JP2869318B2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
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- JP2869318B2 JP2869318B2 JP5317220A JP31722093A JP2869318B2 JP 2869318 B2 JP2869318 B2 JP 2869318B2 JP 5317220 A JP5317220 A JP 5317220A JP 31722093 A JP31722093 A JP 31722093A JP 2869318 B2 JP2869318 B2 JP 2869318B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスクに記録
再生を行う光学的記録再生装置において使用される光ピ
ックアップ装置に関するものである。
再生を行う光学的記録再生装置において使用される光ピ
ックアップ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８を用いて従来の光磁気ディスク装置
用ピックアップの光学系について説明する。光源（半導
体レーザ）８１から出射された光はホログラム８２、コ
リメータレンズ８３、偏光ビームスプリッタ８４を透過
し、ミラー８５で方向を変えられ、対物レンズ８６によ
って光磁気ディスク８７上に集光される。光磁気ディス
ク８７で反射された光は、対物レンズ８６とミラー８５
を通って偏光ビームスプリッタ８４に入射する。偏光ビ
ームスプリッタ８４に入射した光は、サーボエラー信号
検出光と光磁気信号検出光に２分割される。サーボエラ
ー信号検出光は偏光ビームスプリッタ８４を透過して、
コリメータレンズ８３によって集光されホログラム８２
に入射，回折され、フォトダイオード８８に導かれる。
一方、光磁気信号検出光の方は、ウォラストンプリズム
８９，ミラー９０，スポットレンズ９１を通り、光磁気
信号検出器９２へと導かれる。
用ピックアップの光学系について説明する。光源（半導
体レーザ）８１から出射された光はホログラム８２、コ
リメータレンズ８３、偏光ビームスプリッタ８４を透過
し、ミラー８５で方向を変えられ、対物レンズ８６によ
って光磁気ディスク８７上に集光される。光磁気ディス
ク８７で反射された光は、対物レンズ８６とミラー８５
を通って偏光ビームスプリッタ８４に入射する。偏光ビ
ームスプリッタ８４に入射した光は、サーボエラー信号
検出光と光磁気信号検出光に２分割される。サーボエラ
ー信号検出光は偏光ビームスプリッタ８４を透過して、
コリメータレンズ８３によって集光されホログラム８２
に入射，回折され、フォトダイオード８８に導かれる。
一方、光磁気信号検出光の方は、ウォラストンプリズム
８９，ミラー９０，スポットレンズ９１を通り、光磁気
信号検出器９２へと導かれる。
【０００３】これらの光学系において、半導体レーザ８
１とフォトダイオード８８は共通のステム上にマウント
され一つのパッケージに収められ、ホログラム８２はパ
ッケージ９３の上面に接着固定されている。このように
半導体レーザ８１，フォトダイオード８８，ホログラム
８２は一体化されており、小型軽量化、耐環境性能の向
上が図られている。
１とフォトダイオード８８は共通のステム上にマウント
され一つのパッケージに収められ、ホログラム８２はパ
ッケージ９３の上面に接着固定されている。このように
半導体レーザ８１，フォトダイオード８８，ホログラム
８２は一体化されており、小型軽量化、耐環境性能の向
上が図られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来例ではサーボエラ
ー信号検出用フォトダイオードと光源とを同じパッケー
ジ内に配置することで小型軽量化を図っているが、ディ
スクからの反射光は偏光ビームスプリッタで２分割され
別々の光路をとるため、これがピックアップ小型化の根
本的な妨げになっている。
ー信号検出用フォトダイオードと光源とを同じパッケー
ジ内に配置することで小型軽量化を図っているが、ディ
スクからの反射光は偏光ビームスプリッタで２分割され
