JPS6297148A - 光学的情報処理装置 - Google Patents
光学的情報処理装置Info
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- JPS6297148A JPS6297148A JP60236358A JP23635885A JPS6297148A JP S6297148 A JPS6297148 A JP S6297148A JP 60236358 A JP60236358 A JP 60236358A JP 23635885 A JP23635885 A JP 23635885A JP S6297148 A JPS6297148 A JP S6297148A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、情報記録媒体に光学的に記録あるいは再生
する光学的情報処理装置に関する。
する光学的情報処理装置に関する。
一般に高密度、大容量の記録再生装置として光デイスク
装置が実用化されている。そして、情報を記録媒体に記
録したり読み出したりするために、光学的情報処理装置
例えば光ピツクアップがあり。
装置が実用化されている。そして、情報を記録媒体に記
録したり読み出したりするために、光学的情報処理装置
例えば光ピツクアップがあり。
この光ピツクアップの基本的な光学系の例を示すと第７
図の様になっている。即ち、レーザ光源例えば半導体レ
ーザ■を出射した光は、ビームスプリッタ■で分割され
た後、コリメータレンズ■によって平行光に直される。
図の様になっている。即ち、レーザ光源例えば半導体レ
ーザ■を出射した光は、ビームスプリッタ■で分割され
た後、コリメータレンズ■によって平行光に直される。
このビームスプリッタ■で反射されずに透過した光は対
物レンズ（イ）で情報記録媒体■に集光される。この情
報記録媒体Ω上に集光された光でピットを形成し情報を
記録する。又、情報記録媒体■上のピットより情報を読
み取ることができる。
物レンズ（イ）で情報記録媒体■に集光される。この情
報記録媒体Ω上に集光された光でピットを形成し情報を
記録する。又、情報記録媒体■上のピットより情報を読
み取ることができる。
上記情報記録媒体０上に情報を記録する場合でも、再生
する場合でも情報記録媒体■が常に対物レンズ（イ）の
焦点位置になければならない、又、高密度に情報を記憶
するために、螺旋状又は同心円状に法則正しく記録した
り、規則正しく記録されたピット列を追尾するためのト
ラッキング検出も必要である。光ピツクアップには、こ
の２種類の機能を有するために焦点およびトラッキング
誤差検出方法と追尾機構を有している。
する場合でも情報記録媒体■が常に対物レンズ（イ）の
焦点位置になければならない、又、高密度に情報を記憶
するために、螺旋状又は同心円状に法則正しく記録した
り、規則正しく記録されたピット列を追尾するためのト
ラッキング検出も必要である。光ピツクアップには、こ
の２種類の機能を有するために焦点およびトラッキング
誤差検出方法と追尾機構を有している。
上記ビームスプリッタ■は、半導体レーザからの出射光
を情報記録媒体■に導き、がっ、その反射光を検出器０
に導くために必要であり現在２つの直角プリズム（７□
）、（７□）をはり合わせたキューブ型のものが多く使
われている。２つのプリズム（７□）、 （７２）の間
には多層膜が蒸着されており、この構成を変える事によ
り、透過率と反射率を任意に設定する事ができる。
を情報記録媒体■に導き、がっ、その反射光を検出器０
に導くために必要であり現在２つの直角プリズム（７□
）、（７□）をはり合わせたキューブ型のものが多く使
われている。２つのプリズム（７□）、 （７２）の間
には多層膜が蒸着されており、この構成を変える事によ
り、透過率と反射率を任意に設定する事ができる。
キューブ型ビームスプリッタにレーザー光が入射した場
合、ビームスプリッタの表面で入射光の４〜８％が反射
され、ビームスプリッタから光が出る場合も同様に４〜
８％の光が反射されてしまう、この反射が信号の検出に
悪影響を及ぼし、また反射により効率が下がるので、第
８図の様に、直角プリズム（２０）、 （２１）の最低
３面（２２）、 （２３）。
合、ビームスプリッタの表面で入射光の４〜８％が反射
され、ビームスプリッタから光が出る場合も同様に４〜
８％の光が反射されてしまう、この反射が信号の検出に
悪影響を及ぼし、また反射により効率が下がるので、第
８図の様に、直角プリズム（２０）、 （２１）の最低
３面（２２）、 （２３）。
（２４）に反射防止膜（２５）、 （２６）、 （２７
）をほどこさなければならない。したがって、キューブ
