전체 구조를 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1감광막은 1000 내지 8000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서와 질화막이 중첩되는 폭은 산화되는 반도체기판 두께의 0.5 내지 4배인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서와 스페이서 사이의 간격은 300 내지 1500Å인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서를 제거할 때, 불산 또는 BOE용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 트렌치를 형성할 때, 반도체기판을 경사지게 식각하는것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 트렌치는 1000 내지 2500Å 깊이로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950054958A KR970053410A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950054958A KR970053410A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970053410A true KR970053410A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66617641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950054958A KR970053410A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970053410A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100382548B1 (ko) * | 2000-12-19 | 2003-05-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
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-
1995
- 1995-12-22 KR KR1019950054958A patent/KR970053410A/ko not_active Application Discontinuation
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