別々の光路をとるため、これがピックアップ小型化の根
本的な妨げになっている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、コリメータレ
ンズ，対物レンズ、及び、それらの間に配され光軸を９
０°折り曲げる反射ミラーを用いて、光源からの光を記
録担体に集光するとともに前記記録担体からの戻り光を
回折素子へと導き、該回折素子で回折された光を第１の
光検出素子で受光することにより信号を検出する光ピッ
クアップ装置において、前記全反射ミラーに一体化され
て前記全反射ミラーの光入射側に配置されており、前記
戻り光の一部を前記回折素子を通さずに前記光源と同一
パッケージ内の第２の光検出素子へと導くよう設けられ
たハーフミラーを有してなることを特徴とする。
ンズ，対物レンズ、及び、それらの間に配され光軸を９
０°折り曲げる反射ミラーを用いて、光源からの光を記
録担体に集光するとともに前記記録担体からの戻り光を
回折素子へと導き、該回折素子で回折された光を第１の
光検出素子で受光することにより信号を検出する光ピッ
クアップ装置において、前記全反射ミラーに一体化され
て前記全反射ミラーの光入射側に配置されており、前記
戻り光の一部を前記回折素子を通さずに前記光源と同一
パッケージ内の第２の光検出素子へと導くよう設けられ
たハーフミラーを有してなることを特徴とする。
【０００６】また、前記ハーフミラーが、断面がくさび
状に形成されてなることを特徴とする。更に、前記ハー
フミラーが、偏光特性をもち、カー回転角増倍作用を有
することを特徴とする。また、前記全反射ミラーが、前
記ハーフミラーの裏面に直接形成されてなることを特徴
とする。
状に形成されてなることを特徴とする。更に、前記ハー
フミラーが、偏光特性をもち、カー回転角増倍作用を有
することを特徴とする。また、前記全反射ミラーが、前
記ハーフミラーの裏面に直接形成されてなることを特徴
とする。
【０００７】
【作用】光学部品数が減り、ピックアップの小型，軽量
化が図れ、コストダウンにつながる。各素子の位置関係
が安定に保たれ、耐環境性能が向上する。
化が図れ、コストダウンにつながる。各素子の位置関係
が安定に保たれ、耐環境性能が向上する。
【０００８】
【実施例】図１を用いて本発明の光学系について説明す
る。光源（半導体レーザ）１から出射された光はホログ
ラム２、コリメータレンズ３を透過し、ハーフミラーと
全反射ミラーから成る複合ミラー４で方向を変えられ対
物レンズ５によって光磁気ディスク６上に集光される。
光磁気ディスク６で反射された光は対物レンズ５を通っ
て複合ミラー４に入射する。複合ミラー４に入射された
光はサーボエラー信号検出光と光磁気信号検出光に２分
割される。サーボエラー信号検出光は複合プリズム４か
らコリメータレンズ３によって集光され、ホログラム２
に入射、回折されフォトダイオード７に導かれ、信号が
検出される。一方光磁気信号検出光の方は断面がくさび
形のハーフミラーの奥の面（全反射ミラー）で反射さ
れ、サーボエラー信号検出光とθの角度をもって複合ミ
ラー４から出射し、コリメータレンズ３により集光され
ホログラム２は通らず光導波路素子８のカプラー部分に
導かれる。光導波路素子では偏光分離、検出が行われ
る。
る。光源（半導体レーザ）１から出射された光はホログ
ラム２、コリメータレンズ３を透過し、ハーフミラーと
全反射ミラーから成る複合ミラー４で方向を変えられ対
物レンズ５によって光磁気ディスク６上に集光される。
光磁気ディスク６で反射された光は対物レンズ５を通っ
て複合ミラー４に入射する。複合ミラー４に入射された
光はサーボエラー信号検出光と光磁気信号検出光に２分
割される。サーボエラー信号検出光は複合プリズム４か
らコリメータレンズ３によって集光され、ホログラム２
に入射、回折されフォトダイオード７に導かれ、信号が
検出される。一方光磁気信号検出光の方は断面がくさび
形のハーフミラーの奥の面（全反射ミラー）で反射さ
れ、サーボエラー信号検出光とθの角度をもって複合ミ
ラー４から出射し、コリメータレンズ３により集光され
ホログラム２は通らず光導波路素子８のカプラー部分に
導かれる。光導波路素子では偏光分離、検出が行われ
る。
【０００９】次に複合ミラー部分について図３を用いて