型ビームスプリッタは、Ｗ−フミラーの働きをさせるた
めの多層膜（２８）と３面あるいは４面の反射防止膜（
２５）、 （２６）、 （２７）の蒸着、およびプリズ
ム（２０） 。
）をほどこさなければならない。したがって、キューブ
型ビームスプリッタは、Ｗ−フミラーの働きをさせるた
めの多層膜（２８）と３面あるいは４面の反射防止膜（
２５）、 （２６）、 （２７）の蒸着、およびプリズ
ム（２０） 。
（２１）の接着を行なりねばならず、またプリズム自体
も加工・研磨に技術を要するので１作成するのに時間が
かかり、価格は高くなる。
も加工・研磨に技術を要するので１作成するのに時間が
かかり、価格は高くなる。
この様な問題点があるため、キューブ型ビームスプリッ
タｆに代え、平板型のビームスプリッタを用いることが
、例えば特願昭５９−７７５８９号で提案されている。
タｆに代え、平板型のビームスプリッタを用いることが
、例えば特願昭５９−７７５８９号で提案されている。
平板型ビームスプリッタは第９図の様に平板型基板（３
０）の表面にハーフミラ−の働きをもたせるための誘電
体多層膜（３１）を、また裏面には反射防止膜（３２）
がほどこされている、収束光或は拡散光中に平板型ビー
ムスプリッタが配置された場合、入射角が０°とはなら
ないので、裏面に反射防止膜がない場合は入射光の偏光
状態により裏面での反射率が異なり、入射光と透過光と
では、偏光状態が変わってくる。また、入射面に対して
垂直に振動する偏光成分（Ｓ成分）は垂直入射のときに
比べ、かなり多くの裏面反射が生じてしまう。一般に入
射角をθ、基板の屈折率を１５とすると、Ｓ成分、Ｐ成
分（入射面に対して平行に振動する偏光成分）の裏面に
おける強度反射率Ｒｓ８．１″“′（ツエ、。） ｓｉｎ” （φ−θ） Ｒ’ ＝ ５ｉｎ２（φ十〇） ｔａｎ２（φ−θ） Ｒ’ ＝ ｔａｎ２（＄ ＋ ８ ） ｓｉｎθ （ただし、φ＝ｓｉｎ−’ （） ）ｇ で表わされる。
０）の表面にハーフミラ−の働きをもたせるための誘電
体多層膜（３１）を、また裏面には反射防止膜（３２）
がほどこされている、収束光或は拡散光中に平板型ビー
ムスプリッタが配置された場合、入射角が０°とはなら
ないので、裏面に反射防止膜がない場合は入射光の偏光
状態により裏面での反射率が異なり、入射光と透過光と
では、偏光状態が変わってくる。また、入射面に対して
垂直に振動する偏光成分（Ｓ成分）は垂直入射のときに
比べ、かなり多くの裏面反射が生じてしまう。一般に入
射角をθ、基板の屈折率を１５とすると、Ｓ成分、Ｐ成
分（入射面に対して平行に振動する偏光成分）の裏面に
おける強度反射率Ｒｓ８．１″“′（ツエ、。） ｓｉｎ” （φ−θ） Ｒ’ ＝ ５ｉｎ２（φ十〇） ｔａｎ２（φ−θ） Ｒ’ ＝ ｔａｎ２（＄ ＋ ８ ） ｓｉｎθ （ただし、φ＝ｓｉｎ−’ （） ）ｇ で表わされる。
第１０図にｎｓが１．５１のときの入射角と裏面におけ
る反射率との関係を表す。特に、Ｓ偏光成分は入射角が
大きくなるにしたがい垂直入射の場合に比べ裏面での反
射率がかなり大きくなってくる。たとえば４５°入射で
はＳ成分は１０％近くも反射されてしまい１反射防止膜
が必要となる。
る反射率との関係を表す。特に、Ｓ偏光成分は入射角が
大きくなるにしたがい垂直入射の場合に比べ裏面での反
射率がかなり大きくなってくる。たとえば４５°入射で
はＳ成分は１０％近くも反射されてしまい１反射防止膜
が必要となる。
また、裏面に反射防止膜を形成する際、裏面のハーフミ
ラ−面に反射防止膜を形成する材料が付着してしまい、
性能を劣下させる恐れもある。
ラ−面に反射防止膜を形成する材料が付着してしまい、
性能を劣下させる恐れもある。
本発明の目的は、裏面反射が生じない様に、平板ビーム
スジ１人ツタを配置することにより、反射防止膜を設け
ない平板ビームスプリッタの使用を可能にして、低価格
な光学的情報処理装置を提供することである。
スジ１人ツタを配置することにより、反射防止膜を設け
ない平板ビームスプリッタの使用を可能にして、低価格
な光学的情報処理装置を提供することである。
本発明は、特に入射光の偏光成分がＰ成分となる様にし
てＳ成分の反射の影響をなくし、かつ入射角がブリュー
スター角とほぼ等しくなる様に平板ビームスプリッタを
配置したもので、平板ビームスプリッタの裏面に反射防
止膜をほどこさなくても、裏面反射を防ぐことが可能と
なる。
てＳ成分の反射の影響をなくし、かつ入射角がブリュー
スター角とほぼ等しくなる様に平板ビームスプリッタを
配置したもので、平板ビームスプリッタの裏面に反射防
止膜をほどこさなくても、裏面反射を防ぐことが可能と
なる。
以下実施例を示す図面を参照して、本発明の詳細な説明
する。
する。
この発明は第１図に示す様に構成され、従来例と同一箇
