JP3142037B2 - 電子写真装置 - Google Patents
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- JP3142037B2 JP3142037B2 JP05294399A JP29439993A JP3142037B2 JP 3142037 B2 JP3142037 B2 JP 3142037B2 JP 05294399 A JP05294399 A JP 05294399A JP 29439993 A JP29439993 A JP 29439993A JP 3142037 B2 JP3142037 B2 JP 3142037B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子写真装置に係り、特
にａ−Ｓｉドラムを用いたプリンタ、複写機、ファクシ
ミリ等の電子写真装置に関する。
にａ−Ｓｉドラムを用いたプリンタ、複写機、ファクシ
ミリ等の電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より感光体ドラム外周面上に、露
光、現像、転写、クリーニング（残留トナー除去）、除
電、及び帯電の各プロセス手段を配置し、所定の電子写
真プロセスにより画像形成を行なう、いわゆるカールソ
ンプロセスに基づく電子写真装置は周知である。
光、現像、転写、クリーニング（残留トナー除去）、除
電、及び帯電の各プロセス手段を配置し、所定の電子写
真プロセスにより画像形成を行なう、いわゆるカールソ
ンプロセスに基づく電子写真装置は周知である。
【０００３】この種の電子写真装置は感光体表面に均一
帯電を図るために一般にコロナ放電を利用して帯電を行
っているが、コロナ放電は一般に４〜８ＫＶ以上の高電
圧をワイヤ印加する必要があり、この為前記コロナ放電
によってオゾンやその放電生成物である窒素酸化物やア
ンモニウム塩が発生し、これらが感光体表面に吸着して
画像流れが生じ易くなる。そして前記画像流れは、高湿
度環境下において著しい。一方電子写真装置に用いる感
光体ドラムには近年耐久性の向上とフリーメインテナン
ス化を図るために、ａ−Ｓｉドラムを用いているものが
あるが、ａ−Ｓｉは、ＯＰＣその他の有機半導体に比較
して吸水性が高くこの為前記画像流れはａ−Ｓｉドラム
に多く発生しやすい。そこで従来技術においては前記感
光体ドラムの背面側にシートヒータその他のヒート体を
配し、感光体ドラムを加熱する事により前記像流れの発
生を防止している。又前記窒素酸化物の生成はＯＰＣド
ラムのような軟質なドラムでは転写後残留トナーを除去
するクリーニングブレードの摺擦によりその表面が微小
に削り取られる為、問題が顕在化しにくいが、ａ−Ｓｉ
系ドラムは硬質である為に前記欠点が顕在化し易い。こ
の為ａ−Ｓｉドラムにおいては研磨ブレードや研磨ロー
ラを用いて感光体ドラム表面を研磨して前記生成物を除
去しながら像流れの発生を防止していた。
帯電を図るために一般にコロナ放電を利用して帯電を行
っているが、コロナ放電は一般に４〜８ＫＶ以上の高電
圧をワイヤ印加する必要があり、この為前記コロナ放電
によってオゾンやその放電生成物である窒素酸化物やア
ンモニウム塩が発生し、これらが感光体表面に吸着して
画像流れが生じ易くなる。そして前記画像流れは、高湿
度環境下において著しい。一方電子写真装置に用いる感
光体ドラムには近年耐久性の向上とフリーメインテナン
ス化を図るために、ａ−Ｓｉドラムを用いているものが
あるが、ａ−Ｓｉは、ＯＰＣその他の有機半導体に比較
して吸水性が高くこの為前記画像流れはａ−Ｓｉドラム
に多く発生しやすい。そこで従来技術においては前記感
光体ドラムの背面側にシートヒータその他のヒート体を
配し、感光体ドラムを加熱する事により前記像流れの発
生を防止している。又前記窒素酸化物の生成はＯＰＣド
ラムのような軟質なドラムでは転写後残留トナーを除去
するクリーニングブレードの摺擦によりその表面が微小
に削り取られる為、問題が顕在化しにくいが、ａ−Ｓｉ
系ドラムは硬質である為に前記欠点が顕在化し易い。こ