説明する。Ａ面はハーフミラー，Ｂ面は全反射ミラーに
なっていて、例えば誘電体多層膜や金属膜などから成っ
ている。Ａ面のハーフミラーには特に偏光特性をもたせ
てあり、カー回転角の増倍を図っている。主な光の進路
としては、Ａ面に入射した光が直角に反射され対物レン
ズ，光磁気ディスクへと進み、再び同じ光路を通りＡ面
に戻ってくる。そしてＡ面を透過しＢ面で全反射され再
びＡ面を透過していく。このときに行きの光と帰りの光
の成す角θは、戻り光が図１に示すホログラム２にかか
らないようにするための値で、コリメータレンズの焦点
距離とホログラムの大きさおよびホログラム面でのビー
ム径から決められる。またθを達成するためのハーフミ
ラー板３１のくさび角αは、ハーフミラー材の屈折率と
θから求まる。代表的な値として屈折率１．５でθ＝９
°，α＝２．５°の値をとった。ハーフミラー板３１の
厚さは不要な光の影響を抑えるために必要な値があり、
次のようにして求められる。
説明する。Ａ面はハーフミラー，Ｂ面は全反射ミラーに
なっていて、例えば誘電体多層膜や金属膜などから成っ
ている。Ａ面のハーフミラーには特に偏光特性をもたせ
てあり、カー回転角の増倍を図っている。主な光の進路
としては、Ａ面に入射した光が直角に反射され対物レン
ズ，光磁気ディスクへと進み、再び同じ光路を通りＡ面
に戻ってくる。そしてＡ面を透過しＢ面で全反射され再
びＡ面を透過していく。このときに行きの光と帰りの光
の成す角θは、戻り光が図１に示すホログラム２にかか
らないようにするための値で、コリメータレンズの焦点
距離とホログラムの大きさおよびホログラム面でのビー
ム径から決められる。またθを達成するためのハーフミ
ラー板３１のくさび角αは、ハーフミラー材の屈折率と
θから求まる。代表的な値として屈折率１．５でθ＝９
°，α＝２．５°の値をとった。ハーフミラー板３１の
厚さは不要な光の影響を抑えるために必要な値があり、
次のようにして求められる。
【００１０】図４に示すように複合ミラーのＡ面で透過
した光はＢ面での全反射、ディスク上での反射を受け再
びＡ面に戻ってくる（一部は対物レンズ径より外れてし
まう）。ここでこのＡ面を透過しＢ面で反射されＡ面を
透過して出射される不要な光を，Ａ面で反射される不
要な光をとする。の光はハーフミラー板を通るため
必要な光と成す角はθとなり、これは複合ミラー４と
ホログラム２の距離を適当に離すことで信号検出器に入
るのを防ぐことができる。の光はと平行になるの
で、ハーフミラー板の厚さを適当にすることでとの
間隔は変えられ、信号検出器に入るのを防ぐことができ
る。代表的な値としてビーム径が３．８ｍｍ，ハーフミ
ラー材の屈折率が１．５の場合、ハーフミラー板に必要
な厚さは２．４ｍｍとなる。
した光はＢ面での全反射、ディスク上での反射を受け再
びＡ面に戻ってくる（一部は対物レンズ径より外れてし
まう）。ここでこのＡ面を透過しＢ面で反射されＡ面を
透過して出射される不要な光を，Ａ面で反射される不
要な光をとする。の光はハーフミラー板を通るため
必要な光と成す角はθとなり、これは複合ミラー４と
ホログラム２の距離を適当に離すことで信号検出器に入
るのを防ぐことができる。の光はと平行になるの
で、ハーフミラー板の厚さを適当にすることでとの
間隔は変えられ、信号検出器に入るのを防ぐことができ
る。代表的な値としてビーム径が３．８ｍｍ，ハーフミ
ラー材の屈折率が１．５の場合、ハーフミラー板に必要
な厚さは２．４ｍｍとなる。
【００１１】この複合ミラーを用いた場合のカー回転角
の増倍率は、その偏光特性によって決まる。Ａ面ハーフ
ミラーでのＰ偏光の反射率をｐ、Ｓ偏光の反射率をｓと
すると、Ｂ面は全反射であるから、図３のような複合ミ
ラーのカー回転角増倍率Ｂは
の増倍率は、その偏光特性によって決まる。Ａ面ハーフ
ミラーでのＰ偏光の反射率をｐ、Ｓ偏光の反射率をｓと
すると、Ｂ面は全反射であるから、図３のような複合ミ
ラーのカー回転角増倍率Ｂは
【００１２】
【数１】
【００１３】となる。一般的にはｓ≦１−ｐという関係
があり、ｓを設定するとｐが制限される。この複合ミラ
ーを用いた場合の光利用効率もその偏光特性から求ま
り、Ｐ偏光で（１−ｐ）2，Ｓ偏光で（１−ｓ）2とな
る。代表的な値としてＰ偏光反射０％，Ｓ偏光反射７０