所は同一符号を付すことにする。即ち半導体レーザ■か
らの出射光は、ブリュースター角に近い角度でビームス
プリッタ■に入射する。この場合、ビームスプリッタ■
への入射光がＰ偏光成分となる様にビームスプリッタを
配置するか、あるいは半導体レーザ■を調整する。ビー
ムスプリッタ■は、平板型基板の一方の主面に誘電体多
層膜が被着されてハーフミラ−面を構成しているが、第
９図に示す従来技術と異なり、他方の主面には反射防止
膜は形成されていない。
所は同一符号を付すことにする。即ち半導体レーザ■か
らの出射光は、ブリュースター角に近い角度でビームス
プリッタ■に入射する。この場合、ビームスプリッタ■
への入射光がＰ偏光成分となる様にビームスプリッタを
配置するか、あるいは半導体レーザ■を調整する。ビー
ムスプリッタ■は、平板型基板の一方の主面に誘電体多
層膜が被着されてハーフミラ−面を構成しているが、第
９図に示す従来技術と異なり、他方の主面には反射防止
膜は形成されていない。
入射光はブリュースター角にほぼ近い角度で入射してい
るため、誘電体多層膜でなるハーフミラ−面以外の面に
おける反射率はほとんどＯに近くなり、入射光のほとん
どが効率よく、ビームスプリッタ■で分割され、信号検
出に悪影響を及ぼす裏面反射は生じない、ビームスプリ
ッタ■で分割された光は、コリメータレンズ■で平行光
となり、対物レンズ（イ）で情報記録媒体■上に集光さ
れ情報の記録あるいは読み取りを行なう、一方、読み取
られた信号は、光路を逆行し、ビームスプリッタ■によ
り検出系０に導かれる。この際も、ビームスプリッタ■
にブリュースター角にほぼ近い角度で入射するため裏面
反射は生じない。
るため、誘電体多層膜でなるハーフミラ−面以外の面に
おける反射率はほとんどＯに近くなり、入射光のほとん
どが効率よく、ビームスプリッタ■で分割され、信号検
出に悪影響を及ぼす裏面反射は生じない、ビームスプリ
ッタ■で分割された光は、コリメータレンズ■で平行光
となり、対物レンズ（イ）で情報記録媒体■上に集光さ
れ情報の記録あるいは読み取りを行なう、一方、読み取
られた信号は、光路を逆行し、ビームスプリッタ■によ
り検出系０に導かれる。この際も、ビームスプリッタ■
にブリュースター角にほぼ近い角度で入射するため裏面
反射は生じない。
第１図はビームスプリッタ■からの透過光を対物レンズ
（イ）に導いているが、第２図の様にビームスプリッタ
■で反射された光を対物レンズ（６）に導く光学系でも
、同様に裏面反射を防ぐことができる。
（イ）に導いているが、第２図の様にビームスプリッタ
■で反射された光を対物レンズ（６）に導く光学系でも
、同様に裏面反射を防ぐことができる。
たとえばビームスプリッタ■の基板としてＢＫ７光学ガ
ラス（７８０ｎｍの波長に対して屈折率１．５１）を用
いると、ブリュースター角は５６．５” となり。
ラス（７８０ｎｍの波長に対して屈折率１．５１）を用
いると、ブリュースター角は５６．５” となり。
入射角が５６．５°となる様にビームスプリッタを配置
すれば裏面反射をなくすことが可能となる。この場合入
射光は拡散光であるが、４８°〜６３″の範囲内に入射
光があれば反射率を０．５％以下にすることができ、反
射防止膜を設けた場合と同等あるいはそれ以上の効果を
得ることができる。第３図は、Ｐ偏光成分の入射光の入
射角と反射率の関係をｎ＝１．５１の場合について示し
たものである。ブリュースター角に近い広い範囲の入射
角で、垂直入射の場合の反射率（４，１％）よりかなり
小さい反射率を得ることができる。なお、実用的には反
射率が１％以下になると入射角に設定することが好まし
い。
すれば裏面反射をなくすことが可能となる。この場合入
射光は拡散光であるが、４８°〜６３″の範囲内に入射
光があれば反射率を０．５％以下にすることができ、反
射防止膜を設けた場合と同等あるいはそれ以上の効果を
得ることができる。第３図は、Ｐ偏光成分の入射光の入
射角と反射率の関係をｎ＝１．５１の場合について示し
たものである。ブリュースター角に近い広い範囲の入射
角で、垂直入射の場合の反射率（４，１％）よりかなり
小さい反射率を得ることができる。なお、実用的には反
射率が１％以下になると入射角に設定することが好まし
い。
また、基板の屈折率が１．５１以外の場合でも同様にブ
リュースター角を含む広い範囲の入射角で反射防止膜を
設けた場合と同等、あるいはそれ以上の効果を得ること
ができる。第４図は、平板型基板の屈折率Ｎ３が、
１．４ ＜ ＮＳ ＜ １．８の場合のブリュースター
角を示したものである。なお、本発明においては、例え
ば１．４ ＜ ＮＳ ＜ １．８の場合、入射角θが４
０＠＜ θ ＜７０°において良好なビームスプリッ
