JPS63103284A - 静電潜像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

０】　産業上の利用分野 本発明は、アモルファスシリコン系の静電潜像坦持体を
利用した靜を潜像形成装置に関するものである。 （ロ）従来の技術 従来、電子写真プロセスは靜１１［像形成のため、静電
潜像坦持体の帯電、露光、現像、転写、除電、クリーニ
ング工程から構成される装また、従来、静電ｌＷ像坦持
体（以下感光体といり）としては、アモルファスセレン
、硫化カドｉウム及び酸化亜鉛等の無機物質、ポリビニ
ルカルバゾール及びトジニトロンルオレノン等の有機物
質か用いられているが、いずれも単独では光感度が不足
であり、増感剤等の併用が心安とされている。そこで、
近年アモルファスシリコンがその高光導電性に着目され
、感光体として要用化されている。アモルファスシリコ
ンは、上記感光体と異なり人体に対して無害でかつ耐熱
性及び耐摩耗性に優れており、高い光導電性ｒ有する優
れた感光体でめる。 しかし、上記感光体と同様は、なお耐湿性、耐コロナイ
オン性に欠１するという欠点

【有している。 （ハ）　発明が解決しようとする問題点前述のように従
来の技術では、帯電工程において、Ｉ：ｉｔ、応生成物
すなわちコロナ放電によるイオン等の感光体表面への付
着が空気中の水分ｔ−誘導し、表面伝導會ひき起こす。 そのため、感光体として使用する場合は、像のにじみ金
引き起こすという欠点ｋＮしていた。 本発明は、斯る従来の技術の酸点に鑑みてなされたもの
で、感光体の結ＩＸｔ−防止すると共は、耐吸湿性に向
上させることｒ企図せんとするものである。 に）問題点を解決するための手段 本発明は、水素が含有されているアモルファスシリコン
系の感光体を一様に帯電させる帯電手段と、帯電された
前記感光体上を選択的に露光する露光手段とが具備され
ている静１１ＬＩＷ像形成装置において、前記帯′或手
段の前工程にて、ＭＪ記感感光に疎水性物質を付着させ
る付着手段が備えられていることｔ特徴とする静電潜像
形成装置である。 （ホ）作　用 帯電工程の前工程においτ、疎水性物質をア元体の表面
に疎水性物質による薄膜が形成され、多湿環境において
も吸湿、結ｇｈ防止できる。従りて、像形成時に像のに
じみが発生することはない〇 （へ）実施例 第１図は本発明の一夾施例としての電子複写Ｍ全概念的
に示す構成図である。ここで（１）は、ドラム状導電性
基体の表面に水素【含むアモルファスシタコン系感光層
を形成した感光体あるいは、感光体表面金プラズマ重合
法による疎水性ポリマー膜でコートした感光体で、（２
）は帯電器、（３）は露光光源、（４）は現像器、（５
）は転写定着器、（６）は除電光源、（７Ｊは感光体表
面のクリーニングのためのククー二ングブレード、（８
〕は疎水性有機物を感光体表面に噴霧するためのノズル
そして（９）は感光体表面に噴霧され次疎水性有機物の
−ｆｆＩＳｔ除去する几めのブレードでるる。 なお、上記疎水性有機物は、疎水基會七の構造中に有す
るもので、アル中ル鎖艮が炭素原子数にして０６〜Ｃ１
ｇの鎖状炭化水素ある＋７−１はそのハロゲン化物が望
ましく、さらに例えばつｙデカンのような直鎖が望まし
９゜ また他の疎水性有機物として芳香族炭化水素やそのハロ
ゲン化物あるいはγルキル鎖長が炭素原子数にしてＣ６
〜Ｃ１８の鎖状炭化水素基金もつ芳香族炭化水素やその
ハロゲン化物を用いることがテキル。具体的にはアリル
ベンゼン、エチルトルエン、塩化ベンジルを挙げること
ができる。なお、これら疎水性有機物は′線温付近で液
体であることが菫よしい。 更は、前記感光体表面に噴霧された疎水性有機物の一部
を除去するためのブレード（９）は、布製あるいはスポ
ンジ性あるいはゴム注のものが望ましい＠ また前記プラズマ重合法による疎水性ポリマー膜は、上
記疎水性有機物ｔモノマーとすることが望ましｈｏ 次は、前記疎水性有機物ｔｏ！用して行った実験内容お
よびその結果について説明する。 水ｙｔ−含むアモルファスシリコン系感光体（１ンの表
面は、前記ノズル（８）より疎水性有ｎ物であるウンデ
カンＣＨ３（ＣＨ２）ＣＨ３％ｚ一様に噴霧し、前記グ
レード（９）にて余分な疎水性有機物【除去するととも
は、噴霧し念疎水性有機物を前記感光体（１】の表面に
なじませる。その後、前記ｆｒ電器（２）にてコロナ電
圧＋６ＫＶで前記感光体（１）を一様に帯電し、前記ｇ
尤元源（３）に白色光を用４靜電潜ＩＪｌｉ”ｋ形成す
る。このと８ＷｔＩ記疎水性有機物の膜厚Ｆ′１１０Ａ
〜１ｐｍ、好ましくＵ、１００Ａ　〜５０００　Ａと非
常に薄いため、キャリアのトンネリングにより静電潜像
が形成される。さらに前記現像器（４）にて、前記ｔ７
ｍ１９Ｆｍｔ−）ナー現像し、前記転写定着器（５）に
て普通紙にトナー像を形成する。 その後前ｍｌ感光体（１）は、前記除１！ｃ元源（６）
にて除電され、前記クリーニングブレード（７）にてり
９−ユングされる。この一連の工程上、雰囲気温度２５
℃、湿度６０〜８０％の各条件において、１万枚ずつの
通続コピーを行ない、その最終コピーの画ｇＲ金従来例
と対比して評価したところ、第１表のような結果となり
た。 ｗ、１表 また、エチルトルエンｔモノマーとしプラズマ夏合法１
ＣＪ−りて、七の表面を疎水性ポリマー膜でコートした
前ｆｉｔＪ索を含むアモルファスシリコン系感光体（１
）會用い、前述と同僚にして雰囲気温度２５℃、湿度６
０勺８０９６の各条件において１万枚ずつの連続コピー
を行ない、その最長コピーの画像【前述と同様ＶＣ評価
したところ、下Ｍｒ２第２表のよりな結果となりた。 第　　２　　表 斯様は、本発明冥施例装置と従来例との間に差異が生じ
るのは、次のような理由による。 即ち、第２図に感光体（１）の表面近傍の断面？模式的
に示すよりは、感光体（ＩＪ上に疎水基σＱが形成され
ており、前記感光体（１）上に多湿環境ろるＶ％は、コ
ロナ帯電時の反応生成物、とりわＣナイオンによりて生
成した親水基Ｕが存在しても、前記感光体（１）の表面
に成層及び結露が防止された状態となるため、良好な画
像が得られるのである。 なお、前記冥施例では、疎水性物質はいずれもノズル（
８）によって噴霧されるが、スポンジローラ等の手段に
よって塗布されるように構成されていてもよい。 （ト］発明の効果 本発明では、帯電工程の前工程九で感光体に疎水性物質
上付着させるので、多湿環境にあっても感光体に吸湿、
結露することはない。 従って、従来の技術におけるとｔｉ８ｉＪ様な現象は生
ぜず、像形成時に像のにじみが発生することはないＯ