％の場合、カー回転角増倍率は３．３３倍、Ｓ偏光の利
用効率は９％となる。
があり、ｓを設定するとｐが制限される。この複合ミラ
ーを用いた場合の光利用効率もその偏光特性から求ま
り、Ｐ偏光で（１−ｐ）2，Ｓ偏光で（１−ｓ）2とな
る。代表的な値としてＰ偏光反射０％，Ｓ偏光反射７０
％の場合、カー回転角増倍率は３．３３倍、Ｓ偏光の利
用効率は９％となる。
【００１４】図１ではハーフミラー部が４５゜である場
合の光学系について説明したが、図２のように、複合ミ
ラーの全反射ミラー部を４５゜にする構成も可能であ
る。この場合ハーフミラーの偏光特性の最適値も異なる
値となる。また図１では複合ミラーからの戻り光が行き
の光軸に対して図中上の方向へθ傾いているが、これは
ハーフミラー板の厚み勾配を変えることにより下の方向
へθ傾けることも可能である。このことは図２の構成に
ついても同様である。
合の光学系について説明したが、図２のように、複合ミ
ラーの全反射ミラー部を４５゜にする構成も可能であ
る。この場合ハーフミラーの偏光特性の最適値も異なる
値となる。また図１では複合ミラーからの戻り光が行き
の光軸に対して図中上の方向へθ傾いているが、これは
ハーフミラー板の厚み勾配を変えることにより下の方向
へθ傾けることも可能である。このことは図２の構成に
ついても同様である。
【００１５】図７は図１に示すパッケージ内での光源、
フォトダイオード、光導波路素子の配置例を示す平面図
である。ホログラムからの回折光はフォトダイオードの
位置と、光源をはさんで反対側とに±１次回折光が導か
れているので、この光の影響を避けるために光導波路素
子はフォトダイオードと直角の位置に配置してある。ト
ラックに対する入射ビームの偏光方向から決まる光源の
偏光方向、複合プリズムの偏光特性、フォトダイオード
の形状などからもこの位置が望ましい。また光磁気ディ
スクにおいて、カー効果による偏光面の回転は１〜２°
と微小であるので、ディスクに集光される光の偏光方向
に対して±４５°の方位となる偏光成分を検出し、その
差信号を検出するのが好ましい。図７においては半導体
レーザ７１の接合方位はＸ軸に平行になっており、よっ
て半導体レーザ７１からの出射光の偏光方位もＸ軸に平
行である。そして光導波路素子７８はＹ軸に対して４５
°傾けて配置されるので、光導波路素子内のＴＥモード
およびＴＭモードは半導体レーザ７１からの出射光の偏
光方位に対して±４５°の方位の偏光成分に対応するよ
うになり、Ｓ／Ｎの高い再生信号が得られる。
フォトダイオード、光導波路素子の配置例を示す平面図
である。ホログラムからの回折光はフォトダイオードの
位置と、光源をはさんで反対側とに±１次回折光が導か
れているので、この光の影響を避けるために光導波路素
子はフォトダイオードと直角の位置に配置してある。ト
ラックに対する入射ビームの偏光方向から決まる光源の
偏光方向、複合プリズムの偏光特性、フォトダイオード
の形状などからもこの位置が望ましい。また光磁気ディ
スクにおいて、カー効果による偏光面の回転は１〜２°
と微小であるので、ディスクに集光される光の偏光方向
に対して±４５°の方位となる偏光成分を検出し、その
差信号を検出するのが好ましい。図７においては半導体
レーザ７１の接合方位はＸ軸に平行になっており、よっ
て半導体レーザ７１からの出射光の偏光方位もＸ軸に平
行である。そして光導波路素子７８はＹ軸に対して４５
°傾けて配置されるので、光導波路素子内のＴＥモード
およびＴＭモードは半導体レーザ７１からの出射光の偏
光方位に対して±４５°の方位の偏光成分に対応するよ
うになり、Ｓ／Ｎの高い再生信号が得られる。
【００１６】さらに、この光導波路素子は、カプラーに
対する最適結合角が３次元的に決まるので、これを満足
するように配置されている。カプラーの位置は他に高さ
の制限も受ける。例えばトラッキンクサーボを３ビーム
法により行う場合（図示せず）には、メインビームとサ
ブビームが完全に分離されている方が続く偏光分離・検
出に対して有効であり、よってビームが３つに分離され
る距離までコリメータレンズ〜カプラー間を離さなけれ
ばならない。
対する最適結合角が３次元的に決まるので、これを満足
するように配置されている。カプラーの位置は他に高さ