の為ａ−Ｓｉドラムにおいては研磨ブレードや研磨ロー
ラを用いて感光体ドラム表面を研磨して前記生成物を除
去しながら像流れの発生を防止していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記したようにａ−Ｓ
ｉドラムは有機半導体ドラムに比較して硬質で耐久性が
極めてよいにも拘らず、その耐久性とフリーメインテナ
ンス化を図るために、前記したヒータを設けたり、又研
磨手段を設けねばならず、その構成が極めて煩雑化す
る。かかる欠点を解消するために、感光体ドラム上に導
電性ローラを接触させ、該導電性ローラに直流電圧を印
加して暗所で感光体ドラムの接触帯電を行うように構成
したローラ帯電方式が存在する。しかしながらかかる帯
電方式では、図２に示すように感光体ドラム１００と帯
電ローラ１０１との間に微小楔状空隙１０２が存在する
ために、その部分で僅かながら放電現象が生じ、オゾン
の発生が認められ、前記した欠点を必ずしも解消し得な
い。
ｉドラムは有機半導体ドラムに比較して硬質で耐久性が
極めてよいにも拘らず、その耐久性とフリーメインテナ
ンス化を図るために、前記したヒータを設けたり、又研
磨手段を設けねばならず、その構成が極めて煩雑化す
る。かかる欠点を解消するために、感光体ドラム上に導
電性ローラを接触させ、該導電性ローラに直流電圧を印
加して暗所で感光体ドラムの接触帯電を行うように構成
したローラ帯電方式が存在する。しかしながらかかる帯
電方式では、図２に示すように感光体ドラム１００と帯
電ローラ１０１との間に微小楔状空隙１０２が存在する
ために、その部分で僅かながら放電現象が生じ、オゾン
の発生が認められ、前記した欠点を必ずしも解消し得な
い。
【０００５】本発明はかかる従来技術の欠点に鑑み、ａ
−Ｓｉドラムを用いた電子写真装置においても構造が煩
雑化することなく、容易に耐久性とフリーメインテナン
ス化を図り得る電子写真装置を提供する事を目的とす
る。
−Ｓｉドラムを用いた電子写真装置においても構造が煩
雑化することなく、容易に耐久性とフリーメインテナン
ス化を図り得る電子写真装置を提供する事を目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基体に支持さ
れａ−Ｓｉ層で形成した像担持体と、該像担持体と近接
配置して回転する非磁性スリーブ内に固定磁石を配置し
該スリーブの回転で磁性粒子を前記像担持体に供給して
均一接触帯電を行う粒子帯電手段とを備え、前記像担持
体上に位置する、前記粒子帯電手段により帯電された磁
性粒子が前記像担持体上を相対的に運動しながら前記像
担持体と摺擦可能に構成した電子写真装置において、前記像担持体の支持体を非磁性体で形成すると共に、該
支持体背面側の前記磁性粒子の摺擦域と対応する位置
に、逆極性の一対の磁極を配し、 該一対の磁極により形成される水平磁場により前記磁性
粒子群を前記像担持体上に密着させて前記像担持体を摺
擦することにより前記像担持体を帯電 可能に構成したも
のである。そして本発明は、帯電粒子が磁性粒子であ
り、また、前記像担持体の支持体を非磁性体で形成する
と共に、該支持体背面側の前記磁性粒子の摺擦域と対応
する位置に、逆極性の一対の磁極を配し、該磁極により
形成される水平磁場により前記粒子群を像担持体上に密
着配置させている。この場合、前記粒子帯電手段は、交
流バイアスを用いても又直流バイアスを用いても良い
が、直流バイアスの場合はそのバイアス電圧を６００Ｖ
以下に設定するのが良い。また、前記像担持体を感光体
層とその表面に表面層を形成すると共に、該表面層にａ
−ＳｉＣ層を用いることも本発明の有効な手段である。
れａ−Ｓｉ層で形成した像担持体と、該像担持体と近接
配置して回転する非磁性スリーブ内に固定磁石を配置し
該スリーブの回転で磁性粒子を前記像担持体に供給して
均一接触帯電を行う粒子帯電手段とを備え、前記像担持
体上に位置する、前記粒子帯電手段により帯電された磁
性粒子が前記像担持体上を相対的に運動しながら前記像
担持体と摺擦可能に構成した電子写真装置において、前記像担持体の支持体を非磁性体で形成すると共に、該