【図面の簡単な説明】

図面はいずれも本発明の一笑施例金示し、第１図は電子
複写機の概念図、第２図は感光体の表面近傍の断面の模
式図である。 （１）・・・感光体（静電潜像坦持体）、（２）・・・
帯電器（帯電手段）、（３１・・・露光光源（露光手段
）、（８）・・・ノズル（噴霧手段）、ａト・疎水基、
σＤ・・・親水基。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、水素が含有されているアモルファスシリコン系の静
   電潜像坦持体を一様に帯電させる帯電手段と、帯電され
   た前記静電潜像坦持体上を選択的に露光する露光手段と
   が具備されている静電潜像形成装置において、 前記帯電手段の前工程にて、前記静電潜像坦持体に疎水
   性物質を付着させる付着手段が備えられていることを特
   徴とする静電潜像形成装置。 ２、疎水性物質は、有機物である特許請求の範囲第１項
   に記載の静電潜像形成装置。 ３、付着手段は、疎水性物質を噴霧する手段である特許
   請求の範囲第１項若しくは第２項に記載の静電潜像形成
   装置。 ４、付着手段は、疎水性物質を塗布する手段である特許
   請求の範囲第１項若しくは第２項に記載の静電潜像形成
   装置。 ５、疎水性有機物は、鎖状炭化水素基または芳香族炭化
   水素基のいずれかを、主に含有している特許請求の範囲
   第２項に記載の静電潜像形成装置。 ６、疎水性有機物は、ハロゲン化アルキル基（ＲＸ−）
   またはオルガノシリコン基（ＲＳｉ（ＣＨ＿３）＿２−
   ）のいずれかを、主に含有している特許請求の範囲第２
   項に記載の静電潜像形成装置。 ７、疎水性物質を付着することによって形成される静電
   潜像坦持体上の疎水性物質膜の厚さは、１０Åないし１
   μｍである特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれ
   かに記載の静電潜像形成装置。