タとしての特性が得られる。
リュースター角を含む広い範囲の入射角で反射防止膜を
設けた場合と同等、あるいはそれ以上の効果を得ること
ができる。第４図は、平板型基板の屈折率Ｎ３が、
１．４ ＜ ＮＳ ＜ １．８の場合のブリュースター
角を示したものである。なお、本発明においては、例え
ば１．４ ＜ ＮＳ ＜ １．８の場合、入射角θが４
０＠＜ θ ＜７０°において良好なビームスプリッ
タとしての特性が得られる。
第５図および第６図は、本発明の他の実施例を示したも
ので、上記実施例と同様効果が得られる。
ので、上記実施例と同様効果が得られる。
即ち、上記実施例では、ビームスプリッタへの入射光は
拡散光であったため、入射光すべてをブリュースター角
で入射させることは不可能である。
拡散光であったため、入射光すべてをブリュースター角
で入射させることは不可能である。
そこで、入射光が平行光となる様な位置にビームスプリ
ッタ■を配置すると、入射光すべてを、ブリュースター
角で入射させることができるので、裏面での反射率を極
めて小さくすることが可能となる。この実施例の場合も
、上述の実施例と同じ様にビームスプリッタ■からの透
過光を、対物レンズ（イ）に導く場合と反射光を対物レ
ンズ（イ）に導く場合とで、相方とも同等の効果を得る
ことができる。
ッタ■を配置すると、入射光すべてを、ブリュースター
角で入射させることができるので、裏面での反射率を極
めて小さくすることが可能となる。この実施例の場合も
、上述の実施例と同じ様にビームスプリッタ■からの透
過光を、対物レンズ（イ）に導く場合と反射光を対物レ
ンズ（イ）に導く場合とで、相方とも同等の効果を得る
ことができる。
本発明によれば１反射防止膜をほどこさなくてもビーム
スプリッタの裏面反射を防ぐことができ、光ピツクアッ
プヘッドの低価格化が可能となる。
スプリッタの裏面反射を防ぐことができ、光ピツクアッ
プヘッドの低価格化が可能となる。
また、反射防止膜形成が不要であり、ハーフミラ−面に
反射防止筒形成物質が付着してビームスプリッタの性能
を低下させることもなくなり、ビームスプリッタ自体の
性能を向上させることが可能となる。
反射防止筒形成物質が付着してビームスプリッタの性能
を低下させることもなくなり、ビームスプリッタ自体の
性能を向上させることが可能となる。
第１図は本発明の実施例にかかる光学的情報処理装置（
光ピツクアップ）を示す構成図、第２図は他の実施例を
示す図、第３図は基板の屈折率が１．５１の場合の入射
角と裏面での反射率の関係を示す図、第４図は基板の屈
折率とブリュースター角との関係を示す図、第５図及び
第６図はそれぞれ本発明の他の実施例にかかる光学的情
報処理装置（光ピツクアップ）を示す構成図、第７図は
従来技術の一例を示す構成図、第８図はキューブ型ビー
ムスプリッタの外形図、第９図は従来技術の平板型ビー
ムスプリッタの外形図、第１０図は基板の屈折率が１．
５１の場合の入射角とＳ偏光成分及びＰ偏光成分それぞ
れの反射率の関係を示す図である。 ■・・・半導体レーザ、 ■・・・コリメー
タレンズ■・・・平板型ビームスプリッタ、（イ）・・
・対物レンズ■・・・情報記録媒体、 （０・
・・光検出器■・・・キューブ型ビームスプリッタ。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 第１図 第２図 θ ｌρ ２θ ３ρ ｔｄ）Ｓθ 乙１） ７
０ ？θ ９０Ｘ４１六〇（友） 第３図 ５４＝ ５５５６５７５？ Ｓ’？ ６θ乙Ｉ又財色
５ （＆） 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
光ピツクアップ）を示す構成図、第２図は他の実施例を
示す図、第３図は基板の屈折率が１．５１の場合の入射
角と裏面での反射率の関係を示す図、第４図は基板の屈
折率とブリュースター角との関係を示す図、第５図及び
第６図はそれぞれ本発明の他の実施例にかかる光学的情
報処理装置（光ピツクアップ）を示す構成図、第７図は
従来技術の一例を示す構成図、第８図はキューブ型ビー
ムスプリッタの外形図、第９図は従来技術の平板型ビー
ムスプリッタの外形図、第１０図は基板の屈折率が１．
５１の場合の入射角とＳ偏光成分及びＰ偏光成分それぞ
れの反射率の関係を示す図である。 ■・・・半導体レーザ、 ■・・・コリメー
タレンズ■・・・平板型ビームスプリッタ、（イ）・・
・対物レンズ■・・・情報記録媒体、 （０・
・・光検出器■・・・キューブ型ビームスプリッタ。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 第１図 第２図 θ ｌρ ２θ ３ρ ｔｄ）Ｓθ 乙１） ７