支持体背面側の前記磁性粒子の摺擦域と対応する位置
に、逆極性の一対の磁極を配し、 該一対の磁極により形成される水平磁場により前記磁性
粒子群を前記像担持体上に密着させて前記像担持体を摺
擦することにより前記像担持体を帯電 可能に構成したも
のである。そして本発明は、帯電粒子が磁性粒子であ
り、また、前記像担持体の支持体を非磁性体で形成する
と共に、該支持体背面側の前記磁性粒子の摺擦域と対応
する位置に、逆極性の一対の磁極を配し、該磁極により
形成される水平磁場により前記粒子群を像担持体上に密
着配置させている。この場合、前記粒子帯電手段は、交
流バイアスを用いても又直流バイアスを用いても良い
が、直流バイアスの場合はそのバイアス電圧を６００Ｖ
以下に設定するのが良い。また、前記像担持体を感光体
層とその表面に表面層を形成すると共に、該表面層にａ
−ＳｉＣ層を用いることも本発明の有効な手段である。
【０００７】
【作用】粒子帯電は微小粒子を感光体ドラム上に密着さ
せた状態で電荷注入により帯電を行なうために、而もそ
の帯電バイアス電圧も直流バイアスの６００Ｖ以下と低
くした場合にも円滑な帯電が可能であり、結果として例
え直流バイアスに設定してもオゾン発生や放電生成物が
生じる余地がない。而も本発明の場合は帯電した磁性粒
子が像担持体上を相対的に運動しながら摺擦可能に構成
し、好ましくは磁性粒子群と像担持体間に相対速度を保
たせて摺擦可能に構成することにより、例え感光体ドラ
ムが吸水した場合においても、前記摺擦により水分の除
去が可能となり、前記画像流れが一層防止される。そし
て特に本発明によれば、水平磁場により前記粒子群を像
担持体上に密着させて摺擦可能に構成した為に、前記効
果が一層増進される。更に前記像担持体を感光体層とそ
の表面に表面層を形成すると共に、該表面層を無機高抵
抗若しくは絶縁材料高抵抗のａ−ＳｉＣ層を用いる事に
より、耐湿性が増進され、より好ましい効果を得る事が
出来る。
せた状態で電荷注入により帯電を行なうために、而もそ
の帯電バイアス電圧も直流バイアスの６００Ｖ以下と低
くした場合にも円滑な帯電が可能であり、結果として例
え直流バイアスに設定してもオゾン発生や放電生成物が
生じる余地がない。而も本発明の場合は帯電した磁性粒
子が像担持体上を相対的に運動しながら摺擦可能に構成
し、好ましくは磁性粒子群と像担持体間に相対速度を保
たせて摺擦可能に構成することにより、例え感光体ドラ
ムが吸水した場合においても、前記摺擦により水分の除
去が可能となり、前記画像流れが一層防止される。そし
て特に本発明によれば、水平磁場により前記粒子群を像
担持体上に密着させて摺擦可能に構成した為に、前記効
果が一層増進される。更に前記像担持体を感光体層とそ
の表面に表面層を形成すると共に、該表面層を無機高抵
抗若しくは絶縁材料高抵抗のａ−ＳｉＣ層を用いる事に
より、耐湿性が増進され、より好ましい効果を得る事が
出来る。
【０００８】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を例示
的に詳しく説明する。但しこの実施例に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に
特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図１
は本発明が適用される電子写真装置を示し、図上時計回
りに回転するａ−Ｓｉ感光体ドラム１の周囲に、回転方
向に沿って露光用ＬＥＤヘッド２及びセルフォックレン
ズ３からなる光学系、二成分現像ユニット４、転写ロー
ラ５、クリーニングブレード６、除電ランプ７、及び粒
子帯電ユニット８が配設されている。
的に詳しく説明する。但しこの実施例に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に
特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図１
は本発明が適用される電子写真装置を示し、図上時計回