の制限も受ける。例えばトラッキンクサーボを３ビーム
法により行う場合（図示せず）には、メインビームとサ
ブビームが完全に分離されている方が続く偏光分離・検
出に対して有効であり、よってビームが３つに分離され
る距離までコリメータレンズ〜カプラー間を離さなけれ
ばならない。
【００１７】次に図５を用いて光磁気信号検出用光導波
路素子について説明する。図５はその１例を示すもの
で、半導体基板５５上に光導波路５４が形成されてい
る。光導波路はＳｉ基板に熱酸化生成した厚さ約２μｍ
のＳｉＯ2膜の上に例えば無アルカリホウケイ酸ガラス
を成膜することで作製される。光カプラー５１から光導
波路に導かれた光は偏光分離素子５２を通過することで
各偏光成分に分離され、フォトダイオード５３で光磁気
信号が検出される。光カプラーは例えばピッチ約０．５
μｍのグレーティングや、マイクロプリズムなどから成
る。偏光分離素子５２については例えば各偏光の屈折率
差を利用するモードスプリッタ（特願平４−２３５５０
２）が使用される。光導波路素子はＩＣの技術の応用で
作製できるため、生産性に極めて富んでいる。
路素子について説明する。図５はその１例を示すもの
で、半導体基板５５上に光導波路５４が形成されてい
る。光導波路はＳｉ基板に熱酸化生成した厚さ約２μｍ
のＳｉＯ2膜の上に例えば無アルカリホウケイ酸ガラス
を成膜することで作製される。光カプラー５１から光導
波路に導かれた光は偏光分離素子５２を通過することで
各偏光成分に分離され、フォトダイオード５３で光磁気
信号が検出される。光カプラーは例えばピッチ約０．５
μｍのグレーティングや、マイクロプリズムなどから成
る。偏光分離素子５２については例えば各偏光の屈折率
差を利用するモードスプリッタ（特願平４−２３５５０
２）が使用される。光導波路素子はＩＣの技術の応用で
作製できるため、生産性に極めて富んでいる。
【００１８】本発明の実施例において、複合ミラーは図
３に示したように直角プリズムとくさび形のハーフミラ
ー板を貼り合わせた構成となっているが、図６に示すよ
うな、ハーフミラー板６１の裏面を全反射ミラーにした
ものでも同様の働きをする。Ａ′面がハーフミラー面，
Ｂ′面が全反射ミラー面である。
３に示したように直角プリズムとくさび形のハーフミラ
ー板を貼り合わせた構成となっているが、図６に示すよ
うな、ハーフミラー板６１の裏面を全反射ミラーにした
ものでも同様の働きをする。Ａ′面がハーフミラー面，
Ｂ′面が全反射ミラー面である。
【００１９】
【発明の効果】対物レンズとコリメータレンズの間のミ
ラーを断面がくさび形のハーフミラー板との二重構造に
し、入射光軸に対して角度をもたせて戻り光を反射させ
ることにより、従来パッケージの外にあった光磁気信号
検出系をレーザパッケージ内に配置することが可能とな
る。構成部品数が減り、ピックアップの小型軽量化が図
られ、耐環境性、生産性が向上する。
ラーを断面がくさび形のハーフミラー板との二重構造に
し、入射光軸に対して角度をもたせて戻り光を反射させ
ることにより、従来パッケージの外にあった光磁気信号
検出系をレーザパッケージ内に配置することが可能とな
る。構成部品数が減り、ピックアップの小型軽量化が図
られ、耐環境性、生産性が向上する。
【図１】本発明の光学系の実施例を示す構成図である。
【図２】別の実施例を示す構成図である。
【図３】複合プリズムの構成を示す側面図である。
【図４】複合プリズムの構成を示す側面図である。
【図５】光導波路素子の平面図である。
【図６】複合ミラーの別の実施例を示す側面図である。
【図７】パッケージ内の配置を示す平面図である。
【図８】従来の光学系を示す構成図である。
１，２１，７１ 光源（半導体レーザ） ２，２２ ホログラム ３，２３ コリメータレンズ ４，２４ 複合プリズム ５，２５ 対物レンズ ６．２６ ディスク ７，２７，７７ フォトダイオード（第１の光検出素
子） ８，２８，７８ 光導波路素子 ３１ ハーフミラー５３ フォトダイオード（第２の光検出素子）