０ ？θ ９０Ｘ４１六〇（友） 第３図 ５４＝ ５５５６５７５？ Ｓ’？ ６θ乙Ｉ又財色
５ （＆） 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (5)
- （１）光源と、この光源からの光束を情報記録担体の記
録面へ焦点を結ぶ対物レンズを含む光学系と、前記対物
レンズを前記情報記録担体のフォーカス方向及びトラッ
キング方向に駆動する可動部とを少なくとも具備する光
学的情報処理装置において、平板型基板の一主面上に誘
電体多層膜を形成してなるビームスプリッタを備え、ビ
ームスプリッタへの入射光が入射面に平行な振動方向を
もつ偏光（Ｐ成分）であり、かつ入射角θがブリュース
ター角θ＿Ｂと等しいか、あるいはブリュースター角に
近くなる様に配置されていることを特徴とする光学的情
報処理装置。 - （２）前記平板型基板の他の主面上には反射防止膜が形
成されていないことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光学的情報処理装置。 - （３）前記平板型基板の屈折率をＮ＿Ｓとしたとき、１
．４＜Ｎ＿Ｓ＜１．８の場合において、 ４０°＜θ＜７０° としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
学的情報処理装置。 - （４）前記ビームスプリッタを、入射光が拡散光となる
位置に配置したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光学的情報処理装置。 - （５）前記ビームスプリッタを、入射光が平行光となる
位置に配置したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光学的情報処理装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60236358A JPS6297148A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 光学的情報処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60236358A JPS6297148A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 光学的情報処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297148A true JPS6297148A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=16999612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60236358A Pending JPS6297148A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 光学的情報処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297148A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009078291A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Konica Minolta Opto, Inc. | 光ピックアップ装置 |
| WO2009078250A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Konica Minolta Opto, Inc. | 光ピックアップ装置 |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP60236358A patent/JPS6297148A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009078291A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Konica Minolta Opto, Inc. | 光ピックアップ装置 |
| WO2009078250A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Konica Minolta Opto, Inc. | 光ピックアップ装置 |
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