りに回転するａ−Ｓｉ感光体ドラム１の周囲に、回転方
向に沿って露光用ＬＥＤヘッド２及びセルフォックレン
ズ３からなる光学系、二成分現像ユニット４、転写ロー
ラ５、クリーニングブレード６、除電ランプ７、及び粒
子帯電ユニット８が配設されている。
【０００９】次に夫々の各構成要素について説明する。
感光体ドラム１は導電性支持体１ａ上に感光体層１ｂ、
及び表面層１ｃが積層されて形成されており、該支持体
１ａは、一般にはアルミ性の円筒体を用いるが、表面に
導電膜を被着させたガラス等無機材料や、エポキシ等の
透明な樹脂等で形成され、本実施例においては肉厚が２
ｍｍで外周径を３０ｍｍに設定すると共に、軸方向に３
００ｍｍの長さを有するアルミ製円筒体を用いている。
感光体ドラム１は導電性支持体１ａ上に感光体層１ｂ、
及び表面層１ｃが積層されて形成されており、該支持体
１ａは、一般にはアルミ性の円筒体を用いるが、表面に
導電膜を被着させたガラス等無機材料や、エポキシ等の
透明な樹脂等で形成され、本実施例においては肉厚が２
ｍｍで外周径を３０ｍｍに設定すると共に、軸方向に３
００ｍｍの長さを有するアルミ製円筒体を用いている。
【００１０】又前記ａ−Ｓｉ系感光体層１ｂ、及び表面
層１ｃは、グロー放電分解法、スパッタリング法、ＥＣ
Ｒ法、蒸着法等により膜形成し、その形成にあたって、
ダングリングボンド終端用の元素、例えば（Ｈ）やハロ
ゲンを５〜４０ｗｔ．／％含有させるのがよい。即ち、
感光体層１ｂはａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電体を用い、
そして現像バイアスが正の場合には電子の移動度を高め
る為、ノンドープ又はＶａ族元素を含有させ、又現像バ
イアスが負の場合には正孔の移動度を高めるため、III
ａ族元素を含有させるのが好ましい。又必要に応じて暗
導電率や光導電率等の電気的特性、光学的バンドギャッ
プ等について所望の特性を得るために、Ｃ，Ｏ，Ｎ等の
元素を含有させても良い。そして、前記感光体層１ｂ全
体の膜厚は、必要な帯電および絶縁耐圧の確保や、露光
された光の吸収や前記した残留電位の抑制等から2〜25
μｍ程度にするのがよい。
層１ｃは、グロー放電分解法、スパッタリング法、ＥＣ
Ｒ法、蒸着法等により膜形成し、その形成にあたって、
ダングリングボンド終端用の元素、例えば（Ｈ）やハロ
ゲンを５〜４０ｗｔ．／％含有させるのがよい。即ち、
感光体層１ｂはａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電体を用い、
そして現像バイアスが正の場合には電子の移動度を高め
る為、ノンドープ又はＶａ族元素を含有させ、又現像バ
イアスが負の場合には正孔の移動度を高めるため、III
ａ族元素を含有させるのが好ましい。又必要に応じて暗
導電率や光導電率等の電気的特性、光学的バンドギャッ
プ等について所望の特性を得るために、Ｃ，Ｏ，Ｎ等の
元素を含有させても良い。そして、前記感光体層１ｂ全
体の膜厚は、必要な帯電および絶縁耐圧の確保や、露光
された光の吸収や前記した残留電位の抑制等から2〜25
μｍ程度にするのがよい。
【００１１】又、表面層１ｃは、ａ−ＳｉＣ、ａ−Ｓｉ
Ｏ，ａ−ＳｉＮ、ａ−ＳｉＯＮ、ａ−ＳｉＣＯＮ等のａ
−Ｓｉ系の無機高抵抗若しくは絶縁材料、ポリエチレン
テレフタレート、パリレン、ポリ四フッ化エチレン、ポ
リイミド、ポリフッ化エチレンプロピレン等の有機絶縁
材料を用いるのがよく、特に高抵抗のａ−ＳｉＣ層を用
いると、絶縁耐圧や耐摩耗性、耐環境性等の特性が高め
られる。このａ−Ｓｉ1-xＣxのｘ値は0.3≦ｘ＜1.0、好
適には0.5≦ｘ≦0.95に設定する事により１０12 〜１０
13Ω・ｃｍ範囲の抵抗値で高耐湿性を得る事が出来、こ
の場合層内でＣ量に勾配を持たせてもよい。またＣと同
時にＮ，Ｏ，Ｇｅを含有させる事により耐湿性を更に高
めることが出来る。
Ｏ，ａ−ＳｉＮ、ａ−ＳｉＯＮ、ａ−ＳｉＣＯＮ等のａ
−Ｓｉ系の無機高抵抗若しくは絶縁材料、ポリエチレン
テレフタレート、パリレン、ポリ四フッ化エチレン、ポ
リイミド、ポリフッ化エチレンプロピレン等の有機絶縁