子） ８，２８，７８ 光導波路素子 ３１ ハーフミラー５３ フォトダイオード（第２の光検出素子）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 圭男 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 岡田 訓明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 南 功治 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 G11B 7/135
Claims (4)
- 【請求項１】 コリメータレンズ，対物レンズ、及び、
それらの間に配され光軸を９０°折り曲げる反射ミラー
を用いて、光源からの光を記録担体に集光するとともに
前記記録担体からの戻り光を回折素子へと導き、該回折
素子で回折された光を第１の光検出素子で受光すること
により信号を検出する光ピックアップ装置において、前記全反射ミラーに一体化されて前記全反射ミラーの光
入射側に配置されており、前記戻り光の一部を前記回折
素子を通さずに前記光源と同一パッケージ内の第２の光
検出素子へと導くよう設けられたハーフミラーを有して
なることを特徴とする光ピックアップ装置 。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光ピックアップ装置に
おいて、前記ハーフミラーは、断面がくさび状に形成されてなる
ことを特徴とする光ピックアップ装置 。 - 【請求項３】 請求項２に記載の光ピックアップ装置に
おいて、前記ハーフミラーは、偏光特性をもち、カー回転角増倍
作用を有することを特徴とする光ピックアップ装置 。 - 【請求項４】 請求項２又は請求項３に記載の光ピック
アップ装置において、前記全反射ミラーは、前記ハーフミラーの裏面に直接形
成されてなることを特徴とする光ピックアップ装置 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5317220A JP2869318B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5317220A JP2869318B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 光ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176096A JPH07176096A (ja) | 1995-07-14 |
| JP2869318B2 true JP2869318B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=18085822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5317220A Expired - Fee Related JP2869318B2 (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2869318B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980029874A (ko) * | 1996-10-28 | 1998-07-25 | 배순훈 | 광 픽-업장치 |
| JP2001034999A (ja) | 1999-05-14 | 2001-02-09 | Fujitsu Ltd | 光情報記憶装置および光学素子 |
-
1993
- 1993-12-17 JP JP5317220A patent/JP2869318B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07176096A (ja) | 1995-07-14 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071225 Year of fee payment: 9 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081225 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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