材料を用いるのがよく、特に高抵抗のａ−ＳｉＣ層を用
いると、絶縁耐圧や耐摩耗性、耐環境性等の特性が高め
られる。このａ−Ｓｉ1-xＣxのｘ値は0.3≦ｘ＜1.0、好
適には0.5≦ｘ≦0.95に設定する事により１０12 〜１０
13Ω・ｃｍ範囲の抵抗値で高耐湿性を得る事が出来、こ
の場合層内でＣ量に勾配を持たせてもよい。またＣと同
時にＮ，Ｏ，Ｇｅを含有させる事により耐湿性を更に高
めることが出来る。
【００１２】表面層１ｃの厚みは0.05〜5μｍ、好適に
は0.1〜3μｍの範囲内が良く、又その厚みはこの際表面
層１ｃの抵抗は１０12 〜１０13Ω・ｃｍに設定した。
又露光用ＬＥＤヘッド２には露光波長が７４０ｎｍで、
波長エネルギーが０．８μＪ／ｃｍ2のヘッドアレイを
用い、これをダイナミック駆動にて一走査ライン毎に６
４ビット×４０回分割露光可能に構成する。
は0.1〜3μｍの範囲内が良く、又その厚みはこの際表面
層１ｃの抵抗は１０12 〜１０13Ω・ｃｍに設定した。
又露光用ＬＥＤヘッド２には露光波長が７４０ｎｍで、
波長エネルギーが０．８μＪ／ｃｍ2のヘッドアレイを
用い、これをダイナミック駆動にて一走査ライン毎に６
４ビット×４０回分割露光可能に構成する。
【００１３】現像ユニット４は、キャリアとトナーから
なる複数成分現像剤が収納された現像容器４１と固定磁
石集成体４３が収納された現像ローラ４２からなり、該
ローラ４２に例えば５０〜４５０Ｖの直流現像バイアス
電源４４を接続して、現像を行うように構成する。
なる複数成分現像剤が収納された現像容器４１と固定磁
石集成体４３が収納された現像ローラ４２からなり、該
ローラ４２に例えば５０〜４５０Ｖの直流現像バイアス
電源４４を接続して、現像を行うように構成する。
【００１４】そして前記キャリアは、平均粒径７０μｍ
のフェライトキャリアを用いたが、キャリアはこれに限
らず、鉄粉や、マグネタイト等のキャリアや磁性樹脂キ
ャリアを用いてもよい。また現像法も二成分現像法以外
の一成分現像法等を用いてもよい。
のフェライトキャリアを用いたが、キャリアはこれに限
らず、鉄粉や、マグネタイト等のキャリアや磁性樹脂キ
ャリアを用いてもよい。また現像法も二成分現像法以外
の一成分現像法等を用いてもよい。
【００１５】又トナーは通常の高抵抗若しくは絶縁性ト
ナーが用いられ、例えば、バインダー樹脂、着色剤、電
荷制御剤、オフセット防止剤などに、磁性体を添加して
その平均中心粒度は５〜１５μｍ前後の磁性トナーとし
て構成し上記のキャリアとトナーと適正混合比を例えば
８５〜９０：１５〜１０重量％に設定する。転写ローラ
５は転写効率を上げるために導電性ローラを用い、前記
トナーの帯電電位と逆極性の転写バイアスを印加させる
とともに、前記感光体ドラム１周面に均一に圧接し、該
ドラム１と同期して回転可能に構成する。
ナーが用いられ、例えば、バインダー樹脂、着色剤、電
荷制御剤、オフセット防止剤などに、磁性体を添加して
その平均中心粒度は５〜１５μｍ前後の磁性トナーとし
て構成し上記のキャリアとトナーと適正混合比を例えば
８５〜９０：１５〜１０重量％に設定する。転写ローラ
５は転写効率を上げるために導電性ローラを用い、前記
トナーの帯電電位と逆極性の転写バイアスを印加させる
とともに、前記感光体ドラム１周面に均一に圧接し、該
ドラム１と同期して回転可能に構成する。
【００１６】粒子帯電ユニット８は、図上右方向に回転
する感光体ドラム１に対し帯電ギャップ（０．５ｍｍ）
を介して前記感光体ドラム１の回転方向とアゲインスト
方向（図上左方向）に回転可能により非磁性スリーブ８
１を配設すると共に、該非磁性スリーブ８１の背面側の
帯電領域下流側に固定配置した固定磁石体８２Ａと、該
固定磁石体８２Ａの帯電領域上流方向、言換えればスリ
ーブ回転方向下流側に、前記固定磁石体８２Ａと同極性
の反発磁石体８２Ｂ、又スリーブ回転方向上流側に、前
記固定磁石体８２Ａと逆極性の磁石体８２Ｃを配設す
る。尚、８６は非磁性スリーブ８１を介して導電性磁性
粒子群８４に帯電バイアスを印加させるバイアス電源で
ある。
する感光体ドラム１に対し帯電ギャップ（０．５ｍｍ）
を介して前記感光体ドラム１の回転方向とアゲインスト
方向（図上左方向）に回転可能により非磁性スリーブ８
１を配設すると共に、該非磁性スリーブ８１の背面側の
帯電領域下流側に固定配置した固定磁石体８２Ａと、該
固定磁石体８２Ａの帯電領域上流方向、言換えればスリ
ーブ回転方向下流側に、前記固定磁石体８２Ａと同極性
の反発磁石体８２Ｂ、又スリーブ回転方向上流側に、前
記固定磁石体８２Ａと逆極性の磁石体８２Ｃを配設す
る。尚、８６は非磁性スリーブ８１を介して導電性磁性
粒子群８４に帯電バイアスを印加させるバイアス電源で
ある。
【００１７】そして前記帯電領域上に介在させる導電性
磁性粒子群は導電性であれば特に限定されないが、フェ
ライトや鉄粉、マグネタイト等の磁性コアの表面に導電
性樹脂で被覆した導電性磁性粒子で構成するか若しくは
導電性粒子と磁性粒子の混合粒子群８４で構成してもよ
い。例えば平均粒径が３０μｍ前後の磁性粒子母材と、
平均粒径が１５μｍ前後の導電粒子材を適宜割合で配合
したものを用いても良い。尚、本実施例においては平均
粒径が２０〜３５μｍ、抵抗率１０5〜１０6Ω・ｃｍの
フェライトコア粒子を用い、磁気特性を６０〜７０emu
／ｇ（1k Oe）に設定したものを用いた。
磁性粒子群は導電性であれば特に限定されないが、フェ
ライトや鉄粉、マグネタイト等の磁性コアの表面に導電
性樹脂で被覆した導電性磁性粒子で構成するか若しくは
導電性粒子と磁性粒子の混合粒子群８４で構成してもよ
い。例えば平均粒径が３０μｍ前後の磁性粒子母材と、
平均粒径が１５μｍ前後の導電粒子材を適宜割合で配合
したものを用いても良い。尚、本実施例においては平均
粒径が２０〜３５μｍ、抵抗率１０5〜１０6Ω・ｃｍの
フェライトコア粒子を用い、磁気特性を６０〜７０emu
／ｇ（1k Oe）に設定したものを用いた。
【００１８】一方、感光体ドラム１の背面側には、帯電
領域下流側に位置する前記固定磁石体８２Ａとほぼ対向
させて第１の磁石体８５Ａと、前記第１の磁石体８５Ａ
に隣接させて帯電領域上流側に第２の磁石体８５Ｂとを
隣接配置すると共に、第１の磁石体８５Ａは前記固定磁
石体８２Ａと逆極性のＳ極に設定し該磁石体８２Ａとの
間で垂直磁場を形成するとともに、第２の磁石体８５Ｂ
は該第１の磁石体８５Ａと逆極性のＮ極に設定し、両磁
石体８５Ａ、５Ｂ間の感光体ドラム１上に水平磁場を形
成する。
領域下流側に位置する前記固定磁石体８２Ａとほぼ対向
させて第１の磁石体８５Ａと、前記第１の磁石体８５Ａ
に隣接させて帯電領域上流側に第２の磁石体８５Ｂとを
隣接配置すると共に、第１の磁石体８５Ａは前記固定磁
石体８２Ａと逆極性のＳ極に設定し該磁石体８２Ａとの
間で垂直磁場を形成するとともに、第２の磁石体８５Ｂ
は該第１の磁石体８５Ａと逆極性のＮ極に設定し、両磁
石体８５Ａ、５Ｂ間の感光体ドラム１上に水平磁場を形
成する。
【００１９】かかる実施例においては、前記感光体ドラ
ム１の帯電領域に付着される磁性粒子群８４は、Ｎ極と
Ｓ極の両磁石体８５Ａ、８５Ｂ間の水平磁場上で感光体
ドラム上に密着して付着し、又前記水平磁場から外れた
帯電領域下流側の垂直磁場上では、粗の状態で感光体ド
ラム１法線方向に立つように付着される。この状態で感
光体ドラム１が回転すると、水平磁場上で感光体ドラム
への帯電を行ないながら該水平磁場から垂直磁場上に移
動し、更に磁性粒子群８４はＳ極の磁石体８２Ｃとの間
の反発磁界で感光体ドラム１上により形成される無磁力
帯域６Ｃにより下流側に搬送されることなく、垂直磁場
６Ｅにより垂直方向に逃げる。
ム１の帯電領域に付着される磁性粒子群８４は、Ｎ極と
Ｓ極の両磁石体８５Ａ、８５Ｂ間の水平磁場上で感光体
ドラム上に密着して付着し、又前記水平磁場から外れた
帯電領域下流側の垂直磁場上では、粗の状態で感光体ド
ラム１法線方向に立つように付着される。この状態で感
光体ドラム１が回転すると、水平磁場上で感光体ドラム
への帯電を行ないながら該水平磁場から垂直磁場上に移
動し、更に磁性粒子群８４はＳ極の磁石体８２Ｃとの間
の反発磁界で感光体ドラム１上により形成される無磁力
帯域６Ｃにより下流側に搬送されることなく、垂直磁場
６Ｅにより垂直方向に逃げる。
【００２０】そして垂直方向に向った磁性粒子群８４
は、固定磁石体８２Ａとの吸引力によりスリーブ８１側
に付着し、その後スリーブ８１の回転に従って帯電領域
上流側の水平磁場６Ａ側に引戻されるが、結果として２
つの磁極８２Ａ、８２Ｂ間に無磁力帯域６Ｄが形成され
る。この結果水平磁場６Ａから垂直磁場６Ｂ上に移動
し、更に磁性粒子群８４はＮ極の磁石体８２Ｂと固定磁
石体８２Ａとの間の反発により形成される無磁力帯域に
より下流側に搬送されることなく帯電領域側に落下し、
以下繰り返し循環を行なう。そして前記の水平磁場上で
磁性粒子群８４を密着させながら感光体ドラム１表面を
円滑に帯電させた後、露光ヘッド２により所定の潜像を
露光させた後、現像ユニット４により該潜像にトナー像
を付着させた後、転写ローラ５に転写させる事が出来
る。
は、固定磁石体８２Ａとの吸引力によりスリーブ８１側
に付着し、その後スリーブ８１の回転に従って帯電領域
上流側の水平磁場６Ａ側に引戻されるが、結果として２
つの磁極８２Ａ、８２Ｂ間に無磁力帯域６Ｄが形成され
る。この結果水平磁場６Ａから垂直磁場６Ｂ上に移動
し、更に磁性粒子群８４はＮ極の磁石体８２Ｂと固定磁
石体８２Ａとの間の反発により形成される無磁力帯域に
より下流側に搬送されることなく帯電領域側に落下し、
以下繰り返し循環を行なう。そして前記の水平磁場上で
磁性粒子群８４を密着させながら感光体ドラム１表面を
円滑に帯電させた後、露光ヘッド２により所定の潜像を
露光させた後、現像ユニット４により該潜像にトナー像
を付着させた後、転写ローラ５に転写させる事が出来
る。
【００２１】次にかかる装置を用いて、感光体層を３０
μｍ、表面層を１μｍに設定した感光体ドラム１を用
い、帯電バイアス電源８６の印加電圧を２５０、３５
０、７００Ｖに夫々設定し、先ず１万枚プリント後、３
５℃８５％ＲＨの環境下に８Ｈ放置した後、１００枚の
再度印字を行った後の像流れの状況を確認したところ、
いずれも像流れが発生していなかった。次に前記１００
枚について夫々１０倍拡大鏡で微小な像流れを確認した
ところ、帯電バイアス電源８６の印加電圧を７００Ｖに
したものの最初に２枚に僅かながら像流れのあるところ
が確認できた。尚、前記感光体ドラムにおいて、表面電
位を確認したところ、帯電バイアス電源８６の印加電圧
が２５０Ｖのものについては２００Ｖ、３５０Ｖのもの
は３００Ｖ、７００Ｖのものは６５０Ｖであった。
μｍ、表面層を１μｍに設定した感光体ドラム１を用
い、帯電バイアス電源８６の印加電圧を２５０、３５
０、７００Ｖに夫々設定し、先ず１万枚プリント後、３
５℃８５％ＲＨの環境下に８Ｈ放置した後、１００枚の
再度印字を行った後の像流れの状況を確認したところ、
いずれも像流れが発生していなかった。次に前記１００
枚について夫々１０倍拡大鏡で微小な像流れを確認した
ところ、帯電バイアス電源８６の印加電圧を７００Ｖに
したものの最初に２枚に僅かながら像流れのあるところ
が確認できた。尚、前記感光体ドラムにおいて、表面電
位を確認したところ、帯電バイアス電源８６の印加電圧
が２５０Ｖのものについては２００Ｖ、３５０Ｖのもの
は３００Ｖ、７００Ｖのものは６５０Ｖであった。
【００２２】
【発明の効果】以上記載したごとく本発明によれば、ａ
−Ｓｉドラムを用いた電子写真装置においても構造が煩
雑化することなく、像流れを防止できるために、容易に
耐久性とフリーメインテナンス化を図り得る。特に帯電
バイアス電圧も直流バイアスの６００Ｖ以下に低くする
事により前記効果が一層増進される。等の種々の著効を
有す。
−Ｓｉドラムを用いた電子写真装置においても構造が煩
雑化することなく、像流れを防止できるために、容易に
耐久性とフリーメインテナンス化を図り得る。特に帯電
バイアス電圧も直流バイアスの６００Ｖ以下に低くする
事により前記効果が一層増進される。等の種々の著効を
有す。
【図１】本発明の実施例に係る電子写真装置を示す概略
図である。
図である。
【図２】従来技術に係る帯電装置を示す概略図である。
１ 感光体ドラム ２ 露光用ヘッド ３ 光学系、 ４ 二成分現像ユニット ８ 帯電装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−234063（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−187267（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−181347（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−176069（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−72782（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03G 15/02 G03G 15/09
Claims (3)
- 【請求項１】 基体に支持されａ−Ｓｉ層で形成した像
担持体と、該像担持体と近接配置して回転する非磁性ス
リーブ内に固定磁石を配置し該スリーブの回転で磁性粒
子を前記像担持体に供給して均一接触帯電を行う粒子帯
電手段とを備え、前記像担持体上に位置する、前記粒子
帯電手段により帯電された磁性粒子が前記像担持体上を
相対的に運動しながら前記像担持体と摺擦可能に構成し
た電子写真装置において、前記像担持体の支持体を非磁性体で形成すると共に、該
支持体背面側の前記磁性粒子の摺擦域と対応する位置
に、逆極性の一対の磁極を配し、 該一対の磁極により形成される水平磁場により前記磁性
粒子群を前記像担持体上に密着させて前記像担持体を摺
擦することにより前記像担持体を帯電 可能に構成した事
を特徴とする電子写真装置。 - 【請求項２】 前記粒子帯電手段に印加させる帯電バイ
アスを直流バイアスに設定すると共に、該バイアスを６
００Ｖ以下に設定した事を特徴とする請求項１記載の電
子写真装置。 - 【請求項３】 前記像担持体を感光体層とその表面に表
面層を形成すると共に、該表面層にａ−ＳｉＣ層を用い
た事を特徴とする請求項１記載の電子写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05294399A JP3142037B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05294399A JP3142037B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 電子写真装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07128953A JPH07128953A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3142037B2 true JP3142037B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=17807239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05294399A Expired - Fee Related JP3142037B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3142037B2 (ja) |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP05294399A patent/JP3142037B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07128953A (ja) | 1995-05-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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